JP2018124128A - 圧力センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】オイル、ゲル等の圧力媒体を省略しても、防水性、耐薬品性を確保することができ、小型化を図ることが可能な圧力センサを提供する。【解決手段】ダイアフラム12を有するセンサ素子10を備える圧力センサであって、ダイアフラム12が防水性及び耐薬品性を有する有機膜15からなり、ダイアフラム12の下部に歪みゲージ21が形成されている。センサ素子10は、ダイアフラム12の周囲にシリコン層31を含む基板11を有してもよい。【選択図】図1
Description
本発明は、圧力センサに関する。
圧力センサの防水性、耐薬品性を確保するため、オイル封入型、ゲル塗布型等の圧力センサが知られている。オイル封入型の圧力センサでは、オイルを封入した空間にセンサ素子が設けられ、オイルを介して圧力が検知される。ゲル塗布型の圧力センサでは、センサ素子の上部にゲルが塗布され、ゲルを介して圧力が検知される。
例えば、特許文献1には、比較的低いヤング率のゲル状物質により構成された保護部材を、センサ素子のダイアフラムの上に設けた圧力センサが記載されている。
例えば、特許文献1には、比較的低いヤング率のゲル状物質により構成された保護部材を、センサ素子のダイアフラムの上に設けた圧力センサが記載されている。
オイル封入型の圧力センサに関しては、パッケージのセンサ搭載部にオイルを封入するため、オイルが封入されたセンサ搭載部と外部空間との間で、オイルが漏れることなく圧力の伝達が可能なダイアフラムを設ける必要がある。パッケージに設けられるダイアフラムは一般的にはステンレス製であり、パッケージの小型化が難しく、部材及び製造のコストが増大するという問題がある。
ゲル塗布型の圧力センサに関しても、センサ素子の上部にゲルを設ける必要があるため、材料、工数、小型化等の問題がある。
いずれの場合も、外部空間とセンサ素子との間に、圧力媒体として、オイル又はゲルが介在するため、感度の低下も懸念される。
いずれの場合も、外部空間とセンサ素子との間に、圧力媒体として、オイル又はゲルが介在するため、感度の低下も懸念される。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、オイル、ゲル等の圧力媒体を省略しても、防水性、耐薬品性を確保することができ、小型化を図ることが可能な圧力センサを提供することを課題とする。
前記課題を解決するため、本発明は、ダイアフラムを有するセンサ素子を備える圧力センサであって、前記ダイアフラムが防水性及び耐薬品性を有する有機膜からなり、前記ダイアフラムの下部に歪みゲージが形成されていることを特徴とする圧力センサを提供する。
前記センサ素子は、前記ダイアフラムの周囲にシリコン層を含む基板を有し、前記シリコン層が前記ダイアフラムの下部にせり出した部分の表面に前記歪みゲージが形成されている構成を採用することも可能である。
前記基板は、前記歪みゲージに接続された貫通配線部を有し、前記基板の裏面には前記貫通配線部に接続されたパッド部を有する構成を採用することも可能である。
前記センサ素子がデータ処理素子の上部に積層されている構成を採用することも可能である。
前記センサ素子がデータ処理素子の上部に積層されている構成を採用することも可能である。
本発明によれば、防水性及び耐薬品性を有する有機膜からダイアフラムを構成することにより、センサ素子の防水性及び耐薬品性を確保することができる。これにより、パッケージ構造の制約を受けることなく、圧力センサの小型化、低コスト化を図ることができる。
以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
図1に、本実施形態の圧力センサに設けられるセンサ素子を示す。図1(a)は断面図、図1(b)は上面図、図1(c)は下面図である。本実施形態の圧力センサは、ダイアフラム12を有するセンサ素子10を備える。センサ素子10は、ダイアフラム12の周囲に、ダイアフラム12より厚い基板11を有する。
図1に、本実施形態の圧力センサに設けられるセンサ素子を示す。図1(a)は断面図、図1(b)は上面図、図1(c)は下面図である。本実施形態の圧力センサは、ダイアフラム12を有するセンサ素子10を備える。センサ素子10は、ダイアフラム12の周囲に、ダイアフラム12より厚い基板11を有する。
基板11の裏側からダイアフラム12の裏面に向けて、凹部13が形成されている。この凹部13は、圧力の基準となる圧力基準室14の周囲を囲んでいる。図1(a)では、圧力基準室14が開放された状態のセンサ素子10を示しているが、圧力センサが機能する際には、圧力基準室14が気密に密閉される。
図1(a)に示す例では、凹部13の内面がダイアフラム12の面に略垂直となっている。本実施形態のセンサ素子10では特にこれに限定されず、例えば凹部13の内面がダイアフラム12に対して傾斜していてもよい。
図1(a)に示す例では、凹部13の内面がダイアフラム12の面に略垂直となっている。本実施形態のセンサ素子10では特にこれに限定されず、例えば凹部13の内面がダイアフラム12に対して傾斜していてもよい。
ダイアフラム12は、センサ素子10の外側の圧力の変化に応じ、圧力基準室14に向けて、又はその反対向きに変形が可能である。圧力が変化すると、ダイアフラム12に歪みが生じる。ダイアフラム12に生じた歪みは、歪みゲージ21により検知することが可能である。
歪みゲージ21としては、ピエゾ抵抗効果を利用したピエゾ抵抗が挙げられる。ピエゾ抵抗効果は、電気抵抗に加わった応力により抵抗率が変化する現象である。ピエゾ抵抗は、例えばイオン注入、拡散等により形成される。歪みゲージ21はダイアフラム12の下部に設けられているので、ダイアフラム12に加わる圧力に応じて歪みゲージ21の抵抗を変化させることができる。
本実施形態のダイアフラム12は、防水性及び耐薬品性を有する有機膜15から構成されている。歪みゲージ21は、ダイアフラム12の下部に形成されている。歪みゲージ21が、有機膜15からなるダイアフラム12に覆われることにより、センサ素子10の防水性及び耐薬品性が確保される。ここで求められる防水性及び耐薬品性としては、シリコンや金属配線等を含むセンサ素子10の機能を維持するのに必要な性能が好ましい。有機膜15の構成材料としては、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。
基板11は、表面がシリコン酸化膜34で覆われたシリコン層31を有する。シリコン層31の表面には、拡散等により歪みゲージ21及びリード部22aが形成されている。シリコン酸化膜34の表面には、金属等から構成される表面配線部22cが形成されている。表面配線部22cとリード部22aとの間は、シリコン酸化膜34を貫通する層間接続部22bにより、電気的に接続されている。層間接続部22bは、表面配線部22cと一体に形成されてもよい。
シリコン層31は、ダイアフラム12の周囲に配されている。基板11は、シリコン層31がダイアフラム12の下部にせり出した部分である、せり出し部16を有する。せり出し部16の内周側は、基板11の厚さ方向に貫通した開口部17となっている。開口部17内には、有機膜15からなるダイアフラム12が配されている。ダイアフラム12と基板11との間は、圧力基準室14内に対して気体の漏洩又は浸透がないように、気密に密着されている。
歪みゲージ21は、せり出し部16の厚さ方向の内部又は裏面に形成されてもよいが、表面に形成されていることが好ましい。これにより、シリコン層31の表面上に拡散抵抗として、容易に歪みゲージ21を形成することができる。せり出し部16は、ダイアフラム12の有機膜15と一体化して変位することが可能であるため、歪みゲージ21において外部圧力の変化による歪みを高精度に検知することができる。
図1(a)に示す例では、せり出し部16上の有機膜15の厚さが、開口部17内において圧力基準室14に接する有機膜15の厚さより薄くなっている。ここで、せり出し部16及びその上の有機膜15の合計厚さが、ダイアフラム12の厚さと同程度であってもよい。せり出し部16の下面が、ダイアフラム12の下面と略同一面上にあってもよい。有機膜15の厚さが略均等で、せり出し部16の上面が、ダイアフラム12の下面と略同一面上とすることもできる。ダイアフラム12の下面が、せり出し部16の厚さ方向の中間部に位置してもよい。
基板11の表面には、歪みゲージ21と貫通配線部23とを電気的に接続する配線部22が設けられている。図1(b)に示すように、例えば4つの歪みゲージ21を配線部22で接続することにより、ブリッジ回路の少なくとも一部となる回路20が構成されている。回路20は、開口部17の周囲を一周するように設けられている。貫通配線部23は、隣接する歪みゲージ21の間の配線部22にそれぞれ接続されている。
貫通配線部23の両端には、それぞれ貫通配線部23の太さより広くされたパッド部23a,23bが設けられてもよい。
貫通配線部23の両端には、それぞれ貫通配線部23の太さより広くされたパッド部23a,23bが設けられてもよい。
本実施形態の基板11は、表面側から裏面側に向かう順に、シリコン酸化膜34、シリコン層31、シリコン酸化膜32、シリコン層33、シリコン酸化膜35を有する。基板11が凹部13の深さに相当するシリコン層33を有することにより、エッチング等の半導体製造工程を用いて、容易かつ精密に凹部13を形成することができる。貫通配線部23は、シリコン層31,33及びシリコン酸化膜32,34,35を貫通している。
なお、表面配線部22cと裏面側のパッド部23bとの間を接続する導体部は、基板11の全層を貫通する貫通配線部23に限られるものではない。例えば、基板11の側面、凹部13の内面等に沿って配線を設けることも可能である。表面配線部22cを設けることなく、シリコン層31内の歪みゲージ21又はリード部22aから直接基板11の裏面に向けて配線を設けることも可能である。
基板11の表面側のパッド部23a及び配線部22は、有機膜15に覆われている。これにより、配線部22を含む回路20が外部に露出されず、防水性及び耐薬品性を有する有機膜15による電気絶縁が可能となる。上面側のパッド部23aが表面配線部22cと一体に形成される場合、表面配線部22cと貫通配線部23とを接続する際に、パッド部23aが貫通配線部23と結合すればよいので、許容誤差が緩和される。
本実施形態においては、図1(b)に示すように、各せり出し部16は、歪みゲージ21ごとに設けられている。開口部17の周囲のうち、せり出し部16がない区間は、凹部13の内面と連続していてもよい。特に限定されないが、4箇所の歪みゲージ21の間に、せり出し部16を延長して設けることも可能である。歪みゲージ21を有するせり出し部16とは異なる位置に、歪みゲージ21が設けられないダミーのせり出し部16を付加することも可能である。
基板11の裏面側のパッド部23bは、図1(c)に示すように、シリコン酸化膜35上に露出されてもよい。パッド部23bは、センサ素子10を外部と接続するために用いることができる。パッド部23bは、外部とセンサ素子10との間で、電流又は電圧の入力又は出力等に用いることができる。
例えば定電流駆動の場合、4つの歪みゲージ21がホイートストンブリッジを構成するように、2つのパッド部23b間に一定電流を通じると、他の2つのパッド部23b間の電圧が、歪みゲージ21の抵抗の変化に応じて変化する。上述したように、歪みゲージ21の抵抗は、ダイアフラム12が受けた圧力に応じて変化するので、センサ素子10から出力される電圧に基づいて、ダイアフラム12が受けた圧力を計測することができる。
本実施形態のセンサ素子10は、防水性、耐薬品性等の取扱い性を確保しているため、それ自体で圧力センサのパッケージとして利用可能である。ダイアフラム12及び歪みゲージ21により検知された圧力に基づき、センサ素子10からセンサ信号が出力される。さらに本実施形態の圧力センサは、IC等のデータ処理素子を備えてもよい。データ処理素子が有する信号処理機能としては、信号の増幅、A/D変換、温度特性等の補正などの1又は2以上が挙げられる。
図2に示すように、データ処理素子40のパッケージ42上に、センサ素子10が搭載されるリードフレーム41を有してもよい。これにより、センサ素子10をデータ処理素子40の上部に積層して実装することができる。基板11の裏面側のパッド部23bとリードフレーム41とを電気的に接続することにより、データ処理素子40とセンサ素子10との間で電気信号又は電力が伝送可能となる。パッド部23bとリードフレーム41との接続を確実にするため、半田、導電ペースト等の導電性接続材料を用いてもよい。
センサ素子10の外周部には、樹脂等により封止部43が形成される。封止部43が基板11の周囲を覆うことにより、防水性、耐薬品性を確保することができる。圧力基準室14は、センサ素子10とパッケージ42との接続部が封止部43で覆われることにより、気密に密閉されている。封止部43に用いられる樹脂としては、防水性の封止樹脂が好ましく、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フルオロシリコーンゲル、フッ素ゲル等が挙げられる。
封止部43はダイアフラム12上を覆わないことから、封止樹脂は圧力を伝達する特性を必要とせず、柔軟な樹脂でも硬質の樹脂でもよい。圧力センサの外部環境にある空気、水等の流体が、ダイアフラム12の有機膜15に直接接触してもよい。
以上の構成の圧力センサによれば、データ処理素子とセンサ素子との間をワイヤボンディングで接続する構成、センサ素子の上部に防水ゲルを設ける構成、センサ素子の周囲を満たすシリコンオイルと外部空間との間にダイアフラムを設ける構成などと比較して、部材、工数を省き、圧力センサの小型化が可能である。
本実施形態のセンサ素子10は、通常の半導体製造工程及び貫通配線工程により作製することができる。図3〜5に、センサ素子10の製造フローの一例を示すが、製造工程をこれに限定するものではない。例えば、順番の変更、工程の変更、付加、省略等が可能である。また、図3〜5には特に図示しないが、パターンを形成する際には、必要に応じてレジスト、マスクなどを用いてもよい。
図3(a)は、シリコン層31と、シリコン酸化膜32と、シリコン層33とを有するSOI基板30の断面図である。次に、図3(b)に示すように、表面側のシリコン層31の上にシリコン酸化膜34を形成する。シリコン酸化膜34は、蒸着等により、シリコン層31上にSiO2を堆積させて形成してもよい。シリコン酸化膜34の代わりに、他の電気絶縁膜を採用することもできる。
次に、図3(c)に示すように、シリコン層31の表面にドーパント等の不純物を拡散させることにより、歪みゲージ21とリード部22aを形成することができる。
次に、図3(d)に示すように、シリコン酸化膜34及びシリコン層31を貫通する開口部17を形成する。
次に、図3(d)に示すように、シリコン酸化膜34及びシリコン層31を貫通する開口部17を形成する。
次に、図4(a)に示すように、シリコン層31及びシリコン酸化膜32,34を貫通し、シリコン層33の内部に達する貫通配線部23を形成する。この段階で形成される貫通配線部23は、シリコン層33の裏面まで貫通していなくてもよい。後述するように、後工程で基板の裏面側で厚さの一部が除去される場合、貫通配線部23の長さが、裏面のパッド部23bが設けられる位置に達する長さ以上であることが好ましい。
次に、図4(b)に示すように、貫通配線部23とリード部22aとの間に、金属層等により、表面配線部22c及び層間接続部22bを形成する。貫通配線部23と表面配線部22cとの接続を容易にするため、パッド部23aを設けてもよい。金属層は、例えばメッキ、蒸着、スパッタ等の1種又は2種以上により構成することができる。シリコン酸化膜34との密着性に優れる下地層の上に、電気伝導性に優れる層を積層してもよい。
次に、図4(c)に示すように、開口部17及び回路20を覆うように、有機膜15を形成する。有機膜15は、樹脂又は前駆体の塗布、溶融樹脂の射出、フィルムのプレス等により形成することができる。基板上に樹脂前駆体の膜を形成した場合は、前駆体の縮合反応、硬化反応等の化学変化を経て、基板上で有機膜15に変換することができる。化学変化を促進するため、熱処理を施してもよい。
シリコン層33の裏面33a側を研削して貫通配線部23を露出した後、酸化処理を施すことにより、図4(d)に示すように、基板11の裏面側にシリコン酸化膜35を被覆することができる。このとき、貫通配線部23の端部は、シリコン酸化膜35を貫通して外部に露出されている。このため、シリコン酸化膜35は、シリコン層33を構成するシリコンの一部を酸化することで形成することが好ましい。
次に、図5(a)に示すように、シリコン酸化膜35上にパッド部23bを設けることができる。次に、図5(b)を示すように、圧力基準室14を構成する凹部13を形成して、ダイアフラム12を形成する。次に、図5(c)に示すように、ダイアフラム12の裏側を覆うシリコン酸化膜32を除去する。
次に、図5(d)に示すように、基板11を切断部18で切断することにより、チップごとにセンサ素子10を個片化する。なお、図3〜5では、模式的に2個のセンサ素子10に相当する範囲のみを図示したが、1枚のSOI基板30上で各チップに相当する領域を二次元的に多数配列し、一括的に製造を行うことができる。有機膜15は、ウェハレベルで半導体素子の表面を封止するための樹脂保護膜を兼ねることができる。なお、切断部18に露出される基板11の側面を、更に樹脂等で封止する工程を付加してもよい。
以上、本発明を好適な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
図6に、センサ素子の改変例を示す。図6(a)は断面図、図6(b)は上面図、図6(c)は下面図である。図6に示すセンサ素子19は、せり出し部16が開口部17の全周に設けられていること以外は、図1に示すセンサ素子10と同様に構成することができる。
上述の実施形態では、センサ素子を外部と電気的に接続する端子部として、基板11の裏面にパッド部23bを設けたが、これに限定されるものではない。例えば、基板11の表面、側面等に端子部を設けることも可能である。
本発明の圧力センサは、センサ素子のみから構成されてもよい。圧力センサは、ダイアフラムに受けた圧力に応じてセンサ信号を出力する構成であればよく、回路構成、駆動方式等は特に限定されない。
本発明の圧力センサは、センサ素子のみから構成されてもよい。圧力センサは、ダイアフラムに受けた圧力に応じてセンサ信号を出力する構成であればよく、回路構成、駆動方式等は特に限定されない。
上述の実施形態では、基板に歪みゲージ21が形成された後で有機膜15が形成され、その後で基板11に凹部13を形成することで、有機膜15からなるダイアフラム12が構成されている。工程の順番は適宜変更することが可能であり、例えば有機膜15が形成された後で基板に歪みゲージ21を形成することも可能である。また例えば、基板11に凹部13が形成された後で、有機膜15を設けてダイアフラム12を構成することも可能である。
上述のセンサ素子及び圧力センサは、水深計、高度計等のように、周囲の水圧又は気圧に基づいて、圧力以外の物理量を計測する機器に利用することもできる。
10,19…センサ素子、11…基板、12…ダイアフラム、15…有機膜、16…せり出し部、21…歪みゲージ、23…貫通配線部、23a,23b…パッド部、31,33…シリコン層、32,34,35…シリコン酸化膜、40…データ処理素子、41…リードフレーム、42…パッケージ、43…封止部。
Claims (4)
- ダイアフラムを有するセンサ素子を備える圧力センサであって、
前記ダイアフラムが防水性及び耐薬品性を有する有機膜からなり、前記ダイアフラムの下部に歪みゲージが形成されていることを特徴とする圧力センサ。 - 前記センサ素子は、前記ダイアフラムの周囲にシリコン層を含む基板を有し、前記シリコン層が前記ダイアフラムの下部にせり出した部分の表面に前記歪みゲージが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記基板は、前記歪みゲージに接続された貫通配線部を有し、前記基板の裏面には前記貫通配線部に接続されたパッド部を有することを特徴とする請求項2に記載の圧力センサ。
- 前記センサ素子がデータ処理素子の上部に積層されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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