JP6476869B2 - 電子デバイス、電子機器および移動体 - Google Patents

Description

本発明は、電子デバイス、電子デバイスの製造方法、物理量センサー、電子機器および移動体に関する。

一般に、機械的に可動な構造体を備えた電気機械系構造体としての物理量センサーが知られている。物理量センサーとしては、例えば、物理量（加速度、角速度など）の作用に応じて変位する可動電極と、この可動電極に対向する固定電極との間の静電容量に基づいて物理量を検出する容量型センサーが知られている（例えば、特許文献１に記載の半導体力学センサー）。これは、例えば、支持用の基板と、この基板上に設けられたセンサー素子（固定電極、固定部（アンカー部）、固定部から延出する支持部、支持部によって基板に遊離して支えられた可動電極等）などからなる。また、センサー素子は、例えば、基板（ガラス基板など）に貼り合わせた半導体基板（シリコン基板など）をフォトエッチングなどにより精密加工することにより得られる。

このような容量型センサーにおいては、センサー素子の構成において形成される寄生容量がセンサーの感度を低下させる場合がある。これに対し、特許文献２に記載の半導体力学センサーでは、センサー素子の外周に配置された外周部の電位を固定する手段（シールド電極）を備えることにより、センサー感度の低下を防止する技術が提案されている。

特開平９−２１１０２２号公報 特開２００７−２７９０５６号公報

しかしながら、上述の特許文献２に記載されている半導体力学センサーのように、センサー素子の外周に外周部を備える物理量センサーでは、使用される温度環境により、センサーとしての検出特性が変動してしまうという問題があった。具体的には、外周部からセンサー素子の可動部（可動電極）に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力が、センサー素子の可動部（可動電極）の変位に影響を与え、検出特性が変動してしまう。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例または形態として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る電子デバイスは、第１機能素子と、前記第１機能素子の外周の少なくとも一部に配置されている外縁部と、を備え、前記外縁部を平面視したときに、前記外縁部には、溝が第１方向に延在または前記第１方向に沿うように並んで配置された第１溝部が設けられていることを特徴とする。

本適用例によれば、電子デバイスは、第１機能素子と、第１機能素子の外周（電子デバイスを平面視したときの外周）に配置された外縁部とを備えている。そして、外縁部には、第１方向に延在または第１方向に沿うように並んで配置された第１溝部を有している。このような構成において、外縁部は、例えば、外縁部に溝が第１方向に延在または第１方向に沿うように並んで配置された第１溝部が設けられていることにより、外縁部から第１機能素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力は、第１溝部によってその伝達が緩和される。したがって、外部から第１機能素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した電子デバイスを提供することができる。
なお、溝は、外縁部を貫通する溝であっても良いし、有底の溝であっても良い。

［適用例２］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記外縁部を平面視したときに、前記外縁部には、前記溝が前記第１方向と交差する第２方向に延在または前記第２方向に沿うように並んで配置された第２溝部が設けられていることが好ましい。

本適用例によれば、電子デバイスは、第１機能素子の外縁部に、第１溝部に加えて、第１方向と交差する第２方向に延在または第２方向に沿うように並んで配置された第２溝部を有している。外縁部から第１機能素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力は、少なくとも第１方向あるいは第１方向と交差する第２方向のいずれかの方向のベクトル成分に分解される。本適用例のように、第１溝部と第２溝部とが設けられていることにより、溝に対して、溝の延在方向と交差する方向に作用する応力は、溝によってその伝達が緩和される。したがって、外部から第１機能素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した電子デバイスを提供することができる。

［適用例３］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記第１溝部および前記第２溝部は、前記第１機能素子の外周における少なくとも一方の側に並んで配置されていることが好ましい。

本適用例によれば、第１方向に延在または並ぶ第１溝部と、第１方向と交差する第２方向に延在または並ぶ第２溝部とが並んで配置されている。この第１溝部と第２溝部により、第１溝部と第２溝部に交差する両方向の、外縁部から第１機能素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力、あるいは応力（歪み）などの伝達を、さらに効果的に抑制することができる。したがって、外部から第１機能素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した電子デバイスを提供することができる。

［適用例４］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記外縁部を平面視したときに、前記外縁部には、前記第１機能素子の中心を通る中心線に対して直交する方向に前記溝が延在または並んで配置されている第３溝部が設けられていることが好ましい。

本適用例によれば、第１機能素子の中心線に対して直交する方向に溝が延在または並んで配置されている第３溝部により、歪みの比較的大きな角部から中央部に向けて順次角度を変えた溝部を設けることができる。これにより、外縁部から第１機能素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力、あるいは応力（歪み）などの伝達を効率よく抑制することができる。

［適用例５］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記外縁部は、矩形形状であり、前記第３溝部は、前記外縁部の対角線となる前記中心線に対して直交する方向に前記溝が延在または並んで配置されていることが好ましい。

本適用例によれば、第１方向および第２方向から加わる歪みの比較的大きな外縁部の角部に、対角線に直交する方向に設けられた溝部（第３溝部）を設けることより、第１方向および第２方向から加わる歪み応力を効率よく緩和、抑制することができる。
対角線が設けられる外縁部の角部は、第１機能素子の中心からの距離が大きくなるため、熱膨張などによる歪み（反り）が大きくなる。また、外縁部の角部には、第１方向および第２方向の両方向から歪み（応力）が加わる。これに対して、第３溝部が対角線に直交する方向に設けられているため、第１方向および第２方向から加わる歪み（応力）を、分散しながら効率よく緩和、抑制することができる。
なお、第３溝部は、上述の対角線を中心として、＋−（プラスマイナス）１０度程度の範囲に設けられていれば、同等の効果を有している。

［適用例６］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記第１機能素子は、固定部と、前記固定部から延出している支持部と、前記支持部によって変位可能に支えられている可動部と、を備えていることが好ましい。

本適用例によれば、電子デバイスは、第１機能素子の外周に配置された外縁部に、第１溝部、第２溝部、および第３溝の少なくとも一つを有している。そのため、第１機能素子が可動部（可動電極）を備え、外縁部に第１機能素子の可動部（可動電極）に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力などを生じた場合であっても、第１溝部、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つによって、その漏れ振動や漏れ力が緩和されることにより、可動部の変位に対する影響が抑制され、第１機能素子における電気的特性の変動が抑制される。つまり、本適用例によれば、可動部を備える電子デバイスにおいて、電気的特性の変動を抑制し、より安定させることができる。

［適用例７］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、第２機能素子を備え、前記第１溝部、前記第２溝部、および前記第３溝部の少なくとも一つが、前記第１機能素子と前記第２機能素子との間に設けられていることが好ましい。

本適用例によれば、電子デバイスは、第１機能素子に加えて、更に第２機能素子を備えている。また、電子デバイスは、第１溝部、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つを、第１機能素子と第２機能素子との間の領域の絶縁部および基板の外縁部と重なる領域の少なくとも一方に備えている。したがって、第１機能素子と第２機能素子との間に働く応力や、第１機能素子および第２機能素子の一方から他方に伝達される漏れ振動などのエネルギーは、第１溝部、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つの溝部によってその伝達が緩和され、特性に与える影響を抑制させることができる。詳細には、電子デバイスが複数の機能素子を備える場合の、一方の機能素子が発生するノイズが他方の機能素子に影響を与えるなどの、所謂複数の機能素子の相互間の振動干渉により生じる、電子デバイスにおける電気的特性の悪化を抑制することが可能となる。このノイズは、電気的なものだけではなく、外乱などの漏れ振動や漏れ力、あるいは振動など機械的なエネルギーによる場合がある。具体的には、機能素子の構造体が発生あるいは有する熱応力や残留応力や、可動部を有する場合などにおいては、隣接する機能素子に伝達される振動漏れなどがある（以下に記載される「ノイズ」も同様であるため、以下での説明は省略する）。

［適用例８］本適用例に係る電子デバイスは、第１機能素子と、前記第１機能素子の外周の少なくとも一部に配置されている外縁部と、基板を備え、前記第１機能素子は、前記基板の主面上に設けられ、前記基板を平面視したときに、前記外縁部および前記基板の前記外縁部と重なる領域の少なくとも一方には、溝が第１方向に延在または並んで配置された第１溝部、前記溝が前記第１方向と交差する第２方向に延在または並んで配置された第２溝部、および前記第１機能素子の中心を通る中心線に対して直交する方向に前記溝が延在または並んで配置されている第３溝部、の少なくとも一つが設けられていることを特徴とする。

本適用例によれば、電子デバイスは、基板と、基板の主面上に設けられた第１機能素子と、第１機能素子の外周（基板を平面視したときの外周）に配置された外縁部とを備えている。そして、外縁部および基板の外縁部と重なる領域の少なくとも一方には、第１方向に延在または並んで配置された第１溝部、溝が第１方向と交差する第２方向に延在または並んで配置された第２溝部、および第１機能素子の中心を通る中心線に対して直交する方向に溝が延在または並んで配置されている第３溝部、の少なくとも一つを有している。このような構成において、外縁部は、例えば、外縁部に第１溝部、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つが設けられていることにより、外縁部から第１機能素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力の伝達を抑制することができる。したがって、外部から第１機能素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動や使用される環境の温度変化による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した電子デバイスを提供することができる。
なお、溝は、外縁部および基板の少なくとも一方を貫通する溝であっても良いし、有底の溝であっても良い。

具体的には、基板と基板の主面上の外縁部との間に生ずる熱応力も、第１溝部、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つの溝部によって緩和される。例えば、熱応力によって基板が反ってしまう場合においては、第１溝部、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つによって、その反りが緩和される。その結果、熱膨張係数の差により発生する熱応力が、第１機能素子を変形させてしまったり、第１機能素子が可動部（可動電極）を備える場合には、その変位に影響を与えてしまったりすることが抑制され、第１機能素子が使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制される。つまり、本適用例によれば、第１機能素子が検出する信号の漏れを遮断あるいは低減しながら、使用される環境の温度変化による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した電子デバイスを提供することができる。

［適用例９］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記第１機能素子は、固定部と、前記固定部から延出している支持部と、前記支持部によって変位可能に支えられている可動部と、を備えていることが好ましい。

本適用例によれば、電子デバイスは、第１機能素子の外周に配置された外縁部に、第１溝部、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つを有している。そのため、第１機能素子が可動部（可動電極）を備え、外縁部に第１機能素子の可動部（可動電極）に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力などを生じた場合であっても、第１溝部、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つの溝部によって、その漏れ振動や漏れ力が緩和されることにより、可動部の変位に対する影響が抑制され、第１機能素子における電気的特性の変動が抑制される。つまり、本適用例によれば、可動部を備える電子デバイスにおいて、電気的特性の変動を抑制し、より安定させることができる。

［適用例１０］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記固定部は、前記基板の主面上に固定され、前記可動部は、前記支持部によって前記基板から遊離して変位可能に支えられていることが好ましい。

本適用例によれば、基板に支持部を介して支えられている第１機能素子の外周に配置された外縁部は、第１溝部、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つを有している。そのため、第１機能素子が可動部（可動電極）を備え、熱応力や熱応力による変形などを生じた場合であっても、第１溝部、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つの溝部によって、その反りや熱応力が緩和されることにより、可動部の変位に対する影響が抑制され、第１機能素子が使用される環境の温度変化による電気的特性の変動が抑制される。つまり、本適用例によれば、可動部を備える電子デバイスにおいて、使用される環境の温度変化による電気的特性の変動を抑制し、より安定させることができる。

［適用例１１］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記基板の主面上には、前記第２機能素子が備えられ、前記第１溝部、前記第２溝部、および前記第３溝部の少なくとも一つが、前記第１機能素子と前記第２機能素子との間に設けられていることが好ましい。

本適用例によれば、電子デバイスは、基板の主面上に設けられている第１機能素子に加えて、更に第２機能素子を備えている。また、電子デバイスは、第１溝部、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つを、第１機能素子と第２機能素子との間の領域の絶縁部および基板の外縁部と重なる領域の少なくとも一方に備えている。したがって、第１機能素子と第２機能素子との間に働く応力や、一方から他方に伝達される漏れ振動などのエネルギーは、第１溝部、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つの溝部によってその伝達が緩和され、特性に与える影響を抑制させることができる。詳細には、共通の基板上に複数の機能素子を備える場合の、一方の機能素子が発生するノイズが他方の機能素子に影響を与えるなどにより、電子デバイスとしての電気的特性を悪化させることを抑制することが可能となる。

［適用例１２］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記第１機能素子と、前記外縁部とは、同一材料であることが好ましい。

本適用例によれば、第１機能素子と、外縁部とが同一材料で形成されていることにより、第１機能素子と外縁部とを同一工程で形成することが可能となり、製造の簡易化を図ることができる。

［適用例１３］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記第１方向が、前記第１機能素子の平面視における前記可動部の変位方向であることが好ましい。

本適用例によれば、第１方向は、第１機能素子が備える可動部の変位方向（基板の平面視における変位方向）である。つまり、第１機能素子の外周に配置された外縁部は、第１機能素子を平面視したときに、第１機能素子が備える可動部が変位する方向と同じ方向に延在する第１溝部と、第１機能素子が備える可動部が変位する方向と交差する方向に延在する第２溝部と、第１機能素子の中心を通る中心線に対して直交する方向に溝が延在または並んで配置されている第３溝部とを備えている。これにより、外縁部から第１機能素子の可動部（可動電極）に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力の伝達を、第１溝部、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つによって抑制することができる。これらにより、第１機能素子が検出する信号の漏れや、外部から第１機能素子に与えられるノイズを遮断あるいは低減しながら、外部から第１機能素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した電子デバイスを提供することができる。

また、外縁部が基板の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する場合、外縁部は、第１機能素子が備える可動部の変位方向と交差する方向に延在する第２溝部を備えるため、第２溝部により、可動部の変位方向に生ずる熱応力をより効果的に緩和することができる。特に、第２溝部が、可動部の変位方向と直角方向に交差して延在する場合に、より効果的に熱応力が緩和される。また、外縁部が第１溝部を備えることにより、基板が外縁部から受ける熱応力自体が抑制される。具体的には、外縁部が、第１機能素子が備える可動部の変位方向に延在する第１溝部を備えることにより、可動部の変位方向において、基板と外縁部との接合面積が減少するため、基板が外縁部から受ける可動部の変位方向に発生する熱応力自体が抑制される。その結果、熱膨張係数の差により発生する熱応力が、第１機能素子を変形させてしまったり、第１機能素子が可動部（可動電極）を備える場合には、その変位に影響を与えてしまったりすることが抑制される。これにより、第１機能素子が使用される環境の温度変化による電子デバイスの電気的特性の変動が抑制される。

［適用例１４］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記第１機能素子を平面視したとき、前記第１溝部、前記第２溝部、および前記第３溝部によって構成される図形は、回転対称となるように配置されていることが好ましい。

本適用例によれば、第１機能素子を平面視したとき、第１溝部、第２溝部、および第３溝部によって構成される図形が回転対称となるように第１溝部、第２溝部、および第３溝部を配置することにより、外縁部から第１機能素子の可動部（可動電極）に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力の伝達をより効果的に抑制することができることや温度変化による検出特性の変動をより効果的に抑制することができる。

具体的には、第１機能素子を平面視したとき、外部応力や熱応力などを緩和することが可能な第１溝部および第２溝部によって構成される図形が、回転対称となるように配置されている。すなわち、外部応力や熱応力などを緩和する効果は、少なくとも回転対称として重なる領域同士のバランスが取れる。従って、例えば、基板に反りなどが発生する場合であっても、応力バランスが崩れて、意図しない歪が発生してしまうことなどが軽減され、より安定して応力緩和をすることができる。なお、回転対称となるように配置されるとは、自然数ｎにおいて、ｎ＋１回回転対称に配置されることを意味している。

［適用例１５］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記第１溝部、前記第２溝部、および前記第３溝部の少なくとも一つが、前記第１機能素子の厚さ方向において、前記外縁部または前記基板を貫通していることが好ましい。

本適用例のように、第１溝部、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つが、第１機能素子の厚さ方向において、外縁部または基板を貫通して設けられることにより、より効果的に温度変化による検出特性の変動を抑制することができる。具体的には、例えば上述した応力緩和効果において、応力を緩和する溝（第１溝部、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つ）が、外縁部または基板を貫通する溝として形成されているため、溝の底部として残された外縁部または基板（残留底部）が無く、従って、その残留底部において伝達される応力が無くなる。また、溝を貫通させることにより、基板と外縁部との接合面積が減少するため、基板と外縁部との熱膨張係数の差により発生する熱応力自体の大きさもより小さくすることができる。その結果、熱応力をより効果的に緩和することができ、より効果的に温度変化による電子デバイスの電気的特性の変動を抑制することができる。

［適用例１６］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記外縁部は、固定電位であることが好ましい。

本適用例によれば、外縁部が固定電位で構成されているため、より効果的にシールド効果を得ることができる。

［適用例１７］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記溝部は、複数の前記溝を含む溝群であることが好ましい。

本適用例によれば、溝部が複数の溝で構成されていても、外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動を抑制することができる。

［適用例１８］本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、基板に凹陥部を形成する工程と、前記基板に前記凹陥部に対向させて機能素子基板を接合する工程と、前記機能素子基板をパターニング加工し、機能素子と、外縁部と、前記外縁部にあって、溝が第１方向に延在または並んで配置された第１溝部、および前記第１方向と交差する第２方向に前記溝が延在または並んで配置された第２溝部と、を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

本適用例によれば、基板に形成された凹陥部に対向させて機能素子基板を接合し、その後機能素子基板をパターニング加工し、機能素子と、外縁部と、外縁部にあって第１方向に延在または並んで配置された第１溝部および第１方向と交差する第２方向に延在または並んで配置された第２溝部とを形成する。このように、基板に接合された機能素子基板から、機能素子と、外縁部と、第１溝部と、第２溝部とを、同一工程で形成することができる。換言すれば、容易に機能素子と、外縁部と、第１溝部と、第２溝部とを形成することができる。

［適用例１９］本適用例に係る物理量センサーは、第１センサー素子と、前記第１センサー素子の外周の少なくも一部に配置されている外縁部と、を備え、前記外縁部を平面視したときに、前記外縁部には、溝が第１方向に延在または前記第１方向に沿うように並んで配置された第１溝部が設けられていることを特徴とする。

本適用例によれば、物理量センサーは、第１センサー素子と、第１センサー素子の外周（基板を平面視したときの外周）に配置された外縁部とを備えている。そして、外縁部には、第１方向に溝が延在または第１方向に沿うように並んで配置された第１溝部を有している。このような構成において、外縁部は、例えば、第１センサー素子が検出する信号の漏れや、外部から第１センサー素子に与えるノイズを遮断あるいは低減する効果を有するシールド電極として構成することができる。外縁部をシールド電極として構成する場合には、第１センサー素子の外周をより広い面積で取り囲むことがより効果的である。本適用例のように、外縁部に、第１方向に延在または並んで配置された第１溝部が設けられていることにより、外縁部から第１センサー素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力は、第１溝部によってその伝達が緩和される。したがって、第１センサー素子の外周をより広い面積で取り囲むことが可能となる。これらにより、外部から第１センサー素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した物理量センサーを提供することができる。
なお、溝は、外縁部を貫通する溝であっても良いし、有底の溝であっても良い。

［適用例２０］上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記外縁部を平面視したときに、前記外縁部には、前記溝が前記第１方向と交差する第２方向に延在または前記第２方向に沿うように並んで配置された第２溝部が設けられていることが好ましい。

本適用例によれば、物理量センサーは、第１センサー素子の外縁部に、第１方向に延在または第２方向に沿うように並んで配置された第１溝部に加えて、第１方向と交差する第２方向に延在または並んで配置された第２溝部を有している。外縁部から第１センサー素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力は、少なくとも第１方向あるいは第１方向と交差する第２方向のいずれかの方向のベクトル成分に分解される。本適用例のように、第１方向に延在または並んで配置された第１溝部と、第１方向と交差する第２方向に延在または並んで配置された第２溝部とが設けられていることにより、第１溝部または第２溝部に対して、溝の延在する方向または並ぶ方向と交差する方向に作用する応力は、溝によってその伝達が緩和される。したがって、外部から第１センサー素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した物理量センサーを提供することができる。

［適用例２１］上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記第１溝部および前記第２溝部は、前記第１センサー素子の外周における少なくとも一方の側に並んで配置されていることが好ましい。

本適用例によれば、物理量センサーは、第１方向に延在または並ぶ第１溝部と、第１方向と交差する第２方向に延在または並ぶ第２溝部とが並んで配置されている。この第１溝部と第２溝部により、第１溝部と第２溝部に交差する両方向の、外縁部から第１センサー素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力、あるいは応力（歪み）などの伝達を抑制することができる。したがって、外部から第１センサー素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した物理量センサーを提供することができる。

［適用例２２］上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記外縁部を平面視したときに、前記外縁部には、前記第１センサー素子の中心を通る中心線に対して直交する方向に前記溝が延在または並んで配置されている第３溝部が設けられていることが好ましい。

本適用例によれば、物理量センサーは、第１センサー素子の中心線に対して直交する方向に溝が延在または並んで配置されている第３溝部により、歪みの比較的大きな角部から中央部に向けて順次角度を変えた溝部を設けることができる。これにより、外縁部から第１センサー素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力、あるいは応力（歪み）などの伝達を効率よく抑制することができる。

［適用例２３］上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記溝部は、複数の前記溝を含む溝群であることが好ましい。

本適用例によれば、溝部が複数の溝で構成されていても、外部からセンサー素子に与えられるノイズを遮断あるいは低減するシールド効果を得ることができる。

［適用例２４］本適用例に係る物理量センサーは、第１センサー素子と、前記第１センサー素子の外周の少なくとも一部に配置されている外縁部と、基板を備え、前記第１センサー素子は、前記基板の主面上に設けられ、前記基板を平面視したときに、前記外縁部および前記基板の前記外縁部と重なる領域の少なくとも一方には、溝が第１方向に延在または並んで配置された第１溝部、前記溝が前記第１方向と交差する第２方向に延在または並んで配置された第２溝部、および前記第１センサー素子の中心を通る中心線に対して直交する方向に前記溝が延在または並んで配置されている第３溝部、の少なくとも一つが設けられていることを特徴とする。

本適用例によれば、物理量センサーは、基板と、基板の主面上に設けられた第１センサー素子と、第１センサー素子の外周（基板を平面視したときの外周）に配置された外縁部とを備えている。そして、外縁部および基板の外縁部と重なる領域の少なくとも一方には、溝が第１方向に延在または並んで配置された第１溝部、溝が前記第１方向と交差する第２方向に延在または並んで配置された第２溝部、および前記第１センサー素子の中心を通る中心線に対して直交する方向に前記溝が延在または並んで配置されている第３溝部の少なくとも一つを有している。このような溝部の構成により、外縁部から第１センサー素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力の伝達を抑制したり、外縁部と基板とが、異なる熱膨張係数を有する場合に発生する熱応力緩和したりすることができる。これらにより、外部から第１センサー素子に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動や使用される環境の温度変化による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した物理量センサーを提供することができる。

具体的に、例えは、基板と基板の主面上の外縁部との間に生ずる熱応力も、第１溝部、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つの溝部によって緩和される。例えば、熱応力によって基板が反ってしまう場合においては、第１溝、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つによって、その反りが緩和される。その結果、熱膨張係数の差により発生する熱応力が、第１センサー素子を変形させてしまったり、第１センサー素子が可動部（可動電極）を備える場合には、その変位に影響を与えてしまったりすることが抑制され、第１センサー素子が使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制される。つまり、本適用例によれば、第１センサー素子が検出する信号の漏れを遮断あるいは低減しながら、使用される環境の温度変化による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した物理量センサーを提供することができる。
なお、溝は、外縁部および基板の少なくとも一方を貫通する溝であっても良いし、有底の溝であっても良い。

［適用例２５］上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記基板の主面上に設けられている第２センサー素子を備え、前記第１溝部、前記第２溝部、および前記第３溝部の少なくとも一つが、前記第１センサー素子と前記第２センサー素子との間に設けられていることが好ましい。

本適用例によれば、物理量センサーは、物理量センサーは、第１センサー素子に加えて、更に第２センサー素子を備えている。また、物理量センサーは、第１溝部、第２溝部、および第３溝部を、第１センサー素子と第２センサー素子との間の領域の絶縁部に備えている。したがって、第１センサー素子と第２センサー素子との間に働く応力や、第１センサー素子および第２センサー素子の一方から他方に伝達される漏れ振動などのエネルギーは、第１溝部、第２溝部、および第３溝部の少なくとも一つの溝によってその伝達が抑制され、特性に与える影響を減少させることができる。詳細には、物理量センサーが複数のセンサー素子を備える場合の、一方のセンサー素子が発生するノイズが他方のセンサー素子に影響を与えるなどの、所謂複数のセンサー素子の相互間の振動干渉により生じる、物理量センサーにおける電気的特性の悪化を抑制することが可能となる。

［適用例２６］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に係る電子デバイスを備えていることを特徴とする。

本適用例によれば、電子機器として、使用される環境の温度変化などによる検出特性の変動が抑制され、より安定した検出特性の電子デバイスを備えることにより、より温度特性が安定した電子機器を提供することができる。

［適用例２７］本適用例に係る移動体は、上記適用例に係る電子デバイスを備えていることを特徴とする。

本適用例によれば、移動体として、使用される環境の温度変化などによる検出特性の変動が抑制され、より安定した検出特性の電子デバイスを備えることにより、より温度変化などの環境特性が安定した移動体を提供することができる。

（ａ）〜（ｃ）は電子デバイスの実施形態１に係る物理量センサーを示す模式図。 （ａ）〜（ｃ）は電子デバイスの実施形態１に係る物理量センサーの変形例１〜３を模式的に示す平面図。 （ａ）、（ｂ）は電子デバイスの実施形態１に係る物理量センサーの変形例４、５を模式的に示す平面図、（ｃ）は溝の形状の変形例を示す平面図。 （ａ）〜（ｃ）は電子デバイスの実施形態２に係る物理量センサーを示す模式図。 （ａ）は実施形態２に係る物理量センサーにおける基板とシリコン基板とを貼り合わせた状態を示す模式図。（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ断面図。 （ａ）〜（ｄ）は、実施形態２に係る物理量センサーの製造方法を模式的に示す正断面図。 （ａ）〜（ｃ）は電子デバイスの実施形態２に係る物理量センサーの変形例６〜８を模式的に示す平面図。 （ａ）、（ｂ）は電子デバイスの実施形態２に係る物理量センサーの変形例９、１０を模式的に示す平面図。 （ａ）〜（ｃ）は電子デバイスの実施形態２に係る物理量センサーの変形例１１〜１３を模式的に示す平面図。 （ａ）、（ｂ）は電子デバイスの実施形態２に係る物理量センサーの変形例１４、１５を模式的に示す平面図。 電子デバイスの実施形態３に係る物理量センサーを示す断面図。 （ａ）は外縁部の第１溝部、第２溝部、および第３溝部の変形例１６を示す平面図、（ｂ）は外縁部の第１溝部、第２溝部、および第３溝部の変形例１７を示す平面図。 （ａ）は電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図、（ｂ）電子機器の一例としての携帯電話機の構成を示す斜視図。 電子機器の一例としてのデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図。 移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図。

以下に本発明を具体化した実施形態について、図面を参照して説明する。以下は、本発明の一実施形態であって、本発明を限定するものではない。なお、以下の各図においては、説明を分かりやすくするため、実際とは異なる尺度で記載している場合がある。

（実施形態１）
まず、電子デバイスの実施形態１に係る物理量センサーについて説明する。図１（ａ）〜図１（ｃ）は、電子デバイスの実施形態１に係る物理量センサーを示す模式図であり、図１（ａ）は、平面図、図１（ｂ）は、物理量センサーが備えるセンサー部としての第１センサー素子の平面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図に付記するＸＹＺ軸において、Ｘ方向を右方向、Ｘ軸方向（±Ｘ方向）を横方向、Ｙ方向を奥行方向、Ｙ軸方向（±Ｙ方向）を前後方向、Ｚ方向を上方向、Ｚ軸方向（±Ｚ方向）を上下方向として説明する。

（物理量センサーの構成）
物理量センサー１は、センサー部としての第１センサー素子（第１機能素子）９８、および外縁部９０などを備えている。第１センサー素子９８は、センシング部２、配線３０などを備えている。センシング部２は、可動部としての可動電極５０、固定電極６０などを備えている。可動電極５０は、固定部４１，４２、固定部４１から延出している支持部５１，５２、可動電極指５３，５４、可動基部５５などを備えている。なお、センサー部を構成する第１センサー素子（第１機能素子）９８、および外縁部９０は、同一材料から形成されている。第１センサー素子（第１機能素子）９８、および外縁部９０が、同一材料で形成された構成は、第１センサー素子（第１機能素子）９８と外縁部９０とが別々に形成される構成と比較して物理量センサー１を容易に形成することが可能となる。なお、物理量センサー１は、被接合部材としての板状体の基板３に接合されていてもよい。基板３は、主面としての上面に、凹陥部７０が設けられている。この凹陥部７０は、第１センサー素子９８を平面視したときに、センシング部２の可動電極５０（支持部５１，５２、可動電極指５３，５４、可動基部５５）が収まる領域に形成されていることが好ましい。凹陥部７０は、可動電極５０（支持部５１，５２、可動電極指５３，５４、可動基部５５）を基板３から遊離させるための逃げ部として形成される。

可動基部５５は、長手方向がＸ方向を向く長方形の板状体であり、外縁部９０との間に支持部５１，５２を介して支えられている。より具体的には、可動基部５５の図中左側の端部が支持部５１を介して外縁部９０に連結されるとともに、可動基部５５の図中右側の端部が支持部５２を介して外縁部９０に連結されている。
可動基部５５の＋Ｙ側の長辺部分からは、複数の（本実施形態では３つの）梁状の可動電極指５３が＋Ｙ方向に、可動基部５５の−Ｙ側の長辺部分からは、複数の（本実施形態では３つの）梁状の可動電極指５４が−Ｙ方向に延出している。

支持部５１，５２は、可動基部５５を外縁部９０に対して変位可能に連結している。本実施形態では、支持部５１，５２は、図１（ｂ）にて矢印ａで示すように、Ｘ軸方向に可動基部５５を変位し得るように構成されている。
Ｙ軸方向に延出する複数の可動電極指５３および複数の可動電極指５４は、それぞれ、可動電極５０の変位するＸ軸方向に並んで設けられている。

支持部５１は、具体的には、２つ（一対）の梁で構成されており、それぞれ、Ｙ軸方向に蛇行しながら＋Ｘ方向に延びる形状をなしている。換言すると、それぞれの梁は、Ｙ軸方向に複数回（本実施形態では３回）折り返された形状をなしている。なお、各梁の折り返し回数は、１回または２回であってもよいし、４回以上であってもよい。
支持部５２も同様に、Ｙ軸方向に蛇行しながら−Ｘ方向に延びる形状をなす一対の梁で構成されている。

固定電極６０は、可動電極５０の複数の可動電極指５３，５４に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指６１，６２を備えている。
固定電極指６１は、１つの可動電極指５３を、間隔を隔てて挟むように、Ｘ軸方向の両側に対向して一対ずつ配置されている。換言すれば、一対の固定電極指６１、即ち２つの固定電極指６１が３か所に配置されている。また、同様に、固定電極指６２は、１つの可動電極指５４を、間隔を隔てて挟むように、Ｘ軸方向の両側に一対ずつ対向して配置されている。換言すれば、一対の固定電極指６２、即ち２つの固定電極指６２が３か所に配置されている。

固定電極指６１，６２は、第１センサー素子９８（物理量センサー１）の主面上において、第１センサー素子９８を平面視したときに、第１センサー素子９８の外縁部９０側の領域に、それぞれ一方の端部が接合されている。具体的には、固定電極指６１は、可動電極５０側とは反対側（可動電極５０に対して＋Ｙ側）の端部が、それぞれ、第１センサー素子９８の外縁部９０側に接合されている。また、各固定電極指６１は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が−Ｙ方向へ延出している。同様に、固定電極指６２は、可動電極５０側とは反対側（可動電極５０に対して−Ｙ側）の端部が、それぞれ、第１センサー素子９８の外縁部９０側に接合されており、その固定された側の端を固定端とし、自由端が＋Ｙ方向へ延出している。

このような構成により、固定電極指６１の内の可動電極指５３の＋Ｘ側に位置する固定電極指６１（以下第１固定電極指と言う。）と可動電極指５３との間の静電容量、および、固定電極指６１の内の可動電極指５３の−Ｘ側に位置する固定電極指６１（以下第２固定電極指と言う。）と可動電極指５３との間の静電容量を可動電極５０の変位に応じて変化させることができる。
同様に、固定電極指６２の内の可動電極指５４の＋Ｘ側に位置する固定電極指６２（以下、同様に第１固定電極指と言う。）と可動電極指５４との間の静電容量、および、固定電極指６２の内の可動電極指５４の−Ｘ側に位置する固定電極指６２（以下、同様に第２固定電極指と言う。）と可動電極指５４との間の静電容量を可動電極５０の変位に応じて変化させることができる。

第１固定電極指と第２固定電極指とは、互いに分離しており、電気的に絶縁されている。そのため、第１固定電極指と可動電極５０（可動電極指５３，５４）との間の静電容量、および第２固定電極指と可動電極５０（可動電極指５３，５４）との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。
つまり、センシング部２は、例えば、加速度や角速度などの物理量の変化に応じて、可動電極５０（可動電極指５３，５４）が、支持部５１，５２を弾性変形させながら、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に変位する。第１センサー素子９８は、このような変位に伴って変化する静電容量に基づいて、加速度や角速度などの物理量を検出することができる。つまり、第１センサー素子９８は、容量型加速度センサーである。
なお、可動電極５０および固定電極６０の形状は、センシング部２を構成する各部の形状、大きさなどに応じて決められるものであり、上述した構成に限定されない。

配線３０は、上記の静電容量を検出するための電気接続配線であり、物理量センサー１の主面（第１センサー素子９８の主面）に形成された凹部７１に沿って敷設されている。配線３０は、第１固定電極指を結線し外部回路と接続するための電極３１ａに接続する配線と、第２固定電極指を結線し外部回路と接続するための電極３１ｂに接続する配線と、可動電極５０と外部回路と接続するための電極３１ｃに接続する配線とがそれぞれ設けられている。配線３０と凹部７１との間に絶縁層を有していてもよい。絶縁層としては、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）などがある。すなわち、配線３０と外縁部９０とは、電気的に絶縁されていてもよい。

凹部７１は、第１センサー素子９８の外縁部９０側の領域において、配線３０が敷設される領域として設けられている。すなわち、凹部７１は、第１センサー素子９８を平面視したときに、配線３０の敷設されている領域が凹部７１の領域に収まるように形成されている。凹部７１の深さ寸法（第１センサー素子９８の厚み方向の寸法）は、後述するコンタクト部を除き、配線３０の厚さ寸法よりも大きくなっている。配線３０と、第１、第２固定電極指の結線は、コンタクト部８０によって行われる。

配線３０の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium zinc oxide）、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、Ｓｂ含有ＳｎＯ₂、Ａｌ含有ＺｎＯなどの酸化物（透明電極材料）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金などが挙げられ、これらの内の１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

外縁部９０は、第１センサー素子９８が検出する信号の漏れや、外部から第１センサー素子９８に与えるノイズを遮断あるいは低減する効果を有するシールド電極としての機能を含んでいる。外縁部９０は、図１（ａ）に示すように、物理量センサー１の主面上において、物理量センサー１を平面視したとき、第１センサー素子９８の外周領域に配置されている。
具体的には、物理量センサー１の主面上中央部において、第１センサー素子９８は、平面視矩形の領域を占めて構成されている。また、物理量センサー１の主面上中央部において、外縁部９０は、第１センサー素子９８を囲むように、額縁状に形成されている。外縁部９０には、配線（図示省略）により、例えば接地電位などの固定電位が与えられる。このように外縁部９０を、接地電位や定電位などの固定電位とすることで、外縁部９０がシールド電極としての効果を有する。

また、外縁部９０は、物理量センサー１を平面視したときに、第１方向としてのＸ軸方向に延在する複数の第１溝部９２を有している。つまり、第１溝部９２が延在する第１方向は、可動部（可動電極５０）の変位方向である。第１溝部９２は、外縁部９０の上面から下面に貫通する孔溝（溝）であり、Ｘ軸方向の長さＷ１が、額縁状を成す外縁部９０の枠幅ＷＬ１の約７０％、Ｙ軸方向の幅Ｗ２が外縁部９０の枠幅ＷＬ２の約１０％の大きさである。なお、枠幅、孔溝（溝）の幅については、以下の説明においても同様に定義している。第１溝部９２は、外縁部９０の枠の領域に略等間隔で配置されている。なお、第１溝部９２の大きさや数は、上述した内容に限定するものではない。例えば、長さや幅をより小さくして、より数多く配置する構成でも良い。ただし、シールド電極としての効果を損なわない範囲で設ける必要がある。本形態のように、複数の第１溝部９２が、所定の間隔を有して配列されていることにより、一つの溝を外縁部に沿って設ける構成と比して、外縁部９０ａの強度低下を防止することができるとともに、シールド電極としての効果の低減を防止することもできる。

物理量センサー１を構成する材料には、好適例としてシリコンを用いている。このように、第１センサー素子９８と、外縁部９０とが同一材料から形成されていることにより、その製造に当たって、それらは、一体に、例えば、一枚のシリコン基板をパターニング加工することにより形成されることが可能となり、製造の簡易化を図ることができる。
また、シリコン基板は、エッチングにより高精度に加工することができる。そのため、物理量センサー１を、シリコン基板を主材料として構成することにより、センシング部２などの寸法精度を優れたものとし、その結果、第１センサー素子９８の高感度化を図ることができる。
また、物理量センサー１を構成するシリコン材料には、リン、ボロンなどの不純物がドープされていることが好ましい。これにより、物理量センサー１は、第１センサー素子９８（センシング部２）の導電性、および外縁部９０のシールド電極としてのシールド性を優れたものとすることができる。
なお、物理量センサー１の構成材料としては、シリコン基板に限定するものではなく、静電容量の変化に基づく物理量の検出が可能な材料であれば良い。

以上述べたように、本実施形態による物理量センサー１によれば、以下の効果を得ることができる。
物理量センサー１は、第１機能素子としての第１センサー素子９８の外周（物理量センサー１を平面視したときの外周）に配置された外縁部９０とを備えている。そして、外縁部９０には、第１方向に延在する第１溝部９２が並設されている。このような構成において、外縁部９０は、例えば、第１センサー素子９８が検出する信号の漏れや、外部から第１センサー素子９８に与えるノイズを遮断あるいは低減する効果を有するシールド電極とすることができる。外縁部９０をシールド電極として構成する場合には、第１センサー素子９８の外周をより広い面積で取り囲むことがより効果的である。本適用例のように、外縁部９０に第１溝部９２が設けられていることにより、外縁部９０から第１センサー素子９８に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力は、第１溝部９２によってその伝達が緩和される。したがって、第１センサー素子９８の外周をより広い面積で取り囲むことが可能となる。これらにより、第１センサー素子９８が検出する信号の漏れや、外部から第１センサー素子９８に与えられるノイズを遮断あるいは低減するシールド効果を有しながら、外部から第１センサー素子９８に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した電子デバイスとしての物理量センサー１を得ることができる。
また、第１センサー素子９８と、外縁部９０と、外縁部９０の第１溝部９２とが、同一材料から形成されていることにより、その製造に当たって、一体に、例えば、一枚のシリコン基板をパターニング加工することにより形成されることが可能となり、物理量センサー１を容易に製造することができる。

（実施形態１の変形例）
ここで、実施形態１に係る物理量センサー１の変形例について、図２および図３を参照して説明する。図２は、実施形態１に係る物理量センサー１の変形例１〜変形例３を模式的に示す平面図であり、図２（ａ）は変形例１、図２（ｂ）は変形例２、図２（ｃ）は変形例３を示す。図３は、実施形態１に係る物理量センサー１の変形例４、変形例５を模式的に示す平面図であり、図３（ａ）は変形例４、図３（ｂ）は変形例５、図３（ｃ）は溝の形状の変形例を示す。図２（ａ）〜図２（ｃ）に示す変形例の物理量センサー１ａ，１ｂ，１ｃ、および図３（ａ）、図３（ｂ）に示す変形例の物理量センサー１ｄ，１ｅは、実施形態１の物理量センサー１と、外縁部９０に設けられている溝部（物理量センサー１では第１溝部９２）の構成が異なっている。以下、変形例１〜５の説明では、前述の実施形態１の物理量センサー１との相違点を中心に説明し、同様構成については同符号を付して説明を省略することもある。

（変形例１）
図２（ａ）に示す物理量センサー１ａは、前述の物理量センサー１と同様にセンサー部としての第１センサー素子（第１機能素子）９８、および外縁部９０などを備えている。なお、第１センサー素子９８は、前述の物理量センサー１と同様であるので説明を省略する。

第１センサー素子９８の外周領域に配置されている外縁部９０には、物理量センサー１ａを平面視したときに、第１方向としてのＸ軸方向に延在する複数の第１溝部９２と、第１方向（Ｘ軸方向）と交差する第２方向としてのＹ軸方向に延在する複数の第２溝部９３とを有している。なお、第１溝部９２が延在する第１方向は、可動部（可動電極５０：図１参照）の変位方向である。

第１溝部９２は、外縁部９０の上面から下面に貫通する孔溝（溝）であり、Ｘ軸方向の長さが、額縁状を成す外縁部９０の枠幅の約７０％、Ｙ軸方向の幅が外縁部９０の枠幅の約１０％の大きさである。第１溝部９２は、外縁部９０の枠の領域に略等間隔で配置されている。
第２溝部９３は、第１溝部９２と同様に、外縁部９０を貫通する孔溝（溝）であり、Ｙ軸方向の長さが、額縁状を成す外縁部９０の枠幅の約７０％、Ｘ軸方向の幅が外縁部９０の枠幅の約１０％の大きさである。第２溝部９３は、略等間隔に配置された第１溝部９２の間あるいはその隣に交互に並ぶように略等間隔に配置されている。このように、第１溝部９２と第２溝部９３とが並んで配置されることにより、外乱などの漏れ振動や漏れ力の伝達をさらに効果的に抑制することができる。
また、第１溝部９２および第２溝部９３は、物理量センサー１ａを平面視したとき、第１溝部９２および第２溝部９３によって構成される図形が２回回転対称となるように配置されている。

なお、第１溝部９２および第２溝部９３の大きさや数は、上述した内容に限定するものではない。例えば、長さや幅をより小さくして、より数多く配置する構成でも良い。また、第１溝部９２および第２溝部９３を連続させ、例えば十字形やＴ字形やＬ字形に構成しても良い。ただし、シールド電極としての効果を損なわない範囲で設ける必要がある。また、第１溝部９２および第２溝部９３によって構成される図形が回転対称となる配置とすることが好ましい。

このような変形例１に係る物理量センサー１ａによれば、第１センサー素子９８の外縁部９０に、第１方向に延在する第１溝部９２に加えて、第１方向と交差する第２方向に延在する第２溝部９３を有している。外縁部９０から第１センサー素子９８に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力は、少なくとも第１方向あるいは第１方向と交差する第２方向のいずれかの方向のベクトル成分に分解される。本適用例のように、第１溝部９２と第２溝部９３とが設けられていることにより、溝に対して、溝の延在方向と交差する方向に作用する応力は、溝によってその伝達が緩和される。したがって、第１センサー素子９８が検出する信号の漏れや、外部から第１センサー素子９８に与えられるノイズを遮断あるいは低減するシールド効果を有しながら、外部から第１センサー素子９８に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した物理量センサー１ａを得ることができる。

（変形例２）
図２（ｂ）に示す物理量センサー１ｂは、前述の物理量センサー１と同様にセンサー部としての第１センサー素子（第１機能素子）９８、および外縁部９０などを備えている。なお、第１センサー素子９８は、前述の物理量センサー１と同様であるので説明を省略する。

第１センサー素子９８の外周領域に配置されている外縁部９０には、物理量センサー１ｂを平面視したときに、第１方向としてのＸ軸方向にドット状の溝９が並んで配置された第１溝群９２´と、第１方向（Ｘ軸方向）と交差する第２方向としてのＹ軸方向にドット状の溝９が並んで配置された第２溝群９３´とを有している。なお、第１溝群９２´および第２溝群９３´は、複数設けられている。また、第１溝群９２´が延在する第１方向は、可動部（可動電極５０：図１参照）の変位方向である。また、第１溝群９２´は、第１溝部９２に、第２溝群９３´は、第２溝部９３に、それぞれ置き換えることもできる。

第１溝群９２´および第２溝群９３´を構成するドット状の溝９は、外縁部９０の上面から下面に貫通する、平面形状が略円形を成した孔溝（溝）である。複数のドット状の溝９で構成された第１溝群９２´は、Ｘ軸方向の長さが、額縁状を成す外縁部９０の枠幅の約７０％、Ｙ軸方向の幅が外縁部９０の枠幅の約１０％の大きさである。第１溝群９２´は、外縁部９０の枠の領域に略等間隔で配置されている。
複数のドット状の溝９で構成された第２溝群９３´は、第１溝群９２´と同様に、Ｙ軸方向の長さが、額縁状を成す外縁部９０の枠幅の約７０％、Ｘ軸方向の幅が外縁部９０の枠幅の約１０％の大きさである。第２溝群９３´は、略等間隔に配置された第１溝群９２´の間あるいはその隣に交互に並ぶように略等間隔に配置されている。
また、第１溝群９２´および第２溝群９３´は、物理量センサー１ｂを平面視したとき、第１溝群９２´および第２溝群９３´によって構成される図形が２回回転対称となるように配置されている。

なお、ドット状の溝９の数や第１溝群９２´および第２溝群９３´の大きさや数は、上述した内容に限定するものではない。例えば、ドット状の溝９の数を減らして第１溝群９２´および第２溝群９３´の長さを短くしたり、ドット状の溝９の直径を小さくして第１溝群９２´および第２溝群９３´の幅を狭くしたりして、より数多く配置する構成でも良い。また、変形例１と同様に、第１溝群９２´および第２溝群９３´を連続させ、例えば十字形やＴ字形やＬ字形に構成しても良い。ただし、シールド電極としての効果を損なわない範囲で設ける必要がある。また、第１溝群９２´および第２溝群９３´によって構成される図形が回転対称となる配置とすることが好ましい。

このような変形例２に係る物理量センサー１ｂによれば、第１センサー素子９８の外縁部９０に、第１方向にドット状の溝９が並んで配置された第１溝群９２´と、第１方向と交差する第２方向にドット状の溝９が並んで配置された第２溝群９３´を有している。このような構成の第１溝群９２´および第２溝群９３´が設けられていることにより、変形例１と同様に、溝に対して、溝の延在方向と交差する方向に作用する応力は、この第１溝群９２´および第２溝群９３´によってその伝達が緩和される。したがって、第１センサー素子９８が検出する信号の漏れや、外部から第１センサー素子９８に与えられるノイズを遮断あるいは低減するシールド効果を有しながら、外部から第１センサー素子９８に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した物理量センサー１ｂを得ることができる。

（変形例３）
図２（ｃ）に示す物理量センサー１ｃは、前述の物理量センサー１と同様にセンサー部としての第１センサー素子（第１機能素子）９８、および外縁部９０などを備えている。なお、第１センサー素子９８は、前述の物理量センサー１と同様であるので説明を省略する。

変形例３の物理量センサー１ｃは、平面形状が矩形形状をなした外縁部９０を備えており、この外縁部９０に、前述した変形例１の物理量センサー１ａと同様な第１溝部９２および第２溝部９３に加えて、第３溝部９１が設けられている。

第３溝部９１は、物理量センサー１ｃを平面視したときに、外縁部９０の四隅を通る二つの対角線ＣＬ１，ＣＬ２に対して直交する方向に延在している。なお、対角線ＣＬ１，ＣＬ２は、物理量センサー１ｃの中心Ｇを通る中心線と言い換えることができる。そして、第３溝部９１は、外縁部９０の四隅に在って、対角線ＣＬ１，ＣＬ２に対して略対称形状に配置されている。
第３溝部９１は、第１溝部９２および第２溝部９３と同様に、外縁部９０の上面から下面に貫通する孔溝（溝）である。なお、第３溝部９１の延在方向の長さや幅は、第１溝部９２および第２溝部９３と同程度に設けられる。また、第３溝部９１は、複数のドット状の溝９からなる第３溝群９１´（図示せず）であってもよい。

なお、第３溝部９１は、対角線ＣＬ１，ＣＬ２を中心とした＋−（プラスマイナス）１０度程度の範囲に設けられていれば、同等の効果を有している。
また、第１溝部９２、第２溝部９３、および第３溝部９１は、物理量センサー１ｃを平面視したとき、第１溝部９２、第２溝部９３、および第３溝部９１によって構成される図形が２回回転対称となるように配置されている。
また、第３溝部９１は、例えば、物理量センサー１ｃの中心Ｇを基準とした同心円に重なる一部を用いるなど、円弧状をなしていても良い。

このような変形例３に係る物理量センサー１ｃによれば、第１センサー素子９８の外縁部９０に、第１方向に延在する第１溝部９２および第１方向と交差する第２方向に延在する第２溝部９３に加えて、外縁部９０の四隅を通る二つの対角線ＣＬ１，ＣＬ２に対して直交する方向に延在する第３溝部９１が設けられている。したがって、変形例１と同様に、溝に対して、溝の延在方向と交差する方向に作用する応力は、この第１溝部９２および第２溝部９３によってその伝達が緩和される。
また、これに加えて、外縁部９０の四隅に設けられた第３溝部９１により、第１方向および第２方向からの例えば熱歪みなどが集中し、比較的大きな歪み応力を生じる角部（四隅部分）の歪み応力を効率よく緩和、抑制することができる。対角線ＣＬ１，ＣＬ２が設けられる外縁部９０の角部（四隅）は、第１センサー素子９８の中心Ｇからの距離が大きくなるため、熱膨張などによる歪み（反り）が大きくなる。また、外縁部９０の角部（四隅）には、第１方向（Ｘ軸方向）および第２方向（Ｙ軸方向）の両方向から歪み（応力）が加わる。これに対して、第３溝部９１が対角線に直交する方向に設けられているため、第１方向（Ｘ軸方向）および第２方向（Ｙ軸方向）から加わる歪み（応力）を、分散しながら効率よく緩和、抑制することができる。
これらにより、第１センサー素子９８が検出する信号の漏れや、外部から第１センサー素子９８に与えられるノイズを遮断あるいは低減するシールド効果を有しながら、外部から第１センサー素子９８に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した物理量センサー１ｃを得ることができる。

（変形例４）
図３（ａ）に示す物理量センサー１ｄは、前述の物理量センサー１と同様にセンサー部としての第１センサー素子（第１機能素子）９８、および外縁部９０などを備えている。なお、第１センサー素子９８は、前述の物理量センサー１と同様であるので説明を省略する。

変形例４の物理量センサー１ｄは、物理量センサー１ｄを平面視したときに、長辺方向の外縁部９０に配置された変形例１と同様の第１溝部９２および第２溝部９３とが設けられている。また、同様に、短辺方向に対向する外縁部９０には、第１センサー素子の中心を通る中心線ＣＬ１〜ＣＬ５に対して直交する方向に延在されている第３溝部９１，９１ａ，９１ｂが設けられている。ここで、外縁部９０の四隅を通る二つの中心線（対角線）ＣＬ１，ＣＬ２に対して直交する方向に延在する溝部が変形例３で説明した第３溝部９１である。また、外縁部９０の延在方向と直交する方向（Ｘ軸方向）に沿った中心線ＣＬ４上には、第２溝部９３が設けられることになる。

第３溝部９１，９１ａ，９１ｂは、第１溝部９２および第２溝部９３と同様に、外縁部９０の上面から下面に貫通する孔溝（溝）である。なお、第３溝部９１，９１ａ，９１ｂの延在方向の長さや幅は、第１溝部９２および第２溝部９３と同程度に設けられる。
なお、第３溝部９１，９１ａ，９１ｂは、中心線（対角線）ＣＬ１，ＣＬ２を中心とした＋−（プラスマイナス）１０度程度の範囲に設けられていれば、同等の効果を有している。
また、第１溝部９２、第２溝部９３、および第３溝部９１，９１ａ，９１ｂは、物理量センサー１ｄを平面視したとき、第１溝部９２、第２溝部９３、および第３溝部９１，９１ａ，９１ｂによって構成される図形が２回回転対称となるように配置されている。
また、第３溝部９１，９１ａ，９１ｂは、例えば、物理量センサー１ｄの中心Ｇを基準とした同心円に重なる一部を用いるなど、円弧状をなしていても良い。

このような変形例４に係る物理量センサー１ｄによれば、第１センサー素子９８の外縁部９０に、第１方向に延在する第１溝部９２および第１方向と交差する第２方向に延在する第２溝部９３に加えて、外縁部９０の四隅を通る二つの中心線（対角線）ＣＬ１，ＣＬ２および中心線ＣＬ３，ＣＬ５に対して直交する方向に延在する第３溝部９１，９１ａ，９１ｂが設けられている。したがって、変形例１と同様に、溝に対して、溝の延在方向と交差する方向に作用する応力は、この第１溝部９２および第２溝部９３によってその伝達が緩和される。
また、これに加えて、外縁部９０の四隅に設けられた第３溝部９１および他の第３溝部９１ａ，９１ｂにより、第１方向および第２方向からの例えば熱歪みなどが集中し、比較的大きな歪み応力を生じる角部（四隅部分）の歪み応力を、さらに効率よく緩和、抑制することができる。これらにより、第１センサー素子９８が検出する信号の漏れや、外部から第１センサー素子９８に与えられるノイズを遮断あるいは低減するシールド効果を有しながら、外部から第１センサー素子９８に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した物理量センサー１ｄを得ることができる。

（変形例５）
図３（ｂ）に示す物理量センサー１ｅは、前述の物理量センサー１と同様にセンサー部としての第１センサー素子（第１機能素子）９８、および外縁部９０などを備えている。第１センサー素子９８は、前述の物理量センサー１と同様であるので説明を省略する。

変形例５の物理量センサー１ｅは、物理量センサー１ｅを平面視したときに、長辺方向の外縁部９０に配置された第１溝群９２´と、短辺方向の外縁部９０に配置された第２溝群９３´とが設けられている。本形態における第１溝群９２´は、第１方向としてのＸ軸方向にドット状の溝９が並んで配置されて構成されている。また、第２溝群９３´は、第１方向（Ｘ軸方向）と交差する第２方向としてのＹ軸方向にドット状の溝９が並んで配置されて構成されている。また、第１溝群９２´が延在する第１方向は、可動部（可動電極５０：図１参照）の変位方向である。

なお、ドット状の溝９の数や第１溝群９２´および第２溝群９３´の大きさや数は、上述した内容に限定するものではない。例えば、ドット状の溝９の数を減らして第１溝群９２´および第２溝群９３´の長さを短くしたり、ドット状の溝９の直径を小さくして第１溝群９２´および第２溝群９３´の幅を狭くしたりしても良い。また、例えば、ドット状の溝９の列を複数列としたり、ドット状の溝９と隣のドット状の溝９との間隔をランダムにしたりしても良い。ただし、シールド電極としての効果を損なわない範囲で設ける必要がある。

このような変形例５に係る物理量センサー１ｅによれば、第１センサー素子９８の外縁部９０の長辺側に、第１方向（Ｘ軸方向）にドット状の溝９が並んで配置された第１溝群９２´と、外縁部９０の短辺側に、第１方向と交差する第２方向にドット状の溝９が並んで配置された第２溝群９３´を有している。このような構成の第１溝群９２´および第２溝群９３´が設けられていることにより、変形例１と同様に、ドット状の溝９の並び方向（第１溝群９２´および第２溝群９３´の延在方向）に対して、ドット状の溝９の並び方向と交差する方向に作用する応力は、この第１溝群９２´および第２溝群９３´によってその伝達が緩和される。したがって、第１センサー素子９８が検出する信号の漏れや、外部から第１センサー素子９８に与えられるノイズを遮断あるいは低減するシールド効果を有しながら、外部から第１センサー素子９８に伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した物理量センサー１ｅを得ることができる。

なお、上述した変形例の第１溝部９２（または第１溝群９２´）、第２溝部９３（または第２溝群９３´）、および第３溝部９１（または第３溝群９１´）の構成は、一つの溝が延在する構成と、ドット状の溝９が並んで配置された構成とを区別して説明したが、これに限らない。第１溝部９２（または第１溝群９２´）、第２溝部９３（または第２溝群９３´）、および第３溝部９１（または第３溝群９１´）などで構成される溝部の構成は、一つの溝が延在する構成と、ドット状の溝９が並んで配置された構成と、が混在して設けられていてもよい。

（溝の形状の変形例）
上述したドット状の溝９の平面形状は、円形に限らず他の形状であってもよい。ドット状の溝９の平面形状は、図３（ｃ）に示すように、円形をなしたドット状の溝９以外にも、例えば正方形をなしたドット状の溝９ａ、三角形をなしたドット状の溝９ｂ、長方形（四角形）をなしたドット状の溝９ｃ、六角形をなしたドット状の溝９ｄなどの多角形や楕円などの曲線部を有する形状であってもよい。また、例えば第１溝部９２（または第１溝群９２´）の構成に、異なる平面形状のドット状の溝や長穴状の溝を組み合わせて用いてもよい。

（実施形態２）
まず、電子デバイスの実施形態２に係る物理量センサーについて説明する。図４（ａ）〜図４（ｃ）は、電子デバイスの実施形態２に係る物理量センサーを示す模式図であり、図４（ａ）は、平面図、図４（ｂ）は、物理量センサーが備えるセンサー素子の平面図、図４（ｃ）は図４（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図に付記するＸＹＺ軸において、Ｘ方向を右方向、Ｘ軸方向（±Ｘ方向）を横方向、Ｙ方向を奥行方向、Ｙ軸方向（±Ｙ方向）を前後方向、Ｚ方向を上方向、Ｚ軸方向（±Ｚ方向）を上下方向、あるいは、後述する基板１０の厚さ方向として説明する。

（物理量センサーの構成）
物理量センサー１００は、基板１０、センサー部としての第１センサー素子（第１機能素子）９９、および外縁部９０などを備えている。基板１０は、ベース基板として物理量センサー１００を支持する板状体であり、平面視したときに矩形の形状を呈している。また、第１センサー素子９９は、基板１０の主面上に設けられている。基板１０は、第１センサー素子９９のベース基板をも兼ねている。第１センサー素子９９は、センシング部２０、配線３０などを備えている。センシング部２０は、固定部４１，４２、可動部としての可動電極５０、固定電極６０などを備えている。可動電極５０は、支持部５１，５２、可動電極指５３，５４、可動基部５５などを備えている。なお、センサー部を構成する第１センサー素子（第１機能素子）９９、および外縁部９０は、別々に形成されてもよいが、同一材料から形成されることがより好ましい。第１センサー素子（第１機能素子）９９、および外縁部９０が、同一材料で形成された構成は、第１センサー素子（第１機能素子）９９と外縁部９０とが別々に形成される構成と比較してセンサー部を容易に形成することが可能となる。

基板１０は、主面としての上面に、凹陥部７０が設けられている。この凹陥部７０は、基板１０を平面視したときに、センシング部２０の可動電極５０（支持部５１，５２、可動電極指５３，５４、可動基部５５）が収まる領域に形成されている。
固定部４１，４２は、基板１０を平面視したときに、凹陥部７０の領域の外側の領域に、基板１０の主面に接合し設けられている。具体的には、固定部４１は、基板１０の主面の凹陥部７０に対して−Ｘ方向側（図中左側）の部分に接合され、固定部４２は、凹陥部７０に対して＋Ｘ方向側（図中右側）の部分に接合されている。また、固定部４１，４２は、平面視したときに、それぞれ、凹陥部７０の外周縁部に跨るように設けられている。

可動基部５５は、長手方向がＸ方向を向く長方形の板状体であり、固定部４１，４２との間に支持部５１，５２を介して基板１０に遊離して支えられている。より具体的には、可動基部５５の図中左側の端部が支持部５１を介して固定部４１に連結されるとともに、可動基部５５の図中右側の端部が支持部５２を介して固定部４２に連結されている。
可動基部５５の＋Ｙ側の長辺部分からは、複数の（本実施形態では３つの）梁状の可動電極指５３が＋Ｙ方向に、可動基部５５の−Ｙ側の長辺部分からは、複数の（本実施形態では３つの）梁状の可動電極指５４が−Ｙ方向に延出している。
凹陥部７０は、可動電極５０（支持部５１，５２、可動電極指５３，５４、可動基部５５）を基板１０から遊離させるための逃げ部として形成されている。なお、本実施形態では、凹陥部７０の平面視形状は、矩形を呈しているが、これに限定されるものではない。

支持部５１，５２は、可動基部５５を固定部４１，４２に対して変位可能に連結している。本実施形態では、支持部５１，５２は、図４（ｂ）にて矢印ａで示すように、Ｘ軸方向に可動基部５５を変位し得るように構成されている。
Ｙ軸方向に延出する複数の可動電極指５３および複数の可動電極指５４は、それぞれ、可動電極５０の変位するＸ軸方向に並んで設けられている。

支持部５１は、具体的には、２つ（一対）の梁で構成されており、それぞれ、Ｙ軸方向に蛇行しながら＋Ｘ方向に延びる形状をなしている。換言すると、それぞれの梁は、Ｙ軸方向に複数回（本実施形態では３回）折り返された形状をなしている。なお、各梁の折り返し回数は、１回または２回であってもよいし、４回以上であってもよい。
支持部５２も同様に、Ｙ軸方向に蛇行しながら−Ｘ方向に延びる形状をなす一対の梁で構成されている。

固定電極６０は、可動電極５０の複数の可動電極指５３，５４に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指６１，６２を備えている。
固定電極指６１は、１つの可動電極指５３を、間隔を隔てて挟むように、Ｘ軸方向の両側に対向して一対ずつ配置されている。換言すれば、一対の固定電極指６１、即ち２つの固定電極指６１が３か所に配置されている。また、同様に、固定電極指６２は、１つの可動電極指５４を、間隔を隔てて挟むように、Ｘ軸方向の両側に一対ずつ対向して配置されている。換言すれば、一対の固定電極指６２、即ち２つの固定電極指６２が３か所に配置されている。

固定電極指６１，６２は、基板１０の主面上において、基板１０を平面視したときに、凹陥部７０の領域の外側の領域に、それぞれ一方の端部が主面に接合し設けられている。具体的には、固定電極指６１は、可動電極５０側とは反対側（可動電極５０に対して＋Ｙ側）の端部が、それぞれ、凹陥部７０に対して＋Ｙ方向側の基板１０の上面に接合されている。また、各固定電極指６１は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が−Ｙ方向へ延出している。同様に、固定電極指６２は、可動電極５０側とは反対側（可動電極５０に対して−Ｙ側）の端部が、それぞれ、凹陥部７０に対して−Ｙ方向側の基板１０の上面に接合されており、その固定された側の端を固定端とし、自由端が＋Ｙ方向へ延出している。

このような構成により、固定電極指６１の内の可動電極指５３の＋Ｘ側に位置する固定電極指６１（以下第１固定電極指と言う。）と可動電極指５３との間の静電容量、および、固定電極指６１の内の可動電極指５３の−Ｘ側に位置する固定電極指６１（以下第２固定電極指と言う。）と可動電極指５３との間の静電容量を可動電極５０の変位に応じて変化させることができる。
同様に、固定電極指６２の内の可動電極指５４の＋Ｘ側に位置する固定電極指６２（以下、同様に第１固定電極指と言う。）と可動電極指５４との間の静電容量、および、固定電極指６２の内の可動電極指５４の−Ｘ側に位置する固定電極指６２（以下、同様に第２固定電極指と言う。）と可動電極指５４との間の静電容量を可動電極５０の変位に応じて変化させることができる。

第１固定電極指と第２固定電極指とは、基板１０上で互いに分離しており、電気的に絶縁されている。そのため、第１固定電極指と可動電極５０（可動電極指５３，５４）との間の静電容量、および第２固定電極指と可動電極５０（可動電極指５３，５４）との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。
つまり、センシング部２０は、例えば、加速度や角速度などの物理量の変化に応じて、可動電極５０（可動電極指５３，５４）が、支持部５１，５２を弾性変形させながら、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に変位する。第１センサー素子９９は、このような変位に伴って変化する静電容量に基づいて、加速度や角速度などの物理量を検出することができる。つまり、第１センサー素子９９は、容量型加速度センサーである。
なお、可動電極５０および固定電極６０の形状は、センシング部２０を構成する各部の形状、大きさなどに応じて決められるものであり、上述した構成に限定されない。

配線３０は、上記の静電容量を検出するための電気接続配線であり、基板１０の主面に形成された凹部７１に沿って敷設されている。配線３０は、第１固定電極指を結線し外部回路と接続するための電極３１ａに接続する配線と、第２固定電極指を結線し外部回路と接続するための電極３１ｂに接続する配線と、可動電極５０と外部回路と接続するための電極３１ｃに接続する配線とがそれぞれ設けられている。

凹部７１は、凹陥部７０の外側の領域において、配線３０が敷設される領域として設けられている。すなわち、凹部７１は、基板１０を平面視したときに、配線３０の敷設されている領域が凹部７１の領域に収まるように形成されている。
凹部７１の深さ寸法（基板１０の厚み方向の寸法）は、後述するコンタクト部を除き、配線３０の厚さ寸法よりも大きく、凹陥部７０の深さ寸法より小さくなっている。

上述したように、基板１０の主面上に凹部７１を形成し、凹部７１の領域内に凹部７１の深さより薄い配線３０を敷設する構成とすることで、所定の電気接続部以外の領域における配線３０と基板１０の上層に積層されるセンシング部２０との接触が回避される。
所定の電気接続部とは、配線３０の一部を覆うようにセンシング部２０を構成する上層が積層して配線３０とその上層とが当接し、電気的に接続されるコンタクト部である。
図４（ｂ）に示すように、配線３０による第１、第２固定電極指の結線や、配線３０と固定部４１との接続は、コンタクト部８１によって行われる。可動電極５０は、固定部４１を介して、配線３０と電気的に接続されている。なお、配線３０の構成材料は、前述の実施形態１と同様であるので説明を省略する。

また、配線３０とセンシング部２０を構成する上層とが当接するコンタクト部を除き、配線３０上には、絶縁膜を設けても良い。この絶縁膜は、配線３０とセンシング部２０の非接続部との電気的接続（短絡）を回避する機能を有する。絶縁膜の構成材料としては、特に限定されず、絶縁性を有する各種材料を用いることができるが、基板１０がガラス材料（特に、アルカリ金属イオンが添加されたガラス材料）で構成されている場合、二酸化珪素（ＳｉＯ₂）を用いることが好ましい。

外縁部９０は、第１センサー素子９９が検出する信号の漏れや、外部から第１センサー素子９９に与えるノイズを遮断あるいは低減する効果を有するシールド電極としての機能を含んでいる。外縁部９０は、図４（ａ）に示すように、基板１０の主面上において、基板１０を平面視したとき、第１センサー素子９９の外周領域に配置されている。
具体的には、基板１０の主面上中央部において、第１センサー素子９９は、平面視矩形の領域を占めて構成されている。また、基板１０の主面上中央部において、外縁部９０は、第１センサー素子９９を囲むように、額縁状に形成されている。外縁部９０には、配線（図示省略）により、例えば接地電位などの固定電位が与えられる。このように外縁部９０を、接地電位などの固定電位とすることで、外縁部９０がシールド電極としての効果を有する。

また、外縁部９０は、基板１０を平面視したときに、第１方向としてのＸ軸方向に延在する複数の第１溝部９２と、第１方向（Ｘ軸方向）と交差する第２方向としてのＹ軸方向に延在する複数の第２溝部９３とを有している。つまり、第１溝部９２が延在する第１方向は、可動部（可動電極５０）の変位方向である。

第１溝部９２は、外縁部９０の上面から下面に貫通する孔溝（溝）であり、Ｘ軸方向の長さが、額縁状を成す外縁部９０の枠幅の約７０％、Ｙ軸方向の幅が外縁部９０の枠幅の約１０％の大きさである。第１溝部９２は、外縁部９０の枠の領域に略等間隔で配置されている。
第２溝部９３は、第１溝部９２と同様に、外縁部９０を貫通する孔溝（溝）であり、Ｙ軸方向の長さが、額縁状を成す外縁部９０の枠幅の約７０％、Ｘ軸方向の幅が外縁部９０の枠幅の約１０％の大きさである。第２溝部９３は、略等間隔に配置された第１溝部９２の間あるいはその隣に交互に並ぶように略等間隔に配置されている。
また、第１溝部９２および第２溝部９３は、基板１０を平面視したとき、第１溝部９２および第２溝部９３によって構成される図形が２回回転対称となるように配置されている。

なお、第１溝部９２および第２溝部９３の大きさや数は、上述した内容に限定するものではない。例えば、長さや幅をより小さくして、より数多く配置する構成でも良い。また、第１溝部９２および第２溝部９３を連続させ、例えば十字形やＴ字形やＬ字形に構成しても良い。ただし、シールド電極としての効果を損なわない範囲で設ける必要がある。また、第１溝部９２および第２溝部９３によって構成される図形が回転対称となる配置とすることが好ましい。

センシング部２０（固定部４１，４２、支持部５１，５２、可動電極指５３，５４、可動基部５５、固定電極指６１，６２）および外縁部９０を構成する材料には、好適例としてシリコンを用いている。その製造に当たって、それらは、一体に、例えば、一枚のシリコン基板をパターニング加工することにより形成されることが好ましい。
シリコン基板は、エッチングにより高精度に加工することができる。そのため、センシング部２０を、シリコン基板を主材料として構成することにより、センシング部２０の寸法精度を優れたものとし、その結果、第１センサー素子９９の高感度化を図ることができる。
また、センシング部２０、外縁部９０を構成するシリコン材料には、リン、ボロンなどの不純物がドープされていることが好ましい。これにより、第１センサー素子９９は、センシング部２０の導電性、および外縁部９０のシールド電極としてのシールド性を優れたものとすることができる。
なお、センシング部２０の構成材料としては、シリコン基板に限定するものではなく、静電容量の変化に基づく物理量の検出が可能な材料であれば良い。

基板１０の構成材料には、好適例として、絶縁性を有するガラス材料を用いている。また、特に、センシング部２０がシリコン基板で構成されている場合、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックス（登録商標）ガラスのような硼珪酸ガラス）を用いるのが好ましい。これにより、第１センサー素子９９は、基板１０（ガラス基板）とセンシング部２０（シリコン基板）とを陽極接合することにより構成することができる。

図５（ａ）は、ガラス基板と外縁部やセンシング部を構成するシリコン基板とを貼り合わせたときの状態を示す模式図である。
前述したように、基板（ガラス基板など）にセンシング部や外縁部（シールド電極）を構成する層（シリコン基板など）を貼り合わせた積層構造を有する物理量センサーでは、使用される温度環境により、センサーとしての検出特性が変動してしまうという問題があった。具体的には、図５（ａ）に示すように、ガラス基板と、ガラス基板に積層されるシリコン基板との熱膨張係数の差により発生する熱応力が、ガラス基板を反らせてしまうことなどにより、センサー素子を変形させてしまったり、センサー素子の可動部（可動電極）の変位に影響を与えてしまったりするために、検出特性が変動してしまうという問題であった。

これに対し、本実施形態のように、外縁部９０（シリコン基板）に第１溝部９２および第２溝部９３を設けることで、熱応力を緩和することができる。
図５（ｂ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ断面図であり、外縁部９０に第１溝部９２および第２溝部９３が設けられた状態を示している。この図からもわかるように、外縁部９０に第１溝部９２や第２溝部９３を貫通させることにより、発生する熱応力自体の緩和や、発生した熱応力の伝達を抑制することが可能となる。つまり、基板１０と外縁部９０との接合面積が減少することで、発生する熱応力が緩和され（減少し）、また、外縁部９０が不連続となることで、熱応力の伝達が分断される。その結果、図５（ａ）に示されるような反りの発生が抑制される。

（物理量センサーの製造方法）
次に、電子デバイスの実施形態２に係る物理量センサー１００の製造方法について説明する。図６（ａ）〜図６（ｄ）は、電子デバイスの実施形態２に係る物理量センサー１００の製造方法を模式的に示す正断面図である。

まず、図６（ａ）に示すように、基板１０の表面に凹陥部７０および凹部７１を形成する。基板１０の材料は絶縁体であり、例えばガラスである。凹陥部７０および凹部７１の形成は、フォトリソグラフィー法を用いて行い、例えば図示しないクロム（Ｃｒ）層、金（Ａｕ）層をマスクパターンとしたエッチング加工により形成する。これにより、上面から掘り込まれた凹陥部７０および凹部７１を形成する。エッチング加工は、例えばフッ酸を含む溶液によるウェットエッチングあるいはプラズマによるドライエッチングにより行われる。
また、凹部７１の底面に配線３０やコンタクト部８１を構成する導電体を成膜、パターニングする。導電体を形成する導電体材料としては特に限定されず、例えば、金（Ａｕ）、金合金、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銀（Ａｇ）、銀合金、クロム（Ｃｒ）、クロム合金、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属材料や、ＩＴＯ、ＺｎＯ等の電極材料を用いることができる。

次に、図６（ｂ）に示すように、センサー部を構成する機能素子基板４０を基板１０に貼り合わせる。機能素子基板４０は、シリコン基板であり、基板１０との貼り合わせは、例えば陽極接合によって行われる。機能素子基板４０は、基板１０の凹陥部７０および凹部７１を除く平面部分に貼り合わされる。

次に、図６（ｃ）に示すように、機能素子基板４０を、フォトリソグラフィー法を用いたエッチング加工により、センサー部を形成する。エッチング加工は、ドライエッチングあるいはウェットエッチングを用い、所定の位置にレジスト層４８をパターニングした後、露出した機能素子基板４０の部分をエッチングして、固定部４１、支持部５１、固定電極指６２の内の可動電極指５４、可動基部５５、および外縁部９０などを形成する。このとき、外縁部９０にあって、外縁部９０を貫通して第１方向（Ｘ軸方向）に延在する第１溝部９２および第１方向と交差する第２方向（Ｙ軸方向）に延在する第２溝部９３も併せて形成する。なお、この工程において、第３溝部９１も併せて形成することもできる。

以上のような工程により、図６（ｄ）に示すように、基板１０と、基板１０に貼り合わされた機能素子基板４０から形成されたセンサー部としての第１センサー素子（第１機能素子）９９を備えている物理量センサー１００を形成することができる。

上述した物理量センサー１００の製造方法によれば、基板１０に形成された凹陥部７０に対向させて機能素子基板４０を接合し、その後機能素子基板４０をパターニング加工し、第１センサー素子（第１機能素子）９９と、外縁部９０と、外縁部９０の第１溝部９２および第２溝部９３とを形成する。このように、基板１０に接合された機能素子基板４０から、第１センサー素子（第１機能素子）９９と、外縁部９０と、外縁部９０の第１溝部９２および第２溝部９３とを、同一工程で形成することができる。換言すれば、容易に第１センサー素子（第１機能素子）９９と、外縁部９０と、外縁部９０の第１溝部９２および第２溝部９３とを形成することができる。

以上述べたように、本実施形態による物理量センサー１００によれば、以下の効果を得ることができる。
物理量センサー１００は、基板１０と、基板１０の主面上に設けられた第１センサー素子９９と、第１センサー素子９９の外周（基板１０を平面視したときの外周）に配置された外縁部９０とを備えている。外縁部９０は、第１方向（Ｘ軸方向）に延在する第１溝部９２と、第１方向と交差する第２方向（Ｙ軸方向）に延在する第２溝部９３とを有している。そのため、外縁部９０が基板１０の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する場合に発生する熱応力は、少なくとも、これらの溝のいずれかによって緩和される。

具体的には、溝に対して、溝の延在方向と交差する方向に作用する応力は、溝によってその伝達が緩和される。従って、基板１０と基板１０の主面上の外縁部９０との間に生ずる熱応力も、これらの溝（第１溝部９２および第２溝部９３、あるいは、少なくともこれらの一方の溝）によって緩和される。例えば、熱応力によって基板１０が反ってしまう場合においては、これらの溝によって、その反りが緩和される。その結果、熱膨張係数の差により発生する熱応力が、第１センサー素子９９を変形させてしまったり、第１センサー素子９９が備える可動部（可動電極５０）の変位に影響を与えてしまったりすることが抑制され、第１センサー素子９９が使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制される。
また、外縁部９０と、外縁部９０の第１溝部９２および第２溝部９３とを、同一工程で形成することができるため、容易に第１センサー素子（第１機能素子）９９と、外縁部９０と、外縁部９０の第１溝部９２および第２溝部９３とを形成することができる。
つまり、使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制された、より検出特性が安定した物理量センサーを容易に形成し、提供することが可能となる。

また、第１方向は、第１センサー素子９９が備える可動部の変位方向（基板１０の平面視における変位方向）である。つまり、第１センサー素子９９の外周に配置された外縁部９０は、基板１０を平面視したときに、第１センサー素子９９が備える可動部が変位する方向と同じ方向に延在する第１溝部９２と、第１センサー素子９９が備える可動部が変位する方向と交差する方向に延在する第２溝部９３とを備えている。
外縁部９０が基板１０の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する場合、外縁部９０は、第１センサー素子９９が備える可動部の変位方向と交差する方向に延在する第２溝部９３を備えるため、第２溝部９３により、可動部の変位方向に生ずる熱応力をより効果的に緩和することができる。特に、第２溝部９３が、可動部の変位方向と略直角方向に交差して延在しているため、より効果的に熱応力が緩和される。

また、外縁部９０が第１溝部９２を備えることにより、基板１０が外縁部９０から受ける熱応力自体が抑制される。外縁部９０が、第１センサー素子９９が備える可動部の変位方向に延在する第１溝部９２を備えることにより、基板１０が外縁部９０から受ける可動部の変位方向に発生する熱応力自体が抑制される。

これらの結果、熱膨張係数の差により発生する熱応力が、第１センサー素子９９を変形させてしまったり、第１センサー素子９９が備える可動部（可動電極５０）の変位に影響を与えてしまったりすることが抑制され、第１センサー素子９９が使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制される。

（変形例６〜１３）
次に、図７〜図１０を参照して、実施形態２に係る物理量センサーの変形例６〜１５について説明する。なお、説明にあたり、上述した実施形態２と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。なお、以下の変形例６〜１５では、説明の便宜上、図７〜図１０に付記するＸＹＺ軸において、Ｘ方向を右方向、Ｘ軸方向（±Ｘ方向）を横方向、Ｙ方向を奥行方向、Ｙ軸方向（±Ｙ方向）を前後方向、Ｚ方向を上方向、Ｚ軸方向（±Ｚ方向）を上下方向、あるいは、後述する基板１０の厚さ方向として説明することがある。

（変形例６）
先ず、変形例６に係る物理量センサーについて図７（ａ）を用いて説明する。図７（ａ）は、変形例６に係る物理量センサー１０１の概略を示す平面図である。

図７（ａ）に示す変形例６の物理量センサー１０１は、センサー部の構成に、第１機能素子（第１センサー素子９９）に加えて、第２機能素子（第２センサー素子９９ａ、第３センサー素子９９ｂ）を備え、それぞれのセンサー素子の間の領域の外縁部に第１溝部９２を備えていることを特徴としている。

物理量センサー１０１は、基板１０、第１センサー素子９９、第２機能素子としての第２センサー素子９９ａおよび第３センサー素子９９ｂ、外縁部９０ａなどを備えている。
第２センサー素子９９ａは、例えば、第１センサー素子９９と同じ構成で、その設置方向（向き）が異なる容量型加速度センサーである。第１センサー素子９９がＸ軸方向の加速度を検出するのに対して、第２センサー素子９９ａは、Ｙ軸方向の加速度を検出する向きに配置されている。
第３センサー素子９９ｂは、例えば、角速度を検出するジャイロセンサーである。内部に、可動部として振動子を備えている。

第１センサー素子９９、第２センサー素子９９ａ、第３センサー素子９９ｂは、図７（ａ）に示すように、基板１０の主面上にそれぞれ間隔を置いて配置されている。具体的には、矩形状の基板１０の図中右下領域（＋Ｘ、−Ｙ側の領域）に第１センサー素子９９が、その図中奥行方向の領域（＋Ｘ、＋Ｙ側の領域）に第３センサー素子９９ｂが、第１センサー素子９９と第３センサー素子９９ｂの図中左側領域（−Ｘ側のＹ軸方向中央の領域）に第２センサー素子９９ａが配置されている。

それぞれのセンサー素子の外周には、外縁部９０ａが配置されている。換言すると、基板１０の主面上のそれぞれのセンサー素子が占める領域以外の領域に外縁部９０ａが形成されている。外縁部９０ａには、配線（図示省略）により、例えば接地電位が与えられる。

それぞれのセンサー素子の間の領域の外縁部９０ａには、第１溝部９２が設けられている。具体的には、第１センサー素子９９と第３センサー素子９９ｂとの間の領域の外縁部９０ａには、第１溝部９２がＸ軸方向に並ぶ溝列９４が設けられている。また、第１センサー素子９９と第２センサー素子９９ａとの間、および第３センサー素子９９ｂと第２センサー素子９９ａとの間の領域の外縁部９０ａには、第１溝部９２がＹ軸方向に並ぶ溝列９５が設けられている。
なお、必ずしも溝列９４および溝列９５の両方を設ける必要はなく、センサー素子相互間に発生する応力の緩和が必要な領域に溝列を設ければ良い。

以上述べたように、本変形例６による物理量センサー１０１によれば、以下の効果を得ることができる。
物理量センサー１０１は、基板１０の主面上に設けられた第１機能素子（第１センサー素子９９）に加えて、更に第２機能素子（第２センサー素子９９ａ、第３センサー素子９９ｂ）を備えている。このように、共通の基板上に複数のセンサー素子を備える場合には、一方のセンサー素子が発生するノイズが他方のセンサー素子に影響を与えるなど、物理量センサーとしての検出特性を悪化させる場合がある。このノイズは、電気的なものだけではなく、応力や振動など機械的なエネルギーによる場合がある。具体的には、センサー素子構造体が発生あるいは有する熱応力や残留応力が、また、可動部を有する場合などにおいては、可動部の振動漏れが隣接するセンサー素子に伝達されて隣接するセンサー素子の検出特性に影響を与える場合がある。

本変形例６によれば、第１溝部９２は、少なくとも、第１センサー素子９９と第２センサー素子９９ａとの間、第１センサー素子９９と第３センサー素子９９ｂとの間、第２センサー素子９９ａと第３センサー素子９９ｂとの間のいずれかの領域の外縁部９０ａに設けられている。従って、それぞれのセンサー素子間に働く応力や、一方から他方に伝達される漏れ振動などのエネルギーは、第１溝部９２によってその伝達が緩和され、特性に与える影響を抑制させることができる。

（変形例７）
次に、変形例７に係る物理量センサーについて図７（ｂ）を用いて説明する。図７（ｂ）は、変形例７に係る物理量センサー１０２の概略を示す平面図である。

図７（ｂ）に示す変形例７の物理量センサー１０２は、変形例６と同様に第１機能素子（第１センサー素子９９）に加えて、更に第２機能素子（第２センサー素子９９ａ、第３センサー素子９９ｂ）を備え、それぞれのセンサー素子の間の外縁部９０ａに、第１溝部９２および第２溝部９３を備えていることを特徴としている。
なお、第１機能素子（第１センサー素子９９）、および第２機能素子（第２センサー素子９９ａ、第３センサー素子９９ｂ）の構成や配置については、変形例６と同様であるので説明を省略する。

それぞれのセンサー素子の外周には、外縁部９０ａが配置されている。換言すると、基板１０の主面上のそれぞれのセンサー素子が占める領域以外の領域に外縁部９０ａが形成されている。外縁部９０ａには、配線（図示省略）により、例えば接地電位が与えられる。

それぞれのセンサー素子の間の領域の外縁部９０ａには、第１溝部９２および第２溝部９３が設けられている。具体的には、第１センサー素子９９と第３センサー素子９９ｂとの間の領域の外縁部９０ａには、第１溝部９２および第２溝部９３がＸ軸方向に交互に並ぶ列からなる溝列９４が設けられている。また、第１センサー素子９９と第２センサー素子９９ａとの間、および第３センサー素子９９ｂと第２センサー素子９９ａとの間の領域の外縁部９０ａには、第１溝部９２および第２溝部９３がＹ軸方向に交互に並ぶ列からなる溝列９５が設けられている。
溝列９４および溝列９５のそれぞれにおいて、基板１０を平面視したとき、第１溝部９２および第２溝部９３によって構成される図形が２回回転対称となるように配置されている。
なお、必ずしも溝列９４および溝列９５の両方を設ける必要はなく、センサー素子相互間に発生する応力の緩和が必要な領域に溝列を設ければ良い。

以上述べたように、本実施形態による物理量センサー１０２によれば、以下の効果を得ることができる。
物理量センサー１０２は、基板１０の主面上に設けられた第１機能素子（第１センサー素子９９）に加えて、更に第２機能素子（第２センサー素子９９ａ、第３センサー素子９９ｂ）を備えている。このように、共通の基板上に複数のセンサー素子を備える場合には、一方のセンサー素子が発生するノイズが他方のセンサー素子に影響を与えるなど、物理量センサーとしての検出特性を悪化させる場合がある。このノイズは、電気的なものだけではなく、応力や振動など機械的なエネルギーによる場合がある。具体的には、センサー素子構造体が発生あるいは有する熱応力や残留応力が、また、可動部を有する場合などにおいては、可動部の振動漏れが隣接するセンサー素子に伝達されて隣接するセンサー素子の検出特性に影響を与える場合がある。

本実施形態によれば、第１溝部９２および第２溝部９３は、少なくとも、第１センサー素子９９と第２センサー素子９９ａとの間、第１センサー素子９９と第３センサー素子９９ｂとの間、第２センサー素子９９ａと第３センサー素子９９ｂとの間のいずれかの領域の外縁部９０ａに設けられている。従って、それぞれのセンサー素子間に働く応力や、一方から他方に伝達される漏れ振動などのエネルギーは、第１溝部９２および第２溝部９３、あるいは、少なくとも一方の溝によってその伝達が緩和され、特性に与える影響を抑制させることができる。

（変形例８）
次に、変形例８に係る物理量センサーについて説明する。図７（ｃ）は、変形例８に係る物理量センサー１０３の概略を示す平面図である。

図７（ｃ）は、変形例８に係る物理量センサー１０３の概略を示す平面図である。図７（ｃ）に示す変形例８の物理量センサー１０３は、変形例７と同様に第１機能素子と第２機能素子とを備え、それぞれのセンサー素子の外周をとり囲む外縁部９０ａの全領域（全面）に亘って第１溝部９２および第２溝部９３を備えていることを特徴としている。

物理量センサー１０３は、外縁部９０ａが備える第１溝部９２および第２溝部９３の位置や数が異なる点を除き、物理量センサー１０２と同様である。物理量センサー１０３は、図７（ｃ）に示すように、外縁部９０ａの全領域に亘って、第１溝部９２および第２溝部９３がＸ軸方向、Ｙ軸方向に交互に並ぶように配置されている。また、第１溝部９２および第２溝部９３は、基板１０を平面視したとき、第１溝部９２および第２溝部９３によって構成される図形が２回回転対称となるように配置されている。

本変形例の物理量センサー１０３によれば、以下の効果を得ることができる。
外縁部９０ａが基板１０の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する場合に発生する熱応力は、これらの溝（第１溝部９２および第２溝部９３、あるいは、少なくともこれらの一方の溝）によって緩和される。また、基板１０と基板１０の主面上の外縁部９０ａとの間に生ずる熱応力も、これらの溝によって緩和される。その結果、熱膨張係数の差により発生する熱応力が、基板１０の主面上に設けられたセンサー素子（第１センサー素子９９、第２センサー素子９９ａ、第３センサー素子９９ｂ）を変形させてしまったり、センサー素子が備える可動部の変位に影響を与えてしまったりすることが抑制され、センサー素子が使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制される。
また、複数のセンサー素子間に働く応力や、一方から他方に伝達される漏れ振動などのエネルギーは、第１溝部９２および第２溝部９３、あるいは、少なくともこれらの一方の溝によってその伝達が緩和され、特性に与える影響を抑制させることができる。
このように、外縁部９０ａの全領域に亘って、第１溝部９２および第２溝部９３がＸ軸方向、Ｙ軸方向に交互に並ぶように配置されることで、より効果的に検出特性の安定化をはかることができる。

（変形例９）
次に、変形例９に係る物理量センサー１０４について、図８（ａ）を用いて説明する。図８（ａ）は、変形例９に係る物理量センサー１０４の概略を示す平面図である。
図８（ａ）に示す変形例９に係る物理量センサー１０４は、変形例６と同様に、第１機能素子（第１センサー素子９９）に加えて、更に第２機能素子（第２センサー素子９９ａ、第３センサー素子９９ｂ）を備え、それぞれのセンサー素子の間の領域の外縁部９０ａに第１溝部９２がＸ軸方向に並ぶ列からなる溝列９４を備えている。また、加えて、物理量センサー１０４は、第１機能素子（第１センサー素子９９）および第２機能素子（第３センサー素子９９ｂ）の外縁部９０ａに第３溝部９１（９１ｅ）を備えていることを特徴としている。本変形例９の説明では、変形例６と同様な構成については、同符号を付して説明を省略する。

第３溝部９１は、物理量センサー１０４を平面視したときに、第１センサー素子９９および第３センサー素子９９ｂのそれぞれの四隅を通る四つの対角線ＣＬ１ａ，ＣＬ２ａ，ＣＬ３ａ，ＣＬ４ａに対して直交する方向に、対角線ＣＬ１ａ，ＣＬ２ａ，ＣＬ３ａ，ＣＬ４ａを介して両側に延在している。なお、対角線ＣＬ１ａ，ＣＬ２ａ，ＣＬ３ａ，ＣＬ４ａは、第１センサー素子９９および第３センサー素子９９ｂそれぞれの中心Ｇを通る中心線と言い換えることができる。そして、第３溝部９１は、第１センサー素子９９および第３センサー素子９９ｂそれぞれの外縁部９０ａの四隅に在って、対角線ＣＬ１ａ，ＣＬ２ａ，ＣＬ３ａ，ＣＬ４ａに対して略対称形状に配置されている。また、第３溝部９１は、例えば第１センサー素子９９および第３センサー素子９９ｂの対向する側に位置する対角線ＣＬ１および対角線ＣＬ４上の二つの溝部（第３溝部９１）が連なった形状（本例ではＶ字状）の第３溝部９１ｅとすることもできる。

第３溝部９１（９１ｅ）は、第１溝部９２と同様に、外縁部９０ａの上面から下面に貫通する孔溝（溝）である。なお、第３溝部９１（９１ｅ）の延在方向の長さや幅は、第１溝部９２と同程度であっても良いし、異なっていても良い。
なお、第３溝部９１（９１ｅ）は、対角線ＣＬ１ａ，ＣＬ２ａ，ＣＬ３ａ，ＣＬ４ａを中心とした＋−（プラスマイナス）１０度程度の範囲に設けられていれば、同等の効果を有している。
また、第１溝部９２および第３溝部９１（９１ｅ）は、物理量センサー１０４を平面視したとき、第１溝部９２および第３溝部９１（９１ｅ）によって構成される図形が２回回転対称となるように配置されている。
また、第３溝部９１（９１ｅ）は、第２センサー素子９９ａの外縁部９０ａに設けることもできる。
また、第３溝部９１（９１ｅ）は、例えば、それぞれのセンサー素子の中心を基準とした同心円に重なる一部を用いるなど、円弧状をなしていても良い。

本変形例９に係る物理量センサー１０４によれば、前述の変形例６の物理量センサー１０１の効果に加え、以下の効果を有している。
物理量センサー１０４は、第１溝部９２に加えて第１センサー素子９９および第３センサー素子９９ｂの四隅の外縁部９０ａに第３溝部９１（９１ｅ）を備えている。この第３溝部９１（９１ｅ）により、第１方向（Ｘ軸方向）および第２方向（Ｙ軸方向）からの例えば熱歪みなどが集中し、比較的大きな歪み応力を生じる角部（四隅部分）の歪み応力を効率よく緩和、抑制することができる。
対角線ＣＬ１ａ，ＣＬ２ａ，ＣＬ３ａ，ＣＬ４ａが設けられる外縁部９０ａの角部（四隅）は、第１センサー素子９９の中心からの距離が大きくなるため、熱膨張などによる歪み（反り）や基板１０と外縁部９０ａとの熱膨張の違いによる歪み（応力）が大きくなる。また、外縁部９０ａの角部（四隅）には、第１方向（Ｘ軸方向）および第２方向（Ｙ軸方向）の両方向から歪み（応力）が加わる。これに対して、第３溝部９１（９１ｅ）が対角線に直交する方向に設けられているため、第１方向（Ｘ軸方向）および第２方向（Ｙ軸方向）から加わる歪み（応力）を、分散しながら効率よく緩和、抑制することができる。これらにより、第１センサー素子９９や第３センサー素子９９ｂが検出する信号の漏れや、外部から第１センサー素子９９や第３センサー素子９９ｂに与えられるノイズを遮断あるいは低減するシールド効果を有しながら、外部から第１センサー素子９９や第３センサー素子９９ｂに伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した物理量センサー１０４を得ることができる。
なお、第３溝部９１（９１ｅ）を、第２センサー素子９９ａの外縁部９０ａに設ければ、上述と同様な効果を奏することになる。

（変形例１０）
次に、変形例１０に係る物理量センサー１０５について、図８（ｂ）を用いて説明する。図８（ｂ）は、変形例１０に係る物理量センサー１０５の概略を示す平面図である。
図８（ｂ）に示す変形例１０に係る物理量センサー１０５は、変形例７と同様に、第１機能素子（第１センサー素子９９）に加えて、更に第２機能素子（第２センサー素子９９ａ、第３センサー素子９９ｂ）を備え、それぞれのセンサー素子の間の領域の外縁部９０ａに第１溝部９２および第２溝部９３がＸ軸方向に交互に並ぶ列からなる溝列９４を備えている。また、加えて、物理量センサー１０５は、変形例９と同様に、第１機能素子（第１センサー素子９９）および第２機能素子（第３センサー素子９９ｂ）の外縁部９０ａに第３溝部９１（９１ｂ，９１ｄ）を備えていることを特徴としている。本変形例９の説明では、変形例７および変形例９と同様な構成については、同符号を付して説明を省略する。

第３溝部９１は、物理量センサー１０５を平面視したときに、第１センサー素子９９および第３センサー素子９９ｂのそれぞれの四隅を通る四つの対角線ＣＬ１ｂ，ＣＬ２ｂ，ＣＬ３ｂ，ＣＬ４ｂに対して直交する方向に、対角線ＣＬ１ｂ，ＣＬ２ｂ，ＣＬ３ｂ，ＣＬ４ｂを介して両側に延在している。なお、対角線ＣＬ１ｂ，ＣＬ２ｂ，ＣＬ３ｂ，ＣＬ４ｂは、第１センサー素子９９および第３センサー素子９９ｂそれぞれの中心Ｇを通る中心線と言い換えることができる。そして、八隅に設けられた第３溝部９１は、第１センサー素子９９および第３センサー素子９９ｂそれぞれの外縁部９０ａの四隅に在って、対角線ＣＬｂ１，ＣＬ２ｂ，ＣＬ３ｂ，ＣＬ４ｂに対して略対称形状に配置されている。加えて、物理量センサー１０５では、第１センサー素子９９の対角線ＣＬ１ｂと対角線ＣＬ２ｂとの間に配置される二つの中心線ＣＬ５ｂ，ＣＬ６ｂ、および第３センサー素子９９ｂの対角線ＣＬ３ｂと対角線ＣＬ４ｂの間に配置される二つの中心線ＣＬ７ｂ，ＣＬ８ｂに対して直交する方向に、中心線ＣＬ５ｂ，ＣＬ６ｂ，ＣＬ７ｂ，ＣＬ８ｂを介して両側に延在する他の第３溝部９１ｂ，９１ｄが設けられている。

第３溝部９１（９１ｂ，９１ｄ）は、第１溝部９２および第２溝部９３と同様に、外縁部９０ａの上面から下面に貫通する孔溝（溝）である。なお、第３溝部９１（９１ｂ，９１ｄ）の延在方向の長さや幅は、第１溝部９２および第２溝部９３と同程度であっても良いし、異なっていても良い。
なお、第３溝部９１（９１ｂ，９１ｄ）は、対角線ＣＬ１ｂ，ＣＬ２ｂ，ＣＬ３ｂ，ＣＬ４ｂまたは中心線ＣＬ５ｂ，ＣＬ６ｂ，ＣＬ７ｂ，ＣＬ８ｂを中心とした＋−（プラスマイナス）１０度程度の範囲に設けられていれば、同等の効果を有している。
また、第１溝部９２、第２溝部９３、および第３溝部９１（９１ｂ，９１ｄ）は、物理量センサー１０４を平面視したとき、第１溝部９２、第２溝部９３、および第３溝部９１によって構成される図形が２回回転対称となるように配置されている。
また、第３溝部９１（９１ｂ，９１ｄ）は、第２センサー素子９９ａの外縁部９０ａに設けることもできる。
また、第３溝部９１（他の第３溝部９１ｂ，９１ｄ）は、例えば、それぞれのセンサー素子の中心を基準とした同心円に重なる一部を用いるなど、円弧状をなしていても良い。

本変形例１０に係る物理量センサー１０５によれば、前述の変形例７の物理量センサー１０２の効果に加え、以下の効果を有している。
物理量センサー１０５は、第１溝部９２および第２溝部９３に加えて第１センサー素子９９および第３センサー素子９９ｂの四隅の外縁部９０ａに第３溝部９１を備え、この内側の外縁部９０ａに他の第３溝部９１ｂ，９１ｄを備えている。この第３溝部９１（９１ｂ，９１ｄ）により、第１方向（Ｘ軸方向）および第２方向（Ｙ軸方向）からの例えば熱歪みなどが集中し、比較的大きな歪み応力を生じる角部（四隅部分）の歪み応力を効率よく緩和、抑制することができる。これらにより、第１センサー素子９９や第３センサー素子９９ｂが検出する信号の漏れや、外部から第１センサー素子９９や第３センサー素子９９ｂに与えられるノイズを遮断あるいは低減するシールド効果を有しながら、外部から第１センサー素子９９や第３センサー素子９９ｂに伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した物理量センサー１０５を得ることができる。
なお、第３溝部９１（９１ｂ，９１ｄ）を、第２センサー素子９９ａの外縁部９０ａに設ければ、上述と同様な効果を奏することになる。

（変形例１１）
次に、変形例１１に係る物理量センサー１０６について、図９（ａ）を用いて説明する。図９（ａ）は、変形例１１に係る物理量センサー１０６の概略を示す平面図である。
図９（ａ）に示す変形例１１に係る物理量センサー１０６は、変形例６と同様に、第１機能素子（第１センサー素子９９）に加えて、更に第２機能素子（第２センサー素子９９ａ、第３センサー素子９９ｂ）を備え、それぞれのセンサー素子の間の領域の外縁部９０ａに第１溝部９２がＸ軸方向に並ぶ列からなる溝列９４、および第１溝部９２がＹ軸方向に並ぶ列からなる溝列９５を備えている。

本変形例１１の変形例６との相違点は、変形例６における第１溝部９２が、複数のドット状の溝９（本例では、三つの溝９）をＸ軸方向に並べて配置している第１溝群９２´となっていることである。したがって、本変形例１１の説明では、変形例６と同様な構成については、同符号を付して説明を省略するが、物理量センサー１０６によれば、前述の変形例６の物理量センサー１０１と同様な効果を奏すること ができる。なお、第１溝群９２´を構成するドット状の溝９の数は問わない。

（変形例１２）
次に、変形例１２に係る物理量センサー１０７について、図９（ｂ）を用いて説明する。図９（ｂ）は、変形例１２に係る物理量センサー１０７の概略を示す平面図である。
図９（ｂ）に示す変形例１２に係る物理量センサー１０７は、変形例７と同様に、第１機能素子（第１センサー素子９９）に加えて、更に第２機能素子（第２センサー素子９９ａ、第３センサー素子９９ｂ）を備え、それぞれのセンサー素子の間の領域の外縁部９０ａに変形例７の第１溝部９２に相当する第１溝群９２´および変形例７の第２溝部９３に相当する第２溝群９３´を備えている。具体的には、第１センサー素子９９と第３センサー素子９９ｂとの間の領域の外縁部９０ａは、第１溝群９２´および第２溝群９３´がＸ軸方向に交互に並ぶ列からなる溝列９４が設けられ、第１センサー素子９９と第２センサー素子９９ａとの間、および第３センサー素子９９ｂと第２センサー素子９９ａとの間の領域の外縁部９０ａに、第１溝群９２´および第２溝群９３´がＹ軸方向に交互に並ぶ列からなる溝列９５が設けられている。

本変形例１２と変形例７との相違点は、第１溝群９２´および第２溝部９３が、複数のドット状の溝９（本例では、三つの溝９）を、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に並べて配置している構成となっていることである。したがって、本変形例１２の説明では、変形例７と同様な構成については、同符号を付して説明を省略するが、物理量センサー１０７によれば、前述の変形例７の物理量センサー１０２と同様な効果を奏すること ができる。なお、第１溝群９２´および第２溝群９３´を構成するドット状の溝９の数は問わず、幾つであっても良い。

（変形例１３）
次に、変形例１３に係る物理量センサー１０８について、図９（ｃ）を用いて説明する。図９（ｃ）は、変形例１３に係る物理量センサー１０８の概略を示す平面図である。
図９（ｃ）に示す変形例１３に係る物理量センサー１０８は、変形例８と同様に、第１機能素子（第１センサー素子９９）に加えて、更に第２機能素子（第２センサー素子９９ａ、第３センサー素子９９ｂ）を備え、それぞれのセンサー素子の外周をとり囲む外縁部９０ａの全領域（全面）に亘って変形例８の第１溝部９２に相当する第１溝群９２´および変形例８の第２溝部９３に相当する第２溝群９３´を備えている。

本変形例１３と変形例８との相違点は、変形例８の第１溝部９２および第２溝部９３が、複数のドット状の溝９（本例では、三つの溝９）を、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に並べて配置している第１溝群９２´および第２溝群９３´となっていることである。したがって、本変形例１３の説明では、変形例８と同様な構成については、同符号を付して説明を省略するが、物理量センサー１０８によれば、前述の変形例８の物理量センサー１０３と同様な効果を奏すること ができる。なお、第１溝群９２´、第２溝群９３´を構成するドット状の溝９の数は問わず、幾つであっても良い。

（変形例１４）
次に、変形例１４に係る物理量センサー１０９ａについて、図１０（ａ）を用いて説明する。図１０（ａ）は、変形例１４に係る物理量センサー１０９ａの概略を示す平面図である。
図１０（ａ）に示す変形例１４に係る物理量センサー１０９ａは、変形例６と同様に、第１機能素子（第１センサー素子９９）に加えて、更に第２機能素子（第２センサー素子９９ａ、第３センサー素子９９ｂ）を備え、それぞれのセンサー素子の間の領域の外縁部９０ａに第１溝部９２がＸ軸方向に並ぶ列からなる溝列９４を備えている。また、加えて、物理量センサー１０９ａは、基板１０の外周部に重なる、第１機能素子（第１センサー素子９９）および第２機能素子（第２センサー素子９９ａ、第３センサー素子９９ｂ）を囲む外縁部９０ａに第３溝部９１を備えていることを特徴としている。本変形例１４の説明では、変形例６と同様な構成については、同符号を付して説明を省略する。

第３溝部９１は、物理量センサー１０４を平面視したときに、第１センサー素子９９、第２センサー素子９９ａ、および第３センサー素子９９ｂを囲む領域にあって、外縁部９０ａの四隅を通る四つの対角線ＣＬ１１，ＣＬ１２に対して直交する方向に、対角線ＣＬ１１，ＣＬ１２を介して両側に延在している。なお、対角線ＣＬ１１，ＣＬ１２は、物理量センサー１０９ａの中心を通る中心線と言い換えることができる。そして、第３溝部９１は、対角線ＣＬ１１，ＣＬ１２に対して略対称形状に配置されている。第３溝部９１は、第１溝部９２と同様に、外縁部９０ａの上面から下面に貫通する孔溝（溝）である。なお、第３溝部９１の延在方向の長さや幅は、第１溝部９２と同程度であっても良いし、異なっていても良い。

なお、第３溝部９１は、対角線ＣＬ１１，ＣＬ１２を中心とした＋−（プラスマイナス）１０度程度の範囲に設けられていれば、同等の効果を有している。
また、第１溝部９２および第３溝部９１は、物理量センサー１０９ａを平面視したとき、第１溝部９２および第３溝部９１によって構成される図形が２回回転対称となるように配置されている。
また、第３溝部９１は、例えば、物理量センサー１０９ａの中心を基準とした同心円に重なる一部を用いるなど、円弧状をなしていても良い。
また、第１溝部９２および第３溝部９１は、溝が並んで配置されている構成であっても良い。

本変形例１４に係る物理量センサー１０９ａによれば、前述の変形例６の物理量センサー１０１の効果に加え、以下の効果を有している。
物理量センサー１０９ａは、基板１０の外周部に重なる外縁部９０ａの四隅に第３溝部９１を備えている。この第３溝部９１により、第１方向（Ｘ軸方向）および第２方向（Ｙ軸方向）からの例えば熱歪みなどが集中し、比較的大きな歪み応力を生じる角部（四隅部分）の歪み応力を効率よく緩和、抑制することができる。
対角線ＣＬ１１，ＣＬ１２が設けられる基板１０の外周部に重なる外縁部９０ａの角部（四隅）は、物理量センサー１０９ａの中心からの距離が大きくなるため、熱膨張などによる歪み（反り）や基板１０と外縁部９０ａとの熱膨張の違いによる歪み（応力）が大きくなる。また、外縁部９０ａの角部（四隅）には、第１方向（Ｘ軸方向）および第２方向（Ｙ軸方向）の両方向から歪み（応力）が加わる。これに対して、第３溝部９１が対角線に直交する方向に設けられているため、第１方向（Ｘ軸方向）および第２方向（Ｙ軸方向）から加わる歪み（応力）を、分散しながら効率よく緩和、抑制することができる。
これらにより、第１センサー素子９９、第２センサー素子９９ａ、および第３センサー素子９９ｂが検出する信号の漏れや、基板１０側から第１センサー素子９９、第２センサー素子９９ａ、および第３センサー素子９９ｂに与えられるノイズを遮断あるいは低減するシールド効果を有する。これらにより、外部から第１センサー素子９９、第２センサー素子９９ａ、および第３センサー素子９９ｂに伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した物理量センサー１０９ａを得ることができる。

（変形例１５）
次に、変形例１５に係る物理量センサー１０９ｂについて、図１０（ｂ）を用いて説明する。図１０（ｂ）は、変形例１５に係る物理量センサー１０９ｂの概略を示す平面図である。
変形例１５に係る物理量センサー１０９ｂは、変形例７と同様に第１機能素子（第１センサー素子９９）に加えて、更に第２機能素子（第２センサー素子９９ａ、第３センサー素子９９ｂ）を備え、それぞれのセンサー素子の間の外縁部９０ａに、第１溝部９２および第２溝部９３を備えている。また、加えて、物理量センサー１０９ｂは、基板１０の外周部に重なる外縁部９０ａの四隅に第３溝部９１を備え、外周辺部の外縁部９０ａの領域に第１溝部９２、第２溝部９３、および他の第３溝部９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，９１ｄを備えている。このように物理量センサー１０９ｂは、基板１０の外周部に重なる外縁部９０ａに、第１センサー素子９９、第２センサー素子９９ａ、および第３センサー素子９９ｂを囲むようにそれぞれの溝部を備えていることを特徴としている。本変形例１５の説明では、第１センサー素子９９と第３センサー素子９９ｂとの間の領域の外縁部９０ａに設けられている第１溝部９２および第２溝部９３など、変形例７と同様な構成については、同符号を付して説明を省略する。

基板１０の外周部に重なる外縁部９０ａの四隅に設けられた第３溝部９１は、物理量センサー１０４を平面視したときに、第１センサー素子９９、第２センサー素子９９ａ、および第３センサー素子９９ｂを囲む領域にあって、物理量センサー１０９ｂの四隅を通る四つの対角線ＣＬ１１，ＣＬ１２に対して直交する方向に、対角線ＣＬ１１，ＣＬ１２を介して両側に延在している。また、基板１０の外周部に重なる外縁部９０ａに設けられた他の第３溝部９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，９１ｄは、対角線ＣＬ１１と対角線ＣＬ１２との間に配置される中心線ＣＬ１３，ＣＬ１５，ＣＬ１６，ＣＬ１８に対して直交する方向に、中心線ＣＬ１３，ＣＬ１５，ＣＬ１６，ＣＬ１８を介して両側に延在する他の第３溝部９１ａ，９１ｂ，９１Ｃ，９１ｄが一対ずつ設けられている。また、対角線ＣＬ１１と対角線ＣＬ１２とを等分する中心線ＣＬ１４，ＣＬ１７上の基板１０の外周部に重なる外縁部９０ａには、第１溝部９２または第２溝部９３が設けられている。

第３溝部９１や他の第３溝部９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，９１ｄは、第１溝部９２および第２溝部９３と同様に、外縁部９０ａの上面から下面に貫通する孔溝（溝）である。なお、第３溝部９１や他の第３溝部９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，９１ｄの延在方向の長さや幅は、第１溝部９２あるいは第２溝部９３と同程度であっても良いし、異なっていても良い。
なお、第３溝部９１や他の第３溝部９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，９１ｄは、対角線ＣＬ１１，ＣＬ１２または中心線ＣＬ１３，ＣＬ１５，ＣＬ１６，ＣＬ１８を中心とした＋−（プラスマイナス）１０度程度の範囲に設けられていれば、同等の効果を有している。
また、第１溝部９２、第２溝部９３、および第３溝部９１（他の第３溝部９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，９１ｄ）は、物理量センサー１０９ｂを平面視したとき、これらの溝部によって構成される図形が２回回転対称となるように配置されている。
また、基板１０と重なる外縁部９０ａに設けられた第１溝部９２、第２溝部９３、および第３溝部９１（他の第３溝部９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，９１ｄ）は、例えば、物理量センサー１０９ｂの中心を基準とした同心円に重なる一部を用いるなど、円弧状をなしていても良い。
また、第１溝部９２、第２溝部９３、および第３溝部９１（他の第３溝部９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，９１ｄ）は、変形例１０のように溝が並んで配置されている構成であっても良い。

本変形例１５に係る物理量センサー１０９ｂによれば、前述の変形例７の物理量センサー１０２の効果に加え、以下の効果を有している。
物理量センサー１０９ｂは、基板１０の外周部に重なる外縁部９０ａの四隅に第３溝部９１を備え、外周辺部の外縁部９０ａの領域に第１溝部９２、第２溝部９３、および他の第３溝部９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，９１ｄを備えている。このように基板１０の外周部と重なる外縁部９０ａに、第１センサー素子９９、第２センサー素子９９ａ、および第３センサー素子９９ｂを囲むようにそれぞれの溝部を設けることにより、第１方向（Ｘ軸方向）および第２方向（Ｙ軸方向）から受ける応力、例えば基板１０とそれぞれのセンサー素子の外縁部９０ａとの熱歪みなどが集中し、比較的大きな歪み応力を生じる基板１０の角部（四隅部分）、即ち第１センサー素子９９、第２センサー素子９９ａ、および第３センサー素子９９ｂの外縁部９０ａの歪み応力を効率よく緩和、抑制することができる。これらにより、第１センサー素子９９、第２センサー素子９９ａ、および第３センサー素子９９ｂが検出する信号の漏れや、基板１０側から第１センサー素子９９、第２センサー素子９９ａ、および第３センサー素子９９ｂに与えられるノイズを遮断あるいは低減するシールド効果を有する。これらにより、外部から第１センサー素子９９、第２センサー素子９９ａ、および第３センサー素子９９ｂに伝わる外乱などの漏れ振動や漏れ力による電気的特性の変動が抑制された、より電気的特性が安定した物理量センサー１０９ｂを得ることができる。

なお、上述の変形例６〜１５においては、センサー部の構成に、実施形態２で説明した第１機能素子（第１センサー素子９９）と、それに加えた第２機能素子（第２センサー素子９９ａ、第３センサー素子９９ｂ）と、を備えた構成で説明したが、これに限らない。センサー部の構成は、実施形態２の機能素子に替えて、実施形態１で説明した第１機能素子（第１センサー素子９８）と、それに加えた第２機能素子（第２センサー素子９８ａ、第３センサー素子９８ｂ）と、を備えた構成としてもよい。具体的には、第１センサー素子９９を第１センサー素子９８に替え、第２センサー素子９９ａを第２センサー素子９８ａに替え、第３センサー素子９９ｂを第３センサー素子９８ｂに替えてもよい。

また、実施形態１および実施形態２において、第２溝部９３は、略等間隔に配置された第１溝部９２の間あるいはその隣に交互に並ぶように略等間隔に配置されていると説明したが、必ずしも第１溝部９２と第２溝部９３とが交互に並ぶ必要はない。また、必ずしも等間隔に配置される必要はない。第１溝部９２や第２溝部９３が配置される外縁部の平面形状や大きさ、またセンサー素子の配置やその向き、想定する応力緩和の効果により、適宜レイアウトすることが望ましい。

また、センサー素子は、必ずしも上述した構成のセンサーに限定するものではない。物理量センサーとしての構成が、基板の主面上にセンサー素子および外縁部を構成する層を積層させる構造であり、外縁部と基板との熱膨張係数の差によって発生する熱応力や、センサー素子間に配置された外縁部を介して伝達される応力が、センサー素子の検出特性に影響を与える場合の構成であれば、同様の効果が得られる。

（実施形態３）
図１１は、実施形態３に係る物理量センサー１１０を示す断面図であり、図４（ａ）におけるＢ−Ｂ断面に相当する位置の断面図である。なお、実施形態２では、応力を緩和するための第１溝部９２、第２溝部９３、または第３溝部９１を基板１０の主面上の外縁部に設けるとして説明したが、これらの溝を基板１０に設けても良い。なお、本実施形態３では、第３溝部９１が設けられていない構成で説明する。

物理量センサー１１０は、外縁部９０に第１溝部９２、第２溝部９３を設けていない。これに代わり、基板１０に第３溝９６、第４溝９７を設けている。この点を除き、物理量センサー１１０は、実施形態２の物理量センサー１００と同様である。なお、第３溝９６が第１溝部に相当し、第４溝９７が第２溝部に相当する。

第３溝９６は、基板１０の主面から下面に貫通する孔溝であり、基板１０を平面視したとき、物理量センサー１００における第１溝部９２と同様の位置に配置されている。また、第４溝９７も同様に、基板１０の主面から下面に貫通する孔溝であり、基板１０を平面視したとき、物理量センサー１００における第２溝部９３と同様の位置に配置されている。つまり、第３溝９６、第４溝９７は、いずれも外縁部９０と重なる領域に設けられている。

本実施形態に係る物理量センサー１１０よれば、基板１０は、外縁部９０と重なる領域に、第１方向に延在する第３溝９６と、第１方向と交差する第２方向に延在する第４溝９７とを有している。そのため、基板１０が外縁部９０の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する場合に発生する熱応力は、少なくとも、これらの溝のいずれかによって緩和される。その結果、熱膨張係数の差により発生する熱応力が、第１センサー素子９９を変形させてしまったり、第１センサー素子９９が備える可動部（可動電極５０）の変位に影響を与えてしまったりすることが抑制され、第１センサー素子９９が使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制される。
つまり、本実施形態のように基板１０に応力を緩和するための溝を設けた場合であっても、使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制された、より検出特性が安定した物理量センサー１１０を提供することができる。
また、本形態のように、第３溝９６および第４溝９７を基板１０に設けることで、外縁部９０に第１溝部９２、第２溝部９３、または第３溝部９１を設ける必要がないこと、若しくは外縁部９０に占める溝部の面積を削減することができること、などから、外縁部９０によるシールド電極としての効果をより大きく得ることができる。

なお、本発明は、上述した実施形態および変形例に限定されず、上述した実施形態および変形例に種々の変更や改良などを加えることが可能である。以下に、他の変形例について述べる。ここで、上述した実施形態および変形例と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略している。

（他の変形例）
次に、第１溝部および第２溝部の配置に係る他の変形例について説明する。なお、説明にあたり、上述した実施形態と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。図１２（ａ）は、第１溝部および第２溝部の変形例１６を示す平面図であり、図１２（ｂ）は、第１溝部および第２溝部の変形例１７を示す平面図である。なお、変形例１６および変形例１７は、前述の実施形態２に示す構成と、第１溝部９２および第２溝部９３の配列が異なっている。

（変形例１６）
図１２（ａ）に示す変形例１６の物理量センサー１１０は、実施形態２と同様に、第１センサー素子９９と第３センサー素子９９ｂとの間の領域の外縁部９０ａには、第１溝部９２および第２溝部９３がＸ軸方向に並ぶ列からなる溝列９４が設けられている。また、第１センサー素子９９と第２センサー素子９９ａとの間、および第３センサー素子９９ｂと第２センサー素子９９ａとの間の領域の外縁部９０ａには、第１溝部９２および第２溝部９３がＹ軸方向に交互に並ぶ列からなる溝列９５が設けられている。溝列９４における第１溝部９２および第２溝部９３の配列は、第１溝部９２を挟んで第２溝部９３ａと第２溝部９３ｂとが配置された溝群８５が、Ｘ軸方向に並んでいる。また、溝列９５における第１溝部９２および第２溝部９３の配列は、第２溝部９３を挟んで第１溝部９２ａと第１溝部９２ｂとが配置された溝群８６が、Ｙ軸方向に並んでいる。

（変形例１７）
図１２（ｂ）に示す変形例１７の物理量センサー１１１は、実施形態２と同様に、第１センサー素子９９と第３センサー素子９９ｂとの間の領域の外縁部９０ａには、第１溝部９２および第２溝部９３がＸ軸方向に並ぶ列からなる溝列９４が設けられている。また、第１センサー素子９９と第２センサー素子９９ａとの間、および第３センサー素子９９ｂと第２センサー素子９９ａとの間の領域の外縁部９０ａには、第１溝部９２および第２溝部９３がＹ軸方向に交互に並ぶ列からなる溝列９５が設けられている。溝列９４および溝列９５では、第１溝部９２および第２溝部９３が、略中央で交差する形、所謂十字形の溝群８７が配列されている。変形例１７の溝列９４および溝列９５は、この十字形をなした溝群８７が、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に並んでいる。

上述の変形例１６および変形例１７のような配列の第１溝部９２および第２溝部９３においても、実施形態２と同様に、外縁部９０ａが基板１０の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する場合に発生する熱応力は、少なくとも、これらの第１溝部９２および第２溝部９３のいずれかによって緩和される。また、容易に第１センサー素子（第１機能素子）９９と、外縁部９０ａと、外縁部９０ａの第１溝部９２および第２溝部９３とを同一工程で形成することができる。つまり、使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制された、より検出特性が安定した物理量センサーを容易に形成し、提供することが可能となる。

なお、上述の変形例１６および変形例１７においては、センサー部の構成に、実施形態２で説明した第１機能素子（第１センサー素子９９）と、それに加えた第２機能素子（第２センサー素子９９ａ、第３センサー素子９９ｂ）と、を備えた構成で説明したが、これに限らない。センサー部の構成は、実施形態２の機能素子に替えて、実施形態１で説明した第１機能素子（第１センサー素子９８）と、それに加えた第２機能素子（第２センサー素子９８ａ、第３センサー素子９８ｂ）と、を備えた構成としてもよい。具体的には、第１センサー素子９９を第１センサー素子９８に替え、第２センサー素子９９ａを第２センサー素子９８ａに替え、第３センサー素子９９ｂを第３センサー素子９８ｂに替えてもよい。
また、上述の変形例１６および変形例１７において説明した第１溝部９２および第２溝部９３は、変形例１１のように溝９が並んで配置されている構成であっても良い。

また、上述の実施形態１〜３では、溝列９４および溝列９５の両方が設けられた構成で説明したが、必ずしも溝列９４および溝列９５の両方を設ける必要はなく、センサー素子相互間に発生する応力の緩和が必要な領域に溝列を設ければ良い。
また、外縁部９０は、センサー素子９９を全周に亘って囲っていなくてもよい。すなわち、本発明の効果の少なくとも一部を奏するのであれば、外縁部９０の一部が開放されていてもよい。
また、上述の実施形態１〜３では、第１方向を可動部（可動電極５０）の変位方向であるＸ軸方向として説明したが、これに限らない。例えば、Ｙ軸方向を第１方向とし、Ｘ軸方向を第２方向とすることも可能である。

また、実施形態１〜３において、第１溝部９２、第２溝部９３、および第３溝部９１は、外縁部９０，９０ａの上面から下面に貫通する孔溝であると説明したが、必ずしも貫通していなくとも良い。つまり、第１溝部９２、第２溝部９３、および第３溝部９１は、その両方あるいは一方において外縁部９０，９０ａを貫通せずに底部を有する溝であっても良い。また、その底部は、下面側（基板１０側）にあっても、その逆に上面側にあっても良い。

［電子機器］
次いで、本発明の一実施形態に係る電子デバイスとしての物理量センサー１００を適用した電子機器について、図１３（ａ）、図１３（ｂ）、図１４に基づき説明する。なお、以下の説明では、物理量センサー１００を適用した例として説明しているが、物理量センサー１，１０１〜１０８，１０９ａ，１０９ｂ，１１０，１１１であっても良い。

図１３（ａ）は、本発明の一実施形態に係る電子デバイスを備える電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１０００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイスの一例としての物理量センサー１００が内蔵されている。

図１３（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る電子デバイスを備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成の概略を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１０００が配置されている。このような携帯電話機１２００には、フィルター、共振器、角速度センサー等として機能する電子デバイスの一例としての物理量センサー１００が内蔵されている。

図１４は、本発明の一実施形態に係る電子デバイスを備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１０００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１０００は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部１０００に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。更に、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、フィルター、共振器、角速度センサー等として機能する電子デバイスの一例としての物理量センサー１００が内蔵されている。

上述したように、電子機器として、検出精度の低下がより抑制された物理量センサー１００を備えることにより、より動作精度の高い電子機器を提供することができる。

なお、本発明の一実施形態に係る物理量センサー１００は、図１３（ａ）のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１３（ｂ）の携帯電話機、図１４のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等の電子機器に適用することができる。

［移動体］
次いで、本発明の一実施形態に係る物理量センサー１００を適用した移動体について、図１５に基づき説明する。なお、以下の説明では、物理量センサー１００を適用した例として説明しているが、物理量センサー１，１０１〜１０８，１０９ａ，１０９ｂ，１１０，１１１であっても良い。

図１５は、物理量センサー１００を備える移動体としての自動車１４００を概略的に示す斜視図である。自動車１４００には本発明に係る物理量センサー１００を含んで構成されたジャイロセンサーが搭載されている。例えば、同図に示すように、移動体としての自動車１４００には、タイヤ１４０１を制御する該ジャイロセンサーを内蔵した電子制御ユニット１４０２が搭載されている。また、他の例としては、物理量センサー１００は、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。

上述したように、移動体として、精度の低下がより抑制された物理量センサー１００を備えることにより、より温度変化などの環境特性が安定した移動体を提供することができる。

１，１００〜１０８，１０９ａ，１０９ｂ，１１０，１１１…電子デバイスとしての物理量センサー、３…被接合部材としての基板、１０…基板、２０…センシング部、３０…配線、３１ａ，３１ｂ，３１ｃ…電極、４０…機能素子基板、４１，４２…固定部、５０…可動電極、５１，５２…支持部、５３，５４…可動電極指、５５…可動基部、６０…固定電極、６１，６２…固定電極指、７０…凹陥部、７１…凹部、８１…コンタクト部、８５，８６，８７…溝群、９０，９０ａ…外縁部、９１，９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，９１ｄ，９１ｅ…第３溝部、９２，９２ａ，９２ｂ…第１溝部、９３，９３ａ，９３ｂ…第２溝部、９４，９５…溝列、９６…第３溝、９７…第４溝、９８，９９…第１機能素子としての第１センサー素子、９８ａ，９９ａ…第２機能素子としての第２センサー素子、９８ｂ，９９ｂ…第２機能素子としての第３センサー素子。

Claims (14)

1. 互いに直交する３軸をＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸としたとき、
   基板と、
   前記Ｚ軸方向からの平面視で、前記基板と重なり、静電容量の変化に基づいて加速度を検出する第１機能素子と、
   前記Ｚ軸方向からの平面視で、前記基板と重なり、前記第１機能素子の外周に沿って配置されている外縁部と、
   を含み、
   前記外縁部は、
   前記Ｚ軸方向からの平面視で、前記第１機能素子を囲んでいる枠であり、
   長手方向が前記Ｘ軸方向に沿っている第１外縁部および第２外縁部と、
   長手方向が前記Ｙ軸方向に沿っている第３外縁部および第４外縁部と、
   を含み、
   前記Ｚ軸方向からの平面視で、
   前記第１外縁部、前記第２外縁部、前記第３外縁部および前記第４外縁部の少なくとも１つには、その長手方向に沿って、
   長手形状をなす第１溝部と、
   長手形状をなし、その長手方向が前記第１溝部の長手方向と直交している第２溝部と、
   が交互に断続的に設けられていることを特徴とする電子デバイス。
2. 請求項１において、
   前記第１機能素子は、
   前記基板から遊離し、前記基板に対して前記Ｘ軸方向に変位可能な可動基部と、
   前記可動基部に設けられている可動電極指と、
   前記基板に固定され、前記可動電極指と前記Ｘ軸方向に対向して配置され、前記可動電極指との間に静電容量を形成する固定電極指と、
   を含み、
   前記Ｘ軸方向の加速度が加わると、前記基板に対して前記可動電極指が前記Ｘ軸方向に変位して前記静電容量が変化する電子デバイス。
3. 請求項１または２において、
   前記第１機能素子は、
   前記基板に固定されている固定部と、
   前記固定部と前記可動基部とを接続している支持部と、
   を含み、
   前記外縁部は、前記第１機能素子と遊離している電子デバイス。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   変位可能な可動部を含み、当該可動部が前記基板から遊離している第２機能素子を含むことを特徴とする電子デバイス。
5. 請求項４において、
   平面視で、前記外縁部には、長手方向が、前記第１機能素子および前記第２機能素子の少なくとも何れかの中心を通る線に対して直交している第３溝部が設けられていることを特徴とする電子デバイス。
6. 請求項５において、
   前記第３溝部は、前記外縁部の角部に配置されていることを特徴とする電子デバイス。
7. 請求項５または６において、
   平面視で、前記第３溝部は、前記中心に対して回転対称となるように配置されていることを特徴とする電子デバイス。
8. 請求項５乃至７のいずれか一項において、
   平面視で、前記第１機能素子と前記第２機能素子との間の前記外縁部に、前記第１溝部、前記第２溝部、および前記第３溝部の少なくとも何れかが設けられていることを特徴とする電子デバイス。
9. 請求項２において、
   前記第１溝部の前記長手方向は、前記Ｘ軸方向であることを特徴とする電子デバイス。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項において、
    前記第１溝部および前記第２溝部は、それぞれ、前記外縁部を前記Ｚ軸方向に貫通していることを特徴とする電子デバイス。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一項において、
    前記外縁部は、固定電位であることを特徴とする電子デバイス。
12. 請求項１乃至１１のいずれか一項において、
    前記第１機能素子の材料と、前記外縁部の材料とは、同一材料であることを特徴とする電子デバイス。
13. 請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
14. 請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする移動体。

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