JP2009265012A - 半導体センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】構成部材の熱膨張係数の違いから生じる温度ドリフトを低減し、測定精度を向上させた半導体センサを提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体センサは、半導体基板2と、該半導体基板に配された感圧部3と、前記感圧部と隣接して配され、外部と電気的に接続されるパッド部4と、を少なくとも備えた半導体センサ1A(1)であって、前記半導体基板は、前記パッド部が配された面において、前記感圧部と前記パッド部との間に溝6が配されていることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】本発明に係る半導体センサは、半導体基板2と、該半導体基板に配された感圧部3と、前記感圧部と隣接して配され、外部と電気的に接続されるパッド部4と、を少なくとも備えた半導体センサ1A(1)であって、前記半導体基板は、前記パッド部が配された面において、前記感圧部と前記パッド部との間に溝6が配されていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、圧力センサとして機能する半導体センサに関する。
近年、圧力センサは、家電品、医療機器、自動車部品など様々な分野で使用されており、中でも半導体圧力センサは小型で高信頼性を有するため、その用途はますます拡大している。
その一例としては、例えば図14に示すようなものが挙げられる。この圧力センサ100は、シリコン等からなる半導体基板102の一面において、その中央域の内部に該一面と略平行して広がる、基準圧力室としての空間部103と、該空間部103の一方側に位置する薄板化された領域によりなるダイアフラム部104と、圧力による該ダイアフラム部104の歪抵抗の変化を測定するために複数配された、感圧素子としての歪ゲージ105と、前記一面において、前記ダイアフラム部104を除いた外縁域に配され、前記歪ゲージ105ごとに電気的に接続された電極(パッド部)106等を備えている。
このような圧力センサ100は、ダイアフラム部104が圧力を受けて撓むと、各歪ゲージ105にダイアフラム部104の歪み量に応じた応力が発生し、この応力に応じて歪ゲージ105の抵抗値が変化する。この抵抗値変化を電気信号として取り出すことにより、圧力センサ100は圧力を検出する(例えば、特許文献1参照。)
このような半導体基板の内部に空間部(圧力基準室)を備えてなる構造の圧力センサは、例えばS.Armbruster等により開示された方法(S.Armbruster et.al.,“A NOVEL MICROMACHINING PROCESS FOR THE FABRICATION OF MONOCRYSTALLINE SI-MEMBRANES USING POROUS SILICON”,Digest of Technical Papers Transducers ’03, 2003, pp.246.)や、“シリコンの表面マイグレーションを利用した大面積SONの形成" 応用物理(2000)第69巻 第10号p1187に記載されている技術を利用することにより作製することが可能である。
また、このような技術を用いなくとも、図15に示す圧力センサ110のように、半導体基板111の一部が薄く加工されてなるダイアフラム部112を有し、該半導体基板111と、ガラス基板等からなる台座基板113とを接合することで形成される空間部114を備えた構造においても同様に圧カセンサとして機能する。
ところで、年々、小型、低背、軽量化された圧力センサが求められる傾向が強まり、それに対応するため、図16に示すように、半導体センサの表面に配された電極(パッド部106)にはんだバンプ120を直接加工したタイプ(一般にCSP:Chip Size Packageと呼ばれる)の圧力センサが提案されている。このような構造をとることで、さらなる小型化が実現できる。
しかしながら、図16に示すようにはんだバンプを有し、小型化された圧力センサには、以下に示すような問題点が挙げられる。
すなわち、半導体センサはシリコン単結晶基板からなり、その表面に圧力変化を電気信号に変換し出力する検出回路が半導体プレーナプロセス技術により形成されている。検出回路の下側にはシリコンが薄く加工された感圧部(ダイアフラム部)が形成されており、感圧部の直下は空間部となっている。この空間部は外部と完全に遮断された構造となっており、通常は加工の途中で真空になるよう工夫されている。
すなわち、半導体センサはシリコン単結晶基板からなり、その表面に圧力変化を電気信号に変換し出力する検出回路が半導体プレーナプロセス技術により形成されている。検出回路の下側にはシリコンが薄く加工された感圧部(ダイアフラム部)が形成されており、感圧部の直下は空間部となっている。この空間部は外部と完全に遮断された構造となっており、通常は加工の途中で真空になるよう工夫されている。
薄く加工された感圧部は、その空間部の圧力を基準として表面に加わる圧力により変形する。感圧部表面に加工された検出回路は複数個のピエゾ抵抗によって形成されるブリッジ回路が構成されているが、感圧部の変形にしたがってピエゾ抵抗が変形するとその抵抗値が変化して、ブリッジ回路のバランスが不均一となり、電気信号の変化として現れる。
このような原理によって動作する圧力センサにおいて、この構造の圧力センサは、はんだバンプ120を介して相手側の電気回路部に直接接続することでパッケージ130に内蔵されたり(図17参照)、実装基板140上に実装されることで(図18参照)省スペース化に貢献するものとされている。
しかしながら、シリコン単結晶からなる半導体センサ100と、はんだバンプ120を介して実装される電気回路部材とは材質が異なり、熱膨張係数の差が大きい。例えば図17に示す構造においては、パッケージ130の材料に一般的にエポキシ、ポリフエニレンサルファイト(PPS)などのプラスチックまたはセラミックが利用され、また、図18に示される構造では、実装基板140としてFR−4などを用いることが多い。
そのため、はんだバンプ120を介して実装された状態でセンサに温度変化が与えられると、それらの各部材の熱膨張係数の差(通常は基板の熱膨張係数が大きい)によって、図19に示すように、特に検出回路が形成されている感圧部にはその外周部から熱応力[引張応力(実線:図には「膨張」と記載)または圧縮応力(点線図には「圧縮」と記載)]が加わり、感圧部の変形が生じる。これによって、圧力が変化していない状態においても、単にセンサの温度が変化するだけで出力が変動する、いわゆる温度ドリフトと呼ばれる現象が生じる。一般にこの温度ドリフトはセンサの測定誤差として現れるため、出来るだけ小さいことが求められる。
特開2002−340714号公報
本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、構成部材の熱膨張係数の違いから生じる温度ドリフトと温度特性の劣化を低減し、測定精度を向上させた半導体センサを提供することを目的とする。
本発明の請求項1に記載の半導体センサは、半導体基板と、該半導体基板に配された感圧部と、前記感圧部と隣接して配され、外部と電気的に接続されるパッド部と、を少なくとも備えた半導体センサであって、前記半導体基板は、前記パッド部が配された面において、前記感圧部と前記パッド部との間に溝が配されていることを特徴とする。
本発明の請求項2に記載の半導体センサは、請求項1において、前記溝は、前記感圧部の外周域に配されていることを特徴とする。
本発明の請求項3に記載の半導体センサは、請求項1において、前記溝は、前記パッド部の外周域に配されていることを特徴とする。
本発明の請求項2に記載の半導体センサは、請求項1において、前記溝は、前記感圧部の外周域に配されていることを特徴とする。
本発明の請求項3に記載の半導体センサは、請求項1において、前記溝は、前記パッド部の外周域に配されていることを特徴とする。
本発明では、半導体基板の感圧部とパッド部との間に溝を配することで、実装される相手部材との熱膨張係数が異なることで生じる熱応力が感圧部に伝播することを抑制することができる。これにより構成部材の熱膨張係数の違いから生じる温度ドリフトを低減することができる。その結果、本発明では、測定精度を向上させた半導体センサを提供することが可能である。
以下、本発明に係る半導体センサの一実施形態を図面に基づいて説明する。
<第一実施形態>
図1は、本発明の半導体センサの一構成例を模式的に示す図であり、(a)は平面図、(b)は断面図である。
この半導体センサ1A(1)は、例えばシリコン基板等からなる半導体基板2と、半導体基板2に配された感圧部3(「ダイアフラム部」とも言う。)と、前記感圧部3と隣接して配され、例えばはんだバンプ20等を介して外部と電気的に接続される導電性のパッド部4と、感圧部3の表面に配された感圧素子である4つのp型抵抗体(ピエゾ抵抗素子)R1 〜R4 (図ではR1 、R2 の2つのみ記載)と、から構成されている。
図1は、本発明の半導体センサの一構成例を模式的に示す図であり、(a)は平面図、(b)は断面図である。
この半導体センサ1A(1)は、例えばシリコン基板等からなる半導体基板2と、半導体基板2に配された感圧部3(「ダイアフラム部」とも言う。)と、前記感圧部3と隣接して配され、例えばはんだバンプ20等を介して外部と電気的に接続される導電性のパッド部4と、感圧部3の表面に配された感圧素子である4つのp型抵抗体(ピエゾ抵抗素子)R1 〜R4 (図ではR1 、R2 の2つのみ記載)と、から構成されている。
そして本発明の半導体センサ1A(1)は、前記半導体基板2は、前記パッド部4が配された面において、前記感圧部3と前記パッド部4との間に溝6が配されていることを特徴とする。
本発明では、半導体基板2の感圧部3とパッド部4との間に溝6を配することで、図2に示すように、実装される相手部材(実装基板21)との熱膨張係数が異なることで生じる熱応力が感圧部3に伝播することを抑制することができる。これにより構成部材の熱膨張係数の違いから生じる温度ドリフトを低減することができる。その結果、半導体センサ1A(1)は、測定精度が向上したものとなる。
なお、図2に示した構成では、パッド部4が、二層構造(第1電極層4a、第2電極層4b)を有する例を示している。また、パッド部4を覆うとともに、第2電極層4bの中央部を露呈する開口部を設けたカバー樹脂7が配されている。
なお、図2に示した構成では、パッド部4が、二層構造(第1電極層4a、第2電極層4b)を有する例を示している。また、パッド部4を覆うとともに、第2電極層4bの中央部を露呈する開口部を設けたカバー樹脂7が配されている。
図1に示すように、この半導体センサ1A(1)は、平板状の半導体基板2を基材とし、この半導体基板2の一面において、その中央域の内部に該一面と略平行して広がる空間部5(基準圧力室)を備え、該空間部5の一方側に位置する薄板化された領域を感圧部3(「ダイアフラム部」とも言う)とする。この感圧部3には、感圧素子である抵抗体R1 〜R4 が配されている。抵抗体R2 とR4 の2つは特に、一軸[図1(a)においては紙面の上下方向]上に配される構成が好ましい。
また、前記一面において、前記感圧部3を除いた外縁域には、前記抵抗体R1〜R4ごとに電気的に接続されたパッド部4が配されている。したがって、半導体センサ1A(1)は、絶対圧センサとして機能する構造を備えている。
これにより、半導体センサ1A(1)では、感圧部3を形成するにあたって、抵抗体R1〜R4が配されている面とは反対側の面より半導体基板2をエッチングして薄く形成する必要もなく、半導体基板2を外から見た場合に、その外縁域と中央域とがほぼ同じ厚さをもつ構成とすることができる。
また、半導体センサ1A(1)において、バンプ20を載置するためのパッド部4を除く外縁域は、絶縁部(不図示)によって覆われる形態が好ましい。絶縁部を設けることにより、抵抗体R1 〜R4 が絶縁部によって被覆した構成が得られる。この構成とした半導体センサ1A(1)では、図2に示すように、バンプ20を例えば実装基板21やパッケージ30と接続させる際に、バンプ20以外の外縁域は全て絶縁部によって被覆されているので、実装基板21やパッケージ30に対して抵抗体R1 〜R4 の絶縁性が十分に確保される。また、絶縁部は、抵抗体R1 〜R4 の外気との接触を遮断するため抵抗体R1 〜R4 の耐食性を向上させると共に、抵抗体R1 〜R4 が感圧部3を介さずに直接、外部から受ける機械的な影響を大幅に削減する効果も有する。
感圧素子として機能するp型抵抗体(ピエゾ抵抗素子)R1 〜R4 は、リード配線7を介して、いわゆるホイットストーンブリッジ回路を構成するよう互いが接続され、感圧部3の圧力変動を検出する検出回路を構成する。それぞれの抵抗体R1 〜R4 は半導体センサ外周部のパッド部4までを配線部8によって電気配線接続されている。
このような抵抗体R1 〜R4 は、感圧部3の周縁部に配置すると良い。周縁部においては圧縮と引張の両応力が抵抗体R1 〜R4 に加わり易いので、感度の良い半導体センサが得られる。また、各抵抗体R1 〜R4 は、感圧部3の表面に配されており、例えばシリコン基板中にボロンなどの拡散源を注入することによって形成することができる。
また、半導体基板2には、配線部8が設けられている。この配線部8は、例えばシリコン基板中にボロン(p型抵抗体よりも高濃度のもの)などの拡散源を注入することによって形成することができる。または、アルミなどの金属を成膜し、エッチングによるパターニングを施すことにより形成することもできる。そして、この配線部8の一端部は、p型抵抗体R1 〜R4 と電気的に接続され、他端部は、半導体基板2上に例えばアルミニウムなどによって形成されたパッド部4と電気的に接続されている。
はんだバンプ20は、例えばはんだボールを搭載して形成することができる。なお、はんだバンプ20は、必ずしもパッド部4上に直接搭載されるもののみを示すものではなく、一度再配線層を形成しておき、該配配線層を介してパッド部4とは別の場所で当該再配線層と電気的に接続するようにはんだボールを搭載することもできる。
これにより、実装基板21やパッケージ30との接続位置について高い自由度を有することができる。
これにより、実装基板21やパッケージ30との接続位置について高い自由度を有することができる。
そして本発明の半導体センサ1A(1)では、半導体基板2の表面において、抵抗体R1〜R4が形成されている感圧部3と、パッド部4との間に溝6を配している。
本発明は、実装される相手部材との熱膨張係数が異なることで生じる熱応力が、はんだバンプ20を介して半導体センサ1表面の感圧部3に伝播することを、熱応力伝播の最も強い応力の発生基点となるパッド部4と感圧部3との間に溝6を配することで阻止又は低減するものである。これにより本発明の半導体センサ1A(1)は温度特性が改善され、測定精度が向上したものとなる。
本発明は、実装される相手部材との熱膨張係数が異なることで生じる熱応力が、はんだバンプ20を介して半導体センサ1表面の感圧部3に伝播することを、熱応力伝播の最も強い応力の発生基点となるパッド部4と感圧部3との間に溝6を配することで阻止又は低減するものである。これにより本発明の半導体センサ1A(1)は温度特性が改善され、測定精度が向上したものとなる。
このような溝6は、半導体基板2表面から例えばドライエッチング、レーザ加工、ウェットエッチングなどの技術を用いて形成することができる。
溝6の位置や形状としては、パッド部4と感圧部3との間であれば特に限定されるものではなく、様々な位置、形状とすることができる。使用材料や必要とされる効果等によって最適な位置を適宜設定すればよい。
溝6の位置や形状としては、パッド部4と感圧部3との間であれば特に限定されるものではなく、様々な位置、形状とすることができる。使用材料や必要とされる効果等によって最適な位置を適宜設定すればよい。
図3〜図6は、溝6の位置、形状の例を示す平面図である。例えば図3及び図4に示す例では、前記溝6は、前記感圧部3の外周域に配されている。溝6が感圧部3の外周域に配されることにより、圧力センサのオフセット電圧温度特性、温度ドリフトなどの特性が良くなる。また、例えば図5及び図6に示すように、前記溝6を、前記パッド部4の外周域に配してもよい。溝6がパッド部4の外周域に配される構成とした場合も、圧力センサのオフセット電圧温度特性、温度ドリフトなどの特性が改善される。特に、図5及び図6に示す例では、溝6は感圧部3の外周を囲むものではないが、熱応力が感圧部3に伝播することを防止することにおいて同等の効果がある。
また、溝6の本数、溝6の幅や深さとしても特に限定されるものではなく、使用材料や必要とされる効果等によって最適なものを適宜設定すればよい。
このような本発明の半導体センサ1A(1)は、図7に示すように、はんだバンプ20を介してパッケージ30の端子部31上に実装され、パッケージ30に内蔵される。このパッケージ30は、圧力導入口32を備えている。このとき、本発明の半導体センサ1A(1)では、溝6が配されていることで、実装される相手部材(パッケージ30)との熱膨張係数が異なることで生じる熱応力が感圧部3に伝播することを抑制することができる。これにより温度ドリフトを低減することができ、測定精度が向上したものとなる。
そして、半導体センサ1A(1)において、半導体基板2の感圧部3(ダイアフラム部)に外力がかかると、感圧部3が変形し、感圧部3の表面に形成された個々のゲージ抵抗が変化する。この、ホイートストンブリッジ回路における抵抗の変化を用いてセンサの出力の変動をモニタし、圧力に換算する。
なお、上述した例では、はんだバンプ20を介して実装基板21やパッケージ30と電気的に接続される場合であったが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば図8に示すように、はんだバンプ20の代わりに金属線22を介してパッケージ30の端子部31に電気的に接続された構造であってもよい。この場合、半導体センサ1A(1)の感圧部3が配された面を上にし、反対側の面(底面)を接着剤23等によりパッケージ30に固定されている。
このようにセンサ底面が固定されている場合も同様に、パッケージや接着剤等、実装される相手部材との熱膨張係数が異なることで半導体センサ1A(1)に熱応力が生じ、温度ドリフト問題を生じる。
この場合においても、本発明の半導体センサ1A(1)では、溝6が配されていることで、実装される相手部材との熱膨張係数が異なることで生じる熱応力が感圧部3に伝播することを抑制することができる。これにより温度ドリフトを低減することができ、測定精度が向上したものとなる。
この場合においても、本発明の半導体センサ1A(1)では、溝6が配されていることで、実装される相手部材との熱膨張係数が異なることで生じる熱応力が感圧部3に伝播することを抑制することができる。これにより温度ドリフトを低減することができ、測定精度が向上したものとなる。
また、本発明の半導体センサ1A(1)は、図9に示すように、前記空間部5の他方側に、当該半導体基板2の他面に向かって開口し前記空間部5と前記半導体基板2の外部とを連通する孔部(以下、「連通孔」と呼ぶ。)24を設けた構造としても良い。
このような構成の半導体センサ1A(1)では、圧力基準室である空間部5が連通孔24によって外部(例えば、大気)に開放されているので、基準圧が外圧(例えば、大気圧)となり、測定時に必要としていた外圧の測定による補正を行なう必要がなく、ゲージ圧を直接測定することができるゲージ圧センサとして機能する。
このような構成の半導体センサ1A(1)では、圧力基準室である空間部5が連通孔24によって外部(例えば、大気)に開放されているので、基準圧が外圧(例えば、大気圧)となり、測定時に必要としていた外圧の測定による補正を行なう必要がなく、ゲージ圧を直接測定することができるゲージ圧センサとして機能する。
<第二実施形態>
次に、本発明の半導体センサの第二実施形態について説明する。なお、以下の説明では、上述した第一実施形態と異なる部分について主に説明し、共通する部分についてはその説明を省略する。
次に、本発明の半導体センサの第二実施形態について説明する。なお、以下の説明では、上述した第一実施形態と異なる部分について主に説明し、共通する部分についてはその説明を省略する。
図10は、本実施形態に係る半導体センサ1B(1)の一例を示す模式的な断面図である。
上述した半導体センサ1A(1)は、半導体基板2が中空構造(空間部5)を有するものであったが、本実施形態の半導体センサ1B(1)は、半導体基板2の一部が薄く加工されてなる感圧部10を有し、該半導体基板2と、ガラス基板等からなる台座基板11とを接合することで形成される空間部13を備えたものである。
上述した半導体センサ1A(1)は、半導体基板2が中空構造(空間部5)を有するものであったが、本実施形態の半導体センサ1B(1)は、半導体基板2の一部が薄く加工されてなる感圧部10を有し、該半導体基板2と、ガラス基板等からなる台座基板11とを接合することで形成される空間部13を備えたものである。
厚さ200〜300μm程度のシリコン単結晶からなる半導体基板2の中央部は、裏面から施されたエッチング等により、20〜50μm程度の薄板部をなす感圧部10(ダイアフラム部)とされている。また、この薄い部分は、平面視して例えば円形状をなしている。
感圧部10の表面にはp型抵抗体(ピエゾ抵抗素子)R1 〜R4 が配されている。p型抵抗体は感圧部10の圧力変動を検出する検出回路(ストレンゲージ)を構成するものであり、いわゆるホイットストーンブリッジ回路を構成するよう互いが接続されている。
また、半導体基板2の裏面側には、半導体基板2の中央部を薄くすることにより、凹部12が形成されており、半導体基板2の底部の外周部と、ガラス基板等からなる台座基板11とが真空室内で陽極接合されている。これにより、凹部12と台座基板11とで挟まれ、かつ真空に維持された空間部13内を基準圧とする半導体センサ1B(1)が得られる。
そして半導体センサ1B(1)では、前記半導体基板2は、前記パッド部4が配された面において、前記感圧部10と前記パッド部4との間に溝6が配されている。
このようにセンサ底面が固定されている場合も同様に、パッケージや接着剤等、実装される相手部材との熱膨張係数が異なることで半導体センサ1B(1)に熱応力が生じ、温度ドリフト問題を生じる。
このようにセンサ底面が固定されている場合も同様に、パッケージや接着剤等、実装される相手部材との熱膨張係数が異なることで半導体センサ1B(1)に熱応力が生じ、温度ドリフト問題を生じる。
この場合においても、本発明の半導体センサ1B(1)では、溝6が配されていることで、実装される相手部材との熱膨張係数が異なることで生じる熱応力が感圧部3に伝播することを抑制することができる。これにより温度ドリフトを低減することができ、測定精度が向上したものとなる。
図11は、半導体センサ1B(1)がはんだバンプ20を介してパッケージ30の端子部31に実装され、パッケージ30に内蔵された状態を示す断面図である。半導体センサ1B(1)では、溝6が配されていることで、実装される相手部材(パッケージ30)との熱膨張係数が異なることで生じる熱応力が感圧部10に伝播することを抑制することができる。これにより温度ドリフトを低減することができ、測定精度が向上したものとなる。
また、半導体センサ1B(1)は、例えば図12に示すように、はんだバンプ20の代わりに金属線22を介してパッケージ30の端子部31に電気的に接続された構造であってもよい。
この場合においても、本発明の半導体センサ1B(1)では、溝6が配されていることで、実装される相手部材(パッケージ30)との熱膨張係数が異なることで生じる熱応力が感圧部3に伝播することを抑制することができる。これにより温度ドリフトを低減することができ、測定精度が向上したものとなる。
この場合においても、本発明の半導体センサ1B(1)では、溝6が配されていることで、実装される相手部材(パッケージ30)との熱膨張係数が異なることで生じる熱応力が感圧部3に伝播することを抑制することができる。これにより温度ドリフトを低減することができ、測定精度が向上したものとなる。
また、半導体センサ1B(1)は、図13に示すように、前記空間部15の他方側に、当該半導体基板2の他面に向かって開口し前記空間部13と前記半導体基板2の外部とを連通する孔部(連通孔)24を設けた構成としても良い。
以上、本発明の半導体センサについて説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
例えば、ストレンゲージとして機能するp型抵抗体の配置および数に関しては、種々の変形例が考えられ、要は、感圧部の圧力歪を検出できれば、その配置や数はいかなるものでも構わない。
例えば、ストレンゲージとして機能するp型抵抗体の配置および数に関しては、種々の変形例が考えられ、要は、感圧部の圧力歪を検出できれば、その配置や数はいかなるものでも構わない。
本発明は、圧力センサとして機能する半導体センサに適用可能である。このような半導体センサは、例えば一般工業用計測用、電子血圧計、高度、気圧、水深計測機能付き電子機器、携帯機器、自動車などに用いられる。
R1 〜R4 p型抵抗体、1(1A,1B) 半導体センサ、2 半導体基板、3,10 感圧部(ダイアフラム部)、4 パッド部、5,13 空間部、6 溝、7 リード配線、8 配線部、11 台座基板、12 凹部、20 はんだバンプ、21 実装基板、22 金属線、23 接着剤、24 連通孔、30 パッケージ、31 端子部、32 圧力導入口。
Claims (3)
- 半導体基板と、該半導体基板に配された感圧部と、前記感圧部と隣接して配され、外部と電気的に接続されるパッド部と、を少なくとも備えた半導体センサであって、
前記半導体基板は、前記パッド部が配された面において、前記感圧部と前記パッド部との間に溝が配されていることを特徴とする半導体センサ。 - 前記溝は、前記感圧部の外周域に配されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体センサ。
- 前記溝は、前記パッド部の外周域に配されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体センサ。
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