JP6631778B2 - Mems素子 - Google Patents
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- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 25
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000010255 response to auditory stimulus Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
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Claims (4)
- バックチャンバーを備えた基板と、該基板上にスペーサーを挟んで固定電極を含むバックプレートと可動電極とを配置することで形成されるエアーギャップと、該エアーギャップと前記バックチャンバーとの間を連通するスリットとを備えたMEMS素子において、
前記バックプレートあるいは前記可動電極の少なくともいずれか一方に、前記エアーギャップ側に突出する環状の突起部を備え、
該突起部は、前記スリットより前記スペーサー側であって、前記可動電極と該可動電極に対向する領域の前記バックプレートと前記スペーサーの内壁とで構成する周辺空間に突出し、前記エアーギャップ側から前記周辺空間に伝搬する圧力が前記周辺空間に伝搬することを阻害することを特徴とするMEMS素子。 - 請求項1記載のMEMS素子において、前記突起部は、前記エアーギャップ内に発生した圧力を、前記スリットを通して前記バックチャンバー側へ導く伝搬経路を形成していることを特徴とするMEMS素子。
- 請求項1記載のMEMS素子において、前記突起部は、前記エアーギャップ内に発生した圧力を、前記バックプレートに形成された貫通孔から外部へ放出する放出経路を形成していることを特徴とするMEMS素子。
- 請求項1記載のMEMS素子において、前記突起部は、前記エアーギャップ内で発生した圧力を、前記突起部より前記スペーサー側の前記周辺空間へ伝搬することを抑える障壁として機能していることを特徴とするMEMS素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015197297A JP6631778B2 (ja) | 2015-10-05 | 2015-10-05 | Mems素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015197297A JP6631778B2 (ja) | 2015-10-05 | 2015-10-05 | Mems素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017073581A JP2017073581A (ja) | 2017-04-13 |
JP6631778B2 true JP6631778B2 (ja) | 2020-01-15 |
Family
ID=58537880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015197297A Active JP6631778B2 (ja) | 2015-10-05 | 2015-10-05 | Mems素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6631778B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6885828B2 (ja) * | 2017-09-02 | 2021-06-16 | 新日本無線株式会社 | Mems素子及びその製造方法 |
JP2020066071A (ja) * | 2018-10-23 | 2020-04-30 | 新日本無線株式会社 | Mems素子 |
-
2015
- 2015-10-05 JP JP2015197297A patent/JP6631778B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017073581A (ja) | 2017-04-13 |
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