JPS62274229A - 分布型圧覚センサ - Google Patents
分布型圧覚センサInfo
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- JPS62274229A JPS62274229A JP11810286A JP11810286A JPS62274229A JP S62274229 A JPS62274229 A JP S62274229A JP 11810286 A JP11810286 A JP 11810286A JP 11810286 A JP11810286 A JP 11810286A JP S62274229 A JPS62274229 A JP S62274229A
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Landscapes
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
- Manipulator (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
３、発明の詳細な説明
本発明は、例えばロボットハンドに取りつけてハンドに
対して垂直方向に加わる圧力の分布を検出することので
きる分布型圧覚センサに関する。
対して垂直方向に加わる圧力の分布を検出することので
きる分布型圧覚センサに関する。
従来、このような分布型圧覚センサとして、検出素子に
導電性を宵したゴムまたはプラスチックを用いたものが
提案されている。第２図はその一例で、互いに直角方向
をなす細い導電性ゴム条２１゜２２を２層にして組合わ
せたものである。この圧覚センサのゴム条配列面に対し
て垂直方向の力が加われば導電性ゴム条２１．２２の接
触部分の面積が増加し抵抗が変化する。従って第３図に
示したように電圧端子２３に、例えば５ｖの電圧をｔｏ
ｏｏΩの抵抗２４を介して印加しておき、出力点２５の
電圧変化を測定することにより、加えられｈ力の大きさ
を知ることができる。 ところがこのような導電性ゴムを用いた分布型圧覚セン
サでは、力検出のダイナミックレンジが狭いことおよび
ヒステリシス特性を有することという欠点がある。 一方、特開昭６０−１９５４０２号および１９５４０３
号公輻により可撓性基板上に形成した非晶質シリコン層
よりなる歪ゲージを用いた歪分布センサが公知となって
おり、ここでは前に述べたようなダイナミックレンジや
ヒステリシスに関する欠点は除かれている。しかし、そ
の原理は第４図に示すように、分布型圧覚センサ２６を
ロボットハンド２７に貼付けて、ロボットハンド２７が
被把持物を把持した時にロボットハンドに生じる歪を圧
覚センサ２６によって検出するものであり、被把持物が
圧覚センサ２６に及ぼす力を直接検出するものではない
、そのためロボットハンドに小さい力が加わるときには
検出できない。
導電性を宵したゴムまたはプラスチックを用いたものが
提案されている。第２図はその一例で、互いに直角方向
をなす細い導電性ゴム条２１゜２２を２層にして組合わ
せたものである。この圧覚センサのゴム条配列面に対し
て垂直方向の力が加われば導電性ゴム条２１．２２の接
触部分の面積が増加し抵抗が変化する。従って第３図に
示したように電圧端子２３に、例えば５ｖの電圧をｔｏ
ｏｏΩの抵抗２４を介して印加しておき、出力点２５の
電圧変化を測定することにより、加えられｈ力の大きさ
を知ることができる。 ところがこのような導電性ゴムを用いた分布型圧覚セン
サでは、力検出のダイナミックレンジが狭いことおよび
ヒステリシス特性を有することという欠点がある。 一方、特開昭６０−１９５４０２号および１９５４０３
号公輻により可撓性基板上に形成した非晶質シリコン層
よりなる歪ゲージを用いた歪分布センサが公知となって
おり、ここでは前に述べたようなダイナミックレンジや
ヒステリシスに関する欠点は除かれている。しかし、そ
の原理は第４図に示すように、分布型圧覚センサ２６を
ロボットハンド２７に貼付けて、ロボットハンド２７が
被把持物を把持した時にロボットハンドに生じる歪を圧
覚センサ２６によって検出するものであり、被把持物が
圧覚センサ２６に及ぼす力を直接検出するものではない
、そのためロボットハンドに小さい力が加わるときには
検出できない。
本発明は、非晶質シリコン層を用い、加わった力を直接
感度よく検出できる分布型圧覚センサを提供することを
目的とする。
感度よく検出できる分布型圧覚センサを提供することを
目的とする。
本発明は、金属基板に厚さの厚い支持部に連結された厚
さの薄い梁構造をマトリクス状に分散して設け、各梁構
造部の表面に絶縁層を介してｐ型およびｎ型の非晶質シ
リコン膜を被着し、両膜を電気的に直列接続し、両端に
それぞれ電圧端子、接続点に出力端子を接続したもので
、金属基板の一部に垂直方向に力が加わった時、片持梁
または両持梁に形成された梁が変形し、梁の面上に被着
された非晶質シリコンの抵抗が変化するが、抵抗変化率
ΔＲ／Ｒはｐ型ではプラス、ｎ型ではマイナスの特性を
有するため、その接続点より大きな出力信号を取り出す
ことができ、上記の目的が達成される。
さの薄い梁構造をマトリクス状に分散して設け、各梁構
造部の表面に絶縁層を介してｐ型およびｎ型の非晶質シ
リコン膜を被着し、両膜を電気的に直列接続し、両端に
それぞれ電圧端子、接続点に出力端子を接続したもので
、金属基板の一部に垂直方向に力が加わった時、片持梁
または両持梁に形成された梁が変形し、梁の面上に被着
された非晶質シリコンの抵抗が変化するが、抵抗変化率
ΔＲ／Ｒはｐ型ではプラス、ｎ型ではマイナスの特性を
有するため、その接続点より大きな出力信号を取り出す
ことができ、上記の目的が達成される。
第１図ｆａｌ〜（Ｃ１は本発明の一実施例を示すもので
、図（ｂｌは図ｆａｔのＸ−Ｘ断面１図ｔｃ＋は図ｆａ
ｔのＹ−Ｙ断面を表わしている０図において、金属基板
１は厚さ０．１〜０．３鶴程度で、基板材料としては耐
腐食性の点から考えてステンレス鋼が最適と考えられる
が、その使用条件により他の金属であっても差しつかえ
ない、この金属基板１にエツチングまたは機械加工によ
りスリット状でコ字形の貫通孔２全あけて片持梁３を形
成する０片持梁３の厚さは第１図（ｂ）、ｉＣｌに示す
ようにやはりエツチングまたは機械加工により基讐反１
より薄くされ、梁３の端部近くに取り付けられたｒｒ１
重印加印加部４５が加わったときに、塁が変形できるす
き嵐１８が支持面１７との間に生ずる。さらに、片持梁
３の根元の下面には溝１９が形成され、梁”の変形を大
きくしている。 金ｉ基板ｌの上にはポリイミドなどの絶縁樹脂ＩＩ６を
塗布する。この上に電源用電橋７１．出力用１］ｊ７２
．グランド用ｔｆｆｉ７３を電子ビーム蒸着またはスパ
ックリング蒸着により１０００〜５０００人の厚さに形
成する。このとき第１図Ｔｏ）に示すように電源用１橿
７１と出力用′：Ｆｉ掻７２は絶縁樹脂層６により金属
基板ｌから絶縁されているが、グランド用電極７３は第
１Ｕ；！Ｊ（Ｃ＋に示すように金属基板１に接旭してお
り、金属基板ｌは共通のグランド電位となっている。こ
のようなグランド電極７３の形成方法は、絶縁樹脂層６
を怒光性ポリイミド等で形成し、グランド電極の位置に
露光によって貫通孔をあけ、しかるのらにその部分にグ
ランド電極７３を蒸着すればよい。 次にグロー放電分解法によってｐ型非晶質シリコン（以
下ａ Ｓｉと記す）膜８１とｎ型ａ −５ｉ膜８２を
形成する。ａ−Ｓｉ膜は水素により１０〜３０倍に希釈
されたシランガスを用いて、１〜１０Ｔｏｒｒの真空中
で高周波電界を加える公知の方法で生成される。 ａ−５ｉ膜をｐ型にする場合はジボランガス、ｎ型にす
る場合はフォスフインガスをシランガスに添加する。高
周波の電力を上げていくと５０〜２００人の大きさの微
結晶粒が膜の中に成長して微結晶化膜が形成される。ａ
−５ｉ膜８１．８２はそれぞれ成膜後、フォトリソグラ
フィにより図示のように線状にパターニングされる。ａ
−５ｉ膜８１．８２の保護のために、エポキシ、フェ
ノール系塗料を印刷などの方法でパターン状に塗布して
１０−程度のｊ￥さの遮光性の保３１膜９により被覆す
る。ａ Ｓｉ膜８１゜８２のｉｔ型は逆にしてもよい
。 さらに、出力用１！極７２に直列にダイオードＩＯを形
成する。ダイオード１０は出力信号のまわり込みを防ぐ
ためのブロッキング・ダイオードであり、このうよなダ
イオードはａ−５ｔ膜のｐｉｎ構造で形成することがで
きるが、出力信号の大きさや安定性から考えてＦＥＴな
どのアナログ・スイッチを用いてもよい、このようなａ
−３ｉ膜８１．８２を有する梁構造が第１図（ａ）に示
すように金属基板６の上に複数個マトリクス状に形成さ
れ、一つの片持梁３の上の二つのダイオード１０は絶縁
層６の上に形成される配線導体１１を介して電圧増幅器
１２に接続される。 このような構成において、基板ｌの厘さの部分を、例え
ばロボットハンドの内面に接着またはねし止めした場合
、いま力が加わると片持梁３にすきま３１を減少させる
曲げ変形を生じ、溝１９の作用によりａ −５ｉｔＨ！
８１．８２が形成しである梁３の根元部分の表面および
それに伴い膜自体に大きな引張り歪を生じる。第５図は
引張り歪が生じた時その歪方向と平行のｐ′１１ａ−３
ｉＨの抵抗変化５１とｎ型ａ−５ｔ膜の抵抗変化５２を
示している。引張り歪１が生じた時ｐ！！！ａ−３Ｌの
抵抗は増加し、ｎ型ａ −５ｉの抵抗は減少している。 第６図は、ａ −３ｉ膜８１゜８２とダイオード１０が
形成するホイートストーンプリフジの等価回路を示す、
歪が生じない時にすべてのａ−５ｉｌｌｌの抵抗値が同
じであると仮定すれば、電圧端子Ａに電圧を印加しても
Ｂ端子とＣ端子は同電位であり、電圧増幅器１２に出力
は生じない。 次に力５により片持梁３が変形すると、ａ −５ｉ膜８
１の抵抗は増加し、ｎ型ａ −５ｉ膜８２の抵抗は減少
するため、Ｂ端子の電位は下がり、Ｃ端子の電位は上が
ってこれらの間の電位差が電圧増幅器１２に大きな出力
電圧として現われ、これにより力５の大きさを知ること
ができる。このようなホイートストーンプリフジがマト
リクス配置の各片持梁３の上に存在するので、マトリク
スの各列毎に順次電圧を印加し、各行の電圧増幅１７１
１２の出力を！傾次測定すれば、基板上の各荷重印加部
４に加わる力５の分布を知ることができる。 第７図は別の実施例を示すものであり、第１図のものと
相違する点は、金属基板ｌに平行溝状の貫通孔２を開け
て片持梁３の代わりに両持梁３１を形成したことである
。Ｎ重印加点４に力を加えたときの梁の変形は片持梁の
ときより小さくなり、ａ −５Ｌ膜８１．８２に生じる
歪も小さくなってその結果電圧増幅器１２に生ずる出力
信号が小さくなるが、貫通孔２の加工が容易になり、ま
た配線１１のクロスオーバが少なくなる利点が得られる
。 第８図はさらに別の実施例を示すもので、第１図のもの
と相違する点は、一つの片持梁３の上にｐ型ａ−３ｉｌ
１８１とｎ型ａ−３ｉ膜８２を１個ずつのみ形成して直
列接続し、ハーフプリフジを構成している点でしる。梁
３の表面に引張り歪が生ずることによりｐ型ａ−５ｉ膜
８１の抵抗が増加し、ｎ型ａ−Ｓｉ膜８２の抵抗が減少
するので出力用電Ｊ１７２の電位が低下する。この場合
は同相ノイズ成分を除去する効果は失われるが、回路構
成が簡略化されるという利点が得られる。
、図（ｂｌは図ｆａｔのＸ−Ｘ断面１図ｔｃ＋は図ｆａ
ｔのＹ−Ｙ断面を表わしている０図において、金属基板
１は厚さ０．１〜０．３鶴程度で、基板材料としては耐
腐食性の点から考えてステンレス鋼が最適と考えられる
が、その使用条件により他の金属であっても差しつかえ
ない、この金属基板１にエツチングまたは機械加工によ
りスリット状でコ字形の貫通孔２全あけて片持梁３を形
成する０片持梁３の厚さは第１図（ｂ）、ｉＣｌに示す
ようにやはりエツチングまたは機械加工により基讐反１
より薄くされ、梁３の端部近くに取り付けられたｒｒ１
重印加印加部４５が加わったときに、塁が変形できるす
き嵐１８が支持面１７との間に生ずる。さらに、片持梁
３の根元の下面には溝１９が形成され、梁”の変形を大
きくしている。 金ｉ基板ｌの上にはポリイミドなどの絶縁樹脂ＩＩ６を
塗布する。この上に電源用電橋７１．出力用１］ｊ７２
．グランド用ｔｆｆｉ７３を電子ビーム蒸着またはスパ
ックリング蒸着により１０００〜５０００人の厚さに形
成する。このとき第１図Ｔｏ）に示すように電源用１橿
７１と出力用′：Ｆｉ掻７２は絶縁樹脂層６により金属
基板ｌから絶縁されているが、グランド用電極７３は第
１Ｕ；！Ｊ（Ｃ＋に示すように金属基板１に接旭してお
り、金属基板ｌは共通のグランド電位となっている。こ
のようなグランド電極７３の形成方法は、絶縁樹脂層６
を怒光性ポリイミド等で形成し、グランド電極の位置に
露光によって貫通孔をあけ、しかるのらにその部分にグ
ランド電極７３を蒸着すればよい。 次にグロー放電分解法によってｐ型非晶質シリコン（以
下ａ Ｓｉと記す）膜８１とｎ型ａ −５ｉ膜８２を
形成する。ａ−Ｓｉ膜は水素により１０〜３０倍に希釈
されたシランガスを用いて、１〜１０Ｔｏｒｒの真空中
で高周波電界を加える公知の方法で生成される。 ａ−５ｉ膜をｐ型にする場合はジボランガス、ｎ型にす
る場合はフォスフインガスをシランガスに添加する。高
周波の電力を上げていくと５０〜２００人の大きさの微
結晶粒が膜の中に成長して微結晶化膜が形成される。ａ
−５ｉ膜８１．８２はそれぞれ成膜後、フォトリソグラ
フィにより図示のように線状にパターニングされる。ａ
−５ｉ膜８１．８２の保護のために、エポキシ、フェ
ノール系塗料を印刷などの方法でパターン状に塗布して
１０−程度のｊ￥さの遮光性の保３１膜９により被覆す
る。ａ Ｓｉ膜８１゜８２のｉｔ型は逆にしてもよい
。 さらに、出力用１！極７２に直列にダイオードＩＯを形
成する。ダイオード１０は出力信号のまわり込みを防ぐ
ためのブロッキング・ダイオードであり、このうよなダ
イオードはａ−５ｔ膜のｐｉｎ構造で形成することがで
きるが、出力信号の大きさや安定性から考えてＦＥＴな
どのアナログ・スイッチを用いてもよい、このようなａ
−３ｉ膜８１．８２を有する梁構造が第１図（ａ）に示
すように金属基板６の上に複数個マトリクス状に形成さ
れ、一つの片持梁３の上の二つのダイオード１０は絶縁
層６の上に形成される配線導体１１を介して電圧増幅器
１２に接続される。 このような構成において、基板ｌの厘さの部分を、例え
ばロボットハンドの内面に接着またはねし止めした場合
、いま力が加わると片持梁３にすきま３１を減少させる
曲げ変形を生じ、溝１９の作用によりａ −５ｉｔＨ！
８１．８２が形成しである梁３の根元部分の表面および
それに伴い膜自体に大きな引張り歪を生じる。第５図は
引張り歪が生じた時その歪方向と平行のｐ′１１ａ−３
ｉＨの抵抗変化５１とｎ型ａ−５ｔ膜の抵抗変化５２を
示している。引張り歪１が生じた時ｐ！！！ａ−３Ｌの
抵抗は増加し、ｎ型ａ −５ｉの抵抗は減少している。 第６図は、ａ −３ｉ膜８１゜８２とダイオード１０が
形成するホイートストーンプリフジの等価回路を示す、
歪が生じない時にすべてのａ−５ｉｌｌｌの抵抗値が同
じであると仮定すれば、電圧端子Ａに電圧を印加しても
Ｂ端子とＣ端子は同電位であり、電圧増幅器１２に出力
は生じない。 次に力５により片持梁３が変形すると、ａ −５ｉ膜８
１の抵抗は増加し、ｎ型ａ −５ｉ膜８２の抵抗は減少
するため、Ｂ端子の電位は下がり、Ｃ端子の電位は上が
ってこれらの間の電位差が電圧増幅器１２に大きな出力
電圧として現われ、これにより力５の大きさを知ること
ができる。このようなホイートストーンプリフジがマト
リクス配置の各片持梁３の上に存在するので、マトリク
スの各列毎に順次電圧を印加し、各行の電圧増幅１７１
１２の出力を！傾次測定すれば、基板上の各荷重印加部
４に加わる力５の分布を知ることができる。 第７図は別の実施例を示すものであり、第１図のものと
相違する点は、金属基板ｌに平行溝状の貫通孔２を開け
て片持梁３の代わりに両持梁３１を形成したことである
。Ｎ重印加点４に力を加えたときの梁の変形は片持梁の
ときより小さくなり、ａ −５Ｌ膜８１．８２に生じる
歪も小さくなってその結果電圧増幅器１２に生ずる出力
信号が小さくなるが、貫通孔２の加工が容易になり、ま
た配線１１のクロスオーバが少なくなる利点が得られる
。 第８図はさらに別の実施例を示すもので、第１図のもの
と相違する点は、一つの片持梁３の上にｐ型ａ−３ｉｌ
１８１とｎ型ａ−３ｉ膜８２を１個ずつのみ形成して直
列接続し、ハーフプリフジを構成している点でしる。梁
３の表面に引張り歪が生ずることによりｐ型ａ−５ｉ膜
８１の抵抗が増加し、ｎ型ａ−Ｓｉ膜８２の抵抗が減少
するので出力用電Ｊ１７２の電位が低下する。この場合
は同相ノイズ成分を除去する効果は失われるが、回路構
成が簡略化されるという利点が得られる。
本発明によれば次のような効果が得られる。
（１１金属基板に梁構造を形成し、金属基板に対して垂
直方向の力を梁の曲げによって基板表面に生じる引張り
歪に変換するので、金属基板に対して垂直方向に加わる
力を直接検出できる。 （２）梁の表面に生じる歪をその表面に被着したｐ型と
ｎ型のａ−３ｔ膜の相反する抵抗変化率を利用して検出
するため、大きな出力信号が得られる。 （３）梁構造を金属基板上にマトリクス状に形成するこ
とにより、金属基板に対して垂直方向に加わる力の１＆
板面における分布状態を知ることができる。 （４）金属基板にマトリクス状に多数の梁構造をエツチ
ング等により製作し、ａ−３ｉ膜や電橋をグロー放電分
解法や蒸着により一括して形成することができるので、
製造工程が簡単である。 （６）金属基板の厚さやａ−５ｉｌＩ！１等の寸法を小
さくできるので、全体を薄く製作することが可能である
。 （６）金属基板は弾性を有するので、圧覚センサをある
程度可撓性にすることができ、曲面状への固定が可能で
ある。あるいはあらかじめ円筒状などの任意の形状を有
する金属Ｍ板を用いることによって、平板状以外の形状
をした圧覚センサを製作することもできるので、ロボッ
トハンドへの取付けが容易になる。
直方向の力を梁の曲げによって基板表面に生じる引張り
歪に変換するので、金属基板に対して垂直方向に加わる
力を直接検出できる。 （２）梁の表面に生じる歪をその表面に被着したｐ型と
ｎ型のａ−３ｔ膜の相反する抵抗変化率を利用して検出
するため、大きな出力信号が得られる。 （３）梁構造を金属基板上にマトリクス状に形成するこ
とにより、金属基板に対して垂直方向に加わる力の１＆
板面における分布状態を知ることができる。 （４）金属基板にマトリクス状に多数の梁構造をエツチ
ング等により製作し、ａ−３ｉ膜や電橋をグロー放電分
解法や蒸着により一括して形成することができるので、
製造工程が簡単である。 （６）金属基板の厚さやａ−５ｉｌＩ！１等の寸法を小
さくできるので、全体を薄く製作することが可能である
。 （６）金属基板は弾性を有するので、圧覚センサをある
程度可撓性にすることができ、曲面状への固定が可能で
ある。あるいはあらかじめ円筒状などの任意の形状を有
する金属Ｍ板を用いることによって、平板状以外の形状
をした圧覚センサを製作することもできるので、ロボッ
トハンドへの取付けが容易になる。
第１図は本発明の一実施例を示し、ｆａｔが平面構成図
、（ｂｌが（ａｌのＸ−Ｘ線断面図、（ｃｌが（ａｌの
Ｙ−Ｙ線断面図、第２図は従来の分布型圧覚センサの斜
視図、第３図はその測定方法の説明図、第４図はａ−５
ｉｌ１９を用いた歪分布センサの使用状態を示す斜視図
、第５図は本発明のａ−５ｉ膜の歪による抵抗変化を示
す線図、第６図は第１図の実施例の等価回路図、第７図
、第８図はそれぞれ本発明の異なる実施例の平面構成図
である。 ｌ：金属基板、２；貫通孔、３：片持梁、３１：両持梁
、４：荷重印加部、６：絶縁樹脂層、７に′ｇｌ源用電
極用電極：出力用電橋、７３ニゲランド用電掻、８１：
ｐ型ａ−５ｉＷＪ、、８２：ｎ型ａ−５ｉ膜、１０：タ
イオート、１７：支持面、１８：ｔ！間、ｔ９：ｎ。 第１図 第２図 １１３図 （ｘ＋ｏ−５） １５図 第６図
、（ｂｌが（ａｌのＸ−Ｘ線断面図、（ｃｌが（ａｌの
Ｙ−Ｙ線断面図、第２図は従来の分布型圧覚センサの斜
視図、第３図はその測定方法の説明図、第４図はａ−５
ｉｌ１９を用いた歪分布センサの使用状態を示す斜視図
、第５図は本発明のａ−５ｉ膜の歪による抵抗変化を示
す線図、第６図は第１図の実施例の等価回路図、第７図
、第８図はそれぞれ本発明の異なる実施例の平面構成図
である。 ｌ：金属基板、２；貫通孔、３：片持梁、３１：両持梁
、４：荷重印加部、６：絶縁樹脂層、７に′ｇｌ源用電
極用電極：出力用電橋、７３ニゲランド用電掻、８１：
ｐ型ａ−５ｉＷＪ、、８２：ｎ型ａ−５ｉ膜、１０：タ
イオート、１７：支持面、１８：ｔ！間、ｔ９：ｎ。 第１図 第２図 １１３図 （ｘ＋ｏ−５） １５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）金属基板に厚さの厚い支持部に連結された厚さの薄
い梁構造をマトリクス状に分散して設け、各梁構造部の
表面に絶縁層を介してｐ型およびｎ型の非晶質シリコン
膜を被着し、両膜を電気的に直列接続し、両端にそれぞ
れ電圧端子、接続点に出力端子を接続してなることを特
徴とする分布型圧覚センサ。 ２）特許請求の範囲第１項記載のセンサにおいて、金属
基板が接地され、一方の電圧端子を兼ねることを特徴と
する分布型圧覚センサ。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項記載のセンサに
おいて、出力端子にダイオードあるいはアナログスイッ
チが接続されたことを特徴とする分布型圧覚センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11810286A JPH0617837B2 (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 分布型圧覚センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11810286A JPH0617837B2 (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 分布型圧覚センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62274229A true JPS62274229A (ja) | 1987-11-28 |
| JPH0617837B2 JPH0617837B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=14728056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11810286A Expired - Lifetime JPH0617837B2 (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 分布型圧覚センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617837B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03252539A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-11 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 分布型触覚センサ |
| JPH0587648A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体応力検出装置 |
| JPH0587650A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体応力検出装置 |
| JPH0587649A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体応力検出装置 |
| JPH07146192A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧力センサ |
-
1986
- 1986-05-22 JP JP11810286A patent/JPH0617837B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03252539A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-11 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 分布型触覚センサ |
| JPH0587648A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体応力検出装置 |
| JPH0587650A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体応力検出装置 |
| JPH0587649A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体応力検出装置 |
| JPH07146192A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧力センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0617837B2 (ja) | 1994-03-09 |
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