JP6874943B2

JP6874943B2 - Ｍｅｍｓ素子

Info

Publication number: JP6874943B2
Application number: JP2017005735A
Authority: JP
Inventors: 新一荒木; 孝英臼井
Original assignee: New Japan Radio Co Ltd
Current assignee: New Japan Radio Co Ltd
Priority date: 2017-01-17
Filing date: 2017-01-17
Publication date: 2021-05-19
Anticipated expiration: 2037-01-17
Also published as: JP2018117206A

Description

本発明は、ＭＥＭＳ素子、特にトランスデューサー等の各種センサとして用いられる容量型ＭＥＭＳ素子に関する。

従来から、半導体プロセスを用いたＭＥＭＳ（ＭｉｃｒｏＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌＳｙｓｔｅｍｓ）素子は、半導体基板上に固定電極、犠牲層（絶縁膜）および可動電極を形成した後、犠牲層の一部を除去することで、スペーサーを介して固定された固定電極と可動電極との間にエアーギャップ（中空）構造が形成されている。

例えば、ＭＥＭＳ素子であるコンデンサマイクロホンでは、音圧を通過させる複数の貫通孔を備えた固定電極と、音圧を受ける可動電極とを対向して配置し、音圧を受けて振動する可動電極の変位を電極間の容量変化として検出する構成となっている。

一般的に、コンデンサマイクロホンの感度を向上させるためには、音圧により可動電極の変位を大きくする必要がある。そのため、可動電極のバネ性を弱くする方法がとられている。また、可動電極の形状を円形状に形成することにより、可動電極の振動を効率よく検出する方法が一般的である。

図４に従来のこの種のＭＥＭＳ素子の断面図を示す。図４に示すように、シリコン基板１上に熱酸化膜２が形成され、犠牲層４の一部がスペーサーとして残り、可動電極３と固定電極５が対向されている。固定電極５には複数の貫通孔７が形成されており、この貫通孔７を介して印加される音圧により固定電極３が変位する構造となっている。

また、図４に示すように、従来のＭＥＭＳ素子では、バックチャンバー１１は可動電極３の裏面側を大きく露出するような構造となっている。

ところで、このような構造の従来のＭＥＭＳ素子では、可動電極のバネ性を弱くすると変位が大きくなりすぎ、可動電極に撓みが生じ、感度低下の要因になってしまう問題があった。

そこで、まず可動電極の撓みを解消するために、固定電極と対向する可動電極の裏面に補強部を形成する技術等が開示されている（特許文献１）。本技術によれば、可動電極の撓みを抑制して、コンデンサマイクロホンを高性能化できるとされている。

しかし、一般的に可動電極の裏面に補強部を形成すると、補強部を支持するために可動電極の膜強度を上げる必要がある。この結果、可動電極が変位できる音圧に制限が生じ、コンデンサマイクロホンの感度を向上させることは困難となる。

また、一般的に可動電極は円形状で形成され、外形が正方形以外のＭＥＭＳ素子では、可動電極が形成されていない面積が大きくなり、面積効率が低くなる問題があった。

特開２０１１−４４８９０号公報

従来のＭＥＭＳ素子であるコンデンサマイクロホンの感度を向上させる方法として、可動電極のバネ性を弱くする方法がとられてきた。しかし、可動電極のバネ性を弱くしてしまうと、可動電極自体の撓みの問題が発生し、感度を向上させることは難しかった。また、近年コンデンサマイクロホンはより小型化が求められており、可動電極を円形状に限定する構造では、面積効率が低くなる場合があるという問題があった。

このような問題は、前記コンデンサマイクロホンに限らず、変位や振動を電気容量に変換する他のＭＥＭＳ素子においても同様に解決が求められる課題となる。

そこで本発明では、上記問題を解消し、感度の向上と小型化を同時に達成できるＭＥＭＳ素子を提供することを目的とする。

前記目的を達成するために、本願請求項１の発明に係るＭＥＭＳ素子は、第１のバックチャンバーと第２のバックチャンバーを備えた基板と、該基板上に絶縁膜と、該絶縁膜上に変位可能な可動電極と、この可動電極にエアーギャップを介して配置された固定電極とを備えたＭＥＭＳ素子において、前記第１のバックチャンバーは、前記基板の前記可動電極側の領域の一部を残し除去させた領域からなり、前記第２のバックチャンバーは、前記基板に連続し、前記可動電極側の領域に残された前記基板の一部および前記絶縁膜の一部に形成されている前記可動電極に達する複数の貫通孔によって区画された領域からなり、前記可動電極は、前記基板の一部および前記絶縁膜の一部と接して可動電極の支持部を構成する領域と、前記第２のバックチャンバーの前記貫通孔内に露出して、前記貫通孔毎に可動電極として機能する領域とを備えていることを特徴とする。
請求項２に係る発明は、請求項１記載のＭＥＭＳ素子において、前記支持部により支持される前記貫通孔毎に可動電極として機能する領域からなる複数の可動電極と前記固定電極との間の容量変化を検出することを特徴とする。

本発明によれば、可動電極は従来よりも面積を小さくしているために、バネ性の弱い材料で可動電極を構成しても破壊されない。さらに、バネ性の弱い可動電極としているため、例えば印加される音圧による変位が大きくなり、感度を向上させることが可能となる。

また、複数の可動電極を所望する位置に配置することが可能となるため、可動電極の設計に自由度が増す。つまり、従来は大面積の円形状の可動電極しか形成できなかったが、可動電極を小面積の複数の可動電極の集合体とすることで、例えば、マトリクス状に配置し、面積効率を向上させることも可能となる。

さらに小面積の可動電極は、大面積の可動電極と比較して、スペーサーに固定される周辺部と中央部との変化の大きさの差が小さくなり、平行平板のコンデンサに近い挙動をするので、信号対雑音比（ＳＮＲ）が向上することも期待される。

また、本発明の第２のバックチャンバーは、第１のバックチャンバーと連通する構造となっているため、バックチャンバーの大きさは従来のＭＥＭＳ素子とほぼ変わらず、感度の劣化を招くこともない。

さらに、本発明のＭＥＭＳ素子の製造方法は、従来のＭＥＭＳ素子の製造工程に使用される製造工程のみで構成され、歩留まり良くＭＥＭＳ素子を製造することが可能となる。

本発明のＭＥＭＳ素子を説明する図である。本発明のＭＥＭＳ素子の製造工程を説明する図である。本発明のＭＥＭＳ素子を説明し、図（Ａ）は断面図、図（Ｂ）は基板側からみた平面図である。従来のこの種のＭＥＭＳ素子の説明図である。

以下、ＭＥＭＳ素子としてコンデンサマイクロホンを例にとり、本発明の実施例について説明する。

本発明の第１の実施例について、その製造工程に従い説明する。まず、結晶方位（１００）面の厚さ４２０μｍのシリコン基板１（基板に相当）上に、厚さ１μｍ程度の熱酸化膜２（第１絶縁膜に相当）を全面に形成する。続いて、熱酸化膜２上にＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により厚さ０．０１〜１．０μｍ程度の導電性ポリシリコン膜（第１導電性膜に相当）を全面に形成したあと、通常のフォトリソグラフ法により導電性ポリシリコン膜をパターニングすることにより、可動電極３を形成する。ここで、可動電極３の厚さは、可動電極の大きさと破壊強度を勘案して所望の厚さとする（図２Ａ）。

続いて、可動電極３上に、厚さ２．０〜５．０μｍ程度のＵＳＧ（ＵｎｄｏｐｅｄＳｉｌｉｃａｔｅＧｌａｓｓ）膜からなる犠牲層４を積層形成し、さらに、犠牲層４の上に厚さ０．１〜１．０μｍ程度の導電性ポリシリコン膜（第２導電性膜に相当）を積層形成する。導電性ポリシリコン膜を通常のフォトリソグラフ法によりパターニングし、固定電極５を形成する（図２Ｂ）。

固定電極５上には、さらに減圧ＣＶＤ法により窒化膜６（第２絶縁膜に相当）を積層形成し、固定電極５と一体となったバックプレートを形成する。固定電極５と窒化膜６には貫通孔７を形成し、犠牲層４の一部を露出させる。

その後、シリコン基板１を裏面側からＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）装置を用いて、熱酸化膜２裏面側に所望の厚さのシリコン基板１が残るようにエッチングすることで、第１のバックチャンバー８を形成する（図２Ｃ）。この第１のバックチャンバー８は、従来例のような円形状に限らず、方形状等種々の形状に形成することができる。

さらに、第１のバックチャンバー８内に所望の厚さに残されたシリコン基板１を、通常のフォトリソグラフ法によりパターニングし、第１のバックチャンバー８側からシリコン基板１の一部を熱酸化膜２が露出するまでエッチング除去し、開口形状が円形状の開口部９を複数個形成する（図２Ｄ）。

最後に、貫通孔７から犠牲層４の一部をエッチング除去し、犠牲層４の一部を残してスペーサーを形成する。このとき、開口部９内で露出している熱酸化膜２の一部もエッチングされ、貫通孔（第２の貫通孔に相当）が形成され、この領域が第２のバックチャンバー１０となる。ここで、熱酸化膜２およびシリコン基板１の一部で形成される（区画される）第２のバックチャンバー１０内に露出する可動電極３が、実質的な可動電極として機能することになる。換言すれば、第２のバックチャンバー１０を形成するために残る熱酸化膜２とシリコン基板１に接する可動電極３は、可動電極としては機能せず、可動電極の支持部として機能することになる。

以下、通常の方法により可動電極３あるいは固定電極５に接続する引き出し電極等を形成し、コンデンサマイクロホンが完成する（図２Ｅ）。

前記工程により形成されるＭＥＭＳ素子は、可動電極を小面積に形成するため、可動電極を構成する膜を薄く形成することができる。さらに第１のバックチャンバー８と第２のバックチャンバー１０が連通する構造とすることにより、個々の可動電極３には、各々に第２のバックチャンバー１０と第１のバックチャンバー８と連通する。この特徴的な構造により、コンデンサマイクロホンの感度は、実質的に機能する可動電極３の面積の低下にも関わらず、同等あるいは向上するように形成することが可能となる。

さらに本実施例では、実質的に機能する可動電極３の配置は、円形状に配置する必要はなく、適宜設定することが可能となる。例えば、図３に方形の第１のバックチャンバー８と第２のバックチャンバー１０を形成した例を示す。ここで、図３（Ａ）はＭＥＭＳ素子の断面図を、図３（Ｂ）はシリコン基板１のみの平面図を示す。図３（Ｂ）に示すように、実質的に機能する可動電極３を区画する第２のバックチャンバー１０は、長方形の領域に配置され、その周囲に第１のバックチャンバー８が配置するように構成することが可能である。

本実施例では、代表的なＭＥＭＳ素子であるコンデンサマイクロホンとその製造方法を例示したが、本願発明の１例であり前記記載に限定されるものではない。例えば、第２のバックチャンバーの数は複数であればよく、その個数に限定はない。さらに、第２のバックチャンバーの深さ、配置も自由に形成することが可能である。また、可動電極の材料もポリシリコンに限定はされず、例えば、シリコン単結晶、多結晶シリコン、またはアモルファスシリコンおよびそれぞれにボロン、フッ化ボロンなどから選択された一種のｎ型の不純物または、リン、砒素などから選択された一種のｐ型の不純物を添加した材料を使用してもよい。また、第１のバックチャンバーの開口形状は円形状や方形状であってもよい。

１：シリコン基板、２：熱酸化膜、３：可動電極、４：犠牲層、５：固定電極、６：窒化膜、７：貫通孔、８：第１のバックチャンバー、９：開口部、１０：第２のバックチャンバー、１１：バックチャンバー、１２：エアーギャップ

Claims

第１のバックチャンバーと第２のバックチャンバーを備えた基板と、該基板上に絶縁膜と、該絶縁膜上に変位可能な可動電極と、この可動電極にエアーギャップを介して配置された固定電極とを備えたＭＥＭＳ素子において、
前記第１のバックチャンバーは、前記基板の前記可動電極側の領域の一部を残し除去させた領域からなり、
前記第２のバックチャンバーは、前記基板に連続し、前記可動電極側の領域に残された前記基板の一部および前記絶縁膜の一部に形成されている前記可動電極に達する複数の貫通孔によって区画された領域からなり、前記可動電極は、前記基板の一部および前記絶縁膜の一部と接して可動電極の支持部を構成する領域と、前記第２のバックチャンバーの前記貫通孔内に露出して、前記貫通孔毎に可動電極として機能する領域とを備えていることを特徴とするＭＥＭＳ素子。
請求項１記載のＭＥＭＳ素子において、前記支持部により支持される前記貫通孔毎に可動電極として機能する領域からなる複数の可動電極と前記固定電極との間の容量変化を検出することを特徴とするＭＥＭＳ素子。