JP2009264890A - 圧力センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】過度の圧力が加わった場合であっても破損しにくい、高感度、且つ、小型の圧力センサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム部2は、ダイヤフラム部2を複数の矩形領域に区画する網目状の梁部2aと、梁部2aにより区画された領域に形成された薄膜部2bとを有し、薄膜部2bの厚さは梁部2aの厚さよりも薄く形成されている。このような構成によれば、ダイヤフラム部2の厚さを一様に梁部2aの厚さにした場合と比較して単位圧力あたりのダイヤフラム部2の変位量が大きくなる。一方、薄膜部2bの全面積がダイヤフラム部2全体の面積より小さいことから、ダイヤフラム部2の厚さを一様に薄膜部2bの厚さにした場合と比較して、耐圧性が高まる。従って、本発明の実施形態となる圧力センサ1によれば、過度の圧力が加わった場合であっても破損しにくい、高感度、且つ、小型の圧力センサを提供することができる。
【選択図】図3
【解決手段】ダイヤフラム部2は、ダイヤフラム部2を複数の矩形領域に区画する網目状の梁部2aと、梁部2aにより区画された領域に形成された薄膜部2bとを有し、薄膜部2bの厚さは梁部2aの厚さよりも薄く形成されている。このような構成によれば、ダイヤフラム部2の厚さを一様に梁部2aの厚さにした場合と比較して単位圧力あたりのダイヤフラム部2の変位量が大きくなる。一方、薄膜部2bの全面積がダイヤフラム部2全体の面積より小さいことから、ダイヤフラム部2の厚さを一様に薄膜部2bの厚さにした場合と比較して、耐圧性が高まる。従って、本発明の実施形態となる圧力センサ1によれば、過度の圧力が加わった場合であっても破損しにくい、高感度、且つ、小型の圧力センサを提供することができる。
【選択図】図3
Description
本発明は、ダイヤフラム部を備える圧力センサに関し、より詳しくは、圧力センサの感度を高めるための技術に係わる。
従来より、圧力を受けた際にダイヤフラム部に生じる変位量を検出することにより圧力を検出する圧力センサが知られている(特許文献1,2参照)。このような圧力センサの感度を構成材料を変更することなく高めるためには、ダイヤフラム部の受圧面積や単位圧力あたりの変位量を大きくする必要がある。ところが近年、デバイスの小型化が強く要求されていることから、ダイヤフラム部の受圧面積を大きくすることにより圧力センサの感度を高めることは難しい。このような背景から、単位圧力あたりのダイヤフラム部の変位量を大きくすることにより圧力センサの感度を高めることが望まれている。
特開2006-126127号公報
特開2007-205858号公報
円盤形状のダイヤフラム部の中央部における変位量yは、以下の数式(1)に示すように、ダイヤフラム部を構成する材料の特性、ダイヤフラム部の大きさ(面積)及び厚みによって定まる。なお数式(1)中、パラメータν,E,t,a,Pはそれぞれダイヤフラム部を構成する材料のポアソン比及びヤング率,ダイヤフラム部の厚さ及び半径,ダイヤフラム部に加わる圧力を示す。すなわち、ダイヤフラム部の厚さtを薄くすることにより単位圧力あたりのダイヤフラム部の変位量yが大きくなり、圧力センサの感度を高めることができる。しかしながら、ダイヤフラム部の厚さtを薄くした場合、ダイヤフラム部に過度の圧力が加わった際、圧力に抗しきれずにダイヤフラム部が破損する可能性がある。このような背景から、過度の圧力が加わった場合であっても破損しにくい(耐圧性が高い)、高感度、且つ、小型の圧力センサの提供が望まれている。
y=(3/16)×{(1−ν2)/Et3}×a4P …(1)
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は過度の圧力が加わった場合であっても破損しにくい、高感度、且つ、小型の圧力センサを提供することにある。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は過度の圧力が加わった場合であっても破損しにくい、高感度、且つ、小型の圧力センサを提供することにある。
本発明に係る圧力センサは、ダイヤフラム部を有する第1の基板と、第1の基板の一方の表面側に接合され、ダイヤフラム部の一方の表面側を略密封構造にする第2の基板とを備え、ダイヤフラム部の一方の表面側の圧力と他方の表面側の被測定圧力の圧力差を検出する圧力センサであって、ダイヤフラム部は、ダイヤフラム部を複数領域に区画する網目状の梁部と、梁部により区画された複数領域に形成された薄膜部とを有し、薄膜部の厚さが梁部の厚さよりも薄く形成されている。
本発明に係る圧力センサによれば、梁部によってダイヤフラム部全体の強度を保った上で受圧領域の厚さを薄くしているので、過度の圧力が加わった場合であっても破損しにくい、高感度、且つ、小型の圧力センサを提供することができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態となる圧力センサの構成について説明する。
〔圧力センサの構成〕
図1は本発明の実施形態となる圧力センサ1の分解斜視図、図2は図1に示す圧力センサ1の断面図、図3は図1に示す圧力センサ1のダイヤフラム部の部分拡大図を示す。
図1は本発明の実施形態となる圧力センサ1の分解斜視図、図2は図1に示す圧力センサ1の断面図、図3は図1に示す圧力センサ1のダイヤフラム部の部分拡大図を示す。
本発明の実施形態となる圧力センサ1は、図1に示すように、矩形形状のダイヤフラム部2を有する基板3(第1の基板)と、電極4a及び参照用電極4bを有する基板5(第2の基板)とを主な構成要素として備え、ダイヤフラム部2の一方の表面側は基板3と基板5の外周部同士を接合することにより密封構造となっている。なお図示しないが、基板5のダイヤフラム部2に対応する基板3との対向面側及びダイヤフラム部2の少なくとも一方には凹部が形成され、この凹部は基板3と基板5の外周部同士を接合した際に所定圧力に封止された密封空間となる。この密封空間は、凹部を形成するのではなく、基板3と基板5との間にスペーサを設けることによっても形成することができる。
ダイヤフラム部2は、図2に示すように、基板3の他方の表面側を除去加工することにより形成されている。本実施形態では、ダイヤフラム部2は、図3に示すように、矩形形状のダイヤフラム部2をダイヤフラム部2全体の面積より小さい複数の矩形領域に区画する網目状の梁部2aと、梁部2bにより区画された領域に形成された薄膜部2bとを有し、薄膜部2bの厚さは梁部2aの厚さよりも薄く形成されている。本実施形態では、梁部2aは、薄膜部2bの内側方向に向かって傾斜している、いわゆるテーパ形状になっているが、梁部2aをテーパ形状にせずに薄膜部2bの面積を大きくするようにしてもよい。また基板5との対向面側の表面を平坦な形状にし、反対側の表面に梁部2aを形成するようにしてもよい。
図示しないが、ダイヤフラム部2表面の電極4a及び電極4bと対向する位置には電極が形成されている。本実施形態では、ダイヤフラム部2表面に電極を形成したが、電極を形成することなく基板3自体を電極として用いてもよい。また本実施形態では、梁部2aは、複数の矩形領域にダイヤフラム部2を区画したが、図4(a)-(d)に示すように、円形形状,三角形形状,及び六角形形状等の、矩形形状以外の形状にダイヤフラム部2を区画するようにしてもよい。
〔圧力センサの動作〕
このような構成を有する圧力センサ1では、ダイヤフラム部2の他方の表面側に圧力(被測定圧力)が加わった場合、密封空間内の圧力と被測定圧力の圧力差に応じて、基板3側に設けられた電極がダイヤフラム部2の略中央に対向する位置に設けられた電極4aと参照用電極4bに対して変位し、基板3側に設けられた電極と電極4a及び参照用電極4b間の静電容量が変化する。従って、このような構成を有する圧力センサ1によれば、密封空間内の圧力と被測定圧力の圧力差を静電容量の変化量として検出することにより被測定圧力を検出することができる。なお参照用電極4bは、図1に示すように、薄膜部2bよりも外周側に位置する厚膜部に対向する位置に設けられている。従って、圧力に対する変位量が小さい厚膜部における容量を基準として、圧力に対する変位量が大きい薄膜部2bにおける容量との差を検出することにより、製造ばらつきや温度特性等の影響を小さくして、圧力を信頼性高く検出することができる。本実施形態では、密封空間内の圧力と被測定圧力の圧力差を静電容量の変化量として検出したが、ダイヤフラム部2の表面にピエゾ抵抗素子を配置することにより検出してもよい。すなわち、ダイヤフラム部2には密封空間内の圧力と被測定圧力の圧力差に応じて歪みが発生する。従って、この歪み量をピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化量として検出することにより、密封空間内の圧力と被測定圧力の圧力差を検出することができる。
このような構成を有する圧力センサ1では、ダイヤフラム部2の他方の表面側に圧力(被測定圧力)が加わった場合、密封空間内の圧力と被測定圧力の圧力差に応じて、基板3側に設けられた電極がダイヤフラム部2の略中央に対向する位置に設けられた電極4aと参照用電極4bに対して変位し、基板3側に設けられた電極と電極4a及び参照用電極4b間の静電容量が変化する。従って、このような構成を有する圧力センサ1によれば、密封空間内の圧力と被測定圧力の圧力差を静電容量の変化量として検出することにより被測定圧力を検出することができる。なお参照用電極4bは、図1に示すように、薄膜部2bよりも外周側に位置する厚膜部に対向する位置に設けられている。従って、圧力に対する変位量が小さい厚膜部における容量を基準として、圧力に対する変位量が大きい薄膜部2bにおける容量との差を検出することにより、製造ばらつきや温度特性等の影響を小さくして、圧力を信頼性高く検出することができる。本実施形態では、密封空間内の圧力と被測定圧力の圧力差を静電容量の変化量として検出したが、ダイヤフラム部2の表面にピエゾ抵抗素子を配置することにより検出してもよい。すなわち、ダイヤフラム部2には密封空間内の圧力と被測定圧力の圧力差に応じて歪みが発生する。従って、この歪み量をピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化量として検出することにより、密封空間内の圧力と被測定圧力の圧力差を検出することができる。
以上の説明から明らかなように、本発明の実施形態となる圧力センサ1によれば、ダイヤフラム部2は、ダイヤフラム部2を複数の矩形領域に区画する網目状の梁部2aと、梁部2aにより区画された領域に形成された薄膜部2bとを有し、薄膜部2bの厚さは梁部2aの厚さよりも薄く形成されている。このような構成によれば、ダイヤフラム部2の厚さを一様に梁部2aの厚さにした場合と比較して単位圧力あたりのダイヤフラム部2の変位量が大きくなる。一方、薄膜部2bの全面積がダイヤフラム部2全体の面積より小さいことから、ダイヤフラム部2の厚さを一様に薄膜部2bの厚さにした場合と比較して、耐圧性が高まる。従って、本発明の実施形態となる圧力センサ1によれば、過度の圧力が加わった場合であっても破損しにくい、高感度、且つ、小型の圧力センサを提供することができる。
なお本実施形態では、図3に示すように、梁部2aはダイヤフラム部2の外周部から中央部まで直線で繋がっているが、図5に示すように、ダイヤフラム部2の外周部から中央部まで直線で繋がずに、ダイヤフラム部2の外周部と中央部を結ぶ直線上に少なくとも一つ以上の薄膜部2bを形成するようにしてもよい。このような構成によれば、単位圧力あたりのダイヤフラム部2の変位量をさらに大きくすることができるので、圧力センサ1の感度をさらに高めることができる。
また梁部2aと薄膜部2bの変形例の構成として、図6に示すように、梁部2aと薄膜部2bの構成がダイヤフラム部2の中心位置に対し所定角度毎に点対称になるようにしてもよい。このような構成によれば、ダイヤフラム部2の変位が中心位置に対して対称になることから、より安定した変位が得られ、特に密封空間内の圧力と被測定圧力の圧力差をピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化量として検出する、いわゆるピエゾ抵抗型圧力センサに適用した場合には、圧力センサの出力の線形性を向上させることができる。またこの場合も、図5に示す例と同様、図7に示すように、ダイヤフラム部2の外周部と中央部を結ぶ直線上に少なくとも一つ以上の薄膜部2bを形成することにより、圧力センサ1の感度をさらに高めることができる。
また梁部2aと薄膜部2bの変形例の構成として、図6〜図8に示すように、ダイヤフラム部の中央領域に薄膜部の厚さより厚い厚膜部7(図示の例では厚膜部7の厚さは梁部2aと同じ厚さ)を形成してもよい。このような構成によれば、基板3側に設けられた電極と電極4aがほぼ平行に対向することになるので、特に密封空間内の圧力と被測定圧力の圧力差を静電容量の変化量として検出する、いわゆる静電容量型圧力センサに適用した場合には、圧力センサの出力の線形性を向上することができる。なおこの場合、基板5側の参照用電極4b(又は参照用ピエゾ抵抗素子)は、図9に示すように、薄膜部2bよりも外周側に位置する厚膜部に対向する位置に設けることが望ましい。このような構成によれば、圧力に対する変位量が小さい厚膜部における容量(又は抵抗値)を基準として、圧力に対する変位量が大きい薄膜部における容量(又は抵抗値)との差を検出することにより、製造ばらつきや温度特性等の影響を小さくして、圧力を信頼性高く検出することができる。
以上、本発明者らによってなされた発明を適用した実施の形態について説明したが、この実施の形態による本発明の開示の一部をなす論述及び図面により本発明は限定されることはない。すなわち、上記実施の形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施の形態、実施例及び運用技術等は全て本発明の範疇に含まれることは勿論であることを付け加えておく。
1:圧力センサ
2:ダイヤフラム部
2a:梁部
2b:薄膜部
3,5:基板
7:厚膜部
2:ダイヤフラム部
2a:梁部
2b:薄膜部
3,5:基板
7:厚膜部
Claims (8)
- ダイヤフラム部を有する第1の基板と、前記第1の基板の一方の表面側に接合され、前記ダイヤフラム部の一方の表面側を略密封構造にする第2の基板とを備え、前記ダイヤフラム部の一方の表面側の圧力と他方の表面側の被測定圧力の圧力差を検出する圧力センサであって、前記ダイヤフラム部は、ダイヤフラム部を複数領域に区画する網目状の梁部と、梁部により区画された複数領域に形成された薄膜部とを有し、前記薄膜部の厚さが前記梁部の厚さよりも薄く形成されていることを特徴とする圧力センサ。
- 請求項1に記載の圧力センサにおいて、前記第2の基板は前記ダイヤフラム部の略中央部に対向する第2の電極を有し、第1の基板側に設けられた第1の電極と第2の電極間の静電容量の変化を検出することにより前記圧力差を検出することを特徴とする圧力センサ。
- 請求項1に記載の圧力センサにおいて、前記ダイヤフラム部表面にはピエゾ抵抗素子が設けられ、当該ピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化を検出することにより前記圧力差を検出することを特徴とする圧力センサ。
- 請求項1乃至請求項3のうち、いずれか1項に記載の圧力センサにおいて、前記ダイヤフラム部の中央部から外周部を繋ぐ直線上に少なくとも1つ以上の薄膜部を有することを特徴とする圧力センサ。
- 請求項1乃至請求項3のうち、いずれか1項に記載の圧力センサにおいて、前記梁部と前記薄膜部の構成がダイヤフラム部の中心位置に対し所定角度毎に点対称になっていることを特徴とする圧力センサ。
- 請求項5に記載の圧力センサにおいて、前記ダイヤフラム部の中央部から外周部を繋ぐ直線上に少なくとも1つ以上の薄膜部を有することを特徴とする圧力センサ。
- 請求項2又は請求項3に記載の圧力センサにおいて、前記ダイヤフラム部の中央領域に前記薄膜部の厚さより厚い厚膜部が形成されていることを特徴とする圧力センサ。
- 請求項5,6に記載の圧力センサにおいて、前記第2の基板は、略円形形状に配置された複数の薄膜部よりも外周側に位置する厚膜部に対向する位置に電極又はピエゾ抵抗素子を備えることを特徴とする圧力センサ。
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Legal Events
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