JP6725299B2 - 荷重センサ - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、例えば二重ダイアフラム式拡散型半導体圧力センサ技術を応用した荷重センサに関する。
例えば、荷重センサとして、外部より与えられた荷重を機械的にセンサ部分まで伝達するものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−206961号公報
上記のような荷重センサの場合、荷重を機械的に伝達する構造であるため、荷重伝達部分の機械的な摩耗が生じ、長期的な信頼性に欠ける。そこで、例えば圧力媒体の圧力変化により荷重をセンサまで伝達させる構造等、機械的に荷重を伝達しない構造を備える荷重センサが考えられる。しかしながら、単純に当該構造を適用しようとすると、外部から荷重が加えられるダイアフラム部分等が局所的に変形する。
その結果、局所的に変形した当該部分から圧力媒体に伝わる圧力が局所的に増大するため、荷重に対するセンサの出力特性が悪化し、荷重を正確に検知できない。
本発明は、上記事情を鑑みてなされており、外部から加えられる荷重の局所的な集中を緩和し、荷重を正確に検知できる荷重センサを提供するものである。
実施形態に係る荷重センサは、センサが配置されるセンサ室を備えるハウジングと、荷重に応じて変形する周辺部としての第1領域と、中央部としての第2領域とを備え、前記第1領域が前記ハウジングに設けられて前記センサ室を閉塞する第1ダイアフラムと、前記センサ室に充填され、前記荷重に応じた圧力を前記センサに伝達する圧力媒体と、前記第2領域に設けられ、外部から加えられる前記荷重を受ける保護部材と、を具備し、前記保護部材は、前記第1ダイアフラム側の第1面と、前記第1面と平行する第2面と、前記第1面と前記第2面の周囲に位置する側面とを有し、前記第1面の面積は前記第2面の面積よりも大きく、前記側面と前記第1面との成す角は鋭角である
実施形態に係る荷重センサは、センサが配置されるセンサ室を有するハウジングと、荷重に応じて変形する周辺部としての第1領域と、前記第1領域と一体的に設けられ前記荷重を受け前記第1領域よりも剛性が大きい第2領域とを備え、前記第1領域が前記ハウジングに設けられて前記センサ室を閉塞する第1ダイアフラムと、前記センサ室に充填され、前記荷重に応じた圧力を前記センサに伝達する圧力媒体と、を具備し、前記第1ダイアフラムは、前記第2領域と前記第1領域との境界に湾曲部を有し、前記湾曲部は、前記第2領域と前記第1領域の境界において、鋭角である角部を有する。
第1実施形態に係る荷重センサ装置を模式的に示す図。 第1実施形態に係る荷重センサを示す平面図。 図2のIII−III線に沿った断面図。 図3の破線で囲ったA部分の詳細を示す断面図。 (a)第1実施形態に係るセンサの回路パターンを示す平面図、(b)第1実施形態に係るセンサの等価回路図。 第1実施形態に係る荷重センサの荷重検知動作を説明するための断面図。 比較例に係る荷重検知動作を模式的に示す図。 第1実施形態に係る荷重検知動作を模式的に示す図。 第2実施形態に係る荷重センサを示す断面図。 図9の破線で囲ったB部分の詳細を示す断面図。 第2実施形態に係る荷重検知動作を模式的に示す図。 第3実施形態に係る荷重センサを示す断面図。 第3実施形態に係る荷重検知動作を模式的に示す図。
以下、図面を参照して、発明の実施形態について説明する。この説明においては、全図にわたり共通の部分には共通の参照符号を付す。また、図面は模式的なものであり、例えば厚みと平面寸法との間係や各層の厚みの比率等は、現実のものと異なることがある。また、図面相互間において互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれることもある。
以下の各実施形態では、二重ダイアフラム式拡散型半導体圧力センサ技術を応用した荷重センサを一例に挙げて説明するが、これに限定されない。
(第1実施形態)
図1乃至図8を用い、第1実施形態に係る荷重センサ1について説明する。なお、図中において、荷重センサ1の保護部材11の膜面と平行な水平方向をX方向とし、X方向とほぼ直角に交差し荷重Fが加えられる方向をY方向としてとして示す。
[1.構造]
1−1.全体構造
図1を用い、第1実施形態に係る荷重センサ1を備える荷重センサ装置の全体構造を説明する。図示するように、第1実施形態に係る荷重センサ装置は、外部から加えられる荷重Fを検知するための荷重センサ1と、荷重センサ1から検知された検知信号から圧力信号へ変換する等の所定の制御を行うための基板2と、荷重センサ1と基板2とを電気的に接続するための接続手段3とを備える。
荷重センサ1は、具体的には、外部から加えられる荷重Fを受ける保護部材11を備える。保護部材11により、荷重Fの局所的な集中を抑制し、荷重Fを分散化する。そのため、第1実施形態に係る荷重センサ1は、荷重Fに対する出力特性を向上でき、荷重Fを正確に検知することができる。荷重センサ1の詳細については、後述する。
基板2は、例えば、荷重センサ1から電圧として検知された検知信号を増幅する増幅回路、増幅された検知信号を所定の信号へ変換する変換回路、変換された信号の温度補償を行う温度補償回路、および結果を表示する表示回路等を備える制御装置21を搭載する。なお、温度補償回路は、荷重センサ1の温度特性から算出された温度補償を行うための所定の抵抗値を有する補償抵抗を備える。補償抵抗は、荷重センサ1のセンサを構成するホイーストンブリッジ回路の所定箇所に必要に応じて電気的に接続される。
接続手段3は、例えばケーブル31等により荷重センサ1と基板2とを電気的に接続する。
1−2.荷重センサ
図2乃至図5を用い、第1実施形態に係る荷重センサ1の構造について詳細に説明する。
(平面構造および断面構造)
図2は、第1実施形態に係る荷重センサ1を示す平面図である。図3は、図2のIII−III線に沿った断面図である。図4は、図3の破線で囲って示すA部分の詳細を示す断面図である。
図2、図3に示すように、荷重センサ1は、保護部材11、第1,第2ダイアフラム121,122、ハウジング13、接着剤14、圧力媒体15、センサ16、ボンディングワイヤ17、ガラス基板18、ガラスハーメチック19を備える。
ハウジング13は、例えばステンレススチール(SUS)等の金属により形成され、収容部としてのセンサ室131を有している。センサ室131の底部中央部には、大気開放用口132が設けられ、大気開放用口132の近傍に複数の挿通口133が設けられている。各挿通口133内には、金属端子32がそれぞれ挿入されている。さらに、挿通口133内には、例えばガラスなどのシール材19が充填され、シール材19により、挿通口133が、所謂ハーメチックシール技術により封止されるとともに、ハウジング13と金属端子32とが電気的に絶縁される。
センサ室131の底部中央部には、大気開放用口132が同様に形成されたガラス基板18が設けられている。ガラス基板18の底面とセンサ室131の底部中央部とは所定の接着剤等で接着されている。ガラス基板18上には、例えば陽極接合により接合された第2ダイアフラム122が設けられ、第2ダイアフラム122上にセンサ16が設けられている。第2ダイアフラム122上に設けられたセンサ16は、図3中の上側から圧力媒体15からの圧力を受け、下側から大気開放用口132からの大気圧を受けることで、その差圧を測定し、ゲージ圧を出力するように構成される。より具体的には、センサ16は、後述するホイーストンブリッジ回路を構成する複数の抵抗素子を含んでいる。これら抵抗素子は、ボンディングワイヤ17により、金属端子32に電気的に接続される。金属端子32は、図1に示すケーブル31に電気的に接続される。
センサ室131の内部には、圧力媒体15が充填されている。圧力媒体15は、例えばシリコンオイル等である。
ハウジング13のセンサ室131の周囲には、第1ダイアフラム121が取着される。第1ダイアフラム121は、例えばステンレススチール(SUS)等の金属により形成され、例えば溶接などの方法によりハウジング13に取着される。
第1ダイアフラム121は、周辺部としての第1領域121−1と、中央部としての第2領域121−2とを備える。第1領域121−1には、1つ以上のコルゲーション121aが設けられ、荷重Fに応じて変形可能とされている。第2領域121−2には、保護部材11が設けられる。
保護部材11は、例えば第1ダイアフラム121と同一の材料により構成され、第2領域121−2の剛性より、大きな剛性を有している。保護部材11は、例えば接着材14により第2領域121−2に取着される。第2領域121−2は、保護部材11によって保護され、後述するように、荷重Fが加えられた場合でも、実質的な変形は発生しない。
尚、接着剤14は、センサ16による出力の直線性が悪化することを防止する観点から、例えば硬化後において硬度が高いものが望ましい。
このように、センサ室131は、第1ダイアフラム121により閉塞され、センサ室131の内部は、圧力媒体15により充填されている。このため、第1ダイアフラム121に印加された圧力は、圧力媒体15を介して第2ダイアフラム122上のセンサ16に伝達される。
センサ16は、圧力媒体15により伝達された内圧の変化に伴う第2ダイアフラム122の変形に基づいて、荷重Fを検出する。
図5(a)、(b)に示すように、センサ16は、第2ダイアフラムである半導体基板122に形成された4つの拡散抵抗R1〜R4と、複数のボンディングパッド162と、4つの拡散抵抗R1〜R4の一端および他端を複数のパッド162に電気的に接続するための配線161とを備える。
拡散抵抗R1〜R4は、n型単結晶シリコンから形成される半導体基板122に、例えばイオン注入法を用いてボロン(B)等のp型の不純物を注入し拡散させることにより形成する。拡散抵抗R1〜R4は、圧力媒体15により伝達される荷重Fによりダイアフラムである半導体基板122に歪が発生すると、発生した歪に伴って導電率(抵抗値)が変化するピエゾ抵抗効果を生じる。
第2ダイアフラム122は、例えば中央部分の膜厚が周辺部分の膜厚と比較して薄い台座形状のn型単結晶シリコン基板等である。当該台座形状は、例えば所定のエッチング処理を行い、n型単結晶シリコン基板の中央部分の膜厚を周辺部分の膜厚よりも薄くすることで形成する。なお、第2ダイアフラム122は、上記n型単結晶シリコン等に限定されず、例えば所定の金属台座等でもよい。
ここで、第1ダイアフラム121及び保護部材11についてさらに説明する。
(保護部材11と第1ダイアフラム121と接着剤14との厚みについて)
図4に示すように、第1ダイアフラム121の厚さT121は、例えば接着剤14の膜厚T14よりも小さく、接着剤14の膜厚T14は保護部材11の膜厚T11よりも小さい関係(膜厚:T121<T14<T11)とされている。
第1ダイアフラム121の膜厚T121は、第1領域121−1および第2領域121−2で実質的に均一であり、例えば20μmから50μm程度である。接着剤14の膜厚T14は、例えば数十μmから数百μm程度である。保護部材11の膜厚T11は、例えば500μm等の数百μmから数mm程度である。
(保護部材11と第1ダイアフラム121との面積比について)
次に、保護部材11と第1ダイアフラム121との面積比について考察する。第1ダイアフラム121の第2領域121−2に占める保護部材11の面積比が小さくなるほど、第2領域121−2に加わる荷重が集中する。そのため、同様の荷重を印加する際、第2領域121−2に占める保護部材11の面積比が大きい場合と小さい場合とで、第1ダイアフラム121の強度を同様に保つためには、面積比が小さい場合には、面積比が大きい場合に比較して第1ダイアフラム121の膜厚T121を厚くすることが望ましい。しかし、面積比が小さい場合に、第1ダイアフラム121の膜厚T121を厚くしすぎると、センサ16の温度特性が悪化するおそれがある。また、この場合には、荷重を印加する時に、第1ダイアフラム121の第1領域121−1に変形が偏り過ぎ、センサ16の出力の直線性が悪化する可能性がある。
また、第1ダイアフラム121の第1領域121−1はコルゲーション121aを有しているため、保護部材11は、コルゲーション121aの内側に配置される。そのため、保護部材11の面積比を大きくする場合、図2に示すように、保護部材11の直径R11を、コルゲーション121aが設けられていない第2領域121−2の直径R121とできるだけ等しくすることが理想的である。
このように、保護部材11の直径R11が描く円の面積を、第2領域121−2の直径R121が描く円の面積にできるだけ近づけることで、第2領域121−2に加わる荷重の集中を抑制し、センサ16の出力特性を向上できる。従って、第1ダイアフラム121の第2領域121−2に占める保護部材11の面積の割合の上限値は、100%未満である。
一方、第1ダイアフラム121の第2領域121−2に占める保護部材11の面積の割合の下限値は、印加する荷重や第1ダイアフラム121の膜厚T121等から判断すると、70%以上であることが望ましい。例えば、第1ダイアフラム121の第2領域121−2に占める保護部材11の面積の割合が、少なくとも72%程度の場合、センサ16の出力特性は、所定の仕様特性を満足することが確認されている。
[2.荷重検知動作]
次に、図6を用いて第1実施形態に係る荷重センサ1の荷重検知動作について詳細に説明する。図6(a)は荷重印加前の荷重センサ1を示す断面図、図6(b)は荷重印加時の荷重センサ1を示す断面図である。
図6(a)に示すように、荷重印加前において、第1ダイアフラム121の第1領域121−1および第2領域121−2のY方向における位置は、初期位置S0で一致している。
図6(b)に示すように、荷重印加時において、保護部材11に、Y方向に沿って下向きの荷重Fが加えられると、加えられた荷重Fは第1ダイアフラム121に伝達される。第1ダイアフラム121の第1領域121−1は、伝達された荷重Fに応じ、コルゲーション121aがY方向に沿って下向きに変形する。
一方、第1ダイアフラム121の第2領域121−2は、保護部材11によって荷重Fによる変形から保護されており、第1領域121−1のコルゲーション121aが変形することで荷重Fを吸収するため、実質的に変形を生じない。第2領域121−2は、第1領域121−1のコルゲーション121aが伸びることに伴い、Y方向における位置が初期位置S0から荷重位置SFへ移動する。このように、第1ダイアフラム121の第2領域121−2は、実質的に変形しないため、保護部材11に印加された荷重Fを圧力媒体15に正確に伝達することができる。このため、センサ室131の内圧が変化し、当該内圧の変化が第2ダイアフラム122に伝達され、第2ダイアフラム122が変形を生じる。この第2ダイアフラム122の変形に基づいて、センサ16が荷重Fを検知する。
保護部材11への荷重Fの印加が解除されると、第1ダイアフラム121の第2領域121−2は、コルゲーション121aの弾性力により、図6(a)に示す位置に復帰する。
[3.作用効果]
以上説明したように、第1実施形態に係る荷重センサ1の構造および動作によれば、少なくとも下記(1)乃至(2)の効果が得られる。
(1)保護部材11は、第1ダイアフラム121の中央部の第2領域121−2に設けられ、外部から加えられる荷重Fを受けることで、荷重Fによる変形から第1ダイアフラム121の第2領域121−2を保護する。このため、第2領域121−2に対する荷重Fの局所的な集中を抑制することができる。この結果、センサ16による荷重Fの検出精度を向上でき、荷重Fをより正確に検知することができる。
以下に、比較例と第1実施形態とを対比して具体的に説明する。また、接着剤14等の詳細な図示を省略する。
(比較例の場合)
図7は、比較例に係る荷重センサの荷重検知動作を模式的に示したものである。この比較例は、第1ダイアフラム121上に第1実施形態に係る保護部材11が設けられていない例を示している。
この場合、第1ダイアフラム121上に保護部材11が設けられていないため、例えば金属部材などの荷重伝達部材40により、直接第1ダイアフラム121に荷重Fを印加した場合、コルゲーション121aが殆んど変形せず、荷重Fが印加された第1ダイアフラム121の例えば中央の部分が初期位置S0からY方向に沿って変形する。このため、第1ダイアフラム121は、全体的に断面が弓なり状に変形する。このように、比較例では、荷重Fが与えられる第1ダイアフラム121の中央の部分の変形が、周辺部分に比べて非常に大きくなる。
ここで、圧力媒体は液体なので、圧力媒体中の圧力Pはほぼ同じ値となる。しかし、中央部の局所的な第1ダイアフラム121の変形に伴い、第1ダイアフラム121が圧縮する圧力媒体の体積は小さくなる。その結果、体積が小さくなる分だけ圧力Pが大きく検知され、外部から同じ荷重Fを与えた場合でも検知される値が異なり、正確な値が測定できなくなる。
(第1実施形態の場合)
図8は、第1実施形態に係る荷重センサ1の荷重検知動作を同様に模式的に示したものである。図8に示すように、第1実施形態に係る荷重センサ1は、第1ダイアフラム121の第2領域121−2に保護部材11を備えている。このため、荷重伝達部材40により保護部材11に荷重Fを印加した場合、荷重Fは、保護部材11により第1ダイアフラム121の第2領域121−2にほぼ均等に印加される。従って、第1ダイアフラム121の第2領域121−2の変形が抑制され、コルゲーション121aが変形することにより、第2領域121−2の全体がY方向に沿って移動する。
このように、第1実施形態によれば、荷重Fに基づく第1ダイアフラム121の第2領域121−2の局所的な変形を緩和でき、その結果、第1実施形態に係る荷重センサ1は、比較例と比較して、荷重Fを正確に検知することができる。
(2)機械的な摩耗がなく、長期的な信頼性を向上できる。
第1実施形態に係る荷重センサ1は、外部から加えられた荷重Fを第1ダイアフラム121の第1領域121−1が変形することで圧力媒体15に伝達し、伝達された荷重Fを圧力媒体が内圧の変化として第2ダイアフラム122に伝達し、第2ダイアフラム122の変形に基づきセンサ16が荷重Fを検知する(図6等)。
このように、第1実施形態に係る荷重センサ1は、外部より与えられた荷重Fを第1ダイアフラム121と圧力媒体15によりセンサ16に伝達させ、従来のように、荷重をセンサに直接伝達する機械的な部品を持たない。そのため、機械的な部品に摩耗が生じることがなく、長期的な信頼性を向上できる。
尚、第1実施形態に係る荷重センサ1は、二重ダイアフラム式拡散型半導体圧力センサ技術を応用することができる。そのため、新たな製造設備等を必要としない。また、基板2に搭載された、荷重センサ1から電圧として検知された検知信号を増幅する増幅回路、増幅された検知信号を所定の信号へ変換する変換回路、変換された信号の温度補償を行う温度補償回路、および結果を表示する表示回路等についても同様である。そのため、荷重センサ1、および荷重センサ1を備える荷重センサ装置の製造コストの低減に有利である。
(第2実施形態(テーパ構造を有する一例))
次に、図9乃至図11を用い、第2実施形態に係る荷重センサ1Bについて説明する。第2実施形態は、保護部材11の変形例に関する。
[構造]
図9は、第2実施形態に係る荷重センサ1Bを示す断面図である。図10は、図9の破線で囲って示すB部分の詳細を示す断面図である。
図9に示すように、第2実施形態に係る保護部材11は、X方向の断面において、周辺部の側面にテーパ構造11Tを更に備える点で、上記第1実施形態と相違する。
図10に示すように、より詳細には、保護部材11は、第1ダイアフラム121側の下面(第1面)111と、下面と平行する上面(第2面)112と、下面と上面の周囲に位置する側面とを有し、下面111の面積は上面112の面積より大きく、側面と下面111との成す角θTは、例えば鋭角とされている。
その他の構造は、上記第1実施形態と実質的に同様であるため、その詳細な説明を省略する。また、荷重検知動作に関しても、上記第1実施形態と実質的に同様であるため、その詳細な説明を省略する。
[作用効果]
第2実施形態に係る荷重センサ1Bの構造および動作によれば、少なくとも上記(1)乃至(2)と同様の効果が得られる。
さらに、第2実施形態に係る荷重センサ1Bの保護部材11の側面は、テーパ構造11Tを備え、保護部材11の下面111の面積は、上面112の面積より大きくなるように構成される。
そのため、図11に示すように、例えば金属などの荷重伝達部材40により荷重Fが保護部材11の面積が下面111より小さな上面112に印加された際、ダイアフラム121の第2領域121−2へ印加される荷重Fを、下面111により分散することができる。このため、保護部材11の中央部の応力集中を緩和でき、荷重Fに基づく第1ダイアフラム121の第2領域121−2が与える圧力Pの局所的な集中を更に緩和できる。その結果、第2実施形態は、第1実施形態に比較して、センサ16によって荷重Fをより正確に検知することができる点で有利である。
しかも、保護部材11にテーパ構造11Tを設けることにより、保護部材11を軽量化できる。このため、荷重に対して第1ダイアフラム121の移動を高速化でき、センサ16の感度を向上させることが可能である。
(第3実施形態(ダイアフラムと一体構造である保護部を備える一例))
次に、図12および図13を用いて第3実施形態に係る荷重センサ1Cについて説明する。第1、第2の実施形態は、第1ダイアフラム121に保護部材11を設けた。これに対して、第3実施形態は、保護部材を第1ダイアフラムと一体構造とした例を示している。この説明において、上記第1,第2実施形態と実質的に重複する部分の詳細な説明を省略する。
[構造]
図12は、第3実施形態に係る荷重センサ1Cを示す断面図である。図13は、図12の破線で囲って示すC部分の詳細を示す断面図である。
図12に示すように、第3実施形態において、第1ダイアフラム121の構成は、以下の点で、第1、第2実施形態と異なっている。すなわち、第1、第2実施形態において、第1ダイアフラム121の中央としての第2領域121−2は、下に凸の断面形状とされていた。これに対して、第3実施形態において、第1ダイアフラム121の第2領域121−2は、上に凸の断面形状とされている。具体的には、第1ダイアフラム121の第2領域121−2は、初期位置F0よりも上方に位置される。さらに、第1ダイアフラム121の第2領域121−2の初期位置F0から上に凸とされた上面までの間は、第1領域121−1と同じ材料であるステンレススチール(SUS)により形成されている。第1ダイアフラム121の第2領域121−2は、上記構造により、荷重Fに対する保護部として働く。このように、第3実施形態では、保護部材11および接着剤14を備えない構造となる。
図13に示すように、より詳細には、第3実施形態に係る第1ダイアフラム121の第2領域121−2と第1領域121−1(コルゲーション121a)との境界は、荷重緩和構造としての湾曲部121Rを有している。湾曲部121Rは、第2領域121−2と第1領域121−1(コルゲーション121a)との境界において、F0で示す線に対して鋭角θRである角部を有している。
このように、第3実施形態において、第1ダイアフラム121の第2領域121−2と第1領域121−1との境界に湾曲部121Rを有するため、第2領域121−2に印加された荷重が湾曲部121Rにより吸収され、さらに、コルゲーション121aが変形されるため、第2領域121−2の変形を防止することができる。換言すれば、第2領域121−2は、荷重Fに対して第1領域121−1よりも剛性が大きいと言える。
また、図13に破線で示すように、第2領域121−2の厚さT121−2は、第1領域121−2の厚さT121−1よりも大きくなるように構成(膜厚:T121−2>T121−1)される。上記のように、第2領域121−2の厚さを厚くすることで、荷重Fに対して第1領域121−1よりも第2領域121−2の剛性をより大きくすることができ、第2領域121−2の変形を防止できる。
その他の構造は、上記実施形態と実質的に同様であるため、その詳細な説明を省略する。また、荷重検知動作に関しても、上記実施形態と実質的に同様であるため、その詳細な説明を省略する。
[作用効果]
以上説明したように、第3実施形態に係る荷重センサ1Cによれば、第1ダイアフラム121の中央部の第2領域121−2を周辺部の第1領域121−1より上方に設け、第2領域121−2と第1領域121−1との境界に湾曲部121Rを設けている。このため、第2領域121−2に印加された荷重が湾曲部121Rにより吸収され、さらに、コルゲーション121aが変形されるため、実質的に第2領域121−2の剛性を高めることができ、第2領域121−2の変形を防止することができる。したがって、保護部材を別途設けることなく、センサ16による荷重Fの検出精度を向上することができる。
(変形例)
上記第1乃至第3実施形態では、二重ダイアフラム構造の拡散型半導体センサ16を応用した荷重センサ1,1B,1Cを一例に挙げて説明したが、この構造に限定されないことは勿論である。例えば、二重ダイアフラム構造のバルク型半導体センサや、同構造の蒸着(薄膜)型半導体センサ等であっても同様に適用可能である。
さらに、センサ室131およびセンサ16は、第1ダイアフラム121の中央部である第2領域121−2の下方の位置に配置される構造を一例として示したが、この構造に限定されない。例えば、センサ室131およびセンサ16は、第1ダイアフラム121の周辺部である第1領域121−1の下方の位置に配置されていてもよい。上記第1乃至第3実施形態によれば、荷重Fによる第1ダイアフラム121の圧力Pの局所的な集中を緩和できる。そのため、センサ室131およびセンサ16が配置される位置にかかわらず、荷重Fを正確に検知することができるからである。
以上、実施形態を用いて本発明の説明を行ったが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも1つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも1つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
1,1B,1C…荷重センサ、2…基板、3…接続手段、11…保護部材、11T…テーパ構造、13…ハウジング、14…接着剤、15…圧力媒体、16…センサ、17…ボンディングワイヤ、18…ガラス基板、19…ガラスハーメチック、31…ケーブル、32…金属端子、40…荷重伝達部材、121…第1ダイアフラム、121−1…第1領域、121−2…第2領域、121a…コルゲーション、122…第2ダイアフラム、131…センサ室、132…大気開放用口、133…穴部。

Claims (10)

  1. センサが配置されるセンサ室を備えるハウジングと、
    荷重に応じて変形する周辺部としての第1領域と、中央部としての第2領域とを備え、前記第1領域が前記ハウジングに設けられて前記センサ室を閉塞する第1ダイアフラムと、
    前記センサ室に充填され、前記荷重に応じた圧力を前記センサに伝達する圧力媒体と、
    前記第2領域に設けられ、外部から加えられる前記荷重を受ける保護部材と、
    を具備し、
    前記保護部材は、前記第1ダイアフラム側の第1面と、前記第1面と平行する第2面と、前記第1面と前記第2面の周囲に位置する側面とを有し、前記第1面の面積は前記第2面の面積よりも大きく、前記側面と前記第1面との成す角は鋭角である荷重センサ。
  2. 前記保護部材の剛性は、前記第1ダイアフラムの第2領域の剛性よりも大きい
    請求項1に記載の荷重センサ。
  3. 前記保護部材の前記第1ダイアフラムの第2領域に占める面積の割合は、70%以上100%未満である
    請求項1または2に記載の荷重センサ。
  4. 前記第1領域は、コルゲーションを有し、
    前記第2領域は、前記荷重により変形しない
    請求項1乃至3のいずれかに記載の荷重センサ。
  5. 前記第1ダイアフラム及び前記保護部材は、円形である
    請求項3記載の荷重センサ。
  6. 前記センサ室に設けられ、前記荷重により生じる前記圧力媒体の内圧に応じて変形する第2ダイアフラムを更に具備し、
    前記センサは、前記第2ダイアフラムに設けられ、前記第2ダイアフラムの変形に基づき前記荷重を検出する
    請求項1乃至5のいずれかに記載の荷重センサ。
  7. センサが配置されるセンサ室を有するハウジングと、
    荷重に応じて変形する周辺部としての第1領域と、前記第1領域と一体的に設けられ前記荷重を受け前記第1領域よりも剛性が大きい第2領域とを備え、前記第1領域が前記ハウジングに設けられて前記センサ室を閉塞する第1ダイアフラムと、
    前記センサ室に充填され、前記荷重に応じた圧力を前記センサに伝達する圧力媒体と、
    を具備し、
    前記第1ダイアフラムは、前記第2領域と前記第1領域との境界に湾曲部を有し、前記湾曲部は、前記第2領域と前記第1領域の境界において、鋭角である角部を有する荷重センサ。
  8. 前記第2領域の厚さは、前記第1領域の厚さよりも厚い
    請求項7に記載の荷重センサ。
  9. 前記第1領域は、コルゲーションを有する
    請求項7または8に記載の荷重センサ。
  10. 前記センサ室に設けられ、前記荷重により生じる前記圧力媒体の内圧に応じて変形する第2ダイアフラムを更に具備し、
    前記センサは、前記第2ダイアフラムに設けられ、前記第2ダイアフラムの変形に基づき前記荷重を検出する
    請求項7乃至9のいずれかに記載の荷重センサ。
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