JP3021905B2 - 半導体加速度センサの製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサの製造方法Info
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- JP3021905B2 JP3021905B2 JP4012101A JP1210192A JP3021905B2 JP 3021905 B2 JP3021905 B2 JP 3021905B2 JP 4012101 A JP4012101 A JP 4012101A JP 1210192 A JP1210192 A JP 1210192A JP 3021905 B2 JP3021905 B2 JP 3021905B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体加速度センサの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体基板上に形成された半導体
領域のピエゾ抵抗効果による抵抗変化や変位による微小
な容量変化を検出することにより、加速度や圧力等を検
出するようにした超小形の半導体歪検出装置が注目され
ている。
領域のピエゾ抵抗効果による抵抗変化や変位による微小
な容量変化を検出することにより、加速度や圧力等を検
出するようにした超小形の半導体歪検出装置が注目され
ている。
【０００３】このような加速度センサは、集積回路技術
を用いて形成されるため、例えば、振動部分の長さが１
００μm 程度、厚さが１μm 程度、チップ全体の大きさ
が１mm角程度と極めて小形の素子を形成することができ
る。また、集積回路によって他の素子と同一基板上に形
成することができるという優れた特徴を有している。
を用いて形成されるため、例えば、振動部分の長さが１
００μm 程度、厚さが１μm 程度、チップ全体の大きさ
が１mm角程度と極めて小形の素子を形成することができ
る。また、集積回路によって他の素子と同一基板上に形
成することができるという優れた特徴を有している。
【０００４】例えば、本発明者らは、このような半導体
加速度センサの一例として、半導体基板からのエッチン
グ加工により、片持ち梁、質量部およびストッパとなる
側壁部を同時に形成した加速度センサを提案している
（特開平２−３０９２５９号）。すなわち、このセンサ
は、図５に示すように、表面からエッチングを行い、基
板表面から適宜の深さ位置に形成された空隙１によって
基板表面４に垂直な方向に形成された片持ち梁２と、片
持ち梁の先端部に形成された振動部としての質量部５と
から構成されている。そしてこの質量部５には、所定の
間隔を於いて形成されストッパとなる側壁部が形成され
ており、この質量部と側壁部の対向両面部には検出部と
なる電極３が形成され被検出加速度に応じて前記質量部
の変位を容量変化として検出するようになっている。
加速度センサの一例として、半導体基板からのエッチン
グ加工により、片持ち梁、質量部およびストッパとなる
側壁部を同時に形成した加速度センサを提案している
（特開平２−３０９２５９号）。すなわち、このセンサ
は、図５に示すように、表面からエッチングを行い、基
板表面から適宜の深さ位置に形成された空隙１によって
基板表面４に垂直な方向に形成された片持ち梁２と、片
持ち梁の先端部に形成された振動部としての質量部５と
から構成されている。そしてこの質量部５には、所定の
間隔を於いて形成されストッパとなる側壁部が形成され
ており、この質量部と側壁部の対向両面部には検出部と
なる電極３が形成され被検出加速度に応じて前記質量部
の変位を容量変化として検出するようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな加速度センサでは、片持ち梁部の厚さを面方位依存
性を有するエッチングの時間コントロールにより決定す
る方式となっていたため、厚さの制御性が悪く、従って
量産したときに印加加速度に対する感度にばらつきが生
じるという問題があった。
うな加速度センサでは、片持ち梁部の厚さを面方位依存
性を有するエッチングの時間コントロールにより決定す
る方式となっていたため、厚さの制御性が悪く、従って
量産したときに印加加速度に対する感度にばらつきが生
じるという問題があった。
【０００６】本発明は前記実情に鑑みてなされたもの
で、歩留まりの低下を招来することなく所要の感度を有
する加速度センサの製造方法を提供することを目的とす
る。
で、歩留まりの低下を招来することなく所要の感度を有
する加速度センサの製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、所定
の面方位をもつシリコン基板の｛１００｝面または｛１
１０｝面から所定の角度だけ傾いた方向に一対のトレン
チを形成し、このトレンチの所定の深さまでマスクで被
覆した後、｛１１１｝面をエッチングストッパとする面
方位依存性エッチングを行い、このトレンチの下方に
｛１１１｝面で囲まれた一対のエッチング孔を形成し、
隣接するエッチング孔の｛１１１｝面で囲まれた領域を
片持ち梁とし、トレンチの上方で囲まれこの片持ち梁に
連設された領域を被検出加速度が加わる質量部とし、該
質量部の側方部に前記トレンチを隔てて形成されストッ
パとなる側壁部と、当該質量部及び側壁部の対向両面部
に形成され被検出加速度に応じた前記質量部の変位を容
量変化として検出するようにしている。
の面方位をもつシリコン基板の｛１００｝面または｛１
１０｝面から所定の角度だけ傾いた方向に一対のトレン
チを形成し、このトレンチの所定の深さまでマスクで被
覆した後、｛１１１｝面をエッチングストッパとする面
方位依存性エッチングを行い、このトレンチの下方に
｛１１１｝面で囲まれた一対のエッチング孔を形成し、
隣接するエッチング孔の｛１１１｝面で囲まれた領域を
片持ち梁とし、トレンチの上方で囲まれこの片持ち梁に
連設された領域を被検出加速度が加わる質量部とし、該
質量部の側方部に前記トレンチを隔てて形成されストッ
パとなる側壁部と、当該質量部及び側壁部の対向両面部
に形成され被検出加速度に応じた前記質量部の変位を容
量変化として検出するようにしている。
【０００８】
【作用】上記方法によれば、｛１１１｝面をエッチング
ストッパとする面方位依存性エッチングにより, 梁が形
成されるため、エッチング時間のコンロールも不要で、
容易にばらつきの少ない加速度センサを得ることができ
る。
ストッパとする面方位依存性エッチングにより, 梁が形
成されるため、エッチング時間のコンロールも不要で、
容易にばらつきの少ない加速度センサを得ることができ
る。
【０００９】このように、シリコン基板表面に薄膜技術
を用いて片持ち梁およびこれを囲む空間を形成するよう
にし、加速度センサが一体的に形成されるため、実装工
程が不要で、容易に信頼性の高いセンサを得ることが可
能となる。
を用いて片持ち梁およびこれを囲む空間を形成するよう
にし、加速度センサが一体的に形成されるため、実装工
程が不要で、容易に信頼性の高いセンサを得ることが可
能となる。
【００１０】なおここでトレンチは、所定の面方位をも
つシリコン基板の｛１００｝面または｛１１０｝面から
所定の角度だけ傾いた方向に形成されていればよく、オ
フアングルのシリコン基板を出発材料とし、この表面に
垂直なトレンチを形成するようにしてもよいし、また、
｛１００｝面あるいは｛１１０｝面等に平行な表面をも
つシリコン基板を出発材料として用い、トレンチの形成
を所定の角度だけ傾けて斜め方向に行うようにしてもよ
い。
つシリコン基板の｛１００｝面または｛１１０｝面から
所定の角度だけ傾いた方向に形成されていればよく、オ
フアングルのシリコン基板を出発材料とし、この表面に
垂直なトレンチを形成するようにしてもよいし、また、
｛１００｝面あるいは｛１１０｝面等に平行な表面をも
つシリコン基板を出発材料として用い、トレンチの形成
を所定の角度だけ傾けて斜め方向に行うようにしてもよ
い。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。
つつ詳細に説明する。
【００１２】この半導体加速度センサは、図１(a) に平
面図、図１(b) に断面図を示すように、１枚のシリコン
チップから構成されており、面方位｛１００｝から所定
の角度αだけ傾斜させたｎ型シリコン基板１００表面に
垂直に第１のトレンチ１０１を形成し、｛１１１｝面を
ストッパとする面方位依存性エッチングによってこの第
１のトレンチの底部にさらにエッチング孔１０４を形成
しこのエッチング孔１０４で囲まれた領域を梁１０６と
し、第１のトレンチ１０１で囲まれかつ梁の延長上にあ
る幅広領域を質量部１０５とし、この第１のトレンチ１
０１を隔てて質量部１０５の両側にある側壁をストッパ
１０７として構成されていることを特徴とする。そして
基板表面に平行な加速度を受けたときにこの質量部と側
壁との距離の変化が生じ、この変化によって質量部の電
極である多結晶シリコン膜１０２と側壁の電極である多
結晶シリコン膜１０２との間に生じる容量変化を検出す
ることによって印加加速度を検出するようにしたもので
ある。
面図、図１(b) に断面図を示すように、１枚のシリコン
チップから構成されており、面方位｛１００｝から所定
の角度αだけ傾斜させたｎ型シリコン基板１００表面に
垂直に第１のトレンチ１０１を形成し、｛１１１｝面を
ストッパとする面方位依存性エッチングによってこの第
１のトレンチの底部にさらにエッチング孔１０４を形成
しこのエッチング孔１０４で囲まれた領域を梁１０６と
し、第１のトレンチ１０１で囲まれかつ梁の延長上にあ
る幅広領域を質量部１０５とし、この第１のトレンチ１
０１を隔てて質量部１０５の両側にある側壁をストッパ
１０７として構成されていることを特徴とする。そして
基板表面に平行な加速度を受けたときにこの質量部と側
壁との距離の変化が生じ、この変化によって質量部の電
極である多結晶シリコン膜１０２と側壁の電極である多
結晶シリコン膜１０２との間に生じる容量変化を検出す
ることによって印加加速度を検出するようにしたもので
ある。
【００１３】次に、この加速度センサの形状加工工程に
ついて図２を参照しつつ説明する。
ついて図２を参照しつつ説明する。
【００１４】まず、面方位｛１００｝から所定の角度α
だけ傾斜させたｎ型シリコン基板１００表面に、反応性
イオンエッチングを用いて第１のトレンチ１０１を形成
する（図２(a) ）。このエッチング工程ではエッチング
液としてＨＦ：ＨＮＯ3 ：ＣＨ3 ＣＯＯＨ＝１：３：８
の混合液を用いる。
だけ傾斜させたｎ型シリコン基板１００表面に、反応性
イオンエッチングを用いて第１のトレンチ１０１を形成
する（図２(a) ）。このエッチング工程ではエッチング
液としてＨＦ：ＨＮＯ3 ：ＣＨ3 ＣＯＯＨ＝１：３：８
の混合液を用いる。
【００１５】次いで図２(b) に示すように、表面に電極
として不純物ドープされた多結晶シリコン膜１０２を形
成する。
として不純物ドープされた多結晶シリコン膜１０２を形
成する。
【００１６】さらに図２(c) に示すように、第１のトレ
ンチの底部の多結晶シリコン膜を選択的に除去し、シリ
コン基板１０１の底部をさらにエッチングし、第１のト
レンチの底部に第２のトレンチ１０３を形成する。ここ
でｎ型シリコン基板１００表面は面方位｛１００｝から
所定の角度αだけ傾斜しているため、第２のトレンチ１
０３の側面も面方位｛１１０｝から所定の角度αだけ傾
斜している。
ンチの底部の多結晶シリコン膜を選択的に除去し、シリ
コン基板１０１の底部をさらにエッチングし、第１のト
レンチの底部に第２のトレンチ１０３を形成する。ここ
でｎ型シリコン基板１００表面は面方位｛１００｝から
所定の角度αだけ傾斜しているため、第２のトレンチ１
０３の側面も面方位｛１１０｝から所定の角度αだけ傾
斜している。
【００１７】そして、ＫＯＨを用いたエッチング工程に
よって｛１１１｝面をエッチングストッパとして用いて
ｎ型シリコン基板１００をエッチングする。ここで、
｛１１０｝配向のシリコン基板を用いているため、この
エッチング工程では｛１１１｝方向のエッチング速度が
極めて遅くこの面でエッチングは停止し、｛１１１｝面
で囲まれた空洞（エッチング孔）１０４となる（図２
(d) ）。
よって｛１１１｝面をエッチングストッパとして用いて
ｎ型シリコン基板１００をエッチングする。ここで、
｛１１０｝配向のシリコン基板を用いているため、この
エッチング工程では｛１１１｝方向のエッチング速度が
極めて遅くこの面でエッチングは停止し、｛１１１｝面
で囲まれた空洞（エッチング孔）１０４となる（図２
(d) ）。
【００１８】このようにして質量部および片持ち梁部が
形成されるが、第２のトレンチ１０３の側面が、面方位
｛１００｝から所定の角度αだけ傾斜した面方位となっ
ているため、｛１１１｝面でストップするまでエッチン
グしても梁状の構造体を形成することができ、梁の厚み
はトレンチの深さと表面の傾斜角のみで決まるため極め
て高精度の厚み制御を行うことができる。
形成されるが、第２のトレンチ１０３の側面が、面方位
｛１００｝から所定の角度αだけ傾斜した面方位となっ
ているため、｛１１１｝面でストップするまでエッチン
グしても梁状の構造体を形成することができ、梁の厚み
はトレンチの深さと表面の傾斜角のみで決まるため極め
て高精度の厚み制御を行うことができる。
【００１９】なお、梁の厚みをｔ，第２のトレンチの深
さをｄ，質量部の幅をｗとし、オフアングル角をαとす
ると ｔ＝ｗ・ sin（θ＋α）−ｄ・ COS（θ＋α）となる
（図１(b) 参照）。
さをｄ，質量部の幅をｗとし、オフアングル角をαとす
ると ｔ＝ｗ・ sin（θ＋α）−ｄ・ COS（θ＋α）となる
（図１(b) 参照）。
【００２０】ここでθは｛１００｝面と｛１１１｝面と
のなす角であり、５４．７度である。
のなす角であり、５４．７度である。
【００２１】次に、この加速度センサの動作について説
明する。
明する。
【００２２】加速度により質量部１０５が図３に示すよ
うに撓み、左右の多結晶シリコン膜１０２からなる電極
の間隔がそれぞれｗ＋δ，ｗ−δになったとする。ここ
で、左右の電極面積をＳ1 ，Ｓ2 とすると、Ｃ1 −Ｃ2
間の容量は Ｃ＝ε・Ｓ1 ・Ｓ2 ／｛ｗ（Ｓ1 ＋Ｓ2 ）−δ（Ｓ1 −Ｓ2 ）｝ となり、加速度を容量変化として取り出すことができ
る。
うに撓み、左右の多結晶シリコン膜１０２からなる電極
の間隔がそれぞれｗ＋δ，ｗ−δになったとする。ここ
で、左右の電極面積をＳ1 ，Ｓ2 とすると、Ｃ1 −Ｃ2
間の容量は Ｃ＝ε・Ｓ1 ・Ｓ2 ／｛ｗ（Ｓ1 ＋Ｓ2 ）−δ（Ｓ1 −Ｓ2 ）｝ となり、加速度を容量変化として取り出すことができ
る。
【００２３】なお前記実施例では、オフアングル｛１０
０｝基板を用いたが、オフアングル｛１１０｝基板を用
いても、同様に高精度に寸法制御のなされた構造を得る
ことができる。
０｝基板を用いたが、オフアングル｛１１０｝基板を用
いても、同様に高精度に寸法制御のなされた構造を得る
ことができる。
【００２４】次に本発明の第２の実施例について説明す
る。
る。
【００２５】前記第１の実施例では、オフアングル｛１
００｝基板を用いて、基板表面に垂直な第１のトレンチ
を形成したが、この例では｛１００｝基板を用いて、第
１のトレンチ２０１を基板表面に対して所定の角度αだ
け傾けて形成し、やはり｛１１１｝面をエッチングスト
ッパとする面方位依存性エッチングによりエッチング孔
２０４を形成し、このエッチング孔２０４に囲まれた梁
２０６とこれに連設された質量部２０５とによって加速
度センサを形成したことを特徴とするものである。
００｝基板を用いて、基板表面に垂直な第１のトレンチ
を形成したが、この例では｛１００｝基板を用いて、第
１のトレンチ２０１を基板表面に対して所定の角度αだ
け傾けて形成し、やはり｛１１１｝面をエッチングスト
ッパとする面方位依存性エッチングによりエッチング孔
２０４を形成し、このエッチング孔２０４に囲まれた梁
２０６とこれに連設された質量部２０５とによって加速
度センサを形成したことを特徴とするものである。
【００２６】製造に際しては、まず、図４(a) に示すよ
うに面方位｛１００｝のｎ型シリコン基板２００表面
に、斜めからイオンミリングを行う等の方法により、
｛１１０｝面から所定の角度αだけ傾けて第１のトレン
チ２０１を形成する。
うに面方位｛１００｝のｎ型シリコン基板２００表面
に、斜めからイオンミリングを行う等の方法により、
｛１１０｝面から所定の角度αだけ傾けて第１のトレン
チ２０１を形成する。
【００２７】次いで図４(b) に示すように、実施例１と
同様、表面に電極として不純物ドープされた多結晶シリ
コン膜２０２を形成する。
同様、表面に電極として不純物ドープされた多結晶シリ
コン膜２０２を形成する。
【００２８】さらに図４(c) に示すように、第１のトレ
ンチ２０１の底部の多結晶シリコン膜を選択的に除去
し、シリコン基板２０１の底部をさらにエッチングし、
第１のトレンチの底部に第２のトレンチ２０３を形成す
る。ここでｎ型シリコン基板２００表面は面方位｛１０
０｝であるが、第１のトレンチ２０１同様、第２のトレ
ンチ２０３の側面も面方位｛１１０｝から所定の角度α
だけ傾斜している。
ンチ２０１の底部の多結晶シリコン膜を選択的に除去
し、シリコン基板２０１の底部をさらにエッチングし、
第１のトレンチの底部に第２のトレンチ２０３を形成す
る。ここでｎ型シリコン基板２００表面は面方位｛１０
０｝であるが、第１のトレンチ２０１同様、第２のトレ
ンチ２０３の側面も面方位｛１１０｝から所定の角度α
だけ傾斜している。
【００２９】そして、実施例１と同様ＫＯＨを用いたエ
ッチング工程によって｛１１１｝面をエッチングストッ
パとして用いてｎ型シリコン基板２００をエッチングす
る。ここで、第２のトレンチ２０３の側面が｛１１０｝
面から所定の角度αだけ傾いて形成されているため、こ
のエッチング工程では｛１１１｝方向のエッチング速度
が極めて遅くこの面でエッチングは停止し、｛１１１｝
面で囲まれた空洞（エッチング孔）２０４となる（図４
(d) ）。
ッチング工程によって｛１１１｝面をエッチングストッ
パとして用いてｎ型シリコン基板２００をエッチングす
る。ここで、第２のトレンチ２０３の側面が｛１１０｝
面から所定の角度αだけ傾いて形成されているため、こ
のエッチング工程では｛１１１｝方向のエッチング速度
が極めて遅くこの面でエッチングは停止し、｛１１１｝
面で囲まれた空洞（エッチング孔）２０４となる（図４
(d) ）。
【００３０】このようにして質量部および片持ち梁部が
形成されるが、この場合も、｛１１１｝面でストップす
るまでエッチングしても梁状の構造体を形成することが
でき、梁の厚みはトレンチの深さと表面の傾斜角のみで
決まるため極めて高精度の厚み制御を行うことができ
る。
形成されるが、この場合も、｛１１１｝面でストップす
るまでエッチングしても梁状の構造体を形成することが
でき、梁の厚みはトレンチの深さと表面の傾斜角のみで
決まるため極めて高精度の厚み制御を行うことができ
る。
【００３１】さらに、前記第１および第２の実施例のい
ずれにおいても高感度で特性のばらつきがなく信頼性の
高い加速度センサを得ることができる。
ずれにおいても高感度で特性のばらつきがなく信頼性の
高い加速度センサを得ることができる。
【００３２】また、基板面上での質量部の形成方向を適
宜選択することによって、基板面に平行な面上であれば
あらゆる方向の加速度を検出することができ、異なる方
向に感度を有するセンサを同時に同一基板上に容易に形
成することが可能となる。
宜選択することによって、基板面に平行な面上であれば
あらゆる方向の加速度を検出することができ、異なる方
向に感度を有するセンサを同時に同一基板上に容易に形
成することが可能となる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、｛１００｝面または｛１１０｝面から所定の角度だ
け傾いた方向にトレンチを形成し、このトレンチの所定
の深さまでマスクで被覆した状態で、｛１１１｝面をエ
ッチングストッパとする異方性エッチングを行い、この
トレンチの下方に｛１１１｝面で囲まれたエッチング孔
を形成し、この隣接するエッチング孔の｛１１１｝面で
囲まれた領域を梁とし、この梁に連設されたトレンチの
上方で囲まれた領域を質量部とするようにしているた
め、高精度で特性のばらつきの少ない加速度センサを得
ることができる。
ば、｛１００｝面または｛１１０｝面から所定の角度だ
け傾いた方向にトレンチを形成し、このトレンチの所定
の深さまでマスクで被覆した状態で、｛１１１｝面をエ
ッチングストッパとする異方性エッチングを行い、この
トレンチの下方に｛１１１｝面で囲まれたエッチング孔
を形成し、この隣接するエッチング孔の｛１１１｝面で
囲まれた領域を梁とし、この梁に連設されたトレンチの
上方で囲まれた領域を質量部とするようにしているた
め、高精度で特性のばらつきの少ない加速度センサを得
ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の加速度センサを示す
図。
図。
【図２】本発明の第１の実施例の加速度センサの製造工
程図。
程図。
【図３】本発明の第１の実施例の加速度センサの動作説
明図。
明図。
【図４】本発明の第２の実施例の加速度センサの製造工
程図。
程図。
【図５】従来例の加速度センサを示す図。
１００ シリコン基板 １０１ 第１のトレンチ １０２ 多結晶シリコン膜 １０３ 第２のトレンチ １０４ 異方性エッチング孔 １０５ 質量部 １０６ 梁 １０７ ストッパ ２００ シリコン基板 ２０１ 第１のトレンチ ２０２ 多結晶シリコン膜 ２０３ 第２のトレンチ ２０４ 異方性エッチング孔 ２０５ 質量部 ２０６ 梁 ２０７ ストッパ １ 空隙 ２ 片持ち梁 ３ 電極 ４ 基板表面 ５ 質量部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01P 15/125 H01L 29/84
Claims (1)
- 【請求項１】 基板表面から所定深さを有する一対のト
レンチを所定間隔を隔てて形成した後、このトレンチの
下方領域を面方位依存性エッチングして一対のエッチン
グ孔を形成することで、前記半導体基板の表面から適宜
の深さ位置に当該一対のエッチング孔で囲まれる片持ち
梁と該片持ち梁の先端部に形成され被検出加速度が加わ
る質量部と、該質量部の側方部に前記トレンチを隔てて
形成されストッパとなる側壁部と、当該質量部及び側壁
部の対向両面部に形成され被検出加速度に応じた前記質
量部の変位を容量変化として検出する半導体加速度セン
サを製造する方法において、所定の面方位をもつシリコ
ン基板の｛１００｝面または｛１１０｝面から所定の角
度だけ傾いた方向に伸長するトレンチを形成するトレン
チ形成工程と、形成したトレンチを所定の深さまでマス
クで被覆した後、前記トレンチの被覆されていない下方
領域から｛１１１｝面をエッチングストッパとする異方
性エッチングを行い、この第１のトレンチの下方領域に
｛１１１｝面で囲まれたエッチング孔を形成する面方位
依存性エッチング工程とを含むことを特徴とする半導体
加速度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4012101A JP3021905B2 (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4012101A JP3021905B2 (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05203668A JPH05203668A (ja) | 1993-08-10 |
| JP3021905B2 true JP3021905B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=11796180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4012101A Expired - Lifetime JP3021905B2 (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3021905B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7951721B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-05-31 | Landsberger Leslie M | Etching technique for creation of thermally-isolated microstructures |
| CN111238714B (zh) * | 2020-02-19 | 2021-12-07 | 黑龙江大学 | 一种微压传感器的制作工艺方法 |
-
1992
- 1992-01-27 JP JP4012101A patent/JP3021905B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05203668A (ja) | 1993-08-10 |
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