JPH08181329A - 圧力センサ及び圧力センサの製造方法 - Google Patents
圧力センサ及び圧力センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH08181329A JPH08181329A JP31979894A JP31979894A JPH08181329A JP H08181329 A JPH08181329 A JP H08181329A JP 31979894 A JP31979894 A JP 31979894A JP 31979894 A JP31979894 A JP 31979894A JP H08181329 A JPH08181329 A JP H08181329A
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- thermal expansion
- polyimide film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜型歪みゲージの感度及び機械的耐久性の
向上を図る。 【構成】 シリコン基板１上に形成されたダイアフラム
８を構成する、上部ポリイミド膜６と下部ポリイミド膜
３との間に、薄膜型歪みゲージ４、及び、配線部５を形
成した。 【効果】 ダイアフラム８を低熱膨張性のポリイミド膜
で構成したことで、歪み量を大きくすることができ、感
度向上が図れる。また、容易に製造でき、信号処理回路
との一体化が可能である。
向上を図る。 【構成】 シリコン基板１上に形成されたダイアフラム
８を構成する、上部ポリイミド膜６と下部ポリイミド膜
３との間に、薄膜型歪みゲージ４、及び、配線部５を形
成した。 【効果】 ダイアフラム８を低熱膨張性のポリイミド膜
で構成したことで、歪み量を大きくすることができ、感
度向上が図れる。また、容易に製造でき、信号処理回路
との一体化が可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン微細加工プロ
セスを応用して形成される、主に、流体の圧力を検出す
る小型の圧力センサに関するものである。
セスを応用して形成される、主に、流体の圧力を検出す
る小型の圧力センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、シリコン基板上に拡散型ピエ
ゾ抵抗を形成し、シリコン基板の裏面から異方性エッチ
ングによって、拡散型ピエゾ抵抗の下方のシリコン基板
を途中まで除去して、ダイアフラム化した圧力センサが
既に実用化されており、その改良型が各種報告されてい
る。特に、拡散型歪みゲージの欠点である温度依存性が
大きい、または、抵抗値のばらつきが大きい等の問題点
に対して、Si，Ge薄膜等による薄膜型歪みゲージを用い
た圧力センサの開発が試みられている。代表的な先行技
術としては、特開昭59-97031に記載された圧力センサが
あるが、その圧力センサは、温度特性に優れるアモルフ
ァス半導体歪みゲージを応用したものである。
ゾ抵抗を形成し、シリコン基板の裏面から異方性エッチ
ングによって、拡散型ピエゾ抵抗の下方のシリコン基板
を途中まで除去して、ダイアフラム化した圧力センサが
既に実用化されており、その改良型が各種報告されてい
る。特に、拡散型歪みゲージの欠点である温度依存性が
大きい、または、抵抗値のばらつきが大きい等の問題点
に対して、Si，Ge薄膜等による薄膜型歪みゲージを用い
た圧力センサの開発が試みられている。代表的な先行技
術としては、特開昭59-97031に記載された圧力センサが
あるが、その圧力センサは、温度特性に優れるアモルフ
ァス半導体歪みゲージを応用したものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような薄
膜型歪みゲージのゲージ率は、最高で30〜40と、結晶Si
拡散型歪みゲージの 120に対して、約1/3 以下と、いく
ら導電型を考慮して配置の工夫を施しても感度が拡散型
歪みゲージより劣るという問題点があった。また、結晶
Siをダイアフラム材料として用いた場合、靱性が低いた
め繰り返し使用試験における寿命が不十分であったり、
衝撃試験、振動試験等に対する、機械的耐久性が不十分
であるという問題点があった。
膜型歪みゲージのゲージ率は、最高で30〜40と、結晶Si
拡散型歪みゲージの 120に対して、約1/3 以下と、いく
ら導電型を考慮して配置の工夫を施しても感度が拡散型
歪みゲージより劣るという問題点があった。また、結晶
Siをダイアフラム材料として用いた場合、靱性が低いた
め繰り返し使用試験における寿命が不十分であったり、
衝撃試験、振動試験等に対する、機械的耐久性が不十分
であるという問題点があった。
【０００４】一方、数十〜数百μm 厚のポリイミドフィ
ルム、金属箔等の可撓性基板に歪みゲージを形成した圧
力センサが知られているが、その用途は、変形する被測
定物に張りつけて、その変形量を計測する方式で、何ら
かの基板に張りつける作業が必要で取扱が複雑であっ
た。また、これでは、圧力センサの出力を処理する信号
処理回路を一体化できず、小型にすると取り扱いが困難
になるという問題点があった。
ルム、金属箔等の可撓性基板に歪みゲージを形成した圧
力センサが知られているが、その用途は、変形する被測
定物に張りつけて、その変形量を計測する方式で、何ら
かの基板に張りつける作業が必要で取扱が複雑であっ
た。また、これでは、圧力センサの出力を処理する信号
処理回路を一体化できず、小型にすると取り扱いが困難
になるという問題点があった。
【０００５】本発明は上記課題に鑑みなされたもので、
その目的とするところは、温度依存性が少ない、抵抗ば
らつきが少ない等の薄膜型歪みゲージの利点を生かしつ
つ、感度及び機械的耐久性において、従来の結晶Si圧力
センサを上回り、信号処理回路との一体化が可能でSiプ
ロセスとの整合性のよい、小型の圧力センサの構造及び
その製造方法を提供することにある。
その目的とするところは、温度依存性が少ない、抵抗ば
らつきが少ない等の薄膜型歪みゲージの利点を生かしつ
つ、感度及び機械的耐久性において、従来の結晶Si圧力
センサを上回り、信号処理回路との一体化が可能でSiプ
ロセスとの整合性のよい、小型の圧力センサの構造及び
その製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の圧力センサは、周辺部分が基板に固
定されたダイアフラム上に薄膜型歪みゲージが配置され
てなる圧力センサにおいて、前記ダイアフラムが、連続
する２層である上部低熱膨張性ポリイミド膜と下部低熱
膨張性ポリイミド膜とを含む、多層の膜からなり、前記
薄膜型歪みゲージが、前記上部低熱膨張性ポリイミド膜
と前記下部低熱膨張性ポリイミド膜の間に形成されてい
ることを特徴とするものである。
め、請求項１記載の圧力センサは、周辺部分が基板に固
定されたダイアフラム上に薄膜型歪みゲージが配置され
てなる圧力センサにおいて、前記ダイアフラムが、連続
する２層である上部低熱膨張性ポリイミド膜と下部低熱
膨張性ポリイミド膜とを含む、多層の膜からなり、前記
薄膜型歪みゲージが、前記上部低熱膨張性ポリイミド膜
と前記下部低熱膨張性ポリイミド膜の間に形成されてい
ることを特徴とするものである。
【０００７】また、請求項２記載の圧力センサの製造方
法は、シリコン基板上に、酸化シリコン膜または窒化シ
リコン膜と、下部低熱膨張性ポリイミド膜を順次形成す
る工程と、前記下部低熱膨張性ポリイミド膜上に、薄膜
型歪みゲージ及び配線部を形成する工程と、前記薄膜型
歪みゲージ及び前記配線部を形成した後に、前記下部低
熱膨張性ポリイミド膜上に、上部低熱膨張性ポリイミド
膜を形成する工程と、前記薄膜型歪みゲージの下方のシ
リコンを局所的にエッチング除去する工程と、シリコン
を除去した後に、ドライエッチングによって、前記薄膜
型歪みゲージの下方の、前記酸化シリコン膜または前記
窒化シリコン膜を除去する工程とを備えたことを特徴と
するものである。
法は、シリコン基板上に、酸化シリコン膜または窒化シ
リコン膜と、下部低熱膨張性ポリイミド膜を順次形成す
る工程と、前記下部低熱膨張性ポリイミド膜上に、薄膜
型歪みゲージ及び配線部を形成する工程と、前記薄膜型
歪みゲージ及び前記配線部を形成した後に、前記下部低
熱膨張性ポリイミド膜上に、上部低熱膨張性ポリイミド
膜を形成する工程と、前記薄膜型歪みゲージの下方のシ
リコンを局所的にエッチング除去する工程と、シリコン
を除去した後に、ドライエッチングによって、前記薄膜
型歪みゲージの下方の、前記酸化シリコン膜または前記
窒化シリコン膜を除去する工程とを備えたことを特徴と
するものである。
【０００８】
【作用】本発明では、圧力センサの高感度化を達成する
ために、ダイアフラム材料として半導体デバイスの保護
膜または層間絶縁膜として用いられており、パターニン
グが可能な低熱膨張性ポリイミド膜を用いたことを特徴
とするものである。この材料は、結晶Siに比べ、ヤング
率が低く、ポアソン比が高いため、同じサイズで同じ外
圧が印加された場合、結晶Si製のダイアフラムより歪み
が大きくなる。また、Siに近い熱膨張率（約 3×10-6/
℃）を持つため、シリコン基板とダイアフラムの熱膨張
率の差による熱歪みが発生しない。また、標準的なSiプ
ロセス装置を用いて形成が可能、信号処理回路との一体
化が可能等、Siプロセスとの整合性もよい。
ために、ダイアフラム材料として半導体デバイスの保護
膜または層間絶縁膜として用いられており、パターニン
グが可能な低熱膨張性ポリイミド膜を用いたことを特徴
とするものである。この材料は、結晶Siに比べ、ヤング
率が低く、ポアソン比が高いため、同じサイズで同じ外
圧が印加された場合、結晶Si製のダイアフラムより歪み
が大きくなる。また、Siに近い熱膨張率（約 3×10-6/
℃）を持つため、シリコン基板とダイアフラムの熱膨張
率の差による熱歪みが発生しない。また、標準的なSiプ
ロセス装置を用いて形成が可能、信号処理回路との一体
化が可能等、Siプロセスとの整合性もよい。
【０００９】Si製ダイアフラムとポリイミド製ダイアフ
ラムの感度について考察する。例えば、ダイアフラム
が、周辺部分が基板に固定された、平面視略円形のもの
である場合、一様な分布荷重P を受けた時の径方向の任
意の点（中心からの距離がr である点）における歪みε
r は以下の式で表される。 εr=3P(1- ν2)(a2-3r2)/8h2E ここで、a:ダイアフラム半径、h:ダイアフラム厚、E:ヤ
ング率、ν: ポアソン比 シリコン、ポリイミドのヤング率、ポアソン比の代表的
な値を以下に示す。
ラムの感度について考察する。例えば、ダイアフラム
が、周辺部分が基板に固定された、平面視略円形のもの
である場合、一様な分布荷重P を受けた時の径方向の任
意の点（中心からの距離がr である点）における歪みε
r は以下の式で表される。 εr=3P(1- ν2)(a2-3r2)/8h2E ここで、a:ダイアフラム半径、h:ダイアフラム厚、E:ヤ
ング率、ν: ポアソン比 シリコン、ポリイミドのヤング率、ポアソン比の代表的
な値を以下に示す。
【００１０】
【表１】
【００１１】表１の値を上式に代入し、A=3P(a2-3r2)/8
h2とおくと、歪みεr は次のようになる。
h2とおくと、歪みεr は次のようになる。
【００１２】
【表２】
【００１３】表２に示すように、ポリイミド製のダイア
フラムを用いることによって、シリコンの場合の約80倍
の歪みが得られる。これは接線方向の歪みについても同
様である。
フラムを用いることによって、シリコンの場合の約80倍
の歪みが得られる。これは接線方向の歪みについても同
様である。
【００１４】本発明の圧力センサでは、シリコン基板上
に最初に酸化シリコンまたは窒化シリコンの膜を形成す
るが、この膜は、２層のポリイミド膜（上部低熱膨張性
ポリイミド膜及び下部低熱膨張性ポリイミド膜）に挟ま
れた、薄膜型歪みゲージの下方のシリコンをエッチング
除去する場合のエッチングストップ層の役目を果たすも
のである。
に最初に酸化シリコンまたは窒化シリコンの膜を形成す
るが、この膜は、２層のポリイミド膜（上部低熱膨張性
ポリイミド膜及び下部低熱膨張性ポリイミド膜）に挟ま
れた、薄膜型歪みゲージの下方のシリコンをエッチング
除去する場合のエッチングストップ層の役目を果たすも
のである。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の圧力センサの一実施例を図１
及び図２に基づいて説明する。図１は、圧力センサのＡ
−Ａ断面図、図２は平面図である。図で、１は平面視略
正方形状のシリコン基板、２は、シリコン基板１上に形
成された酸化シリコン膜、３は酸化シリコン膜２上に形
成された、下部低熱膨張性ポリイミド膜である、感光性
の下部ポリイミド膜、４は下部ポリイミド膜３上に平面
視略Ｉ字状に４個形成された薄膜型歪みゲージ、５は薄
膜型歪みゲージ４の抵抗値を外部に取り出すために薄膜
型歪みゲージ４に接続された配線部で、図に示す実施例
では、配線部５によって４つの薄膜型歪みゲージ４はフ
ルブリッジ状に接続されている。また、６は上部低熱膨
張性ポリイミド膜である、感光性の上部ポリイミド膜、
７は配線部５の端部上に形成されたコンタクトホールで
ある。
及び図２に基づいて説明する。図１は、圧力センサのＡ
−Ａ断面図、図２は平面図である。図で、１は平面視略
正方形状のシリコン基板、２は、シリコン基板１上に形
成された酸化シリコン膜、３は酸化シリコン膜２上に形
成された、下部低熱膨張性ポリイミド膜である、感光性
の下部ポリイミド膜、４は下部ポリイミド膜３上に平面
視略Ｉ字状に４個形成された薄膜型歪みゲージ、５は薄
膜型歪みゲージ４の抵抗値を外部に取り出すために薄膜
型歪みゲージ４に接続された配線部で、図に示す実施例
では、配線部５によって４つの薄膜型歪みゲージ４はフ
ルブリッジ状に接続されている。また、６は上部低熱膨
張性ポリイミド膜である、感光性の上部ポリイミド膜、
７は配線部５の端部上に形成されたコンタクトホールで
ある。
【００１６】薄膜型歪みゲージ４の下方のシリコンは除
去されており、シリコン基板１の、シリコンが除去され
た部分には、空洞部１ａが形成されている。これによ
り、空洞部１ａの上方には、周辺部分がシリコン基板１
に固定された、下部ポリイミド膜３及び上部ポリイミド
膜６によって構成される多層膜構造の、ダイアフラム８
が形成される。但し、図２の平面図では、上部低熱膨張
性ポリイミド膜である上部ポリイミド膜６の図示を省略
している。
去されており、シリコン基板１の、シリコンが除去され
た部分には、空洞部１ａが形成されている。これによ
り、空洞部１ａの上方には、周辺部分がシリコン基板１
に固定された、下部ポリイミド膜３及び上部ポリイミド
膜６によって構成される多層膜構造の、ダイアフラム８
が形成される。但し、図２の平面図では、上部低熱膨張
性ポリイミド膜である上部ポリイミド膜６の図示を省略
している。
【００１７】次に、図１及び図２に示した圧力センサの
製造方法の一実施例について説明する。まず、熱酸化に
よりシリコン基板１上に酸化シリコン膜２を略 0.5μm
形成する。次に、感光性ポリイミド（例えば、東レ製の
フォトニース（登録商標））を、スピナ塗布方法により
塗布して、酸化シリコン膜２上に下部ポリイミド膜３を
略10μm 形成する。熱処理条件は、感光性ポリイミド材
料の推奨条件を採用した。
製造方法の一実施例について説明する。まず、熱酸化に
よりシリコン基板１上に酸化シリコン膜２を略 0.5μm
形成する。次に、感光性ポリイミド（例えば、東レ製の
フォトニース（登録商標））を、スピナ塗布方法により
塗布して、酸化シリコン膜２上に下部ポリイミド膜３を
略10μm 形成する。熱処理条件は、感光性ポリイミド材
料の推奨条件を採用した。
【００１８】次に、薄膜型歪みゲージ４及び配線部５を
図２に示すパターンに形成する。図に示す実施例の場
合、薄膜型歪みゲージ４を、圧縮方向の歪みを受ける、
ダイアフラム８の中心部に２個、引っ張り方向の歪みを
受ける、ダイアフラム８の周辺部に２個配置しフルブリ
ッジに構成した。薄膜型歪みゲージ４としては、RFプラ
ズマCVD 法によって形成される微結晶Si薄膜を用いた。
使用ガスは水素希釈シランガス（SiH4/H2;1%）と水素希
釈ホスフィンガス（PH3/H2;0.5% ）を流量比40:1の混合
ガスで用いた。その他の形成条件は、基板温度 250℃、
導入ガス圧力 1torrでゲージ率１１の薄膜型歪みゲージ
４が得られた。その後、Alを用いて薄膜型歪みゲージ４
間を接続する配線部５を形成する。
図２に示すパターンに形成する。図に示す実施例の場
合、薄膜型歪みゲージ４を、圧縮方向の歪みを受ける、
ダイアフラム８の中心部に２個、引っ張り方向の歪みを
受ける、ダイアフラム８の周辺部に２個配置しフルブリ
ッジに構成した。薄膜型歪みゲージ４としては、RFプラ
ズマCVD 法によって形成される微結晶Si薄膜を用いた。
使用ガスは水素希釈シランガス（SiH4/H2;1%）と水素希
釈ホスフィンガス（PH3/H2;0.5% ）を流量比40:1の混合
ガスで用いた。その他の形成条件は、基板温度 250℃、
導入ガス圧力 1torrでゲージ率１１の薄膜型歪みゲージ
４が得られた。その後、Alを用いて薄膜型歪みゲージ４
間を接続する配線部５を形成する。
【００１９】さらに、感光性ポリイミドを、再度、略10
μm 、下部ポリイミド膜３及び薄膜型歪みゲージ４及び
配線部５上に塗布して、上部低熱膨張性ポリイミド膜で
ある上部ポリイミド膜６を形成する。次に、ワイヤボン
ドを行うためのコンタクトホール７をフォトリソグラフ
ィによって、４つの配線部５それぞれの端部上に開け
る。
μm 、下部ポリイミド膜３及び薄膜型歪みゲージ４及び
配線部５上に塗布して、上部低熱膨張性ポリイミド膜で
ある上部ポリイミド膜６を形成する。次に、ワイヤボン
ドを行うためのコンタクトホール７をフォトリソグラフ
ィによって、４つの配線部５それぞれの端部上に開け
る。
【００２０】そして、シリコン基板１の表面側を保護す
る治具を用いて表面を保護しながら、シリコン基板１の
裏面中央部分のシリコンを水酸化カリウム等によって、
略四角台状にエッチング除去する。最後に、エッチング
ストップ層である酸化シリコン膜２をドライエッチング
によって除去して圧力センサを完成する。
る治具を用いて表面を保護しながら、シリコン基板１の
裏面中央部分のシリコンを水酸化カリウム等によって、
略四角台状にエッチング除去する。最後に、エッチング
ストップ層である酸化シリコン膜２をドライエッチング
によって除去して圧力センサを完成する。
【００２１】以上のように構成した圧力センサの電圧出
力e は次式で表される。 e=VG( ε1-ε2)/2 ここで、V:フルブリッジの電源端子に印加する電圧、G:
ゲージ率、ε1:ダイアフラム８の中心部の歪みの平均
値、ε2:ダイアフラム８の周辺部の歪みの平均値であ
る。これにより、ゲージ率が結晶Siの約1/10であって
も、80倍の歪み量が得られるため、８倍の感度向上が可
能である。
力e は次式で表される。 e=VG( ε1-ε2)/2 ここで、V:フルブリッジの電源端子に印加する電圧、G:
ゲージ率、ε1:ダイアフラム８の中心部の歪みの平均
値、ε2:ダイアフラム８の周辺部の歪みの平均値であ
る。これにより、ゲージ率が結晶Siの約1/10であって
も、80倍の歪み量が得られるため、８倍の感度向上が可
能である。
【００２２】なお、下部ポリイミド膜上に形成する薄膜
型歪みゲージは、下部ポリイミド膜を構成するポリイミ
ドのガラス転移点が約 300℃であるため、それ以下の温
度で形成可能なものでなければならないが、実施例に限
定されず、真空蒸着、プラズマCVD 等により形成するこ
とができる、Si、Ge薄膜等で構成してもよい。また、薄
膜型歪みゲージの形状及び数及び配置位置、ダイアフラ
ムの形状、下部ポリイミド膜及び上部ポリイミド膜の材
料も実施例に限定されるものではない。
型歪みゲージは、下部ポリイミド膜を構成するポリイミ
ドのガラス転移点が約 300℃であるため、それ以下の温
度で形成可能なものでなければならないが、実施例に限
定されず、真空蒸着、プラズマCVD 等により形成するこ
とができる、Si、Ge薄膜等で構成してもよい。また、薄
膜型歪みゲージの形状及び数及び配置位置、ダイアフラ
ムの形状、下部ポリイミド膜及び上部ポリイミド膜の材
料も実施例に限定されるものではない。
【００２３】
【発明の効果】以上に説明したように、請求項１記載の
圧力センサによれば、温度特性、抵抗ばらつきに優れる
薄膜型歪みゲージの感度向上を図ることができる。ま
た、請求項１記載の圧力センサは、機械的耐久性に優
れ、製造容易で、信号処理回路との一体化が可能であ
る。
圧力センサによれば、温度特性、抵抗ばらつきに優れる
薄膜型歪みゲージの感度向上を図ることができる。ま
た、請求項１記載の圧力センサは、機械的耐久性に優
れ、製造容易で、信号処理回路との一体化が可能であ
る。
【００２４】請求項２記載の圧力センサの製造方法によ
れば、請求項１記載の圧力センサを容易に実現すること
ができる。
れば、請求項１記載の圧力センサを容易に実現すること
ができる。
【図１】本発明の圧力センサの一実施例を示すＡ−Ａ断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の圧力センサの一実施例を示す平面図で
ある。
ある。
１ シリコン基板（基板） ２ 酸化シリコン膜 ３ 下部ポリイミド膜（下部低熱膨張性
ポリイミド膜） ４ 薄膜型歪みゲージ ５ 配線部 ６ 上部ポリイミド膜（上部低熱膨張性
ポリイミド膜） ８ ダイアフラム
ポリイミド膜） ４ 薄膜型歪みゲージ ５ 配線部 ６ 上部ポリイミド膜（上部低熱膨張性
ポリイミド膜） ８ ダイアフラム
Claims (2)
- 【請求項１】 周辺部分が基板に固定されたダイアフラ
ム上に薄膜型歪みゲージが配置されてなる圧力センサに
おいて、前記ダイアフラムが、連続する２層である上部
低熱膨張性ポリイミド膜と下部低熱膨張性ポリイミド膜
とを含む、多層の膜からなり、前記薄膜型歪みゲージ
が、前記上部低熱膨張性ポリイミド膜と前記下部低熱膨
張性ポリイミド膜の間に形成されていることを特徴とす
る圧力センサ。 - 【請求項２】 シリコン基板上に、酸化シリコン膜また
は窒化シリコン膜と、下部低熱膨張性ポリイミド膜を順
次形成する工程と、前記下部低熱膨張性ポリイミド膜上
に、薄膜型歪みゲージ及び配線部を形成する工程と、前
記薄膜型歪みゲージ及び前記配線部を形成した後に、前
記下部低熱膨張性ポリイミド膜上に、上部低熱膨張性ポ
リイミド膜を形成する工程と、前記薄膜型歪みゲージの
下方のシリコンを局所的にエッチング除去する工程と、
シリコンを除去した後に、ドライエッチングによって、
前記薄膜型歪みゲージの下方の、前記酸化シリコン膜ま
たは前記窒化シリコン膜を除去する工程とを備えたこと
を特徴とする、圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31979894A JPH08181329A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 圧力センサ及び圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31979894A JPH08181329A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 圧力センサ及び圧力センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181329A true JPH08181329A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18114311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31979894A Withdrawn JPH08181329A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 圧力センサ及び圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181329A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006317181A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 加速度センサ |
| KR100914026B1 (ko) * | 2007-06-12 | 2009-08-28 | 한국세라믹기술원 | 압전 박막형 지문 센서 제조방법 |
| JP2013024808A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Japan Aerospace Exploration Agency | 計測装置および計測方法 |
-
1994
- 1994-12-22 JP JP31979894A patent/JPH08181329A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006317181A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 加速度センサ |
| KR100914026B1 (ko) * | 2007-06-12 | 2009-08-28 | 한국세라믹기술원 | 압전 박막형 지문 센서 제조방법 |
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