JP5363201B2 - 超伝導体の微細パターンの作製方法 - Google Patents
超伝導体の微細パターンの作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5363201B2 JP5363201B2 JP2009136211A JP2009136211A JP5363201B2 JP 5363201 B2 JP5363201 B2 JP 5363201B2 JP 2009136211 A JP2009136211 A JP 2009136211A JP 2009136211 A JP2009136211 A JP 2009136211A JP 5363201 B2 JP5363201 B2 JP 5363201B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fine pattern
- carbon
- substrate
- forming
- superconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- PZKRHHZKOQZHIO-UHFFFAOYSA-N [B].[B].[Mg] Chemical compound [B].[B].[Mg] PZKRHHZKOQZHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002365 hybrid physical--chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/5805—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on borides
- C04B35/58057—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on borides based on magnesium boride, e.g. MgB2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/95—Products characterised by their size, e.g. microceramics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明は、超伝導体の微細パターンの作製方法に関し、より詳細には、ホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンの作製方法に関する。
ジョセフソン素子や超伝導ナノワイヤ単一光子検出器を代表例とする超伝導エレクトロニクス素子、電磁波検出素子等の超伝導素子は、超伝導体以外の材料では達成できない高性能を有する素子として、応用範囲が拡大している。これらの超伝導素子を作製するためには、ミクロンからサブミクロンサイズの微細パターンの形成が必要であるが、超伝導材料として通常用いられるニオブや窒化ニオブについては、フッ化物系ガス（CF4、C2F6、SF6など）をエッチングガスとする化学的ドライエッチング法を用いた微細パターンの形成方法が確立している。しかしながら、これらの超伝導体の超伝導転移温度(Tc)は9K（ニオブ）や16K（窒化ニオブ）と低く、極低温でしか動作しないという欠点があった。
最近発見された超伝導体であるホウ化マグネシウムは、39Kと高い超伝導転移温度を有しており、この材料を用いると、より高温で動作可能な超伝導素子を得ることが可能となる。ところが、有効なエッチングガスが知られてないため、ホウ化マグネシウム微細パターンの形成には化学的ドライエッチング法を用いることが出来ない。このため、ArまたはNeイオンを用いたミリング法やGaを用いた集束化イオンビームエッチング法などの物理的ドライエッチング法を利用することが一般的である。但し、これらの物理的ドライエッチング法では、加工時のダメージによる超伝導特性の劣化が生じる。劣化を軽減するために、金を保護膜としてホウ化マグネシウムの上に密着した後に物理的ドライエッチングを行なう手法があるが、劣化を完全に抑えることは出来ず、また、保護膜を剥離する際に新たな劣化が生じてしまう（非特許文献１〜３参照）。
石田武和 他、「金属系高温超伝導物質MgB2のエレクトロニクス応用」、固体物理, vol. 40, No. 1, pp. 51-67, (2005).
D. Mijatovic et al., "SQUID magnetometer operating at 37K based on nanobridges in exitaxial MgB2 thin films", Applied Physics Letters, vol. 87, 192505 (2005).
Ke Chen et al., "Planar MgB2 superconductor-normal metal-superconductor Josephson junctions fabricated using epitaxial MgB2/TiB2 bilayers", Applied Physics Letters, vol. 88, 222511 (2006).
M. Naito and Kenji Ueda, "MgB2 thin films for superconducting electronics", Superconductor Science and Technology, vol. 17, R1-R18 (2004).
このように、従来のホウ化マグネシウムの物理的ドライエッチングを用いた微細パターン形成においては、超伝導特性の劣化を避けることが出来ないという問題点があった。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンの作製方法において、超伝導特性の劣化を抑制することにある。
このような目的を達成するために、本発明の第１の態様は、基板の上にホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンを作製する方法であって、基板の上に、炭素および第２の材料を順に積層した微細パターンを形成するステップと、前記基板と前記炭素および第２の材料を順に積層した微細パターンの上に、ホウ化マグネシウム超伝導体を基板温度２００℃以上９００℃以下にした状態で形成するステップと、前記炭素および第２の材料を順に積層した微細パターンをリフトオフして、前記ホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンを前記基板上に残すステップとを含み、前記第２の材料は、珪素、チタン、ニッケル、アルミニウム、酸化アルミニウム、および酸化ケイ素のうちのいずれかであることを特徴とする。
また、本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記リフトオフを有機溶媒中の超音波洗浄によって行うことを特徴とする。
また、本発明の第３の態様は、第１の態様において、前記リフトオフは、酸素プラズマ照射により前記炭素を焼失させることによってリフトオフすることを特徴とする。
また、本発明の第４の態様は、第１の態様において、前記炭素および第２の材料を順に積層した微細パターンを形成するステップは、前記基板の上に、電子線レジストからなる微細パターンを形成するステップと、前記基板と前記電子線レジストからなる微細パターンの上に、前記炭素の層を形成し、ついで、前記第２の材料の層を形成するステップと、前記電子線レジストからなる微細パターンをリフトオフして、前記炭素および第２の材料を順に積層した微細パターンを前記基板上に残すステップとを含むことを特徴とする。
また、本発明の第５の態様は、第４の態様において、前記炭素および第２の材料を順に積層した微細パターンを形成するステップは、前記炭素および第２の材料を順に積層した微細パターンの前記炭素の層をエッチングして、逆テイパーを設けるステップをさらに含むことを特徴とする。
本発明によれば、リフトオフによりホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンが形成されるため、加工時における物理的なダメージが少なく、超伝導特性の劣化を抑制することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明による超伝導体微細パターンの作製方法を説明するための図である。具体的な数値にも言及しながら説明するが、これらの数値は例示に過ぎないことに注意されたい。
まず、結晶基板１０１の上に、電子線リソグラフィを用いて、厚さ１００ｎｍの電子線レジストからなる微細パターン１０２を形成する（図１（ａ））。基板１０１としては、サファイア結晶基板、窒化アルミニウムバッファ層付サファイア結晶基板等を用いることができる。
次に、微細パターン１０２の上に、電子線加熱蒸着装置により、室温においてアモルファスまたは多結晶状の炭素１０３を厚さ２５ｎｍ、アモルファスまたは多結晶状の珪素１０４を厚さ１５ｎｍ蒸着する（図１（ｂ））。
その後、電子線レジストの微細パターン１０２をリフトオフして、炭素および珪素からなる微細パターン１０６を形成する（図１（ｃ））。さらに、酸素プラズマアッシャーを用いて微細パターン１０６の炭素側面を僅かにエッチングして、逆テイパーの付いた微細パターン１０７とする（図１（ｄ））。逆テイパーの形成により、リフトオフが容易になるが、必ずしも形成する必要はない。
次に、微細パターン１０６又は１０７を設けた基板１０１の上に、分子線エピタキシー装置によりホウ化マグネシウム１０５を厚さ１０ｎｍ蒸着する（図１（ｅ））。ここで、蒸着時の基板温度は２８０℃であることが好ましいが、２００℃以上３００℃以下であればよい（非特許文献４参照）。ホウ素およびマグネシウムは、電子線加熱蒸着源を用いて共蒸着され、基板上で反応してホウ化マグネシウム１０５が作製される。マグネシウムの蒸着には電子線加熱蒸着源の代わりにクヌーセンセルや抵抗加熱源を用いてもよい。また、ホウ化マグネシウムの蒸着には、作製温度６００℃〜９００℃の２ステップ法や、作製温度７２０〜７６０℃のＨＰＣＶＤ法を用いることもできる（非特許文献４参照）。
最後に、ホウ化マグネシウム１０５が形成された基板１０１をセトン中に漬けて超音波洗浄を行うことにより、微細パターン１０６又は１０７をリフトオフして、ホウ化マグネシウム１０５の微細パターンを得る（図１（ｆ））。超音波洗浄の代わりに、酸素プラズマアッシャーを用いて炭素パターンを酸化焼失させてもよい。
ホウ化マグネシウム１０５を形成するためには基板温度を最低２００℃以上に上げる必要がある。このため、通常の有機物を用いたフォトレジストや電子線レジストで微細パターンを作製するとパターンが変形または消失し、リフトオフが不可能となる。しかし、本発明では、無機材質である炭素および珪素からなる微細パターン１０６を使用するので、ホウ化マグネシウム薄膜形成時の基板加熱によって変形や消失を生じない。
なお、珪素１０４は、２８０℃以上９００℃以下に加熱可能な他の材料、例えばチタン、ニッケル、アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素に置き換えてもよい。
図２は、本発明による超伝導体微細パターンの作製方法により作製されたホウ化マグネシウム微細パターンを示している。微細パターン１０５は、線幅５０μｍの部分の間に線幅２００ｎｍ、長さ１０μｍの部分が形成されている。
図３に、得られたホウ化マグネシウム微細パターンの抵抗率の温度依存性を示す。バターン形成前の同じ膜厚のホウ化マグネシウム薄膜と同様な抵抗率（約２００μΩｃｍ）と超伝導転移（約２０Ｋ）を示し、パターン作製による超伝導特性の劣化を抑制できている。
１０１ 結晶基板
１０２ 電子線レジストからなる微細パターン
１０３ アモルファスまたは多結晶状の炭素
１０４ アモルファスまたは多結晶状の珪素
１０５ ホウ化マグネシウム
１０６ 炭素および珪素からなる微細パターン
１０７ 逆テイパーの付いた微細パターン
１０２ 電子線レジストからなる微細パターン
１０３ アモルファスまたは多結晶状の炭素
１０４ アモルファスまたは多結晶状の珪素
１０５ ホウ化マグネシウム
１０６ 炭素および珪素からなる微細パターン
１０７ 逆テイパーの付いた微細パターン
Claims (5)
- 基板の上にホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンを作製する方法であって、
基板の上に、炭素および第２の材料を順に積層した微細パターンを形成するステップと、
前記基板と前記炭素および第２の材料を順に積層した微細パターンの上に、ホウ化マグネシウム超伝導体を基板温度２００℃以上９００℃以下にした状態で形成するステップと、
前記炭素および第２の材料を順に積層した微細パターンをリフトオフして、前記ホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンを前記基板上に残すステップと
を含み、前記第２の材料は、珪素、チタン、ニッケル、アルミニウム、酸化アルミニウム、および酸化ケイ素のうちのいずれかであることを特徴とする方法。 - 前記リフトオフは、有機溶媒中の超音波洗浄によって行うことを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 前記リフトオフは、酸素プラズマ照射により前記炭素を焼失させることによってリフトオフすることを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 前記炭素および第２の材料を順に積層した微細パターンを形成するステップは、
前記基板の上に、電子線レジストからなる微細パターンを形成するステップと、
前記基板と前記電子線レジストからなる微細パターンの上に、前記炭素の層を形成し、ついで、前記第２の材料の層を形成するステップと、
前記電子線レジストからなる微細パターンをリフトオフして、前記炭素および第２の材料を順に積層した微細パターンを前記基板上に残すステップと
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 前記炭素および第２の材料を順に積層した微細パターンを形成するステップは、前記炭素および第２の材料を順に積層した微細パターンの前記炭素の層をエッチングして、逆テイパーを設けるステップをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009136211A JP5363201B2 (ja) | 2009-06-05 | 2009-06-05 | 超伝導体の微細パターンの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009136211A JP5363201B2 (ja) | 2009-06-05 | 2009-06-05 | 超伝導体の微細パターンの作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010283206A JP2010283206A (ja) | 2010-12-16 |
| JP5363201B2 true JP5363201B2 (ja) | 2013-12-11 |
Family
ID=43539685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009136211A Expired - Fee Related JP5363201B2 (ja) | 2009-06-05 | 2009-06-05 | 超伝導体の微細パターンの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5363201B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012248377A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Hitachi Ltd | 超電導線材の製造方法、および超電導線材 |
| JP5386550B2 (ja) * | 2011-07-05 | 2014-01-15 | 株式会社日立製作所 | 超電導スイッチ，超電導磁石、およびｍｒｉ |
| GB201718897D0 (en) | 2017-11-15 | 2017-12-27 | Microsoft Technology Licensing Llc | Superconductor-semiconductor fabrication |
| CN110534429B (zh) * | 2019-09-10 | 2022-06-03 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种超导薄膜及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0837233A (ja) * | 1994-07-22 | 1996-02-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| GB0110468D0 (en) * | 2001-04-28 | 2001-06-20 | Secr Defence | MM-Wave Terrestrial Imager |
| JP4811552B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2011-11-09 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 超伝導素子を用いた中性子検出装置 |
| JP2007088205A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | 金属材料層の製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
| JP5484662B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2014-05-07 | 富士フイルム株式会社 | 無機材料膜のパターン形成方法 |
-
2009
- 2009-06-05 JP JP2009136211A patent/JP5363201B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010283206A (ja) | 2010-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102208348B1 (ko) | 이온 밀 손상을 줄이기 위한 캐핑층 | |
| JP5363201B2 (ja) | 超伝導体の微細パターンの作製方法 | |
| Kwak et al. | Abnormal dependence of contact resistivity on hole concentration in nonalloyed ohmic contacts to p-GaN | |
| Baghdadi et al. | Toward $\hbox {YBa} _ {2}\hbox {Cu} _ {3}\hbox {O} _ {7-\delta} $ Nanoscale Structures for Hybrid Devices | |
| CN107103957A (zh) | 提高第二代高温超导带材层间结合力的处理方法 | |
| WO2007094146A1 (ja) | 超電導薄膜材料の製造方法、超電導機器、および超電導薄膜材料 | |
| Kageura et al. | Superconductivity in nano-and micro-patterned high quality single crystalline boron-doped diamond films | |
| JP2011113662A (ja) | 薄膜超電導線材用金属基材、その製造方法および薄膜超電導線材の製造方法 | |
| US10158061B2 (en) | Integrated superconductor device and method of fabrication | |
| Su et al. | High critical magnetic field superconducting contacts to Ge/Si core/shell nanowires | |
| EP4009387B1 (en) | Josephson junction fabrication method | |
| JP5207271B2 (ja) | 高温超伝導単結晶上での面内型ジョセフソン接合形成法 | |
| Satoh et al. | Fabrication of superconducting qubits with Al trilayer Josephson junctions | |
| CN113421826A (zh) | 二维层状材料的原子级精度无损逐层刻蚀方法 | |
| Mechold et al. | Towards Fabrication of Sub-Micrometer Cross-Type Aluminum Josephson Junctions | |
| Melbourne | Magnesium Diboride Devices and Applications | |
| JP4795671B2 (ja) | 超伝導体積層構造及びその作製方法 | |
| Ohnishi et al. | Improvement of superconductive properties of mesoscopic Nb wires by Ti passivation layers | |
| Peroz et al. | High critical current densities observed in PrBa2Cu3O7− δ∕ YBa2Cu3O7− δ∕ PrBa2Cu3O7− δ ultrathin film constrictions | |
| Lee et al. | All focused ion beam fabricated MgB2 inter-grain nanobridge dc SQUIDs | |
| JP2006237384A (ja) | 積層型全ＭｇＢ２ＳＩＳ接合および積層型全ＭｇＢ２ＳＩＳ接合方法 | |
| JP4863622B2 (ja) | ジョセフソン接合の作製方法、及びジョセフソン接合 | |
| JP5448514B2 (ja) | 薄膜超電導線材及びその製造方法 | |
| Portesi et al. | Superconducting MgB~ 2 nanobridges and meanders obtained by an electron beam lithography-based technique on different substrates | |
| Vasiliev et al. | Modification of YBa 2 Cu 3 O 7–δ thin films by ion implantation |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100916 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110927 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130524 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130528 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130711 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130903 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130905 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5363201 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |