JPH08247874A - 半導体圧力センサ及びその製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサ及びその製造方法Info
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- JPH08247874A JPH08247874A JP5616195A JP5616195A JPH08247874A JP H08247874 A JPH08247874 A JP H08247874A JP 5616195 A JP5616195 A JP 5616195A JP 5616195 A JP5616195 A JP 5616195A JP H08247874 A JPH08247874 A JP H08247874A
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- Japan
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- diaphragm portion
- forming
- thickness
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイヤフラム部の厚みをより薄くすることな
く、圧力検出感度の向上を図る。より薄いダイヤフラム
部を形成するための複雑でコストの高いプロセスを省い
て生産性を向上させる。 【構成】 半導体基板２の裏面をエッチング処理して薄
肉のダイヤフラム部３を形成する。ダイヤフラム部３の
表面にピエゾ抵抗４ａから成る歪検出素子４を形成する
と共に、圧力検出感度を向上させるための断面略Ｖ字状
の堀り込み部５を形成する。ダイヤフラム部３を形成す
る工程と堀り込み部５を形成する工程とを同時に行な
う。
く、圧力検出感度の向上を図る。より薄いダイヤフラム
部を形成するための複雑でコストの高いプロセスを省い
て生産性を向上させる。 【構成】 半導体基板２の裏面をエッチング処理して薄
肉のダイヤフラム部３を形成する。ダイヤフラム部３の
表面にピエゾ抵抗４ａから成る歪検出素子４を形成する
と共に、圧力検出感度を向上させるための断面略Ｖ字状
の堀り込み部５を形成する。ダイヤフラム部３を形成す
る工程と堀り込み部５を形成する工程とを同時に行な
う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体圧力センサ及び
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、この種の半導体圧力センサ
１′としては、図４（ａ）に示すように、半導体基板２
の裏面をエッチング処理して薄肉のダイヤフラム部３を
形成し、ダイヤフラム部３の表面に機械的変形によって
電気抵抗が変化する性質をもったピエゾ抵抗などの抵抗
素子（図示せず）を形成し、圧力の作用によってダイヤ
フラム部３に機械的な歪みを起こさせ、これによって生
じるピエゾ抵抗の抵抗値の変化を電気的に検出するよう
にしたものが知られている。
１′としては、図４（ａ）に示すように、半導体基板２
の裏面をエッチング処理して薄肉のダイヤフラム部３を
形成し、ダイヤフラム部３の表面に機械的変形によって
電気抵抗が変化する性質をもったピエゾ抵抗などの抵抗
素子（図示せず）を形成し、圧力の作用によってダイヤ
フラム部３に機械的な歪みを起こさせ、これによって生
じるピエゾ抵抗の抵抗値の変化を電気的に検出するよう
にしたものが知られている。
【０００３】ここで、ダイヤフラム部３の厚みＤが厚肉
であると、微圧な圧力に対してはダイヤフラム部３は変
形できず、これに伴いピエゾ抵抗に応力がかかり難くな
り、半導体圧力センサ１′の圧力検出感度が低下すると
いう問題がある。そこで、圧力検出感度を向上させるた
めに、従来では図４（ｂ）に示すように、ダイヤフラム
部３の厚みｄ2 （＜ｄ1 ）をより薄くして、圧力に対し
て反応しやすい構造にしなくてはならなかった。ダイヤ
フラム部３の厚みをより薄くし且つ精度良く加工するた
めの技術として、従来は以下の２つの方法が採られてい
る。第１の方法は、図４（ｃ）に示すように、エピタキ
ャル埋め込み層２０が入った埋め込みウエハ２ｂを用
い、埋め込みウエハ２ｂの裏面をエッチング処理する際
に該埋め込み層２０によりエッチングをストップさせ
て、ダイヤフラム部３′の厚みを精度良く制御した後に
埋め込み層２０を除去する方法であり、第２の方法は、
図４（ｄ）に示すように、結晶方位が（１１１）のウエ
ハ基板２ｃと結晶方位が（１１０）のウエハ基板２ｄ2
とを貼り合わせた貼り合わせウエハを用い、結晶方位が
（１１１）のウエハ基板２ｃによりエッチングをストッ
プさせる方法である。
であると、微圧な圧力に対してはダイヤフラム部３は変
形できず、これに伴いピエゾ抵抗に応力がかかり難くな
り、半導体圧力センサ１′の圧力検出感度が低下すると
いう問題がある。そこで、圧力検出感度を向上させるた
めに、従来では図４（ｂ）に示すように、ダイヤフラム
部３の厚みｄ2 （＜ｄ1 ）をより薄くして、圧力に対し
て反応しやすい構造にしなくてはならなかった。ダイヤ
フラム部３の厚みをより薄くし且つ精度良く加工するた
めの技術として、従来は以下の２つの方法が採られてい
る。第１の方法は、図４（ｃ）に示すように、エピタキ
ャル埋め込み層２０が入った埋め込みウエハ２ｂを用
い、埋め込みウエハ２ｂの裏面をエッチング処理する際
に該埋め込み層２０によりエッチングをストップさせ
て、ダイヤフラム部３′の厚みを精度良く制御した後に
埋め込み層２０を除去する方法であり、第２の方法は、
図４（ｄ）に示すように、結晶方位が（１１１）のウエ
ハ基板２ｃと結晶方位が（１１０）のウエハ基板２ｄ2
とを貼り合わせた貼り合わせウエハを用い、結晶方位が
（１１１）のウエハ基板２ｃによりエッチングをストッ
プさせる方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来では埋
め込みウエハ２ｂ、又は貼り合わせウエハ２ｃ，２ｄを
使用しなくてはならないため、プロセスが複雑になるば
かりか、ダイヤフラム部３′の厚みを精度良く薄くして
検出感度を向上させなくてはならず、製造コストが高く
つくという問題があり、また、製造上の課題として、ダ
イヤフラム部３′の機械的強度を弱くする必要上、つま
り厚みをより薄くして変形しやすいウエハを製造する必
要上、製造歩留りが悪く、製造装置の調整を個別に行な
う必要が生じるなど、生産性が低下するという問題があ
った。
め込みウエハ２ｂ、又は貼り合わせウエハ２ｃ，２ｄを
使用しなくてはならないため、プロセスが複雑になるば
かりか、ダイヤフラム部３′の厚みを精度良く薄くして
検出感度を向上させなくてはならず、製造コストが高く
つくという問題があり、また、製造上の課題として、ダ
イヤフラム部３′の機械的強度を弱くする必要上、つま
り厚みをより薄くして変形しやすいウエハを製造する必
要上、製造歩留りが悪く、製造装置の調整を個別に行な
う必要が生じるなど、生産性が低下するという問題があ
った。
【０００５】本発明は、上記従来の課題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、ダイヤフラム部の
厚みをより薄くすることなく、圧力検出感度の向上を図
ることができると共に、より薄いダイヤフラム部を形成
するための複雑でコストの高いプロセスを省くことがで
きる生産性に優れた半導体圧力センサ及びその製造方法
を提供するにある。
たもので、その目的とするところは、ダイヤフラム部の
厚みをより薄くすることなく、圧力検出感度の向上を図
ることができると共に、より薄いダイヤフラム部を形成
するための複雑でコストの高いプロセスを省くことがで
きる生産性に優れた半導体圧力センサ及びその製造方法
を提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明に係る半導体圧力センサは、半導体
基板２の一部を薄肉に形成してダイヤフラム３を構成
し、ダイヤフラム３の歪検出素子４が形成される側の面
に断面略Ｖ字状の堀り込み部５が凹設されて成ることに
特徴を有している。
に、請求項１の発明に係る半導体圧力センサは、半導体
基板２の一部を薄肉に形成してダイヤフラム３を構成
し、ダイヤフラム３の歪検出素子４が形成される側の面
に断面略Ｖ字状の堀り込み部５が凹設されて成ることに
特徴を有している。
【０００７】また請求項２の発明に係る半導体圧力セン
サの製造方法は、半導体基板２の一部にダイヤフラム部
３を形成する工程と、ダイヤフラム部３の歪検出素子４
が形成される側の面に断面略Ｖ字状の堀り込み部５を形
成する工程とを同時に行なうことに特徴を有している。
サの製造方法は、半導体基板２の一部にダイヤフラム部
３を形成する工程と、ダイヤフラム部３の歪検出素子４
が形成される側の面に断面略Ｖ字状の堀り込み部５を形
成する工程とを同時に行なうことに特徴を有している。
【０００８】
【作用】しかして、請求項１の発明によれば、ダイヤフ
ラム部３の歪検出素子４が形成される側の面に断面略Ｖ
字状の堀り込み部５を凹設するようにしたから、ダイヤ
フラム部３の厚みＤが厚肉であっても、微圧な圧力に対
してもダイヤフラム部３が堀り込み部５に沿って変形し
やすくなり、これに伴い歪検出素子４に応力がかかりや
すくなるので、ダイヤフラム部３の厚みをより薄くする
ことなく、圧力検出感度を向上させることができる。
ラム部３の歪検出素子４が形成される側の面に断面略Ｖ
字状の堀り込み部５を凹設するようにしたから、ダイヤ
フラム部３の厚みＤが厚肉であっても、微圧な圧力に対
してもダイヤフラム部３が堀り込み部５に沿って変形し
やすくなり、これに伴い歪検出素子４に応力がかかりや
すくなるので、ダイヤフラム部３の厚みをより薄くする
ことなく、圧力検出感度を向上させることができる。
【０００９】また請求項２の発明によれば、半導体基板
２の一部に薄肉のダイヤフラム部３を形成する工程と、
ダイヤフラム部３の歪検出素子４が形成される側の面に
断面略Ｖ字状の堀り込み部５を形成する工程とを同時に
行なうことにより、ダイヤフラム部３を形成する工程内
に堀り込み部５を形成する工程を組み込むことができ、
堀り込み部５を形成するための製造工程数の増加を防止
でき、しかも圧力検出感度を向上させるために、従来の
ような埋め込みウエハや貼り合わせウエハを使用しなく
て済むので、より薄いダイヤフラムを形成するための複
雑でコストの高いプロセスを省くことができるものであ
る。
２の一部に薄肉のダイヤフラム部３を形成する工程と、
ダイヤフラム部３の歪検出素子４が形成される側の面に
断面略Ｖ字状の堀り込み部５を形成する工程とを同時に
行なうことにより、ダイヤフラム部３を形成する工程内
に堀り込み部５を形成する工程を組み込むことができ、
堀り込み部５を形成するための製造工程数の増加を防止
でき、しかも圧力検出感度を向上させるために、従来の
ような埋め込みウエハや貼り合わせウエハを使用しなく
て済むので、より薄いダイヤフラムを形成するための複
雑でコストの高いプロセスを省くことができるものであ
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１（ａ）（ｂ）は本実施例の半導体圧力センサ
の平断面図及び側面図であり、図１（ｃ）はダイヤフラ
ム部の撓み状態を説明する側面図である。同図におい
て、半導体圧力センサ１は、半導体基板２と、半導体基
板２の一部に形成される薄肉のダイヤフラム部３と、ダ
イヤフラム部３の表面に形成される歪検出素子４とで構
成される。半導体基板２は、例えば結晶方位が（１１
０）のシリコン単結晶基板（以下、ウエハ２ａと略称す
る。）から成り、また歪検出素子４は、機械的変形によ
って電気抵抗が変化するピエゾ抵抗４ａから成り、この
ピエゾ抵抗４ａは該ダイヤフラム部３の表面に不純物を
注入、拡散させて形成され、本実施例では、外力Ｐが作
用したときのダイヤフラム部３の撓み方向Ａと平行な方
向に向けて２対のピエゾ抵抗４ａが夫々形成されてい
る。
する。図１（ａ）（ｂ）は本実施例の半導体圧力センサ
の平断面図及び側面図であり、図１（ｃ）はダイヤフラ
ム部の撓み状態を説明する側面図である。同図におい
て、半導体圧力センサ１は、半導体基板２と、半導体基
板２の一部に形成される薄肉のダイヤフラム部３と、ダ
イヤフラム部３の表面に形成される歪検出素子４とで構
成される。半導体基板２は、例えば結晶方位が（１１
０）のシリコン単結晶基板（以下、ウエハ２ａと略称す
る。）から成り、また歪検出素子４は、機械的変形によ
って電気抵抗が変化するピエゾ抵抗４ａから成り、この
ピエゾ抵抗４ａは該ダイヤフラム部３の表面に不純物を
注入、拡散させて形成され、本実施例では、外力Ｐが作
用したときのダイヤフラム部３の撓み方向Ａと平行な方
向に向けて２対のピエゾ抵抗４ａが夫々形成されてい
る。
【００１１】またダイヤフラム部３は、従来のダイヤフ
ラム部（図４（ｂ）〜（ｄ））の厚みｄ2 よりも厚肉
で、且つ圧力検出感度を向上させるためのＶ溝状の堀り
込み部５を表面に形成することができる厚みＤを有して
いる。この堀り込み部５はピエゾ抵抗４ａの周辺領域に
ダイヤフラム部３の撓み方向Ａと直交する方向に向けて
延びており、本実施例では各堀り込み部５はダイヤフラ
ム部３の表面の８箇所に異方性エッチングによりパター
ニングされている。
ラム部（図４（ｂ）〜（ｄ））の厚みｄ2 よりも厚肉
で、且つ圧力検出感度を向上させるためのＶ溝状の堀り
込み部５を表面に形成することができる厚みＤを有して
いる。この堀り込み部５はピエゾ抵抗４ａの周辺領域に
ダイヤフラム部３の撓み方向Ａと直交する方向に向けて
延びており、本実施例では各堀り込み部５はダイヤフラ
ム部３の表面の８箇所に異方性エッチングによりパター
ニングされている。
【００１２】次に、上記半導体圧力センサ１を製造する
方法の一例を図２及び図３に基づいて説明する。先ず図
２（ａ）（ｂ）のように結晶方位が（１１０）のウエハ
２ａの表面の４箇所に２対のピエゾ抵抗４ａを不純注入
及び拡散（ｐ拡散層）により形成し、さらに図２（ｃ）
（ｄ）のように配線抵抗部６を不純注入及び拡散（ｐ +
拡散層）により形成する。このようにピエゾ抵抗４ａと
配線抵抗部６とを電気的に接続した後に、図２（ｅ）の
ようにウエハ２ａの両面にＳｉＮ膜７ａ，７ｂを夫々堆
積させる。次いで図３（ａ）（ｂ）のように表面側のＳ
ｉＮ膜７ａの一部にピエゾ抵抗４ａと重ならない位置に
数本の帯状の堀り込み部５用の窓８を明け、一方、裏面
側のＳｉＮ膜７ｂの一部に１つの幅広のダイヤフラム部
３用の窓９を明けた後に、図３（ｃ）のようにウエハ２
ａの表面の堀り込み部５の形成と、ウエハ２ａの裏面の
ダイヤフラム部３の形成とを異方性エッチングにより同
時に行なう。このとき、ダイヤフラム部３の厚みＤが従
来のダイヤフラム部（図４（ｂ）〜（ｄ））の厚みｄ2
よりも厚肉となり、且つＶ溝状の堀り込み部５の底面が
ダイヤフラム部３の厚み方向の略中間まで堀り込まれる
程度にエッチング深さを制御する。次いで図３（ｄ）の
ようにＳｉＮ膜７ａのピエゾ抵抗４ａと対向する位置に
Ａｌ配線１０用のコンタクトホール１１を形成し、その
後図３（ｅ）のように該コンタクトホール１１上に真空
蒸着等によってＡｌ配線１０を形成することにより、半
導体圧力センサ１を製造できる。
方法の一例を図２及び図３に基づいて説明する。先ず図
２（ａ）（ｂ）のように結晶方位が（１１０）のウエハ
２ａの表面の４箇所に２対のピエゾ抵抗４ａを不純注入
及び拡散（ｐ拡散層）により形成し、さらに図２（ｃ）
（ｄ）のように配線抵抗部６を不純注入及び拡散（ｐ +
拡散層）により形成する。このようにピエゾ抵抗４ａと
配線抵抗部６とを電気的に接続した後に、図２（ｅ）の
ようにウエハ２ａの両面にＳｉＮ膜７ａ，７ｂを夫々堆
積させる。次いで図３（ａ）（ｂ）のように表面側のＳ
ｉＮ膜７ａの一部にピエゾ抵抗４ａと重ならない位置に
数本の帯状の堀り込み部５用の窓８を明け、一方、裏面
側のＳｉＮ膜７ｂの一部に１つの幅広のダイヤフラム部
３用の窓９を明けた後に、図３（ｃ）のようにウエハ２
ａの表面の堀り込み部５の形成と、ウエハ２ａの裏面の
ダイヤフラム部３の形成とを異方性エッチングにより同
時に行なう。このとき、ダイヤフラム部３の厚みＤが従
来のダイヤフラム部（図４（ｂ）〜（ｄ））の厚みｄ2
よりも厚肉となり、且つＶ溝状の堀り込み部５の底面が
ダイヤフラム部３の厚み方向の略中間まで堀り込まれる
程度にエッチング深さを制御する。次いで図３（ｄ）の
ようにＳｉＮ膜７ａのピエゾ抵抗４ａと対向する位置に
Ａｌ配線１０用のコンタクトホール１１を形成し、その
後図３（ｅ）のように該コンタクトホール１１上に真空
蒸着等によってＡｌ配線１０を形成することにより、半
導体圧力センサ１を製造できる。
【００１３】このように、ピエゾ抵抗４ａが拡散形成さ
れたダイヤフラム部３の表面に、ピエゾ抵抗４ａの周辺
領域でダイヤフラム部３の撓み方向Ａと直交する方向に
延びる複数のＶ溝状の堀り込み部５を凹設したことによ
り、ダイヤフラム部３の厚みＤが厚肉であっても、微圧
な圧力に対してもダイヤフラム部３が容易に変形しやす
くなり、これに伴いピエゾ抵抗４ａに応力がかかりやす
くなり、微圧な圧力であっても配線抵抗部６を介して電
気信号として検出されるようになるので、ダイヤフラム
部３の厚みＤをより薄くしたり、或いは従来の埋め込み
ウエハや貼り合わせウエハを使用したりすることなく、
半導体圧力センサ１の圧力検出感度を向上させることが
できる。また、製造時においては、ウエハ２ａの裏面を
エッチング処理してダイヤフラム部３を形成する工程
と、ダイヤフラム部３の表面に圧力検出感度を向上させ
るための堀り込み部５を形成する工程とを異方性エッチ
ングにより同時に行なうことにより、ダイヤフラム部３
を形成する工程内に堀り込み部５を形成する工程を組み
込むことができ、堀り込み部５を形成するための製造工
程数の増加を防止でき、しかもダイヤフラム部３の厚み
Ｄをより薄くする必要がないので、より薄いダイヤフラ
ム部３を形成するための複雑でコストの高いプロセスを
省くことができ、高感度の半導体圧力センサ１の製造歩
留りが良好となり、且つ製造コストが低減するなど生産
面で効果がある。
れたダイヤフラム部３の表面に、ピエゾ抵抗４ａの周辺
領域でダイヤフラム部３の撓み方向Ａと直交する方向に
延びる複数のＶ溝状の堀り込み部５を凹設したことによ
り、ダイヤフラム部３の厚みＤが厚肉であっても、微圧
な圧力に対してもダイヤフラム部３が容易に変形しやす
くなり、これに伴いピエゾ抵抗４ａに応力がかかりやす
くなり、微圧な圧力であっても配線抵抗部６を介して電
気信号として検出されるようになるので、ダイヤフラム
部３の厚みＤをより薄くしたり、或いは従来の埋め込み
ウエハや貼り合わせウエハを使用したりすることなく、
半導体圧力センサ１の圧力検出感度を向上させることが
できる。また、製造時においては、ウエハ２ａの裏面を
エッチング処理してダイヤフラム部３を形成する工程
と、ダイヤフラム部３の表面に圧力検出感度を向上させ
るための堀り込み部５を形成する工程とを異方性エッチ
ングにより同時に行なうことにより、ダイヤフラム部３
を形成する工程内に堀り込み部５を形成する工程を組み
込むことができ、堀り込み部５を形成するための製造工
程数の増加を防止でき、しかもダイヤフラム部３の厚み
Ｄをより薄くする必要がないので、より薄いダイヤフラ
ム部３を形成するための複雑でコストの高いプロセスを
省くことができ、高感度の半導体圧力センサ１の製造歩
留りが良好となり、且つ製造コストが低減するなど生産
面で効果がある。
【００１４】なお、堀り込み部５の形状は、上記実施例
のようなＶ字溝に限られず、Ｕ字溝等であってもよく、
さらには溝状以外に例えば島状に堀り込んだ形状であっ
てもよい。
のようなＶ字溝に限られず、Ｕ字溝等であってもよく、
さらには溝状以外に例えば島状に堀り込んだ形状であっ
てもよい。
【００１５】
【発明の効果】上述のように、請求項１の発明に係る半
導体圧力センサは、半導体基板の一部を薄肉に形成して
ダイヤフラム部を構成し、ダイヤフラム部の歪検出素子
が形成される側の面に断面略Ｖ字状の堀り込み部が凹設
されて成るから、ダイヤフラム部の厚みが厚肉であって
も、微圧な圧力に対してもダイヤフラム部は断面略Ｖ字
状の堀り込み部に沿って変形しやすくなり、歪検出素子
に応力がかかりやすくなるので、ダイヤフラム部の厚み
をより薄くしたり、或いは従来のような埋め込みウエハ
や貼り合わせウエハを使用することなく、半導体圧力セ
ンサの圧力検出感度を向上させることができる。
導体圧力センサは、半導体基板の一部を薄肉に形成して
ダイヤフラム部を構成し、ダイヤフラム部の歪検出素子
が形成される側の面に断面略Ｖ字状の堀り込み部が凹設
されて成るから、ダイヤフラム部の厚みが厚肉であって
も、微圧な圧力に対してもダイヤフラム部は断面略Ｖ字
状の堀り込み部に沿って変形しやすくなり、歪検出素子
に応力がかかりやすくなるので、ダイヤフラム部の厚み
をより薄くしたり、或いは従来のような埋め込みウエハ
や貼り合わせウエハを使用することなく、半導体圧力セ
ンサの圧力検出感度を向上させることができる。
【００１６】また請求項２の発明に係る半導体圧力セン
サの製造方法は、半導体基板の一部に薄肉のダイヤフラ
ム部を形成する工程と、ダイヤフラム部の歪検出素子が
形成される側の面に断面略Ｖ字状の堀り込み部を形成す
る工程とを同時に行なうものであるから、ダイヤフラム
部を形成する工程内に堀り込み部を形成する工程を組み
込むことができ、製造工程数の増加を防止できると共
に、ダイヤフラム部の厚みをより薄くすることなく、圧
力検出感度を向上させることができるので、より薄いダ
イヤフラム部を形成するための複雑でコストの高いプロ
セスを省くことができ、従って、半導体圧力センサの製
造歩留りが良好となり、製造コストが低く、且つ生産性
に優れた高感度の半導体圧力センサを製造することがで
きる。
サの製造方法は、半導体基板の一部に薄肉のダイヤフラ
ム部を形成する工程と、ダイヤフラム部の歪検出素子が
形成される側の面に断面略Ｖ字状の堀り込み部を形成す
る工程とを同時に行なうものであるから、ダイヤフラム
部を形成する工程内に堀り込み部を形成する工程を組み
込むことができ、製造工程数の増加を防止できると共
に、ダイヤフラム部の厚みをより薄くすることなく、圧
力検出感度を向上させることができるので、より薄いダ
イヤフラム部を形成するための複雑でコストの高いプロ
セスを省くことができ、従って、半導体圧力センサの製
造歩留りが良好となり、製造コストが低く、且つ生産性
に優れた高感度の半導体圧力センサを製造することがで
きる。
【図１】（ａ）（ｂ）は本発明の一実施例のダイヤフラ
ム部の平断面図及び側面図、（ｃ）はダイヤフラム部の
撓み状態を説明する側面図である。
ム部の平断面図及び側面図、（ｃ）はダイヤフラム部の
撓み状態を説明する側面図である。
【図２】（ａ）はピエゾ抵抗の形成状態を示す平断面
図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う側断面図、（ｃ）
（ｄ）は配線抵抗部の形成状態を示す平断面図及び側断
面図、（ｅ）はＳＩＮ膜の堆積状態を示す側断面図であ
る。
図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う側断面図、（ｃ）
（ｄ）は配線抵抗部の形成状態を示す平断面図及び側断
面図、（ｅ）はＳＩＮ膜の堆積状態を示す側断面図であ
る。
【図３】（ａ）は堀り込み部用窓の形成状態を示す平断
面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線に沿う側断面図、
（ｃ）は堀り込み部及びダイヤフラム部の形成状態を示
す側断面図、（ｄ）はコンタクトホールの形成状態を示
す側断面図、（ｅ）はＡｌ配線の形成状態を示す側断面
図である。
面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線に沿う側断面図、
（ｃ）は堀り込み部及びダイヤフラム部の形成状態を示
す側断面図、（ｄ）はコンタクトホールの形成状態を示
す側断面図、（ｅ）はＡｌ配線の形成状態を示す側断面
図である。
【図４】（ａ）は従来のダイヤフラム部を示す側面図、
（ｂ）はダイヤフラム部の厚みをより薄くした状態を示
す側面図、（ｃ）は埋め込み層による厚み制御を示す側
面図、（ｄ）は貼り合わせウエハによる厚み制御を示す
側面図である。
（ｂ）はダイヤフラム部の厚みをより薄くした状態を示
す側面図、（ｃ）は埋め込み層による厚み制御を示す側
面図、（ｄ）は貼り合わせウエハによる厚み制御を示す
側面図である。
１ 半導体圧力センサ ２ 半導体基板 ３ ダイヤフラム部 ４ 歪検出素子 ５ 堀り込み部
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の一部を薄肉に形成してダイ
ヤフラム部を構成し、ダイヤフラム部の歪検出素子が形
成される側の面に断面略Ｖ字状の堀り込み部が凹設され
て成ることを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項２】 半導体基板の一部に薄肉のダイヤフラム
部を形成する工程と、ダイヤフラム部の歪検出素子が形
成される側の面に断面略Ｖ字状の堀り込み部を形成する
工程とを同時に行なうことを特徴とする半導体圧力セン
サの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5616195A JPH08247874A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5616195A JPH08247874A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08247874A true JPH08247874A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=13019378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5616195A Pending JPH08247874A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08247874A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7159466B2 (en) | 2004-06-15 | 2007-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezo resistance type semiconductor device and its manufacturing method |
| WO2009131006A1 (ja) * | 2008-04-24 | 2009-10-29 | パナソニック電工株式会社 | 圧力センサ |
| JP2017052092A (ja) * | 2011-04-14 | 2017-03-16 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングＲｏｂｅｒｔ Ｂｏｓｃｈ Ｇｍｂｈ | 変更した応力特性を有する薄膜を形成する方法 |
| US9952112B2 (en) | 2014-05-26 | 2018-04-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pressure sensor, microphone, ultrasonic sensor, blood pressure sensor, and touch panel |
-
1995
- 1995-03-15 JP JP5616195A patent/JPH08247874A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7159466B2 (en) | 2004-06-15 | 2007-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezo resistance type semiconductor device and its manufacturing method |
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| US8201455B2 (en) | 2008-04-24 | 2012-06-19 | Panasonic Corporation | Pressure sensor having thin film sections |
| JP2017052092A (ja) * | 2011-04-14 | 2017-03-16 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングＲｏｂｅｒｔ Ｂｏｓｃｈ Ｇｍｂｈ | 変更した応力特性を有する薄膜を形成する方法 |
| US9952112B2 (en) | 2014-05-26 | 2018-04-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pressure sensor, microphone, ultrasonic sensor, blood pressure sensor, and touch panel |
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