JPS59228141A - 真空計 - Google Patents
真空計Info
- Publication number
- JPS59228141A JPS59228141A JP10263483A JP10263483A JPS59228141A JP S59228141 A JPS59228141 A JP S59228141A JP 10263483 A JP10263483 A JP 10263483A JP 10263483 A JP10263483 A JP 10263483A JP S59228141 A JPS59228141 A JP S59228141A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- pressure
- strain
- thick
- pressure sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は真空計に係シ、特に半導体ダイアフラム膨圧カ
センサの片側に基準圧力室を有する真空計に関するもの
である。
センサの片側に基準圧力室を有する真空計に関するもの
である。
従来の半導体ダイアフラム膨圧カセンサの片側に基準圧
力室を有する絶対正形圧力計は、大気圧測定など５ Ｑ
ｔｏｒｒ（５０ｍ＋＋ＨｇａｂＳ）以上の圧力を測定
するのに有効であるが、０〜１Ｑｔｏｒｒ（測定範囲）
以下の圧力を測定するためにはダイアフラムの厚さを薄
くしなければならないが、このようにすると、バルーン
効果と呼ばれる大きなたわみ現象が起こり、直線性が悪
くなるという問題があった。
力室を有する絶対正形圧力計は、大気圧測定など５ Ｑ
ｔｏｒｒ（５０ｍ＋＋ＨｇａｂＳ）以上の圧力を測定
するのに有効であるが、０〜１Ｑｔｏｒｒ（測定範囲）
以下の圧力を測定するためにはダイアフラムの厚さを薄
くしなければならないが、このようにすると、バルーン
効果と呼ばれる大きなたわみ現象が起こり、直線性が悪
くなるという問題があった。
まだ、測定圧側を大気開放とすると、測定圧側と真空基
準圧力室側との間にＩ Ｋｇ／ ｃｒｔｌの圧力差が生
ずるため、測定範囲０〜１０ ｔｏｒｒのもので７５倍
以上の過大圧がダイアフラムにががシ、ダイアフラムが
破壊するという問題を生ずる。
準圧力室側との間にＩ Ｋｇ／ ｃｒｔｌの圧力差が生
ずるため、測定範囲０〜１０ ｔｏｒｒのもので７５倍
以上の過大圧がダイアフラムにががシ、ダイアフラムが
破壊するという問題を生ずる。
さらに、ダイアフラムの片面側をシールダイアスラムで
液封した構造のものは、温度による封入液の膨張のだめ
、温度特性が悪いという欠点があった。
液封した構造のものは、温度による封入液の膨張のだめ
、温度特性が悪いという欠点があった。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的と−す
るところは、極低圧測定範囲まで良好な直練性を有し、
かつ、過大圧特性や温度特性に優れた半導体ダイアフラ
ム膨圧カセンサを用いた真空計を提供することにある。
るところは、極低圧測定範囲まで良好な直練性を有し、
かつ、過大圧特性や温度特性に優れた半導体ダイアフラ
ム膨圧カセンサを用いた真空計を提供することにある。
本発明の特徴は、半導体ダイアフラム膨圧カセンサとし
て、外周部に肉厚固定部を有し、中央部に肉厚剛体部を
有し、上記肉厚固定部と肉厚剛体部との間に起歪部を設
けてあシ、この起歪部は、ゲージ抵抗を有する起歪はシ
とこの起歪はシより薄く加工した隔膜部とよシなる構成
のものを用いた点にある。
て、外周部に肉厚固定部を有し、中央部に肉厚剛体部を
有し、上記肉厚固定部と肉厚剛体部との間に起歪部を設
けてあシ、この起歪部は、ゲージ抵抗を有する起歪はシ
とこの起歪はシより薄く加工した隔膜部とよシなる構成
のものを用いた点にある。
以下本発明を第１図、第２図、第４図〜第６図に示した
実施例および第３図を用いて詳細に説明する。
実施例および第３図を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の真空計の一実施例を示す縦断面図であ
る。第１図において、１は半導体ダイアフラム膨圧カセ
ンサ（測定ダイアフラム）で、これと固定台２とは真空
中で接合してあり、両者間に真空基準圧力室３を形成し
ている。測定圧力はシールダイアフラム４に加わり、半
導体ダイアフラム膨圧カセンサ１とシールダイアフラム
４との間に封入した封入液５を介して半導体ダイアフラ
ム膨圧カセンサ１の表側に作用する。６はカバーフラン
ジで、７はこのフランジ６に設けた測定圧力導入口であ
る。
る。第１図において、１は半導体ダイアフラム膨圧カセ
ンサ（測定ダイアフラム）で、これと固定台２とは真空
中で接合してあり、両者間に真空基準圧力室３を形成し
ている。測定圧力はシールダイアフラム４に加わり、半
導体ダイアフラム膨圧カセンサ１とシールダイアフラム
４との間に封入した封入液５を介して半導体ダイアフラ
ム膨圧カセンサ１の表側に作用する。６はカバーフラン
ジで、７はこのフランジ６に設けた測定圧力導入口であ
る。
第２図は第１図の半導体ダイアフラム膨圧カセンサ１の
一実施例を示す構造図で、第２図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）は第２図（ａ）のＸＯＹ断面図である。
一実施例を示す構造図で、第２図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）は第２図（ａ）のＸＯＹ断面図である。
半導体ダイアフラム膨圧カセンサ１は、シリコンダイア
フラムより構成してあり、外周部は肉厚固定部１１とな
っておシ、中央部は肉厚剛体部１２となっており、肉厚
固定部１１と肉厚剛体部１２との間に起歪部が形成して
おり、との起歪部は、対称の位置がそれぞれ起歪はり１
３となっており、この２つの起歪はり１３の間はそれよ
り肉薄の隔膜部１４となっている。２つの起歪はり１３
のうち一方の起歪はり１３の外側起歪端近傍および内側
起歪端近傍にはそれぞれ起歪はり１３の方向と平行方向
に２本ずつのＰ形拡散抵抗が形成してあり、これらのＰ
形拡散抵抗は、起歪はり１３上に配置形成された抵抗値
の主成分となる第１の拡散層１５とこの拡散層１５よシ
ネ細物濃度の高い第２の拡散Ｎ４１６とよシなり、これ
らでそれぞれゲージ抵抗を構成している。第２の拡散層
１６の端部は、周辺の固定部１１まで直接か、剛体部１
２と他方の起歪は、９１３上を通って伸びている配線用
のアルミニウム電極１７にそれぞれコンタクトしている
。
フラムより構成してあり、外周部は肉厚固定部１１とな
っておシ、中央部は肉厚剛体部１２となっており、肉厚
固定部１１と肉厚剛体部１２との間に起歪部が形成して
おり、との起歪部は、対称の位置がそれぞれ起歪はり１
３となっており、この２つの起歪はり１３の間はそれよ
り肉薄の隔膜部１４となっている。２つの起歪はり１３
のうち一方の起歪はり１３の外側起歪端近傍および内側
起歪端近傍にはそれぞれ起歪はり１３の方向と平行方向
に２本ずつのＰ形拡散抵抗が形成してあり、これらのＰ
形拡散抵抗は、起歪はり１３上に配置形成された抵抗値
の主成分となる第１の拡散層１５とこの拡散層１５よシ
ネ細物濃度の高い第２の拡散Ｎ４１６とよシなり、これ
らでそれぞれゲージ抵抗を構成している。第２の拡散層
１６の端部は、周辺の固定部１１まで直接か、剛体部１
２と他方の起歪は、９１３上を通って伸びている配線用
のアルミニウム電極１７にそれぞれコンタクトしている
。
上記した第２図に示す実施例では、半導体ダイアフジ人
形圧力センサ１のシリコンダイアフラム基板はＭ形単結
晶よシなり、ゲージ抵抗を構成する第１の拡散層１５は
Ｐ形の２ Ｘ １０” ／ｃｍ３程度の不純物を有し、
第２の拡散層１６はＰ形の２×１０Ｉ９／ｃｒｎ３程度
の不純物を有する。このため、抵抗温度係数は、第１の
拡散層１５は２４チ／１ｏｏｔ、第２の拡散層１６は１
２％／１００ｔｌ：’程度となっている。そして、４本
のゲージ抵抗でブリッジ回路を組んだとき、各ゲージ抵
抗の抵抗値は室温で同じになるようにしであるが、圧力
を加えると抵抗値が増加する外側のゲージ抵抗は、圧力
を加えると抵抗値が減少する内側のゲージ抵抗よりも、
全体の抵抗値にしめる第２の拡散層１６の割合を大きく
しである。
形圧力センサ１のシリコンダイアフラム基板はＭ形単結
晶よシなり、ゲージ抵抗を構成する第１の拡散層１５は
Ｐ形の２ Ｘ １０” ／ｃｍ３程度の不純物を有し、
第２の拡散層１６はＰ形の２×１０Ｉ９／ｃｒｎ３程度
の不純物を有する。このため、抵抗温度係数は、第１の
拡散層１５は２４チ／１ｏｏｔ、第２の拡散層１６は１
２％／１００ｔｌ：’程度となっている。そして、４本
のゲージ抵抗でブリッジ回路を組んだとき、各ゲージ抵
抗の抵抗値は室温で同じになるようにしであるが、圧力
を加えると抵抗値が増加する外側のゲージ抵抗は、圧力
を加えると抵抗値が減少する内側のゲージ抵抗よりも、
全体の抵抗値にしめる第２の拡散層１６の割合を大きく
しである。
このような構成の半導体ダイアフラム膨圧カセンサ１の
肉厚固定部１１を第１図に示すように固定台２に接合し
、圧力Ｐを印加すると、起歪はり１３がたわむ。このと
き、隔膜部１４は単なる気密膜として働き、受圧面積（
起歪部の外径を直径とする円の面積）Ｓ×圧力Ｐの力の
大半が細い起歪はυ１３に作用する。したがって、起歪
はり１３は非常に効率よく歪を発生する。このため、極
低圧（真空）用とする場合でも、起歪はり１３の肉厚を
むやみに薄くする必要はなく、起歪はり１３には圧力に
よく比例した歪が発生する。そして、ゲージ抵抗は、と
の起歪はｐｌａ上に形成しであるので、圧力−出力の関
係が十分比例関係となる極低圧用半導体ダイアフラム形
圧力七ンサ１とすることができる。
肉厚固定部１１を第１図に示すように固定台２に接合し
、圧力Ｐを印加すると、起歪はり１３がたわむ。このと
き、隔膜部１４は単なる気密膜として働き、受圧面積（
起歪部の外径を直径とする円の面積）Ｓ×圧力Ｐの力の
大半が細い起歪はυ１３に作用する。したがって、起歪
はり１３は非常に効率よく歪を発生する。このため、極
低圧（真空）用とする場合でも、起歪はり１３の肉厚を
むやみに薄くする必要はなく、起歪はり１３には圧力に
よく比例した歪が発生する。そして、ゲージ抵抗は、と
の起歪はｐｌａ上に形成しであるので、圧力−出力の関
係が十分比例関係となる極低圧用半導体ダイアフラム形
圧力七ンサ１とすることができる。
また、第２図に示す半導体ダイアフラム形圧力センサ１
に過大圧が作用した場合、第３図に示すように、肉厚剛
体部１２の変位は起歪はシ１３の変位によって規制−さ
れる。そして、隔膜部１４はこの変位量では小さなひず
みしか発生せず、このため、半導体ダイアフラム形圧力
七ンサ１は極めて高い耐圧を有する。
に過大圧が作用した場合、第３図に示すように、肉厚剛
体部１２の変位は起歪はシ１３の変位によって規制−さ
れる。そして、隔膜部１４はこの変位量では小さなひず
みしか発生せず、このため、半導体ダイアフラム形圧力
七ンサ１は極めて高い耐圧を有する。
この結果、半導体ダイアフラム形圧力七ンサ１は、測定
範囲θ〜１ｗｎＨｇのもので２ＫＰ ／ ｃａと１００
０倍以上の過大圧を加えてもそれに十分耐えることがで
きる。
範囲θ〜１ｗｎＨｇのもので２ＫＰ ／ ｃａと１００
０倍以上の過大圧を加えてもそれに十分耐えることがで
きる。
ここに、第２図に示した実施例の半導体ダイアフラム膨
圧カセンサ１を用いた第１図に示す真空計は、測定範囲
が０”１ｔｏｒｒと低いものもでき、しかも、圧力−出
力の直線性に優れている。また、このように低い測定範
囲になるように加工した半導体ダイアフラム膨圧カセン
サ１でもＩ Ｋｇ ／ ｃｒＡ以上の耐圧性を有するた
め、測定圧側を大気開放しても、半導体ダイア７２人形
圧力七ンサｌが破壊することがない。
圧カセンサ１を用いた第１図に示す真空計は、測定範囲
が０”１ｔｏｒｒと低いものもでき、しかも、圧力−出
力の直線性に優れている。また、このように低い測定範
囲になるように加工した半導体ダイアフラム膨圧カセン
サ１でもＩ Ｋｇ ／ ｃｒＡ以上の耐圧性を有するた
め、測定圧側を大気開放しても、半導体ダイア７２人形
圧力七ンサｌが破壊することがない。
ところで、第１図に示す真空計は、腐食性気体でも測定
できるように、測定流体はステンレスのシールダイアフ
ラム４で受け、封入液５を介して半導体ダイアフラム膨
圧カセンサ１に圧力を伝達する構成としである。このた
め、周囲温度が上昇すると、封入液５であるシリコンオ
イルの体積が膨張する。このとき、半導体ダイアフラム
膨圧力センサ１はほとんど変位しないので、この膨張し
た液量はシールダイアフラム４が外側へ変位することに
よって吸収される。そのだめ、シールダイアフラム４に
はその剛性に比例した反力が働き、半導体ダイアフラム
膨圧カセンサｌｌ１−ｉあたかも測定流体側から圧力が
かかったようにたわみ、電気出力が発生する。ちなみに
、シールダイアフラム４として体積圧力係数Ｐ ｖ ｔ
が４０ａｍｉ−１ｚＯ／ｃｍ３のものを使用し、封入液
５の常温における液量が３ｃｃであるとすると、１００
ｔ：’の温度上昇により液量が９．３ｃｃ増加するため
、半導体ダイアフラム膨圧カセンサ１は１２ ｍｍＨｚ
Ｏ％すなわち、約１ ｔｏｒｒの圧力を受ける。この
片側液封により発生する温度影響は、測定範囲１〜ｌ
ｔｏｒｒＯ場合、１００％／１０４）Ｃとなる。
できるように、測定流体はステンレスのシールダイアフ
ラム４で受け、封入液５を介して半導体ダイアフラム膨
圧カセンサ１に圧力を伝達する構成としである。このた
め、周囲温度が上昇すると、封入液５であるシリコンオ
イルの体積が膨張する。このとき、半導体ダイアフラム
膨圧力センサ１はほとんど変位しないので、この膨張し
た液量はシールダイアフラム４が外側へ変位することに
よって吸収される。そのだめ、シールダイアフラム４に
はその剛性に比例した反力が働き、半導体ダイアフラム
膨圧カセンサｌｌ１−ｉあたかも測定流体側から圧力が
かかったようにたわみ、電気出力が発生する。ちなみに
、シールダイアフラム４として体積圧力係数Ｐ ｖ ｔ
が４０ａｍｉ−１ｚＯ／ｃｍ３のものを使用し、封入液
５の常温における液量が３ｃｃであるとすると、１００
ｔ：’の温度上昇により液量が９．３ｃｃ増加するため
、半導体ダイアフラム膨圧カセンサ１は１２ ｍｍＨｚ
Ｏ％すなわち、約１ ｔｏｒｒの圧力を受ける。この
片側液封により発生する温度影響は、測定範囲１〜ｌ
ｔｏｒｒＯ場合、１００％／１０４）Ｃとなる。
そこで、本発明においては、半導体ダイアフラム形圧力
七ンサ１にあらかじめ負の温度係数を持たせ、片側液封
による正の温度影響を補償するようにしである。すなわ
ち、圧力を加えると抵抗値が増加する外側のゲージ抵抗
は、抵抗値が減少する内側のゲージ抵抗よりも抵抗温度
係数を小さくしてあり、このため、半導体ダイアフラム
形圧力センサｌ自体では、温度が上昇すると負の出力が
発生する。−例として、第２図において、ゲージ抵抗を
抵抗温度係数が２４％／１００ｃの第１の拡散層１５と
１２％／１００ｔ：’の第２の拡散層１６より構成し、
その配分を外側のゲージ抵抗では４にΩと０．５にΩ、
内側のゲージ抵抗では４．３にΩと０．２ Ｋｇとしで
ある。これらのゲージ抵抗でホイーストンブリッジを構
成し、１ｍＡの定電流で励起すると、圧力を加えないと
きの出力は、常温では零であるが、１００Ｃ温度上昇す
ると、−１８ｍ Ｖ ７１ ｍ Ａとなる。
七ンサ１にあらかじめ負の温度係数を持たせ、片側液封
による正の温度影響を補償するようにしである。すなわ
ち、圧力を加えると抵抗値が増加する外側のゲージ抵抗
は、抵抗値が減少する内側のゲージ抵抗よりも抵抗温度
係数を小さくしてあり、このため、半導体ダイアフラム
形圧力センサｌ自体では、温度が上昇すると負の出力が
発生する。−例として、第２図において、ゲージ抵抗を
抵抗温度係数が２４％／１００ｃの第１の拡散層１５と
１２％／１００ｔ：’の第２の拡散層１６より構成し、
その配分を外側のゲージ抵抗では４にΩと０．５にΩ、
内側のゲージ抵抗では４．３にΩと０．２ Ｋｇとしで
ある。これらのゲージ抵抗でホイーストンブリッジを構
成し、１ｍＡの定電流で励起すると、圧力を加えないと
きの出力は、常温では零であるが、１００Ｃ温度上昇す
ると、−１８ｍ Ｖ ７１ ｍ Ａとなる。
第１図に示す片側液封形真空計において、１ｔｏｒｒ
（Ｄ圧力印加時の出力が１８ｔｎＶ／１ｍＡであれば、
このような抵抗配分比のゲージ抵抗を持つ半導体ダイア
フラム膨圧カセンサ１を使用することにヨシ、その零点
温度影響をほとんど零近くにできる。
（Ｄ圧力印加時の出力が１８ｔｎＶ／１ｍＡであれば、
このような抵抗配分比のゲージ抵抗を持つ半導体ダイア
フラム膨圧カセンサ１を使用することにヨシ、その零点
温度影響をほとんど零近くにできる。
上記した実施例の本発明に係る真空計によれば、極低圧
測定範囲まで良好な直線性を有するものとすることがで
き、また、過大圧を加えても半導体ダイアフ長人形圧力
七ンサｌが破壊することがなく、０〜１ ｔｏｒｒ と
低い測定範囲の真空計を容易に製作することができる。
測定範囲まで良好な直線性を有するものとすることがで
き、また、過大圧を加えても半導体ダイアフ長人形圧力
七ンサｌが破壊することがなく、０〜１ ｔｏｒｒ と
低い測定範囲の真空計を容易に製作することができる。
さらに、片側液封形としても温度特性に優れたものとす
ることができる。
ることができる。
第４図は本発明の他の実施例を示す要部縦断面図である
。第４図においては、測定圧側を大気開放すると、半導
体ダイアフラム形圧力七ンサ１の中央肉厚剛体部１２が
固定台２に着座するようにしである。このようにすると
、半導体ダイアフラム形圧力七ンサ１を過大圧に対して
さらに強くすることができ、測定圧側から１０ Ｋｇ
／ ｃｒｔｉの圧力を加えても破壊しないようにするこ
とができる。
。第４図においては、測定圧側を大気開放すると、半導
体ダイアフラム形圧力七ンサ１の中央肉厚剛体部１２が
固定台２に着座するようにしである。このようにすると
、半導体ダイアフラム形圧力七ンサ１を過大圧に対して
さらに強くすることができ、測定圧側から１０ Ｋｇ
／ ｃｒｔｉの圧力を加えても破壊しないようにするこ
とができる。
第５図は本発明のさらに他の実施例を示す縦断面図であ
る。第５図においては、真空基準圧力室３を半導体ダイ
アフラム膨圧カセンサ１の上部に設けてあり、測定圧を
圧力導入ロアから固定台２に設けた穴８を通して半導体
ダイアフラム形圧力センサ１の下面に直接加えるように
しである。本発明に係る真空計においては、半導体ダイ
アフラム膨圧カセンサ１が過大圧特性に優れているので
、第５図に示す構成としても０〜ｌ ｔｏｒｒの低測定
範囲の真空計を製作することができる。ただし、このよ
うに半導体ダイアフラム膨圧カセンサ１に直接測定圧を
導入する構成とする場合は、ブリッジを構成するゲージ
抵抗はすべて同じ温度係数のものとする。
る。第５図においては、真空基準圧力室３を半導体ダイ
アフラム膨圧カセンサ１の上部に設けてあり、測定圧を
圧力導入ロアから固定台２に設けた穴８を通して半導体
ダイアフラム形圧力センサ１の下面に直接加えるように
しである。本発明に係る真空計においては、半導体ダイ
アフラム膨圧カセンサ１が過大圧特性に優れているので
、第５図に示す構成としても０〜ｌ ｔｏｒｒの低測定
範囲の真空計を製作することができる。ただし、このよ
うに半導体ダイアフラム膨圧カセンサ１に直接測定圧を
導入する構成とする場合は、ブリッジを構成するゲージ
抵抗はすべて同じ温度係数のものとする。
第６図は本発明のさらに他の実施例を示す要部縦１面図
で、第６図においては、半導体ダイアフラム形圧力七ン
サ１の上部に真空基準圧力室３を設けであることは第５
図と同様であるが、真空基準圧力室３は、半導体ダイア
フラム形圧力七ンサ１のゲージ抵抗面側に直接接着した
カバ一部材９との間に設け、測定圧側を大気開放したと
きに、半導体ダイアフラム形圧力七ンサ１の中央肉厚剛
体部１２がカバ一部材９に着座するようにしである。
で、第６図においては、半導体ダイアフラム形圧力七ン
サ１の上部に真空基準圧力室３を設けであることは第５
図と同様であるが、真空基準圧力室３は、半導体ダイア
フラム形圧力七ンサ１のゲージ抵抗面側に直接接着した
カバ一部材９との間に設け、測定圧側を大気開放したと
きに、半導体ダイアフラム形圧力七ンサ１の中央肉厚剛
体部１２がカバ一部材９に着座するようにしである。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、極低圧測定範囲
まで良好な直線性を有するものとすることができ、かつ
、過大圧特性や温度特性に優れたものとすることができ
るという効果がある。
まで良好な直線性を有するものとすることができ、かつ
、過大圧特性や温度特性に優れたものとすることができ
るという効果がある。
第１図は本発明の真空計の一実施例を示す縦断面図、第
２図は第１図の半導体ダイアフラム膨圧カセンサの一実
施例を示す構造図、第３図は第１図の半導体ダイアフラ
ム膨圧カセンサに過大圧を加えたときのたわみ状態を示
す図、第４図〜第６図はそれぞれ本発明の他の実施例を
示す縦断面図である。 １・・・半導体ダイアフラム膨圧カセンサ、２・・・固
定台、３・・・真空基準圧力室、４・・・シールダイア
フラム、５・・・封入液、６・・・カバー７ランジ、７
・・・測定圧力導入口、９・・・カバ一部材、１１・・
・肉厚固定部、１２・・・肉厚剛体部、１３川起歪はシ
、１４・・・隔膜部、１５・・・第１の拡散層、１６・
・・第２の拡散層、１７・・・アルミニウム電極。 代理人 弁理士 高橋明夫
２図は第１図の半導体ダイアフラム膨圧カセンサの一実
施例を示す構造図、第３図は第１図の半導体ダイアフラ
ム膨圧カセンサに過大圧を加えたときのたわみ状態を示
す図、第４図〜第６図はそれぞれ本発明の他の実施例を
示す縦断面図である。 １・・・半導体ダイアフラム膨圧カセンサ、２・・・固
定台、３・・・真空基準圧力室、４・・・シールダイア
フラム、５・・・封入液、６・・・カバー７ランジ、７
・・・測定圧力導入口、９・・・カバ一部材、１１・・
・肉厚固定部、１２・・・肉厚剛体部、１３川起歪はシ
、１４・・・隔膜部、１５・・・第１の拡散層、１６・
・・第２の拡散層、１７・・・アルミニウム電極。 代理人 弁理士 高橋明夫
Claims (1)
- １、圧力によシひずみを発生させる測定ダイアフラムと
、該測定ダイアクラムの一方の主面側に設けた真空基準
圧力室と、前記測定ダイアフラムの他方の主面側に測定
圧力を加える加圧手段とよシなる真空計において、前記
測定ダイアフラムが外周部に肉厚固定部を有し、中央部
に肉厚剛体部を有し、前記固定部と剛体部との間に起歪
部が設けてあり、該起歪部はゲージ抵抗を有する起歪は
シと該起歪はシよシ薄く加工した隔喚部とよりなる構成
としておることを特徴とする真空計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10263483A JPS59228141A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 真空計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10263483A JPS59228141A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 真空計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59228141A true JPS59228141A (ja) | 1984-12-21 |
Family
ID=14332664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10263483A Pending JPS59228141A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 真空計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59228141A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008107427A1 (de) * | 2007-03-05 | 2008-09-12 | Endress+Hauser Gmbh+Co.Kg | Drucksensor |
| JP2017187368A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 日本電産コパル電子株式会社 | 荷重センサ |
-
1983
- 1983-06-10 JP JP10263483A patent/JPS59228141A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008107427A1 (de) * | 2007-03-05 | 2008-09-12 | Endress+Hauser Gmbh+Co.Kg | Drucksensor |
| US8384170B2 (en) | 2007-03-05 | 2013-02-26 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Pressure sensor |
| JP2017187368A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 日本電産コパル電子株式会社 | 荷重センサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Samaun et al. | An IC piezoresistive pressure sensor for biomedical instrumentation | |
| JPS641733B2 (ja) | ||
| US3270554A (en) | Diffused layer transducers | |
| US4527428A (en) | Semiconductor pressure transducer | |
| JPH0425735A (ja) | 半導体圧力・差圧測定ダイヤフラム | |
| JPH029704B2 (ja) | ||
| JPS59228141A (ja) | 真空計 | |
| EP0080186B1 (en) | Semiconductor pressure transducer | |
| US4106349A (en) | Transducer structures for high pressure application | |
| JPH02196938A (ja) | 圧力センサ | |
| JPS5845533A (ja) | 圧力検出器 | |
| JPH0419495B2 (ja) | ||
| JPS58151536A (ja) | 差圧検出器 | |
| JP2512220B2 (ja) | 複合機能形センサ | |
| JPS59214268A (ja) | 半導体圧力検出器 | |
| JPS63243830A (ja) | 半導体圧力検出装置 | |
| JPS62150131A (ja) | 圧力検出器 | |
| JPH021252B2 (ja) | ||
| JPS58221135A (ja) | シリコンダイアフラム形圧力センサ | |
| JPH06102128A (ja) | 半導体複合機能センサ | |
| JP3509336B2 (ja) | 集積化センサ | |
| JPS60247129A (ja) | 高圧用圧力検出器 | |
| JPS6328260B2 (ja) | ||
| JPH06213746A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH0797058B2 (ja) | 半導体圧力変換器 |