JP2013156061A - Son構造を有する物理量センサおよびその製造方法。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SON構造22のダイアフラム7の外周部に応力緩和領域(トレンチ溝5)を設けることで、パッケージ80とチップ27との線膨張係数差によって発生する熱応力がダイアフラム7へ伝わることを緩和する効果と、被測定圧力Fによって発生する機械的応力を外周部に配置された電子回路11へ伝わることを緩和することができる。その結果、高精度な物理量センサ100とすることができる。
【選択図】 図1
Description
また、特許文献2では、円形状のダイアフラム1を支持させたフレームに窪みを形成し、また窪みからフレームの端部にわたる取出し部7を凹設する。窪み6の外周域のフレーム上面には取出し部に切れ目を有する円環状の封止溝を凹設する。封止溝及び取出し部には上端面がフレームより高くなった封止部をフッ素系樹脂などにより形成する。このフレーム上面にカバー3を重ね、陽極接合法により接合して圧力センサを作成する。カバーの内面に設けた接続配線は封止部に埋入され、封止部とカバーとは隙間なく圧着される。これによって、圧力室の気密性を高めることができることがすることが記載されている。この発明ではダイアフラムの周囲に形成される封止溝は環状に形成されている。
また、特許請求の範囲の請求項8に記載の発明によれば、前記請求項3〜請求項5のいずれか一項に記載のSON構造を有する物理量センサの製造方法において、半導体ウェハの表面層に第1トレンチホール群と、該第1トレンチホール群の外周部に前記第1トレンチホール群と離して平面形状が環状もしくは一部切れた箇所がある環状の第2トレンチホール群を形成する工程と、アニールを施して、前記第1トレンチホール群の第1トレンチホールおよび前記第2トレンチホール群の第2トレンチホールを変形させて、第1SON構造を構成する第1空洞および第2SON構造を構成する第2空洞をそれぞれ形成する工程と、前記第1空洞上のダイアフラムとなる半導体層にホイートストンブリッジを形成し、前記第2空洞の外周部に電子回路を形成し、前記ホイートンブリッジと前記電子回路を接続する配線を前記第2空洞上もしくは前記第2空洞が切れた前記箇所上を横切って形成する工程と、を含む製造方法とする。
尚、図中の符号で、63はp−層であるゲージ抵抗58aを形成するnウェル領域、64は電子回路61を構成するpチャネルMOSFET59が形成されるnウェル領域、65はnチャネルMOSFET60が形成されるpウェル領域、66はLOCOS、67、68はゲート電極、69はソース領域およびドレイン領域となるp+領域、70はソース領域およびドレイン領域となるn+領域、また、半導体層56は空洞54上に形成される図示しない薄い半導体層上に形成した同一の導電型(p型)のエピタキシャル層も合せた層である。
まず、同図(a)において、p−半導体ウェハ51aにトレンチホール群52のトレンチホール52aを形成する。
この電気信号を、MOSトランジスタ等によって構成された電子回路61である信号増幅器や調整回路にて増幅・特性トリミングした後、圧力センサ出力として外部へ出力する。
<実施の形態1>
図1は、この発明の第1の実施の形態である圧力センサ100の構成図であり、同図(a)は完成品の要部断面図、同図(b)はSON構造22を形成する前のトレンチホール群とトレンチ溝を形成した平面図、同図(c)はSON構造を形成した後の要部平面図である。図1(a)は図2(c)に相当し、図1(b)は図2(a)に相当し、図1(c)は図2(b)に相当する。
<実施の形態2>
図2は、この発明の第2の実施の形態である圧力センサ100の製造方法であり、同図(a)〜同図(c)は工程順に示した要部製造工程図である。
<実施の形態3>
図3は、この発明の第3の実施の形態である圧力センサ200の構成図であり、同図(a)は完成品の要部断面図、同図(b)はSON構造22,25を形成する前の第1、第2トレンチホール群2,23を形成した平面図、同図(c)はSON構造を22,25形成した後の要部平面図である。図3(a)は図4(c)に相当し、図3(b)は図4(a)に相当し、図3(c)は図4(b)に相当する。
前記したように、第2SON構造25を設けることで、前記したように、外周からダイアフラム7が受ける圧力の影響およびダイアフラム7から電子回路11が受ける圧力の影響を小さくできるため、電子回路11とダイアフラム7の間の距離を図8の構造に比べより短縮することができて、チップサイズを小型化できる。
<実施の形態4>
図4は、この発明の第4の実施の形態である圧力センサ200の製造方法であり、同図(a)〜同図(c)は工程順に示した要部製造工程図である。
1a p−半導体ウェハ
2 トレンチホール群/第1トレンチホール群
2a ホール/第1ホール
3 トレンチ溝(水素アニール前)
4 空洞/第1空洞
5 トレンチ溝(水素アニール後)
6 半導体層
7 ダイアフラム
8 ホイーストンブリッジ
8a ゲージ抵抗
9 pチャネルMOSFET
10 nチャネルMOSFET
11 電子回路
12 配線
13,14 nウェル領域
15 pウェル領域
16 LOCOS
17,18 ゲート電極
19 n+領域
20 p+領域
21 箇所
22 SON構造/第1SON構造
23 第2トレンチホール群
23a 第2ホール
24 第2空洞
25 第2SON構造
80 パッケージ
L1,L2,L1a,L2a 距離
D1 ホールの直径/第1ホールの直径
D2 第2ホールの直径
W トレンチ溝の開口部の幅
T1 ホールの深さ/第1ホールの深さ
T2 トレンチの深さ
T3 第2ホールの深さ
Claims (9)
- 半導体基板の表面層に配置され基準圧力室となるSON(silicon On Nothing)構造を構成する空洞と、該空洞上の前記SON構造を構成する半導体層からなるダイアフラムと、前記半導体基板の前記ダイアフラムの外周部に該ダイアフラムと離れて配置される圧力緩和領域と、前記ダイアフラムに配置されるホイートストンブリッジと、前記圧力緩和領域の外周部に配置される電子回路と、前記ホイートストンブリッジと前記電子回路を接続する接続配線とを具備することを特徴とするSON構造を有する物理量センサ。
- 前記圧力緩和領域が、トレンチ溝であり、該トレンチ溝の平面形状が一部切れた箇所がある環状で、該一部切れた箇所上に前記ホイートストンブリッジと前記電子回路とを接続する前記接続配線を配置することを特徴とする請求項1に記載のSON構造を有する物理量センサ。
- 前記圧力緩和領域が、前記SON構造を第1SON構造とし該第1SON構造の外周部に配置される第2SON構造であることを特徴とする請求項1に記載のSON構造を有する物理量センサ。
- 前記第2SON構造の平面形状が、環状もしくは一部切れた箇所がある環状であることを特徴とする請求項3に記載のSON構造の物理量センサ。
- 前記物理量センサが、圧力センサもしくは加速度センサであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のSON構造を有する物理量センサ
- 前記請求項2もしくは前記請求項5のいずれか一項に記載のSON構造を有する物理量センサの製造方法において、
半導体ウェハの表面層にトレンチホール群と、該トレンチホール群の外周部に前記トレンチホール群と離して平面形状が一部切れた箇所がある環状のトレンチ溝を形成する工程と、
アニールを施して、前記トレンチホール群のトレンチホールを変形させて、一つの大きな空洞を形成しSON構造とする工程と、
前記空洞上のダイアフラムとなる半導体層にホイートストンブリッジを形成し、前記トレンチ溝の外周部に電子回路を形成し、前記ホイートンブリッジと前記電子回路を接続する配線を前記環状の一部切れた前記箇所上に形成する工程と、
を含むことを特徴とするSON構造を有する物理量センサの製造方法。 - 前記トレンチホール群と前記トレンチ溝を同時に形成することを特徴とする請求項6に記載のSON構造を有する物理量センサ。
- 前記請求項3〜請求項5のいずれか一項に記載のSON構造を有する物理量センサの製造方法において、
半導体ウェハの表面層に第1トレンチホール群と、該第1トレンチホール群の外周部に前記第1トレンチホール群と離して平面形状が環状もしくは一部切れた箇所がある環状の第2トレンチホール群を形成する工程と、
アニールを施して、前記第1トレンチホール群の第1トレンチホールおよび前記第2トレンチホール群の第2トレンチホールを変形させて、第1SON構造を構成する第1空洞および第2SON構造を構成する第2空洞をそれぞれ形成する工程と、
前記第1空洞上のダイアフラムとなる半導体層にホイートストンブリッジを形成し、前記第2空洞の外周部に電子回路を形成し、前記ホイートンブリッジと前記電子回路を接続する配線を前記第2空洞上もしくは前記第2空洞が切れた前記箇所上を横切って形成する工程と、
を含むことを特徴とするSON構造を有する物理量センサの製造方法。 - 前記第1トレンチホール群と前記第2トレンチホール群を同時に形成することを特徴とする請求項8に記載のSON構造を有する物理量センサの製造方法。
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