JP2007132942A - センサ装置およびセンサ装置を製作するための方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】マイクロマシニング型の圧力センサであって、基板の表側が、媒体に面しており、センサ領域を備えたセンサダイヤフラムが、表側に配置された形式のものに関して、パッシベーションゲルを使用することなしに、電気的なコンタクティング部が媒体にさらされないようにする。
【解決手段】センサ領域と裏側との間の電気的なコンタクティング部を、少なくとも１つのコンタクトホールを裏側から基板に加工することにより、センサ領域が、裏側に電気的にコンタクティングされているようにした。
【選択図】図３
【解決手段】センサ領域と裏側との間の電気的なコンタクティング部を、少なくとも１つのコンタクトホールを裏側から基板に加工することにより、センサ領域が、裏側に電気的にコンタクティングされているようにした。
【選択図】図３
Description
本発明は、センサ装置、特にマイクロマシニング型の圧力センサであって、表側と裏側とを備えた基板が設けられており、表側が、媒体に面しており、裏側が、基板の反対側に配置されており、少なくとも１つのセンサ領域を備えたセンサダイヤフラムが、表側に配置されており、切欠きまたは中空室が、センサダイヤフラムの、表側と反対の側に配置されている形式のものに関する。
さらに、本発明は、このようなセンサ装置を製作するための方法に関する。
ドイツ連邦共和国特許出願公開第１０３２３５５９号明細書に基づき、すでにマイクロマシニング技術を用いて製作された装置、特に圧力センサが公知である。この場合、この公知の圧力センサは、機械的な力を電気的な信号に変換するためのピエゾ抵抗式の変換原理に基づいている。ピエゾ抵抗式の変換エレメントを備えたマイクロマシニング型の圧力センサの慣用の構造は図１に示してある。陽極エッチングされたダイヤフラムを備えた基板がガラスに陽極接合されている。さらに、ドイツ連邦共和国特許出願公開第１００３２５７９号明細書により、ダイヤフラムと、このダイヤフラムの背後に位置する中空室とを多孔質のシリコンによって製作することが公知である。このようなセンサ構造は図２に示してある。チップがセラミックスにまたはプリモールドパッケージに接着されていて、環境影響に対する防護のためにゲルでパッシベーションされている。このゲルはゲルリングによってチップに保持される。ゲルによるパッシベーションでは、ガスが、特に高い圧力下でゲル内に拡散することが欠点である。溶解されたガスが、たとえば圧力低下時に再びガス状になると、ゲル内で延びる、チップに対するコンタクトを形成するボンディングワイヤが破壊され得る。
ドイツ連邦共和国特許出願公開第１０３２３５５９号明細書
ドイツ連邦共和国特許出願公開第１００３２５７９号明細書
したがって、本発明の課題は、冒頭で述べた形式のセンサ装置およびセンサ装置を製作するための方法を改良して、パッシベーションゲルを使用することなしに、電気的なコンタクティング部が媒体にさらされないようにすることである。
この課題を解決するために本発明のセンサ装置では、センサ領域が、裏側に電気的にコンタクティングされているようにした。
さらに、前記課題を解決するために本発明の方法では、センサ領域と裏側との間の電気的なコンタクティング部を、まず、少なくとも１つのコンタクトホールを裏側から基板に加工、有利には異方性エッチングまたはトレンチエッチングし、その後、裏側および／またはコンタクトホールに少なくとも部分的に金属層を、有利にはフォトリソグラフィプロセスおよび／またはスパッタリングおよび／または蒸着によって設け、電気的なコンタクトを金属製の導体によってかつ／または基板の領域のドーピングによって製作することにより形成するようにした。
独立請求項の特徴を備えた本発明によるセンサ装置は従来のものに比べて、センサチップがその裏側、すなわち、媒体と反対の側から電気的にコンタクティングされ得るという利点を有している。電気的な接続領域は、媒体にさらされている領域から分離されている。媒体にさらされている領域へのパッシベーションゲルの使用は、有利には省略することができる。本発明によるセンサ装置の構造は簡単に廉価に製作することができ、マイクロマシニング型の絶対圧センサまたは差圧センサのために適している。特に有利には、本発明によるセンサ装置は、圧力センサとして比較的高い圧力範囲、たとえば１０ｂａｒ以上で使用可能である。本発明による構成によって、センサ装置は、化学的に侵食性の周辺、たとえばパーティクルフィルタの領域における絶対圧センサまたは差圧センサのためにも特に適している。パッシベーションゲルの使用が不可能であるかまたは少なくとも困難である別の使用領域は、有利には、本発明によるセンサ装置によって、たとえば車両のタイヤ圧のためのセンサまたはエアバッグ、特にサイドエアバッグのための圧力センサとしてカバーすることができる。
従属請求項に記載した手段によって、独立請求項に記載したセンサ装置もしくはセンサ装置を製作するための方法の有利な構成および実施態様が可能となる。
コンタクティングは、有利にはウェーハ、すなわち、基板を貫いて行われる。このためには、センサ装置が少なくとも１つ、特に有利には４つのコンタクトホールを有している。このコンタクトホールは基板の裏側から基板内に延びていて、有利には、ほぼ基板の表側にまで延びている。基板の裏側は少なくとも部分的に、特にコンタクトホールを取り囲むように導電性の層を備えている。この導電性の層はコンタクトホール内にまで延びており、これによって、導電性の接続部が裏側からコンタクトホール内にまでひいては基板の表側に付与されている。センサ領域と裏側との間の電気的なコンタクティング部は、有利には金属製の導体によってかつ／または基板に設けられたドーピングされた領域によって形成される。裏側には、メタライゼーションによって、有利には電気的なコンタクトまたはコンタクト領域が形成されている。このコンタクトまたはコンタクト領域は直接、たとえばフリップチップコンタクティングを介してプリント配線板に導電的に接続可能であるかまたはボンディングワイヤを介してプリント配線板に導電的に接続可能である。センサダイヤフラムの変位は、本発明によればピエゾ抵抗式にまたは容量式にセンシング可能であってよい。センサ装置が、応力分離のための手段を有していると特に有利である。この応力分離のための手段は、周辺からのセンサダイヤフラムの分離を生ぜしめ、これによって、測定に与えられる影響が減じられる。このためには、センサダイヤフラムが、たとえば全周にわたって延びる溝または分離ダイヤフラムによって、有利には環状に取り囲まれる。応力分離のための手段ならびにコンタクトホールは、既知の適切なエッチング法によって製作することができる。
本発明の別の対象は、本発明によるセンサ装置を製作するための方法である。この場合、有利には、まず、少なくとも１つのコンタクトホールを裏側から基板に加工、有利にはエッチングし、その後、裏側および／またはコンタクトホールに少なくとも部分的に金属層を、有利にはフォトリソグラフィプロセスおよび／またはスパッタリングおよび／または蒸着によって設けることによって、センサ領域と裏側との間の電気的なコンタクトが形成される。この電気的なコンタクトは、有利には金属製の導体によってかつ／または基板の領域のドーピングによって製作される。これによって、有利には、本発明によるセンサ装置が簡単にかつ廉価に製作可能となる。
さらに、本発明による方法では、有利には、センサダイヤフラムおよび／または分離ダイヤフラムを基板に形成するために、基板の一部領域が、有利には５０％よりも多い多孔度、有利には８０％よりも多い多孔度を備えて多孔質にエッチングされ、中空室が、多孔質にエッチングされた部分領域における基板の一部を中空室を取り囲むように堆積させることによって形成されるかもしくは中空室が、多孔質にエッチングされた部分領域における基板の一部の溶解によって形成される。これによって、本発明によれば、有利には、中空室を出入口の加工およびサイドエッチング法の使用なしに形成することができることが可能となる。
以下に、本発明を実施するための最良の形態を図面につき詳しく説明する。
図１には、ピエゾ抵抗式の変換エレメント７を備えたマイクロマシニング型のシリコン圧力センサの構造が示してある。基板４は表側２を有している。この表側２は圧力媒体１４に面している。この媒体１４の圧力は矢印Ｐの方向で圧力センサに作用する。基板４の表側２には、センサ領域７，ここでは、ピエゾ抵抗式の変換エレメント７を備えたダイヤフラム５が位置している。このダイヤフラム５の背後では、切欠き６が基板４に異方性エッチングにより加工されている。基板４をパイレックスガラス１５に陽極接合することによって、切欠き６が中空室６を基板４とパイレックスガラス１５との間に形成する。基板４とパイレックスガラス１５との複合体は、プリント配線板１２もしくはパッケージ１７、たとえばプリモールドパッケージに接着層１６またははんだ層１６によって結合されている。基板４の表側２はボンディングワイヤ１１によってプリント配線板１２に導電的に接続されている。このプリント配線板１２もしくはパッケージ１７に設けられたゲルリング１８は装置を取り囲んでいて、パッシベーションゲル１３で充填されている。図示のセンサは絶対圧センサである。媒体１４の圧力によるセンサダイヤフラム５の伸長は、ピエゾ抵抗式の変換エレメント７によって測定される。この変換エレメント７の信号は集積回路によって評価することができる。
図２にも同じく、公知先行技術による絶対圧センサが示してある。背後に位置する中空室６を備えたセンサダイヤフラム５は、ドイツ連邦共和国特許出願公開第１００３２５７９号明細書に記載されているように、多孔質のシリコンによって表面マイクロマシニング法で製作されている。したがって、基板４を、有利には直接プリント配線板１２もしくはパッケージ１７に接着することができる。したがって、ガラスに対する陽極接合を省略することができる。
図３には、本発明によるセンサ装置が断面図で示してある。基板４は表側２の部分領域でパッケージ１７に結合されていて、特に接着されているかまたはろう接されている。この場合、このパッケージ１７は、媒体１４の圧力が表側２、特にセンサダイヤフラム５に作用し得るように形成されている。このことは、矢印Ｐによって図示してある。基板４はコンタクトホール８を有している。このコンタクトホール８は、たとえば異方性エッチングにより形成することができる。このコンタクトホール８の壁には、導電性の層９が少なくとも部分的に配置されている。この導電性の層９は裏側３の領域にまで延びている。導電性の層９は、たとえばアルミニウムから成る金属層またはクロムと金とから成る合金またはチタンと金とから成る合金から成る金属層である。この金属層は被着され、有利には構造化される。この構造化のためには、フォトリソグラフィプロセスを使用することができる。このフォトリソグラフィプロセスでは、フォトレジストがトポグラフィに対して、特に深いコンタクトホール８では十分な焦点深度で露光され得る。レジストの塗布のためには、たとえばスプレー塗布法が有利である。しかし、導電性の層９を被着するためには、当業者に周知のあらゆる別の方法、たとえばシェードマスクを通したスパッタリングまたは蒸着も同じく使用可能である。
センサダイヤフラム５は、たとえば表面マイクロマシニング法によって多孔質のシリコンの使用下で基板４の部分領域に製作されている。本発明によれば、特に有利には、応力緩和のための手段１０が設けられている。これに対する例として、図３には、応力緩和ダイヤフラム１０が示してある。この応力緩和ダイヤフラム１０はセンサダイヤフラム５を基板平面で取り囲んでいる。応力緩和ダイヤフラム１０は同じく、前述した方法により製作することができる。
裏側３に設けられたコンタクト面９によって、たとえばボンディングワイヤ１１を用いてプリント配線板１２に対するコンタクトを形成することが可能となる。コンタクト面９とボンディングワイヤ１１とは、基板４の、媒体１４と反対の側の裏側３に位置していて、したがって、極めて良好に腐食に対して防護されている。基板４の、媒体１４に面した表側２にパッシベーションゲル層が配置されている必要がないことが明確となる。したがって、有利には、ガス状の媒体１４がゲル内に拡散することが阻止される。その代わりに、表側２の表面をパッシベーション層、防護層または付着防止層１９で被覆することができる。この層１９は、たとえば防食手段として働く。当業者は、裏側３が、たとえばコンタクト面９の防護のために、付加的にパッシベーションゲルで被覆されていてよいことを心得ている。なぜならば、この領域が、本発明によれば、媒体１４に接触しないからである。
図４には、差圧センサとしての本発明によるセンサ装置の択一的な構成が示してある。基板の表側２が、矢印Ｐによって図示したように、媒体１４の圧力で負荷されているのに対して、反対の側に位置する裏側３は、矢印Ｐ’によって図示したように、別の媒体１４’の圧力で負荷されている。センサダイヤフラム５の裏側３に設けられた切欠き６は、たとえばトレンチエッチングプロセスによって製作可能である。切欠き６は、この事例では、中空室を形成していない。センサダイヤフラム５の伸長は、両媒体１４，１４’の圧力差に依存している。
図示の例では、トレンチエッチングされた、全周にわたって延びる溝１０の形の応力緩和のための手段１０が設けられている。コンタクトホール８も、有利にはトレンチエッチング法によって基板４に加工されている。
図５には、図３に示したセンサ装置の裏側３の平面図が示してある。センサ領域７を備えた、表側２に位置するセンサダイヤフラム５は、実線で図示してある。基板４の裏側３に４つのコンタクト領域９が図示してある。これらのコンタクト領域９は、それぞれボンディングワイヤ１１によって別のコンタクティング面９、たとえばプリント配線板１２に設けられた導体路に接触させられている。裏側３に設けられた各コンタクト領域９のメタライゼーション層は、それぞれ４つのコンタクトホール８の１つにまで延びている。導電性の層９は、基板の裏側３と、表側２もしくはセンサダイヤフラム５に位置するセンサ領域７との間のコンタクティング部の一部を形成している。個々のコンタクティング部を、以下に記載した図１１〜図１４につき詳しく説明する。
図６〜図１０には、択一的なコンタクティング部を備えた本発明によるセンサ装置１の第１もしくは第２の構成の種々異なる図が示してある。図６〜図１０を以下に一緒に説明する。択一的なコンタクティング部によって、ウェーハ貫通コンタクティング部と環状のろう接部とを備えたマイクロマシニング型のピエゾ抵抗式の絶対圧センサまたは差圧センサの簡単なかつ廉価な構造が実現される。ボンディングワイヤ１１を介した裏側３のコンタクティングの場合のように、択一的なコンタクティングの場合でも、センサ装置１を表側２から媒体１４で負荷しかつ裏側３から電気的にコンタクティングすることが可能となる。センサ装置１もしくはセンサ装置１の基板４を環状の線路３１でろう接することによって、有利には、化学的に侵食性の周辺と同時に高い圧力での使用が可能となる。線路３１は安定性を提供すると同時に内側のコンタクトを防護する。媒体供給部と電気的なコンタクティング部とのチップ側の分離によって、媒体１４にさらされる領域でのパッシベーションゲルの回避が可能となる。選択的には、組付け応力をセンサダイヤフラム５から遠ざけるために、応力分離のための手段１０もしくは応力分離手段１０が使用され得る。図６には、コンタクトホール８の表側と、センサダイヤフラム５と、選択的にモノリシックにセンサ装置１と共に統合された評価回路の回路領域３０とを備えた、択一的なコンタクティング部のために調整された本発明によるセンサ装置１の表側２が示してある。図７には、コンタクトホール８の領域に被着された導電性の層９の、全周にわたって延びる線路３１のコンタクトホール８と、基板４の部分領域とを備えた、択一的なコンタクティング部のために調整された（図８に示した）本発明によるセンサ装置１の裏側３が示してある。導電性の層９もしくはコンタクト面はリング３１によって、侵食性の媒体に対して防護されている。図８および図９には、択一的なコンタクティング部のために調整された本発明によるセンサ装置１の断面図が示してある。この場合、図８には、絶対圧センサが示してあり、図９には、相対圧センサが示してある。センサ装置１はプリント配線板１２に線路３１と結合部、特にろう接結合部とを介して固定されている。媒体１４の圧力（もしくは媒体１４，１４’の圧力Ｐ，Ｐ’）は、中空室６もしくは切欠き６の上方でのセンサダイヤフラム５の変位を生ぜしめる。応力分離のための手段１０は選択的に設けられている。さらに、コンタクトホール８と防護層もしくは付着防止層１９とが図示してある。符号３３；３４によって、プリント配線板１２に設けられた導体路もしくは裏側のボンディングパッドが示してある。符号３２によって、プリント配線板１２とセンサ装置１との間の結合のための結合媒体、特にはんだもしくは接着剤が示してある。図１０には、図９に示したセンサ装置の裏側３が示してある。この場合、センサダイヤフラム５を取り囲むように配置された線路３１が、外部に位置するコンタクト領域９を媒体１４，１４’の影響に対して防護している。
図１１〜図１４には、それぞれ図３で円内に位置する、センサ領域７と基板４の裏側３との間のコンタクティング部の種々異なる構成における詳細が示してある。コンタクトホール８は裏側３から基板４内に延びている。この基板４には、中空室６と応力緩和のための手段１０とが図示してある。この中空室６と応力緩和のための手段１０とは、基板のエピタキシャル層２０に隣接している。このエピタキシャル層２０は、有利には十分に単結晶のシリコンから成っている。このシリコンには、公知の形式でピエゾ抵抗７がドーピングによって形成される。接着剤またははんだ１６は、パッケージ１７もしくはプリント配線板１２と表側２とを結合する。付着防止層または防護層１９と酸化物層２１とは表側２の表面に被着されている。
センサダイヤフラム５には、ピエゾ抵抗７としてのセンサ領域７が図示してある。このセンサ領域７は、たとえばセンサダイヤフラム５の、ベースドーピング（ｐ型ドーピング）された領域７によって形成することができる。この領域７は、同じくベースドーピング（ｐ型ドーピング）された絶縁領域２２に接続されている。この絶縁領域２２はセンサダイヤフラム５を取り囲んでいて、金属導体２３によってコンタクティングされている。たとえばアルミニウムから成るこの金属導体２３は酸化物層２１を貫いて表側２の方向に延びていて、引き続き、酸化物層２１と防護層１９との間で延びていて、コンタクトホール８の領域で再び酸化物層２１を貫いて裏側３の方向に延びている。
図１１では、コンタクトホール８が、たとえば水酸化カリウム（ＫＯＨ）または水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）による異方性エッチングによって形成されている。このエッチング法では、ｐｎエッチングストップによって、エッチング過程が、基板４から、エピタキシャル層２０の境界における伝導層ドーピングされた領域２４へのｐｎ接合で終わっている。したがって、コンタクトホール８の導電性の層９が、伝導層ドーピングされた領域２４にコンタクティングされている。金属導体２３は、エミッタドーピングされた領域２６に対するコンタクトを有している。この領域２６は、コレクタドーピングされた領域２５を介して、伝導層ドーピングされた領域２４に接続されている。こうして、ピエゾ抵抗７から、裏側３の、メタライゼーションされた層９までのコンタクティング部が付与されている。このコンタクティング部は、部分的に金属製の導体と、部分的にドーピングされた半導体領域とを有している。
図１２には、本発明によるコンタクティング部の別の実施例が示してある。コンタクトホール８は、たとえば異方性エッチングによって酸化物層２１にまで形成されている。トレンチエッチングプロセスを使用することも同じく可能である。このトレンチエッチングプロセスは酸化物層２１によってストップされるようになっている。これに対して、異方性エッチングは防護層１９にまで進行してもよい。導電性の層９のコンタクティングは、ここでは、エミッタドーピングされた領域２６と、コレクタドーピングされた領域２５と、伝導層ドーピングされた領域２４との側方で行われる。
トレンチエッチングによって形成されたコンタクトホール８を備えた構成は図１３に示してある。トレンチエッチングプロセスは酸化物層２１によってストップされる。この酸化物層２１は湿式化学的にまたはプラズマで開放され、有利にはトレンチと同じ裏側マスキングで開放される。金属導体２３で酸化物エッチングストップが行われる。金属導体２３は、この実施例では、酸化物層２１を貫いて延びておらず、コンタクトホール８が酸化物層２１を貫いて延びていて、したがって、導電性の層９に対して直接接触している。コンタクトホール８を取り囲むように、絶縁領域２２がドーピングによって形成されている。これによって、有利には漏れ電流が回避される。
別の構成は図１４に示してある。図１３と同じく、コンタクトホール８はトレンチエッチングによって基板４に加工されている。したがって、製作は同じく類似して行われる。コンタクトホールの表面と、基板４の裏側３とは、ここでは、酸化物層２１によって付加的に被覆されている。当業者は、この酸化物層２１が裏側メタライゼーション層９の被着・構造化前に基板４に析出されなければならないことを心得ている。酸化物層のかわりに、既知の形式の別のあらゆる絶縁層が被着されてもよい。これらの絶縁層は、基板４と導電性の表面９との間の絶縁体として適している。生産プロセスの間にコンタクトホール８の底部を被覆する付加的な絶縁層もしくは酸化物層２１は、有利には、基板４の表側２に設けられた酸化物層２１と一緒に開放される。図１１および図１２に示した、異方性エッチングによって形成されたコンタクトホール８を備えた構成も、基板４に対する電気的な絶縁層を保証するために、メタライゼーション層９の下方の付加的な酸化物層２１を備えて製作することができる。
さらに、図１４には、センサ領域７とコンタクトホール８の導電性の表面９との間のコンタクティング部の択一的な構成が示してある。コンタクトは、ドーピングされた絶縁領域２２を介して行われる。この絶縁領域２２はコンタクトホール８の近くにまで延びている。金属導体２３とのコンタクトは、基板４の表側２がパッケージ１７に接着剤またははんだ１６によって結合されている領域で行われる。このことは、表側２の表面の近くで延びる金属導体２３が媒体１４にさらされていないという利点を有している。このことは、特に侵食性の媒体の場合に重要となり得る。なぜならば、パッシベーション層１９が、たとえば欠陥を有し得るからである。
１ センサ装置、 ２ 表側、 ３ 裏側、 ４ 基板、 ５ ダイヤフラム、 ６ 切欠き、 ７ 変換エレメント、 ８ コンタクトホール、 ９ 導電性の層、 １０ 応力緩和のための手段、 １１ ボンディングワイヤ、 １２ プリント配線板、 １３ パッシベーションゲル、 １４，１４’ 媒体、 １５ パイレックスガラス、 １６ 接着剤またははんだ、 １７ パッケージ、 １８ ゲルリング、 １９ 防護層、 ２０ エピタキシャル層、 ２１ 酸化物層、 ２２ 絶縁領域、 ２３ 金属導体、 ２４ 伝導層ドーピングされた領域、 ２５ コレクタドーピングされた領域、 ２６ エミッタドーピングされた領域、 ３０ 回路領域、 ３１ 線路、 ３２ 結合媒体、 ３３ 導体路、 ３４ ボンディングパッド、 Ｐ，Ｐ’ 矢印
Claims (10)
- センサ装置（１）、特にマイクロマシニング型の圧力センサ（１）であって、表側（２）と裏側（３）とを備えた基板（４）が設けられており、表側（２）が、媒体に面しており、裏側（３）が、基板（４）の反対側に配置されており、少なくとも１つのセンサ領域（７）を備えたセンサダイヤフラム（５）が、表側（２）に配置されており、切欠き（６）または中空室（６）が、センサダイヤフラム（５）の、表側（２）と反対の側に配置されている形式のものにおいて、センサ領域（７）が、裏側（３）に電気的にコンタクティングされていることを特徴とする、センサ装置。
- 当該センサ装置（１）が、少なくとも１つのコンタクトホール（８）を有しており、該コンタクトホール（８）が、裏側（３）から基板（４）内に延びていて、有利には表側（２）にまで延びているかまたは表側（２）に配置された層（２０，２１，２３，２４）にまで延びている、請求項１記載のセンサ装置。
- 裏側（３）の少なくとも一部および／またはコンタクトホール（８）が、導電性の層（９）、有利には、たとえばアルミニウムおよび／またはクロムおよび／またはチタンおよび／または金から成る構造化された金属層を備えている、請求項１または２記載のセンサ装置。
- センサ領域（７）と裏側（３）との間の電気的なコンタクティング部が、金属製の導体（９，２３）および／またはドーピングされた領域（２２，２４，２５，２６）から形成されている、請求項１から３までのいずれか１項記載のセンサ装置。
- 当該センサ装置が、ほぼセンサダイヤフラム（５）を取り囲むように配置された応力分離のための手段（１０）、特に、有利には表側に加工された全周にわたって延びる溝または、有利にはセンサダイヤフラム（５）を基板（４）の内部で環状に取り囲む分離ダイヤフラムを有している、請求項１から４までのいずれか１項記載のセンサ装置。
- コンタクトホール（８）および／または全周にわたって延びる溝（１０）が、エッチング法、有利には異方性エッチングまたはトレンチエッチング法によって製作されている、請求項１から５までのいずれか１項記載のセンサ装置。
- 裏側（３）が、少なくとも１つの電気的なコンタクトまたはコンタクト領域（９）を有しており、該コンタクトまたは該コンタクト領域（９）が、特にボンディングワイヤ（１１）によって導電的にプリント配線板（１２）に接続されているかまたは特に直接、有利にはフリップチップ接続によって導電的にプリント配線板（１２）に接続されている、請求項１から６までのいずれか１項記載のセンサ装置。
- センサダイヤフラム（５）の変位が、ピエゾ抵抗式にまたは容量式にセンシング可能であり、有利には評価回路によって評価可能である、請求項１から７までのいずれか１項記載のセンサ装置。
- 請求項１から８までのいずれか１項記載のセンサ装置を製作するための方法において、センサ領域（７）と裏側（３）との間の電気的なコンタクティング部を、まず、少なくとも１つのコンタクトホール（８）を裏側（３）から基板（４）に加工、有利には異方性エッチングまたはトレンチエッチングし、その後、裏側（３）および／またはコンタクトホール（８）に少なくとも部分的に金属層（９）を、有利にはフォトリソグラフィプロセスおよび／またはスパッタリングおよび／または蒸着によって設け、電気的なコンタクトを金属製の導体（９，２３）によってかつ／または基板の領域（２２，２４、２５，２６）のドーピングによって製作することにより形成することを特徴とする、センサ装置を製作するための方法。
- 基板（４）の一部領域を、有利には５０％よりも多い多孔度、有利には８０％よりも多い多孔度を備えて多孔質にエッチングし、中空室（６）を、多孔質にエッチングされた部分領域における半導体材料の一部を中空室（６）を取り囲むように堆積させることによって形成するかもしくは中空室（６）を、多孔質にエッチングされた部分領域における半導体材料の一部の溶解によって形成することにより、センサダイヤフラム（５）および／または分離ダイヤフラム（１０）を基板（４）に形成する、請求項９記載の方法。
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