JP5401820B2 - センサ - Google Patents
センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5401820B2 JP5401820B2 JP2008084598A JP2008084598A JP5401820B2 JP 5401820 B2 JP5401820 B2 JP 5401820B2 JP 2008084598 A JP2008084598 A JP 2008084598A JP 2008084598 A JP2008084598 A JP 2008084598A JP 5401820 B2 JP5401820 B2 JP 5401820B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoresistive
- sensor
- piezoresistive element
- frame
- piezoresistive elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
センサを提供することにある。
を含むことを特徴とする。
上記方法において、前記複数本のピエゾ抵抗素子の中から少なくとも2本以上のピエゾ抵抗素子を接続して検出部を構成してもよい。
上記方法において、前記複数本のピエゾ抵抗素子を形成する工程において、前記ピエゾ抵抗素子を延長して構成され、かつ隣接するピエゾ抵抗素子間を接続する素子間接続部を形成してもよい。
上記方法において、前記ピエゾ抵抗素子を覆う絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の前記ピエゾ抵抗素子形成領域内に開口された複数のコンタクトホールを形成する工程と、配線を所望の前記コンタクトホールに接続することにより、前記検出部の電気抵抗を調整する工程と、をさらに含んでもよい。
上記方法において、前記梁部の幅を調整する工程を含んでもよい。
造方法を提供できる。
図1に示すように加速度センサ1は、略直方体であり、半導体基板からなるセンサ本体2と、ガラス基板からなる支持基板3により構成されている。説明のため、図では加速度センサの面内に直交する2軸(X軸とY軸)を設定し、この2軸に垂直な方向をZ軸と定めている。センサ本体2はSOI(Silicon On Insulator)基板110からなり、シリコン膜120、シリコン酸化膜130、シリコン基板140が順に積層して構成されている。そして開口を有するフレーム(フレーム121およびフレーム141)内に重錘体(錘部142)が配置され、この重錘体をフレームに対して可動に支持する梁(梁部123)から構成されている。支持基板3はセンサ本体2を支持する台座としての機能と、重錘体の下方(Z軸負方向)への過剰な変位を規制するストッパ基板としての機能を併せもっている。なお、センサ本体2をパッケージ基板(図示しない)へ直接実装する場合には、支持基板3を必ずしも必要としない。
支持基板3は例えば、ガラス基板からなりセンサ本体2と陽極接合により接合されている。
ピエゾ抵抗素子rは絶縁層150に覆われており、配線(後述する)との接続箇所にコンタクトホール151を有している。なお、配線が金属からなる場合、オーミックコンタクトにより接続する。接続抵抗を下げるためにコンタクトホール151に対応したピエゾ抵抗素子領域に、高濃度拡散領域を設けて接続してもよい。なお、図示しないが対となる梁部123上に配設されたRx1〜Rx4、Ry1〜Ry4、Rz1〜Rz4の12個の検出部は検出方向ごとに接続されて、ブリッジ回路を形成している。ブリッジ回路接続に関しては本出願人の特許出願である、特開2007−322297号を参考にできる。
(第1の実施形態)
図5を参照して第1の実施形態について説明する。例示として、5本のピエゾ抵抗素子rからなるピエゾ抵抗群Rが、梁部123がフレーム部121および錘接合部122と接続する領域にそれぞれ配置されている。5本のピエゾ抵抗素子rのうち、3本のピエゾ抵抗素子rを配線部152により直列に接続し、X方向の加速度を検出するための検出部Rxを構成している。また、5本のピエゾ抵抗素子のうち、1本のピエゾ抵抗素子をZ方向の加速度を検出するための検出部Rzとして構成している。検出部Rx1〜Rx4およびRz1〜Rz4はそれぞれ配線Lにより接続される。
第1の実施形態に係る加速度センサの製造方法
(1)SOI基板の準備(図9(A)参照)
シリコン膜120、酸化シリコン膜130、シリコン基板140を積層してなるSOI基板110を用意する。上述したように、シリコン膜120はフレーム部121、錘接合部122、梁部123を構成する層である。酸化シリコン膜130は、シリコン膜120とシリコン基板140とを接合する層であり、かつエッチングストッパ層として機能する層である。シリコン基板140はフレーム部141、錘部142を構成する層である。SOI基板110は、SIMOXないし、貼り合せ法等により作成される。SOI基板110は、シリコン膜120、シリコン酸化膜130、シリコン基板140の厚みがそれぞれ、10μm、2μm、600μmである。なお、外周が1〜2mm正方の加速度センサ1が直径150mm〜200mmのウエハに多面付けで複数個配置されている。
SOI基板110のシリコン膜120側に不純物拡散用のマスク(図示せず)を形成する。このマスク材としては、例えばシリコン窒化膜(Si3N4)を用いることができる。シリコン窒化膜をシリコン膜120全面にLP−CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法により成膜した後、シリコン窒化膜上にレジストパターン(図示せず)を形成し、シリコン窒化膜にピエゾ抵抗素子rに対応する開口をRIE(Reactive Ion Etching)により形成する。
シリコン膜120上に絶縁層150を形成する。例えば、シリコン膜120の表面を熱酸化することで、絶縁層としてSiO2の層を形成できる。絶縁層150上にレジストをマスクとしたRIEによってコンタクトホール151を形成する。なお、コンタクトホール151の形成はシリコン基板140の加工後であってもよい。
フレーム部141の内枠に沿った開口を有するマスクを用いて、シリコン基板140をエッチングしてギャップ160を形成する。ギャップ160は、錘部142が下方(ガラス基板3側)へ変位するために必要な間隔であり、例えば、5〜10μmである。
次に、フレーム部141、錘部142に画定するためのマスクをシリコン基板140の下面に形成する。このマスクを用いてシリコン基板140をシリコン酸化膜130の下面が露出するまでエッチングを行なう。エッチングにはDRIE(Deep Reactive Ion Etching)を用いるのが好適である。
所望の特性に応じて配線152を形成する。配線152はAlなどの金属材をスパッタ法や蒸着法により成膜し、それをパターニングすることで得られる。なお、配線152とピエゾ抵抗素子rとの間でオーミックコンタクトを形成するために、熱処理(380℃〜420℃)を施す。なお、配線152上に保護膜としてシリコン窒化膜(Si3N4)などの膜を設けてもよい。
シリコン膜120をシリコン酸化膜130の上面が露出するまでRIEによりエッチングして開口124を形成して、フレーム部121、錘接合部122、梁部123を画定する。
エッチングストッパとして用いた部分の不要なシリコン酸化膜をRIEあるいはウェットエッチングにより除去する。これにより、シリコン酸化膜130は、フレーム121とフレーム141、錘接合部122と錘部142の間に存在している。
センサ本体2とガラス基板3とを接合する。ガラス基板3は、Naイオンなどの可動イオンを含む、いわゆるパイレックス(登録商標)ガラスであって、SOI基板110との接合には陽極接合を用いる。なお、陽極接合時の静電引力により錘部142がガラス基板3の上面にスティッキングするのを防ぐために、ガラス基板3の上面にスパッタ法によりCrなどのスティッキング防止膜(図示せず)を形成しておいてもよい。これによりセンサ本体2とガラス基板3が接合され、加速度センサ1が構成される。
加速度センサ1をダイシングソー等でダイシングし、個々の加速度センサ1に個片化する。本明細書ではウエハに多面付け配置された「加速度センサ」と、個片化された「加速度センサ」とを特に区別せず加速度センサ1と呼んでいる。
図6を参照して第2の実施形態について説明する。5本のピエゾ抵抗素子rからなるピエゾ抵抗群Rが、梁部123がフレーム部121および錘接合部122と接続する領域にそれぞれ配置されている点では第1の実施形態と略同一であるが、コンタクトホール151をピエゾ抵抗素子rの両端と、その長手方向の略中央領域に配設している点で異なっている。これにより第1の実施形態よりもピエゾ抵抗長を調整可能となり、感度、消費電力等の細かい調整が可能となる。なお、コンタクトホール151は必ずしもピエゾ抵抗素子の両端あるいはその略中央領域にある必要はなく、所望の抵抗長となるように適宜その開孔位置を変更することが可能である。また、コンタクトホール151の数についても、上記に限定されないものとする。
第2の実施形態によれば、感度差、並びに消費電力が可変なレイアウトを提供することが可能であるとともに、従来に比べてコンタクトホール151の位置によってピエゾ抵抗長をより細かく調整することが可能であるため、多様な特性を持ったセンサを提供することができる。
コンタクトホール151が、ピエゾ抵抗素子rの長手方向における任意の位置に配置されている点を除き、第1の実施形態に係る加速度センサおよびその製造方法と略同一である。
図7を参照して第3の実施形態について説明する。5本のピエゾ抵抗素子rからなるピエゾ抵抗群Rが、梁部123がフレーム部121および錘接合部122と接続する領域にそれぞれ配置され、コンタクトホール151をピエゾ抵抗素子rの両端と、その長手方向の略中央領域に配設している点では第2の実施形態と略同一であるが、検出部RxおよびRzを構成しうるピエゾ抵抗素子rは、隣接するピエゾ抵抗素子同士を素子間接続部Cにより接続されている。実質的には、ピエゾ抵抗素子が略「コ」の字状に蛇行して連続一体的に構成されていることになる(説明のため、構成ごとに図番号を付している)。つまり、検出部は、少なくとも1回以上の折返し構造を有している。素子間接続部Cとピエゾ抵抗素子rは同一工程により形成されて、一体的に構成されているため、ピエゾ抵抗素子r間の接続不良を低減できる。
第3の実施形態によれば、感度差、並びに消費電力が可変なレイアウトを提供することが可能であるとともに、従来に比べ、コンタクトホール151の位置によって検出部の電気抵抗を調整することが可能であるため、多様な特性を持ったセンサを提供することができる。なお、第3の実施形態は、第1の実施形態のレイアウトにも適用することが可能である。
検出部RxおよびRzを構成しうるピエゾ抵抗素子rは、隣接するピエゾ抵抗素子同士を素子間接続部Cにより接続されている点を除き、第2の実施形態に係る加速度センサおよびその製造方法と略同一である。素子間接続部Cはピエゾ抵抗素子rの形成の際に、当該ピエゾ抵抗素子を略「コ」の字状に蛇行したレイアウトで形成すればよい。
図8を参照して第4の実施形態について説明する。5本のピエゾ抵抗素子rからなるピエゾ抵抗群Rが、梁部123がフレーム部121および錘接合部122と接続する領域にそれぞれ配置されている点では第1の実施形態に係る加速度センサと略同一であるが、図面において点線で囲まれ、ハッチングされた領域は、エッチングなどにより梁部123の幅を調整した際に除かれる領域となる。予め必要数以上のピエゾ抵抗素子rを配置し、センサの感度や求められる耐衝撃特性により梁部123の幅を調整する。
梁部123の幅を所望の特性に応じて調整する工程を含む点を除き、第1の実施形態に係る加速度センサおよびその製造方法と略同一である。
2:センサ本体
3:支持基板
110:SOI基板
120:シリコン膜
121:フレーム部
122:錘接合部
123:梁部
124:開口
130:シリコン酸化膜
132:接合部
140:シリコン基板
141:フレーム部
142:錘部
150:絶縁層
151:コンタクトホール
152:配線
160:ギャップ
r:ピエゾ抵抗素子
R:ピエゾ抵抗郡
Rx:検出部
Ry:検出部
Rz:検出部
C:素子間接続部
L:配線
Claims (1)
- 開口を有するフレーム部と、該開口内に配置された錘部と、前記フレーム部と前記錘部とを接続する梁部と、該梁部に形成された複数の検出部とを具備してなるセンサであって、
前記梁部に、物理量変動を検出可能な複数本のピエゾ抵抗素子と、
前記梁部上に形成され前記ピエゾ抵抗素子を覆う絶縁層とを備え、
前記複数の検出部は、前記複数本のピエゾ抵抗素子のいずれかを用い、第1の方向の物理量変動を検出し、少なくとも2本以上のピエゾ抵抗素子からなる第1の検出部と、前記第1の方向と直交する第2の方向の物理量変動を検出し、かつ少なくとも1本以上のピエゾ抵抗素子からなる第2の検出部とを含み、前記第1の検出部を構成するピエゾ抵抗素子は、前記第2の検出部を間に挟まないように構成され、
前記絶縁層は、前記ピエゾ抵抗素子の形成領域ごとに前記ピエゾ抵抗素子の両端及び両端の間に合計3個以上のコンタクトホールを有し、
配線を、前記梁部の応力集中部に近い端部のコンタクトホールと、前記ピエゾ抵抗素子の両端の間にあるコンタクトホールとに接続することにより検出部の電気抵抗を調整可能であることを特徴とするセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008084598A JP5401820B2 (ja) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008084598A JP5401820B2 (ja) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009236756A JP2009236756A (ja) | 2009-10-15 |
JP5401820B2 true JP5401820B2 (ja) | 2014-01-29 |
Family
ID=41250885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008084598A Expired - Fee Related JP5401820B2 (ja) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5401820B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200046282A (ko) | 2018-10-24 | 2020-05-07 | 삼성전자주식회사 | 집적 회로 장치 및 고 대역폭 메모리 장치 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63275903A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-14 | Nec Corp | ロ−ドセル |
JPS63278361A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置と半導体装置の抵抗トリミング法 |
JPH0748565B2 (ja) * | 1988-06-27 | 1995-05-24 | 日本電気株式会社 | 半導体圧力センサ |
JP2936926B2 (ja) * | 1992-12-01 | 1999-08-23 | 日産自動車株式会社 | 半導体加速度センサ |
JP3136087B2 (ja) * | 1995-10-26 | 2001-02-19 | 松下電工株式会社 | 半導体圧力センサ |
JPH10239194A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体圧力センサ |
JP3500924B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2004-02-23 | 株式会社デンソー | 半導体センサの製造方法 |
JP2000147000A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-26 | Nikon Corp | ピエゾ抵抗体を用いたセンサ及び加速度センサ |
JP4192084B2 (ja) * | 2003-06-17 | 2008-12-03 | ニッタ株式会社 | 多軸センサ |
JP4431475B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2010-03-17 | トレックス・セミコンダクター株式会社 | 半導体型3軸加速度センサ |
JP2006177823A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 加速度センサ |
-
2008
- 2008-03-27 JP JP2008084598A patent/JP5401820B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009236756A (ja) | 2009-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5195102B2 (ja) | センサおよびその製造方法 | |
US6662659B2 (en) | Acceleration sensor | |
JP4335545B2 (ja) | 圧力と加速度との双方を検出するセンサおよびその製造方法 | |
US6763719B2 (en) | Acceleration sensor | |
US20030057447A1 (en) | Acceleration sensor | |
JP2007309654A (ja) | 加速度センサおよびその製造方法 | |
CN110531114B (zh) | 一种纯轴向变形的mems三轴压阻式加速度计芯片及其制备方法 | |
JP2003092413A (ja) | 半導体加速度センサー | |
JP2001004658A (ja) | 2軸半導体加速度センサおよびその製造方法 | |
JP2004177357A (ja) | 半導体加速度センサ | |
JP5401820B2 (ja) | センサ | |
JP3985215B2 (ja) | 半導体加速度センサー | |
JP2010032389A (ja) | 物理量センサ及びその製造方法 | |
JPH03114272A (ja) | 感歪センサおよびその製造方法 | |
CN110526200B (zh) | 一种具有纯轴向变形敏感梁的面外压阻式加速度计芯片及其制备方法 | |
JP5093070B2 (ja) | 加速度センサ及びそれを用いた半導体装置 | |
JP5067295B2 (ja) | センサ及びその製造方法 | |
JP4665733B2 (ja) | センサエレメント | |
JP5309652B2 (ja) | 加速度センサ | |
JP4179070B2 (ja) | 半導体加速度センサおよびその製造方法 | |
CN111308126A (zh) | 一种增大质量块的电容式三轴加速度计及其制作方法 | |
JP2006030158A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2009243915A (ja) | 加速度センサ | |
JP5069410B2 (ja) | センサエレメント | |
JP5472020B2 (ja) | 圧力センサおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120918 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121109 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130604 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130617 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130805 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20130826 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131014 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5401820 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |