JP2015188947A - Mems素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】MEMS素子の感度を向上させながら、膜の破損を防止するMEMS素子の構造を提供する。【解決手段】バックチャンバー17を備えた基板1と、この基板上に、スペーサー18を挟んで固定電極13と可動電極6とを配置することでエアーギャップが形成されたMEMS素子であって、可動電極の一部に、可動電極に過大な圧力が印加されたとき、その圧力をその裏面側に通過させるベント構造7、8を備えるとともに、通常動作時にはそのベント構造を覆う可動蓋部3、11を備えている。【選択図】図3
Description
本発明は、MEMS素子に関し、特にマイクロフォン、各種センサ、スイッチ等として用いられる容量型のMEMS素子に関する。
従来、半導体プロセスを用いたMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)素子は、半導体基板上に固定電極、犠牲層(絶縁膜)および可動電極を形成した後、犠牲層の一部を除去することで、スペーサーを介して固定された固定電極と可動電極との間にエアーギャップ(中空)構造が形成されている。
例えば、容量型のMEMS素子であるコンデンサマイクロフォンでは、音圧を通過させる複数の貫通孔を備えた固定電極と、音圧を受けて振動する可動電極とを対向して配置し、音圧を受けて振動する可動電極の変位を電極間の容量変化として検出する構成となっている。
一般的に、コンデンサマイクロフォンの感度を上げるためには、音圧により可動電極の変位を大きくする必要がある。そのため、可動電極は、引っ張り応力が残留する膜を用いるのが一般的である。一方、この残留応力が大き過ぎると可動電極の破損の原因となってしまう。
そこで、膜自体の残留応力を制御する方法や、構造上の工夫により残留応力の影響を緩和する方法が提案されている。具体的には、前者の場合、例えば膜をLPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法によって堆積させ、堆積後のアニール条件等を制御する等の膜の形成方法に工夫を施して残留応力を調整する方法が、後者の場合、膜にスリットを形成する方法(特許文献1)により残留応力を調整する方法が提案されている。
ところで、このような感度の向上と同時に破損防止を図った場合でも、風圧などの強い圧力に対しては対処することができない。特に、感度向上を図った可動電極では、過大な圧力に対して脆弱性が増してしまうという問題が発生していた。そこで、図5に示すように、可動電極20の一部に過大な圧力を通過させるベント構造21を備えることが一般的であった。図5に示すベント構造21は、可動電極20の一部を円形に除去した形状となっており、このベント構造を通して、可動電極20の一方の側から印加される過大な圧力をその裏面側に逃がす構造となっている。
ところで、このようなベント構造を備える構造では、音響抵抗が低くなり、低周波音圧の回析現象により低周波感度が低下してしまうという問題が発生していた。本発明はこのような問題点を解消するため、MEMS素子の感度を向上させながら、膜の破損を防止するMEMS素子の構造を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本願請求項1に係る発明は、バックチャンバーを備えた基板と、該基板上に、スペーサーを挟んで固定電極と可動電極とを配置することでエアーギャップが形成されたMEMS素子において、前記可動電極の一部に、該可動電極に過大な圧力が印加されたとき、その圧力を裏面側に通過させるベント構造を備えるとともに、該ベント構造を覆う可動蓋部を備えていることを特徴とする。
本願請求項2に係る発明は、請求項1記載のMEMS素子において、前記可動蓋部は、前記可動電極の一方の側に変形可能な第1の可動蓋部と、前記一方の側の裏面側に変形可能な第2の可動蓋部からなることを特徴とする。
本発明のMEMS素子は、ベント構造を覆う可動蓋部を備えることにより、風圧などの過大な圧力がかかったときには、可動蓋部が変形し、その圧力を通過させることにより、可動電極の破壊を防止することが可能となる。また通常の動作時は、可動蓋部によりベント構造を閉じた状態に保ち、高い音響抵抗が得られる状態を保持するように構成することができ、感度の低下を招かないという利点がある。特に、低周波音圧の回析現象により低周波感度が低下してしまうという問題を効果的に防止することができるという利点がある。
本発明に係るMEMS素子は、固定電極にベント構造を備え、さらにそのベント構造を覆う可動蓋部が形成されている。以下、本発明の実施例について説明する。
本発明の第1の実施例について、製造工程に従い説明する。まず、結晶方位(100)面の厚さ420μmのシリコン基板1上に、厚さ1μm程度の熱酸化膜2(SiO2)を形成し、さらに熱酸化膜2上にLPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法により厚さ0.2μmの第1の窒化膜3を積層形成する。この第1の窒化膜3は、後述する第1の可動蓋部の一部を構成するため、通常のフォトリソグラフ法によりパターニングする。その後、第1の窒化膜3上にPECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)法により厚さ0.5μmの第1の酸化膜4(SiO2)を積層形成し、一例としてリング状に第1の酸化膜4を除去して第1の凹部5を形成し、この第1の凹部1内に第1の窒化膜3を露出させる(図1a)。
第1の酸化膜4上および第1の凹部5内に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により厚さ0.4μmの導電性ポリシリコン膜を積層形成する。次に通常のフォトリソグラフ法によりパターニングし、可動電極となるダイアフラム膜6を形成する。ここでダイアフラム膜6は、第1の凹部5内に充填され、第1の凹部5の形状に沿ったリング状の突起が形成される。さらにその突起の内側に第1のベントホール7と、第2のベントホール8が形成される(図1b)。次に全面に第2の酸化膜9(SiO2)を積層形成する。ここで、先に形成した第1のベントホール7および第2のベントホール8は、第2の酸化膜9で充填される(図1c)。
次に、第2のベントホール8を取り囲むように、第2の酸化膜9を除去してリング状の第2の凹部10を形成する(図2a)。その後LPCVD法により厚さ0.2μmの第2の窒化膜11を積層形成する(図2b)。ここで、先に形成した第2の凹部10は、第2の窒化膜11で充填される。その後、第2の窒化膜11は、第2の可動蓋部を形成するため、通常のフォトリソグラフ法により、パターニングする(図2c)。
以下、通常のMEMS素子の製造工程に従い、厚さ2.0〜4.0μm程度のUSG(Undoped Silicate Glass)膜からなる犠牲層12を積層形成し、さらに犠牲層12上に、厚さ0.1〜1.0μm程度の導電性ポリシリコン膜を積層形成する。次に通常のフォトリソグラフ法によりパターニングし、固定電極膜13を積層形成する。その後、犠牲層12、第2の窒化膜11、第2の酸化膜9の一部をエッチング除去し、先に形成したダイアフラム膜6の一部を露出させる。このとき、スクライブラインも開口する。露出したダイアフラム膜6および固定電極13にそれぞれ接続するアルミニウム等の導体膜からなる配線膜14を形成する(図3a)。
全面に第3の窒化膜15を堆積させた後、通常のフォトリソグラフ法にて音圧をダイアフラム膜6に伝えるための貫通孔16を形成し、貫通孔16内に犠牲層12を露出させる。その後、シリコン基板1の裏面側から熱酸化膜2が露出するまでシリコン基板1を除去し、バックチャンバー17を形成する(図3b)。
その後、第3の酸化膜15および固定電極膜13に形成された貫通孔16を通して犠牲層12の一部を除去して形成されたスペーサー18に固定電極極13とダイアフラム膜6が固定され、エアーギャップ構造が形成される。このエッチングにより、熱酸化膜2の一部も除去され、ダイアフラム膜6が露出する。一方本発明では、第1の窒化膜3および第2の窒化膜11はエッチングされずに残ることになる。
その結果、ダイアフラム膜6に形成されたリング状の突起に当接する第1の窒化膜からなる第1の可動蓋部と、第2の窒化膜11に形成されたリング状の突起に当接するダイアフラム膜6からなる第2の可動蓋部とが形成されることになる。
このような形状のMEMS素子では、通常の動作時には、ダイアフラム膜6と第1の窒化膜3あるいは第2の窒化膜11とが当接した状態となり、第1の可動蓋部が覆う第1のベントホール7と第2の可動蓋部が覆う第2のベントホール8は、開口されていない状態となり、感度低下を防止することができる。
次に過大な圧力が印加された場合について説明する。まず、固定電極側から過大な圧力が印加された場合には、その圧力は第1のベントホールを通過し、第1の窒化膜3を押し下げる。その結果、ダイアフラム膜6と第1の窒化膜3との間に形成される隙間からその圧力がバックチャンバー17側に逃げ、ダイアフラム膜6の破損を防ぐことができる。また、バックチャンバー17側から過大な圧力が印加された場合には、その圧力は第2のベントホール8を通過し、第2の窒化膜11を押し上げる。その結果、ダイアフラム膜6と第2の窒化膜3との間に形成される隙間からその圧力が固定電極13側に逃げ、ダイアフラム膜6の破損を防ぐことができる。
このように、過大な圧力が印加されたときのみ、ベントホールを開口する構成とすることで、感度低下を招かず、MEMS素子の破損を防止することが可能となる。
本発明の可動蓋部は、ベントホールの形状や配置に応じて種々変更することが可能となる。一例として、図4にはバックチャンバー側からみたダイアフラム膜6を模式的に示している。図4には6個のベントホールが形成されており、3個のベントホール(第1のベントホール7に相当)にはその周辺に突起19が形成されている。この突起19に当接するように円形あるいは方形等にパターニングされた第1の窒化膜が形成されることで、第1の可動蓋部が形成されることになる。また、3個のベントホール(第2のベントホール8に相当)には、ダイアフラム膜6の裏面側に、第2のベントホール8の覆うように突起を備えた第2の窒化膜が形成されることで、第2の可動蓋部が形成されることになる。
なお、第1の窒化膜および第2の窒化膜は、過大な圧力を受けて隙間を形成するように変形する必要があるので、ベントホールに当接する部分に比べて、可動部を細いパターンとして変形しやすくしたり、種々変更することが可能である。
1:シリコン基板、2:熱酸化膜、3:第1の窒化膜、4:第1の酸化膜、5:第1の凹部、6:ダイアフラム膜、7:第1のベントホール、8:第2のベントホール、9:第2の酸化膜、10:第2の凹部、12:犠牲層、13:固定電極膜、14:配線膜、15:第3の窒化膜、16:貫通孔、17:バックチャンバー、18:スペーサー、19:突起
Claims (2)
- バックチャンバーを備えた基板と、該基板上に、スペーサーを挟んで固定電極と可動電極とを配置することでエアーギャップが形成されたMEMS素子において、
前記可動電極の一部に、該可動電極に過大な圧力が印加されたとき、その圧力を裏面側に通過させるベント構造を備えるとともに、該ベント構造を覆う可動蓋部を備えていることを特徴とするMEMS素子。 - 請求項1記載のMEMS素子において、
前記可動蓋部は、前記可動電極の一方の側に変形可能な第1の可動蓋部と、前記一方の側の裏面側に変形可能な第2の可動蓋部からなることを特徴とするMEMS素子。
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JP2015188947A true JP2015188947A (ja) | 2015-11-02 |
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2014
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