JP2017052092A - 変更した応力特性を有する薄膜を形成する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
〔態様1〕
薄膜の応力特性を変更する方法であって、
薄膜層を用意するステップと、
所望の応力変更を決定するステップと、
前記決定した所望の応力変更に基づいて前記薄膜層内に少なくとも1つのトラフを形成するステップと、
を含む方法。
〔態様2〕
前記薄膜層の下にあるハンドル層から前記薄膜層をリリースするステップをさらに含む、態様1に記載の方法。
〔態様3〕
少なくとも1つのトラフを形成するステップが、前記決定した所望の応力変更に基づいて前記少なくとも1つのトラフについてのトラフ幾何学的形状を決定するステップを含む、態様1に記載の方法。
〔態様4〕
トラフ幾何学的形状を決定するステップが、前記決定した所望の応力変更に基づいて前記少なくとも1つのトラフの幅、深さ、および形状を決定するステップを含む、態様3に記載の方法。
〔態様5〕
所望の応力変更を決定するステップが、前記薄膜の応力集中領域を決定するステップを含み、
少なくとも1つのトラフを形成するステップが、
前記決定した応力集中領域に基づいてトラフパターンを決定するステップと、
前記決定したトラフパターンに基づいて少なくとも1つのトラフを形成するステップと
を含む、態様1に記載の方法。
〔態様6〕
所望の応力変更を決定するステップが、前記薄膜の応力分離領域を決定するステップを含み、
少なくとも1つのトラフを形成するステップが、
前記決定した応力分離領域に基づいてトラフパターンを決定するステップと、
前記決定したトラフパターンに基づいて少なくとも1つのトラフを形成するステップと、
を含む、態様1に記載の方法。
〔態様7〕
少なくとも1つのトラフを形成するステップが、
前記決定した所望の応力変更に基づいてトラフパターンを決定するステップと、
前記決定したトラフパターンに基づいて少なくとも1つのトラフを形成するステップと、
を含む、態様3に記載の方法。
〔態様8〕
少なくとも1つのトラフを形成するステップが、前記薄膜層の薄膜部分に隣接した位置のところに少なくとも1つのトラフを形成するステップを含む、態様7に記載の方法。
〔態様9〕
少なくとも1つのトラフを形成するステップが、前記薄膜層の薄膜部分の内側の位置のところに少なくとも1つのトラフを形成するステップを含む、態様7に記載の方法。
〔態様10〕
少なくとも1つのトラフを形成するステップが、前記薄膜層の薄膜部分の端部に平行に少なくとも1つのトラフを形成するステップを含む、態様7に記載の方法。
〔態様11〕
少なくとも1つのトラフを形成するステップが、
第1のトラフ深さを有する第1のトラフを形成するステップと、
第2のトラフ深さを有する第2のトラフを形成するステップと、を含み、
前記第1のトラフ深さが前記第2のトラフ深さよりも深い、態様7に記載の方法。
〔態様12〕
少なくとも1つのトラフを形成するステップが、
前記薄膜層の薄膜部分の端部に平行に第1のトラフの少なくとも一部分を形成するステップと、
前記薄膜層の前記薄膜部分の前記端部に平行に第2のトラフの少なくとも一部分を形成するステップと、
を含む、態様7に記載の方法。
〔態様13〕
前記第1のトラフの前記少なくとも一部分が、前記第2のトラフの前記少なくとも一部分に平行である、態様12に記載の方法。
〔態様14〕
前記第1のトラフが、前記第2のトラフと一部だけ重なる、態様13に記載の方法。
〔態様15〕
少なくとも1つのトラフを形成するステップが、少なくとも1つの湾曲したトラフを形成するステップを含む、態様7に記載の方法。
〔態様16〕
少なくとも1つのトラフを形成するステップが、
前記薄膜層の上側表面を通る第1のトラフを形成するステップと、
前記薄膜層の下側表面を通る第2のトラフを形成するステップと、
を含む、態様7に記載の方法。
Claims (16)
- 薄膜の応力特性を変更する方法であって、
薄膜層を用意するステップと、
所望の応力変更を決定するステップと、
前記決定した所望の応力変更に基づいて前記薄膜層内に少なくとも1つのトラフを形成するステップと
を含む方法。 - 前記薄膜層の下にあるハンドル層から前記薄膜層をリリースするステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 少なくとも1つのトラフを形成するステップが、
前記決定した所望の応力変更に基づいて前記少なくとも1つのトラフについてのトラフ幾何学的形状を決定するステップ
を含む、請求項1に記載の方法。 - トラフ幾何学的形状を決定するステップが、
前記決定した所望の応力変更に基づいて前記少なくとも1つのトラフの幅、深さ、および形状を決定するステップ
を含む、請求項3に記載の方法。 - 所望の応力変更を決定するステップが、前記薄膜の応力集中領域を決定するステップを含み、
少なくとも1つのトラフを形成するステップが、
前記決定した応力集中領域に基づいてトラフパターンを決定するステップと、
前記決定したトラフパターンに基づいて少なくとも1つのトラフを形成するステップと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 所望の応力変更を決定するステップが、前記薄膜の応力分離領域を決定するステップを含み、
少なくとも1つのトラフを形成するステップが、
前記決定した応力分離領域に基づいてトラフパターンを決定するステップと、
前記決定したトラフパターンに基づいて少なくとも1つのトラフを形成するステップと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 少なくとも1つのトラフを形成するステップが、前記決定した所望の応力変更に基づいてトラフパターンを決定するステップと、
前記決定したトラフパターンに基づいて少なくとも1つのトラフを形成するステップと
を含む、請求項3に記載の方法。 - 少なくとも1つのトラフを形成するステップが、前記薄膜層の薄膜部分に隣接した位置のところに少なくとも1つのトラフを形成するステップを含む、請求項7に記載の方法。
- 少なくとも1つのトラフを形成するステップが、前記薄膜層の薄膜部分の内側の位置のところに少なくとも1つのトラフを形成するステップを含む、請求項7に記載の方法。
- 少なくとも1つのトラフを形成するステップが、前記薄膜層の薄膜部分の端部に平行に少なくとも1つのトラフを形成するステップを含む、請求項7に記載の方法。
- 少なくとも1つのトラフを形成するステップが、
第1のトラフ深さを有する第1のトラフを形成するステップと、
第2のトラフ深さを有する第2のトラフを形成するステップとを含み、前記第1のトラフ深さが前記第2のトラフ深さよりも深い、
請求項7に記載の方法。 - 少なくとも1つのトラフを形成するステップが、
前記薄膜層の薄膜部分の端部に平行に第1のトラフの少なくとも一部分を形成するステップと、
前記薄膜層の前記薄膜部分の前記端部に平行に第2のトラフの少なくとも一部分を形成するステップと
を含む、請求項7に記載の方法。 - 前記第1のトラフの前記少なくとも一部分が、前記第2のトラフの前記少なくとも一部分に平行である、請求項12に記載の方法。
- 前記第1のトラフが、前記第2のトラフと一部だけ重なる、請求項13に記載の方法。
- 少なくとも1つのトラフを形成するステップが、少なくとも1つの湾曲したトラフを形成するステップ
を含む、請求項7に記載の方法。 - 少なくとも1つのトラフを形成するステップが、
前記薄膜層の上側表面を通る第1のトラフを形成するステップと、
前記薄膜層の下側表面を通る第2のトラフを形成するステップと
を含む、請求項7に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161475432P | 2011-04-14 | 2011-04-14 | |
US61/475,432 | 2011-04-14 | ||
US13/232,073 | 2011-09-14 | ||
US13/232,073 US8906730B2 (en) | 2011-04-14 | 2011-09-14 | Method of forming membranes with modified stress characteristics |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014505345A Division JP2014511775A (ja) | 2011-04-14 | 2012-04-13 | 変更した応力特性を有する薄膜を形成する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017052092A true JP2017052092A (ja) | 2017-03-16 |
JP6346649B2 JP6346649B2 (ja) | 2018-06-20 |
Family
ID=47006682
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014505345A Pending JP2014511775A (ja) | 2011-04-14 | 2012-04-13 | 変更した応力特性を有する薄膜を形成する方法 |
JP2016220501A Active JP6346649B2 (ja) | 2011-04-14 | 2016-11-11 | 変更した応力特性を有する薄膜を形成する方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014505345A Pending JP2014511775A (ja) | 2011-04-14 | 2012-04-13 | 変更した応力特性を有する薄膜を形成する方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8906730B2 (ja) |
EP (1) | EP2697154A1 (ja) |
JP (2) | JP2014511775A (ja) |
KR (1) | KR101932301B1 (ja) |
CN (1) | CN103534195B (ja) |
SG (1) | SG194480A1 (ja) |
WO (2) | WO2012142400A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9676614B2 (en) | 2013-02-01 | 2017-06-13 | Analog Devices, Inc. | MEMS device with stress relief structures |
US10167189B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-01-01 | Analog Devices, Inc. | Stress isolation platform for MEMS devices |
JP6476869B2 (ja) * | 2015-01-06 | 2019-03-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子機器および移動体 |
US9939338B2 (en) * | 2015-02-19 | 2018-04-10 | Stmicroelectronics S.R.L. | Pressure sensing device with cavity and related methods |
US10131540B2 (en) | 2015-03-12 | 2018-11-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Structure and method to mitigate soldering offset for wafer-level chip scale package (WLCSP) applications |
US10131538B2 (en) | 2015-09-14 | 2018-11-20 | Analog Devices, Inc. | Mechanically isolated MEMS device |
EP3452406B1 (en) | 2016-05-02 | 2020-05-13 | Teknologian Tutkimuskeskus VTT Oy | Mechanically decoupled surface micromechanical element and method for manufacturing the same |
DE102017203384B3 (de) * | 2017-03-02 | 2018-01-18 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanischer Drucksensor |
WO2019059326A1 (ja) * | 2017-09-20 | 2019-03-28 | 旭化成株式会社 | 表面応力センサ、中空構造素子及びそれらの製造方法 |
CN109799026B (zh) * | 2019-03-19 | 2021-12-17 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | Mems压力传感器及制备方法 |
US10899604B2 (en) * | 2019-04-18 | 2021-01-26 | Infineon Technologies Ag | Integration of stress decoupling and particle filter on a single wafer or in combination with a waferlevel package |
US11417611B2 (en) | 2020-02-25 | 2022-08-16 | Analog Devices International Unlimited Company | Devices and methods for reducing stress on circuit components |
CN115335675A (zh) * | 2020-03-27 | 2022-11-11 | 株式会社村田制作所 | 传感器 |
US11981560B2 (en) | 2020-06-09 | 2024-05-14 | Analog Devices, Inc. | Stress-isolated MEMS device comprising substrate having cavity and method of manufacture |
US11795052B2 (en) * | 2020-09-29 | 2023-10-24 | Te Connectivity Solutions Gmbh | Constraint for a sensor assembly |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08247874A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
JP2006030159A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-02-02 | Canon Inc | ピエゾ抵抗型半導体装置及びその製造方法 |
US20110048138A1 (en) * | 2009-09-02 | 2011-03-03 | Ping Wai Li | Mems stress concentrating structure for mems sensors |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2128806A (en) | 1982-09-29 | 1984-05-02 | Itt Ind Ltd | Pressure transducer |
US4905575A (en) * | 1988-10-20 | 1990-03-06 | Rosemount Inc. | Solid state differential pressure sensor with overpressure stop and free edge construction |
US20010001550A1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-05-24 | Janusz Bryzek | Integral stress isolation apparatus and technique for semiconductor devices |
WO2001018857A1 (en) | 1999-09-03 | 2001-03-15 | University Of Maryland, College Park | Process for fabrication of 3-dimensional micromechanisms |
US6913941B2 (en) | 2002-09-09 | 2005-07-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | SOI polysilicon trench refill perimeter oxide anchor scheme |
US7056757B2 (en) | 2003-11-25 | 2006-06-06 | Georgia Tech Research Corporation | Methods of forming oxide masks with submicron openings and microstructures formed thereby |
DE102004006201B4 (de) | 2004-02-09 | 2011-12-08 | Robert Bosch Gmbh | Drucksensor mit Siliziumchip auf einer Stahlmembran |
US7825484B2 (en) | 2005-04-25 | 2010-11-02 | Analog Devices, Inc. | Micromachined microphone and multisensor and method for producing same |
JP4724505B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2011-07-13 | 株式会社日立製作所 | 超音波探触子およびその製造方法 |
JP2007210083A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Hitachi Ltd | Mems素子及びその製造方法 |
TW200738028A (en) | 2006-02-24 | 2007-10-01 | Yamaha Corp | Condenser microphone |
DE102006022377B4 (de) | 2006-05-12 | 2016-03-03 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Vorrichtung |
FR2901264B1 (fr) * | 2006-05-22 | 2008-10-10 | Commissariat Energie Atomique | Microcomposant muni d'une cavite delimitee par un capot a resistance mecanique amelioree |
US20080160659A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Russell William Craddock | Pressure transducer diaphragm and method of making same |
JP5435199B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2014-03-05 | セイコーエプソン株式会社 | 機能デバイス及びその製造方法 |
JP2009182838A (ja) | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Kyoto Univ | 弾性波トランスデューサ、弾性波トランスデューサアレイ、超音波探触子、超音波撮像装置 |
US8148790B2 (en) | 2008-07-08 | 2012-04-03 | Wispry, Inc. | Thin-film lid MEMS devices and methods |
JP5049253B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2012-10-17 | パナソニック株式会社 | 半導体素子 |
ES2342872B1 (es) | 2009-05-20 | 2011-05-30 | Baolab Microsystems S.L. | Chip que comprende un mems dispuesto en un circuito integrado y procedimiento de fabricacion correspondiente. |
-
2011
- 2011-09-14 US US13/232,073 patent/US8906730B2/en active Active
-
2012
- 2012-04-13 KR KR1020137029833A patent/KR101932301B1/ko active IP Right Grant
- 2012-04-13 WO PCT/US2012/033501 patent/WO2012142400A1/en active Application Filing
- 2012-04-13 WO PCT/US2012/033553 patent/WO2012142431A1/en active Application Filing
- 2012-04-13 EP EP12718799.5A patent/EP2697154A1/en not_active Withdrawn
- 2012-04-13 SG SG2013076377A patent/SG194480A1/en unknown
- 2012-04-13 JP JP2014505345A patent/JP2014511775A/ja active Pending
- 2012-04-13 CN CN201280023162.6A patent/CN103534195B/zh active Active
-
2016
- 2016-11-11 JP JP2016220501A patent/JP6346649B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08247874A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
JP2006030159A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-02-02 | Canon Inc | ピエゾ抵抗型半導体装置及びその製造方法 |
US20110048138A1 (en) * | 2009-09-02 | 2011-03-03 | Ping Wai Li | Mems stress concentrating structure for mems sensors |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140026473A (ko) | 2014-03-05 |
JP6346649B2 (ja) | 2018-06-20 |
CN103534195A (zh) | 2014-01-22 |
KR101932301B1 (ko) | 2018-12-24 |
EP2697154A1 (en) | 2014-02-19 |
WO2012142400A1 (en) | 2012-10-18 |
SG194480A1 (en) | 2013-12-30 |
CN103534195B (zh) | 2016-01-27 |
US20120264250A1 (en) | 2012-10-18 |
WO2012142431A1 (en) | 2012-10-18 |
JP2014511775A (ja) | 2014-05-19 |
US8906730B2 (en) | 2014-12-09 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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