JP6142735B2 - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6142735B2 JP6142735B2 JP2013175443A JP2013175443A JP6142735B2 JP 6142735 B2 JP6142735 B2 JP 6142735B2 JP 2013175443 A JP2013175443 A JP 2013175443A JP 2013175443 A JP2013175443 A JP 2013175443A JP 6142735 B2 JP6142735 B2 JP 6142735B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- region
- pressure
- substrate
- well region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
キャップ基板(40)は、半導体基板(31)に接触する部分に形成されると共に半導体基板(31)に接合された絶縁層(42)を有している。
半導体基板(31)は、ウェル領域(33)が形成された第1導電層(31a)と、第1導電層(31a)のうちキャップ基板(40)とは反対側に形成された絶縁膜(31c)と、絶縁膜(31c)の上に形成されると共に第1導電層(31a)及び絶縁膜(31c)のうちダイヤフラム(32)に対応した部分に絶縁膜(31c)を露出させる溝部(31d)が形成された第2導電層(31b)と、が積層されたSOI基板(31)で構成されている。
そして、分離手段は、絶縁層(42)と、ウェル領域(33)を含んだ領域を囲むように第1導電層(31a)に形成されていると共に絶縁膜(31c)に達するトレンチ(38)と、トレンチ(38)に埋め込まれた絶縁部材(39)と、によって構成されており、ウェル領域(33)は、電気的にフローティングになっていることを特徴とする。
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。図1に示されるように、本実施形態に係る半導体圧力センサは、センサチップ10と、このセンサチップ10のうちの一部を封止したモールド樹脂20と、を備えて構成されている。すなわち、半導体圧力センサは、モールド樹脂20によるセンサチップ10の片持ち梁構造になっている。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。図3に示されるように、本実施形態では、第1導電層31aは、n型の単結晶シリコンで形成されている。また、第1導電層31aは、トレンチ38と、絶縁部材39と、を有している。
本実施形態では、第2実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、図3に示された構造のうち、第2コンタクト領域37と第2貫通電極部46が設けられていない。このため、ウェル領域33は、電気的にフローティングになっている。これによると、ウェル領域33を所定の電位に固定するための電極が不要となるので、その分、半導体圧力センサのチップを小さくすることができる。
上記各実施形態で示された半導体圧力センサの構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、キャップ部40はシリコン基板41と絶縁層42とで構成されていたが、これは一例であり、例えばガラス等の絶縁材料で構成されていても良い。一方、絶縁層42が複数の層で構成されていても良い。
32 ダイヤフラム
33 ウェル領域
34 第1コンタクト領域(分離手段)
35 ゲージ領域
40 キャップ部(キャップ基板)
43 凹部
44 圧力基準室
50 貫通電極(分離手段)
Claims (1)
- 圧力媒体の圧力が印加されると共に一部が薄肉化されたダイヤフラム(32)を有する第1導電型の半導体基板(31)と、
前記ダイヤフラム(32)に対応する位置に凹部(43)を有し、前記半導体基板(31)に接合されると共に前記半導体基板(31)と前記凹部(43)とで圧力基準室(44)を構成するキャップ基板(40)と、
を備え、
前記半導体基板(31)は、
当該半導体基板(31)の表層部のうち前記ダイヤフラム(32)を含んだ領域に形成された第2導電型のウェル領域(33)と、
前記ウェル領域(33)の表層部のうち前記ダイヤフラム(32)に対応した位置にホイートストンブリッジ回路を構成するように形成されていると共に、前記圧力基準室(44)の圧力を基準として前記圧力媒体の圧力を検出する複数の第1導電型のゲージ領域(35)と、
前記圧力媒体が電位を持った状態で前記半導体基板(31)に接触したときに、前記圧力媒体の電位と前記ウェル領域(33)の電位とを分離する分離手段(38、39、42)と、
を有し、
前記キャップ基板(40)は、前記半導体基板(31)に接触する部分に形成されると共に前記半導体基板(31)に接合された絶縁層(42)を有し、
前記半導体基板(31)は、前記ウェル領域(33)が形成された第1導電層(31a)と、前記第1導電層(31a)のうち前記キャップ基板(40)とは反対側に形成された絶縁膜(31c)と、前記絶縁膜(31c)の上に形成されると共に前記第1導電層(31a)及び前記絶縁膜(31c)のうち前記ダイヤフラム(32)に対応した部分に前記絶縁膜(31c)を露出させる溝部(31d)が形成された第2導電層(31b)と、が積層されたSOI基板(31)で構成されており、
前記分離手段は、前記絶縁層(42)と、前記ウェル領域(33)を含んだ領域を囲むように前記第1導電層(31a)に形成されていると共に前記絶縁膜(31c)に達するトレンチ(38)と、前記トレンチ(38)に埋め込まれた絶縁部材(39)と、によって構成されており、
前記ウェル領域(33)は、電気的にフローティングになっていることを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013175443A JP6142735B2 (ja) | 2013-08-27 | 2013-08-27 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013175443A JP6142735B2 (ja) | 2013-08-27 | 2013-08-27 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015045512A JP2015045512A (ja) | 2015-03-12 |
JP6142735B2 true JP6142735B2 (ja) | 2017-06-07 |
Family
ID=52671134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013175443A Active JP6142735B2 (ja) | 2013-08-27 | 2013-08-27 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6142735B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02116174A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-27 | Nec Corp | 半導体圧力センサ |
JP2005043159A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Hitachi Unisia Automotive Ltd | 圧力センサ |
JP5293655B2 (ja) * | 2010-03-16 | 2013-09-18 | 株式会社デンソー | ウェハレベルパッケージ構造体、センサエレメント、センサデバイス、及びそれらの製造方法 |
-
2013
- 2013-08-27 JP JP2013175443A patent/JP6142735B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015045512A (ja) | 2015-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8278731B2 (en) | Semiconductor device having SOI substrate and method for manufacturing the same | |
TWI556331B (zh) | 微機電裝置及其形成方法 | |
EP1860417B1 (en) | A pressure sensor having a chamber and a method for fabricating the same | |
JP5206826B2 (ja) | 領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法 | |
JP2008229833A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
TW201526205A (zh) | 半導體設備、半導體結構、以及半導體結構之形成方法 | |
TWI744398B (zh) | 積體電路裝置及其形成方法 | |
JP2009016717A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2002071493A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2014143399A (ja) | 基板および基板接合方法 | |
JP2008256495A (ja) | センサ装置 | |
US10468322B2 (en) | Semiconductor device capable of suppressing cracks of through-hole protective film and short circuit of adjacent through-electrodes | |
JP6142735B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
US10209155B2 (en) | Physical quantity sensing semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP2011176100A (ja) | 貫通電極、微小構造体及びそれらの製造方法 | |
JP4883077B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2000124466A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
JP4821839B2 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
JP2014102225A (ja) | 物理量センサおよびその製造方法 | |
JP6142736B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP6897703B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2013187512A (ja) | 半導体装置 | |
JP2011199301A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6237515B2 (ja) | 圧力センサおよびその製造方法 | |
JP2022158097A (ja) | 半導体圧力センサ及び半導体圧力センサの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170411 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170424 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6142735 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |