JP2012040619A - 容量型memsセンサおよびその製造方法 - Google Patents
容量型memsセンサおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012040619A JP2012040619A JP2010181191A JP2010181191A JP2012040619A JP 2012040619 A JP2012040619 A JP 2012040619A JP 2010181191 A JP2010181191 A JP 2010181191A JP 2010181191 A JP2010181191 A JP 2010181191A JP 2012040619 A JP2012040619 A JP 2012040619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- hole
- fixed electrode
- sacrificial layer
- mems sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
【課題】突起を形成するための追加の工程を必要としない容量型MEMSセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】可動部を構成するダイアフラム膜13上に、犠牲層14と固定電極15を積層形成する。固定電極には貫通孔17を形成し、この貫通孔から等方性のエッチングを行う。その結果、貫通孔から最も遠い位置のダイアフラム膜上に、犠牲層の一部を残すことができる。この犠牲層の一部を突起21として利用し、可動部と固定電極とが貼り付くことを防止する。
【選択図】図1
【解決手段】可動部を構成するダイアフラム膜13上に、犠牲層14と固定電極15を積層形成する。固定電極には貫通孔17を形成し、この貫通孔から等方性のエッチングを行う。その結果、貫通孔から最も遠い位置のダイアフラム膜上に、犠牲層の一部を残すことができる。この犠牲層の一部を突起21として利用し、可動部と固定電極とが貼り付くことを防止する。
【選択図】図1
Description
本発明は、中空構造を犠牲層の除去によって形成する容量型MEMSセンサであって、可動部と固定電極とが貼り付くことを防止する突起を備えた容量型MEMSセンサおよびその製造方法に関する。
半導体装置の製造プロセスを用いて形成するMEMSセンサが、近年、広く用いられるようになってきている。一般的な容量型MEMSセンサの構造は、一方の電極を可動構造(可動部、あるいは可動電極という)とし、それに対向するように固定電極が形成されている。可動部と固定電極との間は、中空構造になっており、圧力などの力学量の作用により可動部が変位し、その変位量を容量値の変位としてとらえ、電気的信号に変換して出力する構成となっている。
このような構造の容量型MEMSセンサの中空構造を形成する場合、可動部と固定電極との間に犠牲層と呼ばれる膜を形成し、この犠牲層をエッチング除去して形成するのが一般的である。
中空構造を形成する際のエッチングは、フッ酸系の溶液を用いたウエットエッチング法や、フッ酸系のガスを用いたドライエッチング法が採用される。一般的には、ウエットエッチング法がドライエッチング法に比べて安価であるため、ウエットエッチング法を採用するのが好ましい。
ウエットエッチング法では、犠牲層のエッチングが終了した後、フッ酸系溶液を除去するため、純水、アルコール等の置換液に浸漬し、乾燥させる必要がある。ところが、このとき使用される置換液の表面張力によって、可動部と固定電極とが貼り付いてしまうという問題があった。
このような問題を解消するため、特許文献1では、可能部に突起を形成する方法が提案されている。図2は、従来方法による容量型MEMSセンサの製造方法の説明図である。まず、シリコン基板1上に固定電極2を形成し、中空部を形成する部分に犠牲層3を積層形成する(図2a)。
その後、可動部の突起を形成する部分の犠牲層3に凹部4を形成する。この凹部4は、通常のフォトリソグラフ法により形成される。すなわち、凹部4の形成予定領域を開口するようにフォトレジスト膜をパターニングし、フォトレジスト膜の開口内に露出する犠牲層3の一部をエッチングして、凹部4を形成し、その後、フォトレジスト膜を除去することによって形成される(図2b)。
その後、凹部4が形成された犠牲層3上に可動電極となる膜5を積層し、所望の形状にパターニングする。ここで、図2(c)に示すように、先に形成した凹部4内にも可動電極となる膜5が充填される。その後、犠牲層3を除去することによって、中空部6と突起7を有する可動部5を形成することができる(図2d)。
このように突起7が形成されると、犠牲層3をウエットエッチング法により除去する場合でも、置換液の表面張力によって固定電極に貼り付くのは、突起7の先端のみとなり、容易に分離し、可動部と固定電極が貼り付くという問題を解消することができる。
また、その他の方法として、固定電極を形成する前に、シリコン基板上に小さなLOCOS酸化膜を形成し、この凸部上の固定電極を形成することで、固定電極に突起を形成する方法も知られている。
以上説明したように、可動部と固定電極が貼り付いてしまうという問題を解消するため、従来提案されていた突起を形成する方法は、通常の容量型MEMSセンサの製造工程に、凹部を形成するための工程やLOCOS酸化膜を形成するための工程を追加しなければならず、製造工程が増加するという問題があった。
本発明は、上記問題点を解消し、通常の容量型MEMSセンサの製造工程のみで突起を形成することができる容量型MEMSセンサおよびその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため本願第1の発明は、可動部と固定電極との間が、犠牲層を除去して形成された中空構造となっており、前記可動部の変位を前記可動部を含む可動電極と前記固定電極との間の容量の変化として出力する容量型MEMSセンサにおいて、前記固定電極には複数の貫通孔が形成されており、前記貫通孔と別の貫通孔との間の位置に対向する前記可動部上に、前記中空構造を形成する際に除去される犠牲層の一部を残して突起が形成されていることを特徴とする。
本願第2の発明の容量型MEMSセンサの製造方法は、シリコン基板上に、可動部を構成する膜あるいは固定電極を構成する膜となる第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜上に、犠牲層を積層形成する工程と、前記犠牲層上に、固定電極を構成する膜あるいは可動部を構成する膜となる第2の膜を形成する工程と、前記固定電極を構成する膜となる前記第2の膜あるいは前記第1の膜に、突起形成予定領域に配置される1つの貫通孔と別の貫通孔との間隔が、突起を形成しない領域に配置される1つの貫通孔と別の貫通孔との間隔より広い間隔となるように配置した複数の貫通孔を備えた固定電極を構成する膜を形成する工程と、前記シリコン基板の一部を除去し、バックチャンバーを形成する工程と、前記貫通孔から前記犠牲層をエッチング除去するとともに、間隔が広く配置された前記貫通孔と別の貫通孔との間に位置する前記可動部を構成する膜となる前記第1の膜あるいは前記第2の膜上に、前記犠牲層の一部を残し、中空構造と突起を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
本発明の容量型MEMSセンサの製造方法によれば、突起を形成するための追加の工程なしで、突起を形成することができ、製造コストを抑えた容量型MEMSセンサを提供することができる。
また、突起の大きさや高さは、貫通孔の配置、犠牲層のエッチングを制御することのみで制御性良く形成することができるという利点がある。
本発明の容量型MEMSセンサは、突起の先端が、先鋭に形成することができるため、突起自体が固定電極に貼り付いてしまうということもない。また、従来の突起やLOCOS酸化膜と比べて、非常に小さい突起を形成することができるため、突起がセンサ感度に影響を与えることもない。
本発明の容量型MEMSセンサの製造方法によれば、従来の容量型MEMSセンサの製造工程に追加の製造工程を加えなくても、突起を有する可動部を備えた容量型MEMSセンサを形成することが可能となる。以下、本発明の実施例について、製造工程に従い詳細に説明する。
まず、表面の結晶方位が(100)のシリコン基板11を用意し、表面および裏面に第1の絶縁膜として、厚さ0.3μmの熱酸化膜12を形成する。さらに表面側の熱酸化膜12上に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により厚さ0.1μmのポリシリコン膜を形成し、通常のフォトリソグラフ法によりパターニングを行い、可動部となるダイアフラム膜13を形成する(図1a)。
その後、表面全面に第2の絶縁膜として、厚さ2μmのUSG(Undoped Silicate Glass)膜14を積層形成する。このUSG膜は、犠牲層に相当する。さらにUSG膜14上に、固定電極となる厚さ1.0μmのポリシリコン膜15を形成した後、表面全面に厚さ0.2μmのシリコン窒素膜16を積層形成する(図1b)。
次に、先に形成した犠牲層に相当するUSG膜14を後工程で除去するため、複数の貫通孔17を形成し、USG膜14の表面の一部を露出させる(図1c)。また本発明では、突起を形成するため、この貫通孔17を後述する所望の位置に配置する。なお、貫通孔17は、例えば本容量型MEMSセンサをマイクロフォンとして使用した場合、音を可動部のダイアフラム膜13に伝えるための音孔の機能も果たすことになり、所望の特性となるように、径の大きさ、数、配置を設定する必要がある。
可動部のダイアフラム膜13、固定電極となるポリシリコン膜15のそれぞれ接続する配線部18を形成する(図1d)。その後、シリコン基板11の裏面側の熱酸化膜12の一部を、エッチング除去し、シリコン基板11を露出させる。そして、熱酸化膜12をエッチングマスクとして使用して、TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide)等の反応律速のエッチング液を用いて、シリコン基板11をエッチングする。このときシリコン基板11の表面は、エッチング保護膜19で保護しておく。シリコン基板11は、所定の面方位を有する基板を使用しているため、(111)面が表れるエッチングが行われ、図1(e)示すようなバックチャンバー20を形成することができる。
その後、保護膜19を除去し、可動部と固定電極の間を中空構造とするため、USG膜14を貫通孔17からエッチングする。ここで使用するエッチング液は、配線部18を構成する配線材料とのエッチング選択性が高く、等方性エッチングを行うことができるフッ酸系の混酸水溶液を用いる。具体的には、フッ化アンモニウムと酢酸の混合液を用いる。
このエッチング液は、上記構造の場合、2μmの厚さのUSG膜14を、表面に近い貫通孔17近傍では、横方向へ4.2μm/hのエッチングレートであるのに対し、ダイアフラム膜13近傍では、横方向へ3.7μm/hのエッチングレートとなる。そこで、突起を形成したい部分は、少なくとも3つの貫通孔17の相互の間隔を、USG膜14をすべて除去したい部分のすべての貫通孔17の相互の間隔より大きく設定する。
そうすると、それぞれの貫通孔から、等方的に進行するエッチング時間を制御することで、貫通孔から最も遠い部分にエッチングされない部分を残すことができる。このエッチングされずに残った犠牲層に一部を突起としている。このように形成される突起の形状は、等方性のエッチングによるため、先端が先鋭な構造とすることができる。
具体的には、突起を形成した部分では、貫通孔の中心と別の貫通孔の中心の間隔を3.6μmとし、突起を形成しない部分では、その間隔を3.1μmとする。その結果、上記エッチングレートのエッチング液を用いて、1時間のエッチングを行った場合、ダイアフラム膜13上に、底辺の一辺が0.6μmで、高さ0.6μmの、先端が尖った突起21を形成することができた(図1f)。
このように、本発明では、従来の犠牲層の除去工程と同時に突起21を形成することができ、突起21を形成するための特別な工程を必要としない。本発明では、突起を形成するために、貫通孔17の配置を変更するだけでよい。
突起の大きさや高さも、犠牲層の厚さ、貫通孔の配置、エッチングレート、エッチング時間等を適宜設定することで、調整することができる。
以上説明したように、本発明によれば、簡便に突起を形成することができる。本発明により形成した容量型MEMSセンサは、犠牲層をエッチング除去する際、ウエットエッチング法によっても、先鋭な突起が形成されているため、可動部と固定電極が貼り付いてしまうということはない。
なお、上記実施例では、シリコン基板11上にダイアフラム膜13を形成する場合について説明したが、シリコン基板11上に固定電極を形成することも可能である。その場合、バックチャンバー20を形成した後、バックチャンバー20側から犠牲層となるUSG膜14をエッチング除去すればよい。このような製造工程によっても、突起21はダイアフラム膜13上に形成することができる。
11:シリコン基板、12:熱酸化膜、13:ダイアフラム膜、14:USG膜、15:ポリシリコン膜、16:シリコン窒素膜、17:貫通孔、18:配線部、19:エッチング保護膜、20:バックチャンバー、21:突起
Claims (2)
- 可動部と固定電極との間が、犠牲層を除去して形成された中空構造となっており、前記可動部の変位を前記可動部を含む可動電極と前記固定電極との間の容量の変化として出力する容量型MEMSセンサにおいて、
前記固定電極には複数の貫通孔が形成されており、
前記貫通孔と別の貫通孔との間の位置に対向する前記可動部上に、前記中空構造を形成する際に除去される犠牲層の一部を残して突起が形成されていることを特徴とする容量型MEMSセンサ。 - シリコン基板上に、可動部を構成する膜あるいは固定電極を構成する膜となる第1の膜を形成する工程と、
前記第1の膜上に、犠牲層を積層形成する工程と、
前記犠牲層上に、固定電極を構成する膜あるいは可動部を構成する膜となる第2の膜を形成する工程と、
前記固定電極を構成する膜となる前記第2の膜あるいは前記第1の膜に、突起形成予定領域に配置される1つの貫通孔と別の貫通孔との間隔が、突起を形成しない領域に配置される1つの貫通孔と別の貫通孔との間隔より広い間隔となるように配置した複数の貫通孔を備えた固定電極を構成する膜を形成する工程と、
前記シリコン基板の一部を除去し、バックチャンバーを形成する工程と、
前記貫通孔から前記犠牲層をエッチング除去するとともに、間隔が広く配置された前記貫通孔と別の貫通孔との間に位置する前記可動部を構成する膜となる前記第1の膜あるいは前記第2の膜上に、前記犠牲層の一部を残し、中空構造と突起を形成する工程とを備えたことを特徴とする容量型MEMSセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010181191A JP2012040619A (ja) | 2010-08-13 | 2010-08-13 | 容量型memsセンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010181191A JP2012040619A (ja) | 2010-08-13 | 2010-08-13 | 容量型memsセンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012040619A true JP2012040619A (ja) | 2012-03-01 |
Family
ID=45897494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010181191A Pending JP2012040619A (ja) | 2010-08-13 | 2010-08-13 | 容量型memsセンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012040619A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015066649A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 新日本無線株式会社 | Mems素子およびその製造方法 |
CN104649214A (zh) * | 2013-11-19 | 2015-05-27 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Mems器件的接触插塞及其形成方法 |
WO2016129111A1 (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | 株式会社日立製作所 | メンブレンデバイスおよびその製造方法 |
CN108083225A (zh) * | 2016-11-21 | 2018-05-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems器件及其制备方法、电子装置 |
CN115966408A (zh) * | 2022-12-21 | 2023-04-14 | 天津大学 | 一种利用中空介电体降低电场畸变的方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10512675A (ja) * | 1995-01-24 | 1998-12-02 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | マイクロメカニズムデバイス |
WO2008001252A2 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Nxp B.V. | Method for manufacturing mems devices with moveable structure |
JP2009028806A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Rohm Co Ltd | Memsセンサおよびmemsセンサの製造方法 |
-
2010
- 2010-08-13 JP JP2010181191A patent/JP2012040619A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10512675A (ja) * | 1995-01-24 | 1998-12-02 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | マイクロメカニズムデバイス |
WO2008001252A2 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Nxp B.V. | Method for manufacturing mems devices with moveable structure |
JP2009028806A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Rohm Co Ltd | Memsセンサおよびmemsセンサの製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015066649A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 新日本無線株式会社 | Mems素子およびその製造方法 |
CN104649214A (zh) * | 2013-11-19 | 2015-05-27 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Mems器件的接触插塞及其形成方法 |
WO2016129111A1 (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | 株式会社日立製作所 | メンブレンデバイスおよびその製造方法 |
JPWO2016129111A1 (ja) * | 2015-02-13 | 2017-10-26 | 株式会社日立製作所 | メンブレンデバイスおよびその製造方法 |
US10761057B2 (en) | 2015-02-13 | 2020-09-01 | Hitachi, Ltd. | Membrane device and method for manufacturing same |
CN108083225A (zh) * | 2016-11-21 | 2018-05-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems器件及其制备方法、电子装置 |
CN115966408A (zh) * | 2022-12-21 | 2023-04-14 | 天津大学 | 一种利用中空介电体降低电场畸变的方法 |
CN115966408B (zh) * | 2022-12-21 | 2023-09-26 | 天津大学 | 一种利用中空介电体降低电场畸变的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20230224657A1 (en) | Semiconductor devices having a membrane layer with smooth stress-relieving corrugations and methods of fabrication thereof | |
US20090273043A1 (en) | Micro-electro-mechanical system device and method for making same | |
JP2012040619A (ja) | 容量型memsセンサおよびその製造方法 | |
JP6151541B2 (ja) | Mems素子およびその製造方法 | |
TW202013991A (zh) | 麥克風、微機電系統裝置及製造微機電系統裝置的方法 | |
JP6405276B2 (ja) | Mems素子およびその製造方法 | |
JP2009027176A (ja) | 微小電気機械システムに使用するためのウェーハを製造する方法 | |
JP6356512B2 (ja) | Mems素子 | |
JP6345926B2 (ja) | Mems素子およびその製造方法 | |
JP5973792B2 (ja) | Mems素子の製造方法 | |
JP6041033B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JP6659027B2 (ja) | Mems素子およびその製造方法 | |
CN107920318B (zh) | Mems麦克风及其形成方法 | |
CN213422398U (zh) | 一种振动检测装置 | |
JP6863545B2 (ja) | Mems素子およびその製造方法 | |
JP6645652B2 (ja) | Mems素子の製造方法 | |
JP2011082483A (ja) | ダイアフラム素子及びダイアフラム素子の製造方法 | |
JP2015188947A (ja) | Mems素子 | |
JP2012200799A (ja) | シリコン構造体の製造方法 | |
JP4994096B2 (ja) | 半導体装置の製造方法およびこれを用いた半導体装置 | |
JP2016007681A (ja) | Mems素子およびその製造方法 | |
JP2008022332A (ja) | 振動膜ユニット、これを備えるシリコンマイクロホン、および振動膜ユニットの製造方法 | |
JP6874943B2 (ja) | Mems素子 | |
JP6209041B2 (ja) | Mems素子およびその製造方法 | |
JP7120543B2 (ja) | Mems素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130710 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140603 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141014 |