JPS62268167A - 薄膜圧力センサ - Google Patents
薄膜圧力センサInfo
- Publication number
- JPS62268167A JPS62268167A JP11137786A JP11137786A JPS62268167A JP S62268167 A JPS62268167 A JP S62268167A JP 11137786 A JP11137786 A JP 11137786A JP 11137786 A JP11137786 A JP 11137786A JP S62268167 A JPS62268167 A JP S62268167A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- pressure
- pressure sensor
- sensitive
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical group FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229950005499 carbon tetrachloride Drugs 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0055—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements bonded on a diaphragm
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、７ｔ９膜圧カセンサに係り、特にそのダイヤ
フラムのＪＩ４造に関する。
フラムのＪＩ４造に関する。
〔従来技術およびその問題点］
半導体技術の進歩に伴い、シリコンやゲルマニウム等の
半導体のもつピエゾ抵抗効果を利用した半導体圧力セン
サが、近年注目されてきている。
半導体のもつピエゾ抵抗効果を利用した半導体圧力セン
サが、近年注目されてきている。
半導体圧力センサにはいろいろな構造が提案されている
がなかでも最も広く用いられているのは、第６図に示す
如く、拡散抵抗層１０１ａを具えた単結晶シリコンから
なるダイヤフラム１０１を台座１０２に接着固定したダ
イヤフラム型の圧力センサである。
がなかでも最も広く用いられているのは、第６図に示す
如く、拡散抵抗層１０１ａを具えた単結晶シリコンから
なるダイヤフラム１０１を台座１０２に接着固定したダ
イヤフラム型の圧力センサである。
このダイヤフラム型の圧力センサでは、ダイヤフラム１
０１は低融点ガラス等のシリコンと熱膨張係数の近い物
質からなる接着剤１０３によって台座１０２に接着固定
されている。
０１は低融点ガラス等のシリコンと熱膨張係数の近い物
質からなる接着剤１０３によって台座１０２に接着固定
されている。
このような圧力センサでは、高い圧力が、繰り返して加
えられると、この接着部分で歪が生じたり、接着部分が
剥れたりする等、いわゆるクリーブ現象が生じることが
あった。クリープ現象の発生は、検出信号レベルの変動
をＪ？７き、センサ特性を低下させる原因となっていた
。
えられると、この接着部分で歪が生じたり、接着部分が
剥れたりする等、いわゆるクリーブ現象が生じることが
あった。クリープ現象の発生は、検出信号レベルの変動
をＪ？７き、センサ特性を低下させる原因となっていた
。
そこで、上述したような台座とダイヤフラムとのクリー
プ現象の発生を防止するため、ステンレスでダイヤフラ
ムを構成し、このダイヤフラム上に、酸化シリコン（Ｓ
ｉ ０２ ＞層等の絶縁層を介して感圧層としてアモル
ファスシリコン薄膜等の半導体薄膜を形成した薄膜型圧
力センサが提案されている。
プ現象の発生を防止するため、ステンレスでダイヤフラ
ムを構成し、このダイヤフラム上に、酸化シリコン（Ｓ
ｉ ０２ ＞層等の絶縁層を介して感圧層としてアモル
ファスシリコン薄膜等の半導体薄膜を形成した薄膜型圧
力センサが提案されている。
しかしながら、この薄膜型圧力センサにおいても、特に
感圧層をｎ型半導体で構成した場合に絶縁層と感圧層と
の界面での密着性が十分でないためクリープ現象の発生
が、避けられない問題となっていた。
感圧層をｎ型半導体で構成した場合に絶縁層と感圧層と
の界面での密着性が十分でないためクリープ現象の発生
が、避けられない問題となっていた。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、絶縁層と
感圧抵抗層との密着性を向上し、信頼性の高い薄膜圧力
センサを提供することを目的とする。
感圧抵抗層との密着性を向上し、信頼性の高い薄膜圧力
センサを提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
そこで本発明では、ダイヤフラム上に絶縁層を介して感
圧層としてのｎ型半導体層を形成してなる薄膜圧力セン
サにおいて、該絶縁層とｎ型半導体層との間にｐ型アモ
ルファスシリコンカーバイド層を介在せしめるようにし
ている。
圧層としてのｎ型半導体層を形成してなる薄膜圧力セン
サにおいて、該絶縁層とｎ型半導体層との間にｐ型アモ
ルファスシリコンカーバイド層を介在せしめるようにし
ている。
（作用〕
本発明の薄膜圧力センサによれば絶縁層とｎ型半導体層
との間にｐ型アモルファスシリコンカーバイド層を介在
せしめているため、絶縁層とｎ型半導体層との間の付着
性が向上し、経時的変化もなく、極めて安定した性能を
維持することができる。
との間にｐ型アモルファスシリコンカーバイド層を介在
せしめているため、絶縁層とｎ型半導体層との間の付着
性が向上し、経時的変化もなく、極めて安定した性能を
維持することができる。
〔実施例］
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。
説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）は、本発明実施例の薄膜圧力
センサを示す図である。（第１図（ａ＞は第１図（ｂ）
のＡ−へ断面図である。）この薄膜圧力センサは、ステ
ンレス製のダイヤフラム１と、該ダイヤフラムの表面に
形４呪された絶縁層としての酸化シリコン（Ｓｉ ０２
）１１２と、この上層にバインダ層としてのｐ型のア
モルファスシリコンカーバイド（ａ−８ｉ Ｃ）ｆ１３
を介して形成されたｎ型のマイクロクリスタルシリコン
（ＭＯ−８１）層４からなる感圧層と、該感圧層に給電
するためのアルミニウム層からなる電極配線パターン５
とからなるゲージ都立と、ゲージ都立を被覆保護するた
めの酸化シリコン層からなるパッシベーション膜７とか
ら構成されている。
センサを示す図である。（第１図（ａ＞は第１図（ｂ）
のＡ−へ断面図である。）この薄膜圧力センサは、ステ
ンレス製のダイヤフラム１と、該ダイヤフラムの表面に
形４呪された絶縁層としての酸化シリコン（Ｓｉ ０２
）１１２と、この上層にバインダ層としてのｐ型のア
モルファスシリコンカーバイド（ａ−８ｉ Ｃ）ｆ１３
を介して形成されたｎ型のマイクロクリスタルシリコン
（ＭＯ−８１）層４からなる感圧層と、該感圧層に給電
するためのアルミニウム層からなる電極配線パターン５
とからなるゲージ都立と、ゲージ都立を被覆保護するた
めの酸化シリコン層からなるパッシベーション膜７とか
ら構成されている。
また、ゲージ都立の感圧層４は４つの感圧層パターンＲ
１〜Ｒ４から構成されており、これらに給電するための
６つの電極配線パターンＥ１〜Ｅ６を有している。この
ゲージ部を等価回路で示すと第４図に示す如く、ブリッ
ジ回路を構成しており、圧力に起因した歪による感圧抵
抗層の抵抗値変化によって生じる電極配線パターンＥ２
とＥＢとの間の電圧変化を検出することにより圧力を測
定するようになっている。
１〜Ｒ４から構成されており、これらに給電するための
６つの電極配線パターンＥ１〜Ｅ６を有している。この
ゲージ部を等価回路で示すと第４図に示す如く、ブリッ
ジ回路を構成しており、圧力に起因した歪による感圧抵
抗層の抵抗値変化によって生じる電極配線パターンＥ２
とＥＢとの間の電圧変化を検出することにより圧力を測
定するようになっている。
次に、この薄膜圧力センサの製造工程について説明する
。
。
まず、第２図（ａ）に示す如く、ステンレス製のダイヤ
フラム１の表面に、プラズマＣＶ Ｄ法により膜厚約１
〜１０虜の酸化シリコン層２を形成する。
フラム１の表面に、プラズマＣＶ Ｄ法により膜厚約１
〜１０虜の酸化シリコン層２を形成する。
次いで、第２図（ｂ）に示す如く、プラズマＣＶＤ法に
より、順次膜厚２０００人のｐ型のアモルファスシリコ
ンカーバイド層３を堆積する。
より、順次膜厚２０００人のｐ型のアモルファスシリコ
ンカーバイド層３を堆積する。
続いてプラズマＣＶＤ法により膜厚１ｍのｎ型のマイク
ロクリスタルシリコン層４をガＬ積した後第２図（Ｃ）
に示す如く、エレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法によっ
てアルミニウム層５を形成し、通常のフォトリソエツチ
ング法により該アルミニウム層５をバターニングする。
ロクリスタルシリコン層４をガＬ積した後第２図（Ｃ）
に示す如く、エレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法によっ
てアルミニウム層５を形成し、通常のフォトリソエツチ
ング法により該アルミニウム層５をバターニングする。
この後、第２図（ｄ）に示す如く、該アルミニウム層５
のパターン５−をマスクとして、ｎ型のマイクロクリス
タルシリコン層およびｐ型のアモルファスシリコンカー
バイド層をプラズマエツチング法により選択的に除去す
る。このときのエツヂングガスとしては、テトラフルオ
ルメタン（ＣＦ４ ）あるいはテトラクロルメタン（Ｃ
Ｃｉｉ ）を用いる。
のパターン５−をマスクとして、ｎ型のマイクロクリス
タルシリコン層およびｐ型のアモルファスシリコンカー
バイド層をプラズマエツチング法により選択的に除去す
る。このときのエツヂングガスとしては、テトラフルオ
ルメタン（ＣＦ４ ）あるいはテトラクロルメタン（Ｃ
Ｃｉｉ ）を用いる。
そして、感圧層となる部分のｎ型マイクロクリスタルシ
リコン層を露呈せしむべく、再びフォトリソ法を用いて
前記アルミニウム層のパターン５′更に選択的に除去し
、感圧層パターンＲ１〜Ｒ４および電極配線パターンＥ
１〜Ｅ６を形成する。（第２図（ｅ）） 最後に、ＣＶＤ法により、パッシベーション膜７として
酸化シリコン膜を形成し、第１図（ａ）および（ｂ）に
示した薄膜圧力センサが完成せしめられる。
リコン層を露呈せしむべく、再びフォトリソ法を用いて
前記アルミニウム層のパターン５′更に選択的に除去し
、感圧層パターンＲ１〜Ｒ４および電極配線パターンＥ
１〜Ｅ６を形成する。（第２図（ｅ）） 最後に、ＣＶＤ法により、パッシベーション膜７として
酸化シリコン膜を形成し、第１図（ａ）および（ｂ）に
示した薄膜圧力センサが完成せしめられる。
次に、この薄膜圧力センサの動作について述べる。
各感圧層パターンＲ１〜Ｒ４は無負荷時すなわち歪のな
いとき抵抗値がすべて等しくＲである。
いとき抵抗値がすべて等しくＲである。
第５図に示す如く圧力Ｐがダイヤフラム１に作用すると
感圧層パターンＲ１〜Ｒ３がダイヤフラムの周辺部に、
感圧層パターンＲ２とＲ４とが中央部に配される構造と
なっているため、感圧層パターンＲ１とＲ３は圧縮応力
を受け、Ｒ＋ΔＲとなる一方、感圧層パターンＲ２とＲ
４は引っ張り応力を受けてＲ−ΔＲとなる。
感圧層パターンＲ１〜Ｒ３がダイヤフラムの周辺部に、
感圧層パターンＲ２とＲ４とが中央部に配される構造と
なっているため、感圧層パターンＲ１とＲ３は圧縮応力
を受け、Ｒ＋ΔＲとなる一方、感圧層パターンＲ２とＲ
４は引っ張り応力を受けてＲ−ΔＲとなる。
電極配線パターンＥ１．Ｅ６間にＶｉｎを印加するもの
とすると、無負荷時には４つの感圧層パターンＲ１，Ｒ
２，Ｒ３，Ｒ４はすべて等しい故、電極配線パターンＥ
２．Ｅ５間の電位は等しくこれらの間の電圧はＶ＝０で
ある。
とすると、無負荷時には４つの感圧層パターンＲ１，Ｒ
２，Ｒ３，Ｒ４はすべて等しい故、電極配線パターンＥ
２．Ｅ５間の電位は等しくこれらの間の電圧はＶ＝０で
ある。
従って第５図に示す圧力Ｐの如き負荷がかかったとき、
感圧層パターンＲ１，Ｒ３はＲ＋ΔＲ１感圧層パターン
Ｒ２，Ｒ４はＲ−ΔＲとなり、電極配線パターンＥ２．
Ｅ５間の電圧 ■−２（ΔＲ／Ｒ） ・Ｖｉｎとなる。
感圧層パターンＲ１，Ｒ３はＲ＋ΔＲ１感圧層パターン
Ｒ２，Ｒ４はＲ−ΔＲとなり、電極配線パターンＥ２．
Ｅ５間の電圧 ■−２（ΔＲ／Ｒ） ・Ｖｉｎとなる。
このようにして負荷に応じた電圧が出力され、アンプ部
（図示せず）でｗＵ幅等の処理がなされ、外部回路に精
度良く出力せしめられる。
（図示せず）でｗＵ幅等の処理がなされ、外部回路に精
度良く出力せしめられる。
このようにして形成された薄膜圧力センサの圧力（Ｋ９
／ ｃｊ ＞と感圧層パターンのもつ抵抗値（ＫΩ）
との関係を第３図に示す。
／ ｃｊ ＞と感圧層パターンのもつ抵抗値（ＫΩ）
との関係を第３図に示す。
この図からも明らかなように、測定圧力範囲では良好な
直線性を呈している。
直線性を呈している。
また、高い圧力が繰り返して印加された場合にもクリー
プ現象もみられず、良好な特性を維持することができた
。
プ現象もみられず、良好な特性を維持することができた
。
なお、実施例においては、感圧層としてマイクロクリス
タルシリコン層を用いたが、これに限定されることなく
、ポリシリコン層等、他の感圧性の半導体薄膜（ｎ型）
にも適用可能である。
タルシリコン層を用いたが、これに限定されることなく
、ポリシリコン層等、他の感圧性の半導体薄膜（ｎ型）
にも適用可能である。
更にまた、感圧層および電極配線パターンのパターン形
状については実施例に限定されることなく適宜変形可能
である。加えて、実施例は、バインダ層を感圧層パター
ンと同一パターン形状としたが、バインダ層は絶縁層の
表面全体に形成するようにしてもよい。
状については実施例に限定されることなく適宜変形可能
である。加えて、実施例は、バインダ層を感圧層パター
ンと同一パターン形状としたが、バインダ層は絶縁層の
表面全体に形成するようにしてもよい。
また、絶縁層についても、酸化シリコン層に限定される
ものではない。
ものではない。
〔効果］
以上説明してきたように、本発明によれば、ダイヤフラ
ム上に形成された絶縁層上に感圧層としてのｎ型半導体
層を形成してなる薄膜圧力センサにおいて、該絶縁層と
ｎ型半導体層との間にバインダ層としてｐ型のアモルフ
ァスシリコンカーバイド層を介在せしめるようにしてい
るため、クリープ現象の発生もなく、信頼性の高い薄膜
圧力センサを提供することが可能となる。
ム上に形成された絶縁層上に感圧層としてのｎ型半導体
層を形成してなる薄膜圧力センサにおいて、該絶縁層と
ｎ型半導体層との間にバインダ層としてｐ型のアモルフ
ァスシリコンカーバイド層を介在せしめるようにしてい
るため、クリープ現象の発生もなく、信頼性の高い薄膜
圧力センサを提供することが可能となる。
第１図（ａ）および（ｂ）は、本発明実施例の薄膜圧力
センサを示す図、第２図（ａ）乃至（ｅ）は、同薄膜圧
力センサの製造工程図、第３図は同薄膜圧力センサの圧
力と感圧層の抵抗値との関係を示す図、第４図は同セン
サの等価回路図、第５図は、ダイヤフラムが圧力を受け
たときの各パターンの状態を示す説明図、第６図は従来
のａ膜圧力センサを示す図である。 １０１・・・ダイヤフラム、１０１ａ・・・拡散抵抗層
、１０２・・・台座、１０３・・・接着剤、１・・・ダ
イヤフラム、２・・・絶縁層、３・・・バインダ層（ｐ
型のアモルファスシリコンカーバイド層）、４・・・感
圧１ｔ２ｉ（ｎ型のマイクロクリスタルシリコン層）、
５・・・電極配線パターン、６・・・ゲージ部、７・・
・パッシベーシヨン膜、Ｒ１−Ｒ４・・・抵抗層パター
ン、Ｅ１〜Ｅ６・・・電極配線パターン。 第１図（Ｇ） 第１図（ｂ） 第２図（・） 第２図（８゜第２図（ｂ） 第２図（Ｃ） 第２図（ｄ） 圧力（に９／ｃｍ２） 第３図 第４図
センサを示す図、第２図（ａ）乃至（ｅ）は、同薄膜圧
力センサの製造工程図、第３図は同薄膜圧力センサの圧
力と感圧層の抵抗値との関係を示す図、第４図は同セン
サの等価回路図、第５図は、ダイヤフラムが圧力を受け
たときの各パターンの状態を示す説明図、第６図は従来
のａ膜圧力センサを示す図である。 １０１・・・ダイヤフラム、１０１ａ・・・拡散抵抗層
、１０２・・・台座、１０３・・・接着剤、１・・・ダ
イヤフラム、２・・・絶縁層、３・・・バインダ層（ｐ
型のアモルファスシリコンカーバイド層）、４・・・感
圧１ｔ２ｉ（ｎ型のマイクロクリスタルシリコン層）、
５・・・電極配線パターン、６・・・ゲージ部、７・・
・パッシベーシヨン膜、Ｒ１−Ｒ４・・・抵抗層パター
ン、Ｅ１〜Ｅ６・・・電極配線パターン。 第１図（Ｇ） 第１図（ｂ） 第２図（・） 第２図（８゜第２図（ｂ） 第２図（Ｃ） 第２図（ｄ） 圧力（に９／ｃｍ２） 第３図 第４図
Claims (3)
- （１）ダイヤフラム上に、 絶縁層を介して感圧層としてのｎ型半導体層を形成して
なる薄膜圧力センサにおいて、 前記絶縁層と前記ｎ型半導体層との間にｐ型アモルファ
スシリコンカーバイド層を介在せしめたことを特徴とす
る薄膜圧力センサ。 - （２）前記ｎ型半導体膜は、ｎ型のアモルファスシリコ
ン層であることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載の薄膜圧力センサ。 - （３）前記ｎ型半導体層は、ｎ型のマイクロクリスタル
シリコン層であることを特徴とする特許請求の範囲第（
２）項記載の薄膜圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11137786A JPS62268167A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 薄膜圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11137786A JPS62268167A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 薄膜圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62268167A true JPS62268167A (ja) | 1987-11-20 |
Family
ID=14559643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11137786A Pending JPS62268167A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 薄膜圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62268167A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5095349A (en) * | 1988-06-08 | 1992-03-10 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing same |
| US5320705A (en) * | 1988-06-08 | 1994-06-14 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor pressure sensor |
| US5400489A (en) * | 1991-11-30 | 1995-03-28 | Endress Hauser Gmbh Co | Method of stabilizing the surface properties of objects to be thermally treated in a vacuum |
| USRE34893E (en) * | 1988-06-08 | 1995-04-04 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing same |
-
1986
- 1986-05-15 JP JP11137786A patent/JPS62268167A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5095349A (en) * | 1988-06-08 | 1992-03-10 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing same |
| US5320705A (en) * | 1988-06-08 | 1994-06-14 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor pressure sensor |
| USRE34893E (en) * | 1988-06-08 | 1995-04-04 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing same |
| US5400489A (en) * | 1991-11-30 | 1995-03-28 | Endress Hauser Gmbh Co | Method of stabilizing the surface properties of objects to be thermally treated in a vacuum |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4849730A (en) | Force detecting device | |
| US5165283A (en) | High temperature transducers and methods of fabricating the same employing silicon carbide | |
| US4462018A (en) | Semiconductor strain gauge with integral compensation resistors | |
| US6234027B1 (en) | Pressure sensor for semi-conductor | |
| US5549006A (en) | Temperature compensated silicon carbide pressure transducer and method for making the same | |
| JPS62268167A (ja) | 薄膜圧力センサ | |
| JP2008082835A (ja) | 半導体歪測定装置、歪測定方法、圧力センサ及び加速度センサ | |
| JPS5887880A (ja) | 半導体ダイアフラム形センサ | |
| JPH05288771A (ja) | ダイヤフラム式加速度センサ及びその製造方法 | |
| JPH05281251A (ja) | 加速度センサおよびその製造方法 | |
| JPS63102377A (ja) | 薄膜圧力センサの製造方法 | |
| JPS62268166A (ja) | 薄膜圧力センサ | |
| JPH01302867A (ja) | 半導体センサ | |
| JP2000315805A (ja) | 歪み検出素子及び歪み検出素子製造方法 | |
| JPS62274229A (ja) | 分布型圧覚センサ | |
| JPH01183165A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS6155263B2 (ja) | ||
| KR100427430B1 (ko) | 금속박막형 압력센서 및 그 제조방법 | |
| JPH0786619A (ja) | 歪みゲージとその製造方法 | |
| JP2748077B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JPS63153441A (ja) | 力検出装置 | |
| JPS62248265A (ja) | 薄膜圧力センサの製造方法 | |
| JPS6398156A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPH02168133A (ja) | 応力センサ及びその製造方法 | |
| JPS60185129A (ja) | 圧力センサ |