JP5973792B2 - Mems素子の製造方法 - Google Patents
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Description
更に、可動電極と固定電極の間だけでなく、可動電極と半導体基板の間の固着が防止可能となる。
そして、本発明の実施例は、上記電極膜14,19を絶縁膜、上記絶縁膜15,20を電極膜とし(それぞれの膜厚は適した厚さに変更し)、この電極膜に対して先鋭化突起を形成するようにしたものである。
また、上記参考第1実施例では、可動電極膜14、固定電極膜19の上に絶縁膜15,20を形成するようにしたが、本発明の他の実施例は、この可動電極膜14、固定電極膜19の下に絶縁膜を形成し、この絶縁膜に先鋭化突起を設けるようにしたものである。
図6において、半導体基板30の上に、突起33Pの長さと略同一の厚さの下部犠牲層(熱酸化膜)31が堆積され、レジスト36を用いたフォトリソグラフィー及びエッチング技術にて下部犠牲層31の一部が除去されることで、円形の段差部D3(突起形成領域)が設けられる。その後、最終的な絶縁層の厚みを考慮した上部犠牲層(USG膜)32を堆積することにより、段差部D3での上記犠牲層32の被覆形状(ステップカバレッジ)から、段差部D3の上方に底面周囲が先鋭溝となる凹部32Fが形成される。この凹部32Fでは、下部犠牲層31及び上部犠牲層32の厚み、段差部D3の寸法を適正に設定することで、所望の先鋭溝が形成できることになる。
5,14,33…可動電極、10…シリコン基板、
11…第1下部犠牲層、 12…第1上部犠牲層、
12F…第1凹部、 15…第1絶縁膜、
15P…第1突起、 17…第2下部犠牲層、
18…第2上部犠牲層、 18F…第2凹部、
19…固定電極、 20…第2絶縁膜、
20P…第2突起、 23…バックチャンバー、
25,26,34…スペーサ部、
31…下部犠牲層、 32…上部犠牲層、
32F…凹部、 33P…突起、
D1…第1段差部、 D2…第2段差部、
D3…段差部。
Claims (3)
- 基準層上に下部犠牲層を形成し、この下部犠牲層の一部を除去して段差部を形成する段差形成工程と、
上記下部犠牲層上に上部犠牲層を形成し、上記段差部の上に先鋭溝を持つ凹部を形成する凹部成形工程と、
上記上部犠牲層上に絶縁膜を形成すると共に、この絶縁膜に上記凹部を露出する貫通孔を設ける絶縁膜形成工程と、
この絶縁膜形成工程で得られた絶縁膜上に導電膜を形成すると共に、上記凹部の先鋭溝を埋めるように導電膜を形成する導電膜形成工程と、
少なくとも上記凹部の上記下部/上部犠牲層を選択的に除去することにより、上記基準層と上記絶縁膜の間を中空構造として、上記絶縁膜の貫通孔から突出する導電体の先鋭化突起を形成する工程と、を含むMEMS素子の製造方法。 - 基準層上に下部犠牲層を形成し、この下部犠牲層の一部を除去して段差部を形成する段差形成工程と、
上記下部犠牲層上に上部犠牲層を形成し、上記段差部の上に先鋭溝を持つ凹部を形成する凹部成形工程と、
上記凹部の先鋭溝を埋めるようにして上記上部犠牲層上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
上記絶縁膜の上に導電膜を形成する導電膜形成工程と、
少なくとも上記凹部の上記下部/上部犠牲層を選択的に除去することにより、上記基準層と上記絶縁膜の間を中空構造として、上記絶縁膜に絶縁体の先鋭化された突起を形成する工程と、を含むMEMS素子の製造方法。 - 上記導電膜を絶縁膜とし、上記絶縁膜を導電膜として、この導電膜に導電体の先鋭化突起を形成したことを特徴とする請求項2記載のMEMS素子の製造方法。
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