JP2012088120A - 物理量センサー素子、物理量センサーおよび電子機器 - Google Patents

物理量センサー素子、物理量センサーおよび電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】高感度化を図ることができる物理量センサー素子および物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子1は、支持基板3と、支持基板3上に互いに離間して設けられた第1固定電極41および第2固定電極42と、第1固定電極41に対して第1間隙を介して対向するとともに、第2固定電極42に対して第2間隙を介して対向する可動電極22と、支持基板3に対して固定的に設けられた固定部21と、固定部21に対して可動電極22を回動可能に連結する連結部23、24とを有し、可動電極22には、可動電極22の回動に際し第1間隙および第2間隙のうちの少なくとも一方の間隙に存在する気体の流動抵抗を低減する複数の流路が形成されている。
【選択図】図2

Description

本発明は、物理量センサー素子、物理量センサーおよび電子機器に関するものである。
物理量センサーとしては、固定配置された固定電極と、固定電極に対して間隔を隔てて対向するとともに変位可能に設けられた可動電極とを有し、固定電極と可動電極との間の静電容量に基づいて、加速度、角速度等の物理量を検出するものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
例えば、特許文献1に記載の物理量センサーは、1対の捻りバネにより回動可能に支持された板状の可動電極と、可動電極の一方の板面に対して間隔を隔てて対向する1対の固定電極とを有する。
また、特許文献1に記載の物理量センサーでは、可動電極の質量が可動電極の回動中心軸に対して一方側と他方側とで異なっている。これにより、可動電極をその厚さ方向での加速度に応じて回動させることができる。そのため、可動電極の厚さ方向での加速度に応じて、可動電極と各固定電極との間の隙間の大きさが変化する。したがって、可動電極と各固定電極との間の静電容量に基づいて、可動電極の厚さ方向での加速度を検出することができる。
ところで、このような物理量センサーでは、可動電極と各固定電極との間の静電容量がこれらの電極間距離の2乗に反比例するため、検出感度を高めるためには、これらの電極間距離を小さくする必要がある。
しかし、特許文献1に係る物理量センサーでは、可動電極と各固定電極との間の距離を小さくすると、これらの電極間に存在する空気によるダンピング(流動抵抗)の影響で、可動電極の加速度に応じた所望の変位が得られず、検出感度が低下するという問題があった。
特開平9−189716号公報
本発明の目的は、高感度化を図ることができる物理量センサー素子および物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の物理量センサー素子は、基体と、
前記基体に設けられた固定電極と、
前記基体に対して間隙を介して配置された可動錘と、
前記固定電極に対向して前記可動錘に設けられた可動電極と、
前記基体に設けられた固定部と、
前記固定部に対して前記可動錘を第1軸回りに揺動可能に連結する連結部と、を有し、
前記可動錘は、平面視で前記第1軸によって第1部分と第2部分とに区分けされ、
前記第1部分および前記第2部分の少なくとも一方には貫通孔が設けられたことを特徴とする。
このような本発明の物理量センサー素子によれば、可動電極と固定電極との間の距離を小さく設定しても、可動電極を物理量に応じた所望量で変位(回動)させることができる。そのため、本発明の物理量センサー素子は、高感度化を図ることができる。
また、いわゆる差動容量検出により、高精度に物理量を検出することができる。
本発明の物理量センサー素子では、前記固定電極は、前記第1部分に対向して設けられた第1固定電極と、前記第2部分に対向して設けられた第2固定電極と、を有することが好ましい。
これにより、可動電極と第1固定電極との間の静電容量と、可動電極と第2固定電極との間の静電容量との差に基づいて(差動容量検出により)、高精度に物理量を検出することができる。
本発明の物理量センサー素子では、前記可動電極は、前記第1部分に設けられた第1可動電極と、前記第2部分に設けられた第2可動電極と、を有することが好ましい。
これにより、第1可動電極と固定電極との間の静電容量と、第2可動電極と固定電極との間の静電容量との差に基づいて(差動容量検出により)、高精度に物理量を検出することができる。
本発明の物理量センサー素子では、前記貫通孔は、複数設けられ、
平面視でそれぞれ帯状をなし、互いに幅方向に並んで設けられていることが好ましい。
これにより、可動電極の電極として機能する部分の面積を比較的大きく確保しながら、各貫通孔の内部空間を大きくすることができる。そのため、物理量センサー素子の検出精度を向上させることができる。
本発明の物理量センサー素子では、前記貫通孔の各々は、平面視で前記第1軸に対して平行な方向に延びていることが好ましい。
これにより、可動電極の回動に際して第1間隙および第2間隙にそれぞれ存在する気体を各貫通孔を通じて効率的に逃すことができる。
本発明の物理量センサー素子では、前記貫通孔の各々は、平面視で前記第1軸に対して垂直な方向に延びていることが好ましい。
これにより、可動電極の回動に際して第1間隙および第2間隙にそれぞれ存在する気体を各貫通孔を通じて効率的に逃すことができる。
本発明の物理量センサー素子では、前記貫通孔は、前記第1部分の前記固定電極に対向する面積と、前記第2部分の前記固定電極に対向する面積とが互いに等しくなるように形成されていることが好ましい。
これにより、可動電極と第1固定電極との間の静電容量と、可動電極と第2固定電極との間の静電容量との差に基づいて(いわゆる差動容量検出により)、簡単かつ高精度に物理量を検出することができる。
本発明の物理量センサー素子では、前記可動錘は、前記第1部分の質量と前記第2部分の質量とが異なることが好ましい。
これにより、可動電極の板面に垂直な方向の加速度に応じて可動電極を効率的に回動させることができる。
本発明の物理量センサー素子では、前記第1部分および前記第2部分のいずれか一方には、前記基体とは反対側の面に、凹部が設けられていることが好ましい。
これにより、可動電極の第1固定電極と対向する面積と、可動電極の第2固定電極と対向する面積とを等しくしつつ、可動電極の第1部分の質量と第2部分の質量とを異ならせることができる。
本発明の物理量センサー素子では、前記可動錘は、前記第1軸に対して前記第1部分の外形と前記第2部分の外形とが互いに対称な形状をなしていることが好ましい。
これにより、可動電極の第1固定電極と対向する面積と、可動電極の第2固定電極と対向する面積とを大きくかつ等しくすることができる。
本発明の物理量センサーは、本発明の物理量センサー素子を備えることを特徴とする。
このような本発明の物理量センサーによれば、感度に優れた物理量センサー素子を備えるので、信頼性に優れる。
本発明の電子機器は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
このような本発明の電子機器によれば、感度に優れた物理量センサー素子を備えるので、信頼性に優れる。
本発明の第1実施形態に係る物理量センサー素子を示す平面図である。 図1中のA−A線断面図である。 本発明の第2実施形態に係る物理量センサー素子を示す平面図である。 本発明の第3実施形態に係る物理量センサー素子を示す断面図である。 本発明の第4実施形態に係る物理量センサー素子を示す平面図である。 図5中のA−A線断面図である。 本発明の物理量センサーの一例を示す模式図である。 本発明の電子機器(ノート型パーソナルコンピュータ)である。 本発明の電子機器(携帯電話機)である。 本発明の電子機器(ディジタルスチルカメラ)である。
以下、本発明の物理量センサー素子、物理量センサー素子の製造方法、物理量センサーおよび電子機器の好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る物理量センサー素子を示す平面図、図2は、図1中のA−A線断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図2中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。また、図1、2では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸およびZ軸が図示されている。また、以下では、X軸に平行な方向(左右方向)を「X軸方向」、Y軸に平行な方向を「Y軸方向」、Z軸に平行な方向(上下方向)を「Z軸方向」と言う。
(物理量センサー素子)
図1に示す物理量センサー素子1は、支持基板3と、この支持基板3に接合・支持された素子片(基体)2と、素子片2に対して間隔を隔てて対向するように支持基板3上に設けられた第1固定電極41および第2固定電極42とを有する。
以下、物理量センサー素子1を構成する各部を順次詳細に説明する。
(支持基板)
支持基板(基体)3は、素子片2、第1固定電極41および第2固定電極42を支持する機能を有する。
この支持基板3は、板状をなし、その上面(一方の面)には、凹部31が設けられている。この凹部31は、支持基板3を平面視したときに、後述する素子片2の可動電極22および連結部23、24を包含するように形成されている。このような凹部31は、素子片2の可動電極22および連結部23、24が支持基板3に接触するのを防止する逃げ部を構成する。これにより、素子片2の可動電極22の変位(回動)を許容することができる。
この凹部31の底面は、平坦面となっている。この凹部31の底面上には、後に詳述する第1固定電極41および第2固定電極42が設けられている。
本実施形態では、凹部31は、下側から上側に向けて幅が拡がる形状をなしている。すなわち、Z軸方向からみたとき(平面視したとき)、凹部31の開口面の外周縁が凹部31の底面の外周縁よりも外側に位置し、開口面と底面との間に傾斜した側面が形成されている。これにより、可動電極22の回動に際し、可動電極22と支持基板3との間の気体を凹部31の側面と可動電極22との間の隙間を通じて円滑に逃すことができる。
また、凹部31の平面視形状は、後述する素子片2の可動電極22の外形と相似形状をなしている。本実施形態では、凹部31の平面視形状は、四角形(具体的には長方形)をなしている。
なお、支持基板3と素子片2とをスペーサを介して間接的に接合した場合、前述した凹部31を省略してもよい。また、この場合、支持基板3およびスペーサが基体を構成する。
このような支持基板3の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シリコン材料、ガラス材料、金属材料、樹脂材料等を用いることができるが、絶縁性を有するとともに比較的硬質な材料を用いるのが好ましく、具体的には、シリコン材料、ガラス材料を用いるのが好ましく、特に、素子片2がシリコン材料を主材料として構成されている場合、アルカリ金属イオン(可動イオン)を含むガラス材料(例えば、パイレックスガラス(登録商標)のような硼珪酸ガラス)を用いるのが好ましい。これにより、素子片2がシリコンを主材料として構成されている場合、支持基板3と素子片2とを陽極接合することができる。
なお、支持基板3が導電性を有する材料で構成されている場合、支持基板3と第1固定電極41および第2固定電極42との間に二酸化珪素、樹脂材料等で構成された絶縁膜を設ければよい。
このような支持基板3は、1つの基板をエッチングすることより形成することができる。これにより、支持基板3の寸法精度を優れたものとすることができる。
かかるエッチング方法としては、特に限定されないが、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。また、上述したようなエッチングに際しては、例えば、フォトリソグラフィー法により形成されたマスクを好適に用いることができる。
(第1固定電極、第2固定電極)
第1固定電極41および第2固定電極42は、固定電極を構成し、それぞれ、前述した支持基板3上に設けられている。より具体的には、第1固定電極41は、前述した支持基板の凹部31の底面の左側の部分上に設けられ、第2固定電極42は、前述した支持基板3の凹部31の底面の右側の部分上に設けられている。
また、第1固定電極41および第2固定電極42は、互いに離間している。また、第1固定電極41および第2固定電極42は、支持基板3上において、互いに電気的に絶縁されている。
このような第1固定電極41および第2固定電極42は、それぞれ、後述する素子片2の可動電極22に対して間隔を隔てて対向する。より具体的には、第1固定電極41は、後述する素子片2の可動電極22の左側の部分(第1部分)A1に対して第1間隙S1を介して対向し、第2固定電極42は、可動電極22の右側の部分(第2部分)A2に対して第2間隙S2を介して対向している。
また、本実施形態では、第1固定電極41および第2固定電極42の平面視形状(Z軸方向からみた形状)は、それぞれ、四角形をなしている。より具体的には、第1固定電極41および第2固定電極42の平面視形状は、それぞれ、Y軸方向に長い長方形をなしている。
また、第1固定電極41および第2固定電極42は、互いに面積が等しくなっている。
このような第1固定電極41および第2固定電極42の構成材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、In、SnO、Sb含有SnO、Al含有ZnO等の酸化物(透明電極材料)、Au、Pt、Ag、Cu、Alまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
このような第1固定電極41および第2固定電極42の形成方法(成膜方法)としては、特に限定されないが、例えば、真空蒸着、スパッタリング(低温スパッタリング)、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、薄膜の接合等が挙げられる。
(素子片)
素子片2は、固定部21、可動電極(可動錘)22と、連結部23、24とで構成されている。
この固定部21、可動電極22および連結部23、24は、一体的に形成されている。
固定部21は、前述した支持基板3の上面に接合されている。具体的には、固定部21は、支持基板3の上面の凹部31に対して外側の部分に接合されている。これにより、固定部21は、支持基板3に対して固定的に設けられている。
本実施形態では、固定部21は、枠状(より具体的には四角環状)をなしている。
なお、固定部21の位置および形状等は、可動電極22や連結部23、24等の位置および形状等に応じて決められるものであり、上述したものに限定されない。例えば、固定部21は、連結部23側の部分と、連結部24側の部分との二分されていてもよい。
このような固定部21の内側には、板状をなす可動電極22が設けられている。本実施形態では、可動電極22は、X軸方向に延びる長手形状(長方形)をなしている。なお、可動電極22の形状は、素子片2を構成する各部の形状、大きさ等に応じて決められるものであり、上述したものに限定されない。
このような可動電極22は、固定部21に対して連結部23、24を介して連結されている。より具体的には、可動電極22の一方(+Y方向側)の長辺が連結部23を介して固定部21に連結されるとともに、可動電極22の他方(−Y方向側)の長辺が連結部24を介して固定部21に連結されている。
この連結部23、24は、可動電極22を固定部21に対して回動可能または揺動可能に連結している。本実施形態では、連結部23、24は、Y軸方向に延びる軸線a(第1軸)まわりに可動電極22を回動し得るように構成されている。
具体的に説明すると、連結部23、24は、それぞれ、Y軸方向に延びる1つの梁で構成されている。また、連結部23および連結部24は、同一線上に沿って設けられている。このような各連結部23、24は、それぞれ、Y軸方向に延びる軸線aまわりに弾性的に捩れ変形し得る。なお、各連結部23、24は、可動電極22を軸線aまわりに回動可能とするものであれば、これに限定されず、例えば、2本の梁で構成されていてもよいし、折れ曲がった形状をなす梁で構成されていてもよい。
このように支持基板3に対して回動可能に支持された可動電極22は、Z軸方向からみたとき(すなわち可動電極22の板面に垂直な方向からみたとき)、軸線a(可動電極22の回動中心軸)に対して一方側(−X方向側)に位置する第1部分A1と他方側(+X方向側)に位置する第2部分A2とで構成されている。
そして、可動電極22の第1部分A1の下面A11は、前述した第1固定電極41に対して第1間隙S1を介して対向する第1電極面(第1可動電極)を構成する。また、可動電極22の第2部分A2の下面A21は、前述した第2固定電極42に対して第2間隙S2を介して対向する第2電極面(第2可動電極)を構成する。
特に、可動電極22には、その厚さ方向に貫通する複数の貫通孔222および複数の貫通孔223が形成されている。具体的には、前述した第1部分A1に複数の貫通孔222が形成され、第2部分A2に複数の貫通孔223が形成されている。
複数の貫通孔222の内部空間は、それぞれ、可動電極22の回動に際し、第1間隙S1に存在する気体(例えば空気)を下側から上側へ向けて流通させる流路となる。また、複数の貫通孔223の内部空間は、それぞれ、可動電極22の回動に際し、第2間隙S2に存在する気体(例えば空気)を下側から上側へ向けて流通させる流路となる。
このようにして、可動電極22の回動に際し、第1間隙S1に存在する気体を複数の貫通孔222を通じて逃すとともに、第2間隙S2に存在する気体を複数の貫通孔223を通じて逃すことができる。そのため、可動電極22の回動に際し、第1間隙S1および第2間隙S2に存在する気体の流動抵抗を低減することができる。
これにより、可動電極22と第1固定電極41との間の距離および可動電極22と第2固定電極42との間の距離をそれぞれ小さく設定しても、可動電極22を物理量に応じた所望量で変位(回動)させることができる。そのため、物理量センサー素子1は、高感度化を図ることができる。
ここで、複数の貫通孔222の内部空間は、可動電極22の回動に際し第1間隙S1に存在する気体の流動抵抗を低減する複数の流路を構成する。また、複数の貫通孔223の内部空間は、可動電極22の回動に際し第2間隙S2に存在する気体の流動抵抗を低減する複数の流路を構成する。このような複数の流路により、可動電極22の回動に際し、第1間隙S1および第2間隙S2にそれぞれ存在する気体の流動抵抗を効果的に低減することができる。また、このような各貫通孔222、223は、例えばエッチングにより簡単かつ高精度に形成することができる。
また、複数の貫通孔222は、可動電極22の板面に垂直な方向(すなわちY軸方向)からみたときに、それぞれ帯状をなし、互いに幅方向に並んで設けられている。同様に、複数の貫通孔223は、可動電極22の板面に垂直な方向(すなわちY軸方向)からみたときに、それぞれ帯状をなし、互いに幅方向に並んで設けられている。これにより、可動電極22の電極として機能する部分の面積を比較的大きく確保しながら、各貫通孔222、223の内部空間を大きくすることができる。そのため、物理量センサー素子1の検出精度を向上させることができる。
本実施形態では、各貫通孔222は、可動電極22の板面に垂直な方向からみたときに、可動電極22の回動中心軸(軸線a)に対して平行な方向に延びている。同様に、各貫通孔223は、可動電極22の板面に垂直な方向からみたときに、可動電極22の回動中心軸(軸線a)に対して平行な方向に延びている。これにより、可動電極22の回動に際して第1間隙S1および第2間隙S2にそれぞれ存在する気体を各貫通孔222、223を通じて効率的に逃すことができる。
また、各貫通孔222、223は、その幅(X軸方向での長さ)がZ軸方向に亘って一定となっている。なお、各貫通孔222、223は、幅の異なる部分を有してもよい。
また、複数の貫通孔222の幅は互いに等しく、また、複数の貫通孔222のY軸方向での長さも互いに等しくなっている。同様に、複数の貫通孔223の幅は互いに等しく、また、複数の貫通孔223のY軸方向での長さも互いに等しくなっている。なお、複数の貫通孔222および複数の貫通孔223は、それぞれ、互いに幅や長さが異なるものを有していてもよい。
また、複数の貫通孔222および複数の貫通孔223は、Z軸方向からみたときに、軸線aを介して対称となるように形成されている。
また、複数の貫通孔222および複数の貫通孔223の内部空間(流路)は、第1部分A1の第1固定電極41と対向する面積と、第2部分A2の第2固定電極42と対向する面積とが互いに等しくなるように形成されている。本実施形態では、可動電極22の下面A11および下面A21は、互いに面積が等しくなっている。具体的には、複数の貫通孔222の下側(すなわち第1固定電極41側)の開口面積の合計面積と複数の貫通孔223の下側(すなわち第2固定電極42側)の開口面積の合計面積とを等しくすることにより、第1部分A1の実効的な電極の面積と、第2部分A2の実効的な電極の面積とが互いに等しくなっている。これにより、可動電極22と第1固定電極41との間の静電容量と、可動電極22と第2固定電極42との間の静電容量との差に基づいて(いわゆる差動容量検出により)、簡単かつ高精度に物理量を検出することができる。
ここで、Z軸方向からみたときに、可動電極22の第1部分A1の外周縁は第1固定電極41の外周縁よりも外側に位置し、可動電極22の第2部分A2の外周縁は第2固定電極42の外周縁よりも外側に位置している。そのため、可動電極22の第1固定電極41と対向する面積は、第1固定電極41の面積から複数の貫通孔222の下端の開口面積の合計面積を差し引いたものに略等しく、また、可動電極22の第2固定電極42と対向する面積は、第2固定電極42の面積から複数の貫通孔223の下端の開口面積の合計面積を差し引いたものに略等しくなる。
また、可動電極22は、第1部分A1の質量と第2部分A2の質量とが異なる。本実施形態では、第1部分A1の質量が第2部分A2の質量よりも大きい。これにより、可動電極22の板面に垂直な方向(すなわちZ軸方向)の加速度に応じて可動電極22を効率的に回動させることができる。
具体的には、第2部分A2の上面に凹部221が設けられている。一方、第1部分A1の上面には、このような凹部は設けられていない。これにより、第2部分A2は、第1部分A1よりも薄肉化されている。
このような凹部221を第2部分A2に設けることにより、前述したように可動電極22の第1部分A1の質量と第2部分A2の質量とを異ならせることができる。また、この凹部221は可動電極22の上面(すなわち第1固定電極41および第2固定電極42とは反対側の面)に設けられているので、可動電極22の第1固定電極41と対向する面積(実効的な電極の面積)と、可動電極22の第2固定電極42と対向する面積(実効的な電極の面積)とを等しくすることができる。
ここで、Z軸方向からみたときに、凹部221の外周縁の内側に複数の貫通孔223が位置している。言い換えると、凹部221は、Z軸方向から見たときに、複数の貫通孔223を包含するように設けられている。これにより、第2部分A2の質量を効果的に減ずることができる。
なお、このような凹部221は、第2部分A2に形成せずに、第1部分A1に形成してもよい。この場合、第1部分A1の質量が第2部分A2の質量よりも小さくなる。
また、可動電極22は、Z軸方向から見たときに、その回動中心軸(軸線a)に対して第1部分A1の外形と第2部分A2の外形とが互いに対称な形状をなしている。これにより、可動電極22の第1固定電極41と対向する面積と、可動電極22の第2固定電極42と対向する面積とを大きくかつ等しくすることができる。
このような素子片2は、加速度、角速度等の物理量の変化に応じて、可動電極22が、連結部23、24を弾性変形させながら、Y軸に平行な軸線aまわりに回動する。
このような可動電極22の回動に伴って、第1間隙S1および第2間隙S2のうちの一方の隙間が大きくなるとともに他方の隙間が小さくなる。すなわち、第1部分A1と第1固定電極41との間の距離G1、および、第2部分A2と第2固定電極42との間の距離G2のうちの一方の距離が大きくなるとともに他方の距離が小さくなる。そのため、可動電極22が回動すると、可動電極22の第1部分A1と第1固定電極41との間の静電容量、および、可動電極22の第2部分A2と第2固定電極42との間の静電容量のうちの一方の静電容量が大きくなるとともに他方の静電容量が小さくなる。
したがって、上記一方の静電容量と上記他方の静電容量との差に基づいて(いわゆる差動容量検出方式により)、加速度、角速度等の物理量を検出することができる。
このような素子片2(すなわち、固定部21、可動電極22および連結部23、24)は、1つの基板をエッチングすることより形成されたものである。これにより、固定部21、可動電極22および連結部23、24の寸法精度を優れたものとすることができる。
かかるエッチング方法としては、特に限定されないが、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。また、上述したようなエッチングに際しては、例えば、フォトリソグラフィー法により形成されたマスクを好適に用いることができる。
また、素子片2の構成材料としては、前述したような静電容量の変化に基づく物理量の検出が可能であれば、特に限定されないが、例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン等のシリコン材料を用いるのが好ましい。
すなわち、固定部21、可動電極22および連結部23、24は、それぞれ、シリコンを主材料として構成されているのが好ましい。
シリコンはエッチングにより高精度に加工することができる。そのため、素子片2をシリコンを主材料として構成することにより、素子片2の寸法精度を優れたものとし、その結果、物理量センサー素子1の高感度化を図ることができる。また、シリコンは疲労が少ないため、物理量センサー素子1の耐久性を向上させることもできる。
また、素子片2を構成するシリコン材料には、リン、ボロン等の不純物がドープされているのが好ましい。これにより、素子片2の導電性を優れたものとすることができる。
また、素子片2は、前述したように、支持基板3の上面に固定部21が接合されることにより、支持基板3に支持されている。
このような素子片2(具体的には、前述した固定部21)と支持基板3との接合方法は、特に限定されず、接着剤による接合方法、陽極接合法、直接接合法等を用いることができるが、陽極接合法を用いるのが好ましい。これにより、固定部21を支持基板3に強固に接合することができる。そのため、物理量センサー素子1の耐衝撃性を向上させることができる。また、固定部21を支持基板3の所望の位置に高精度に接合することができる。そのため、物理量センサー素子1の高感度化を図ることができる。この場合、前述したようにシリコンを主材料として素子片2を構成し、かつ、アルカリ金属イオンを含むガラス材料で支持基板3を構成する。
なお、シリコンを主材料として素子片2を構成し、かつ、シリコンを主材料として支持基板3を構成した場合、支持基板3と素子片2とを直接接合法により接合してもよい。
以上説明した第1実施形態に係る物理量センサー素子1によれば、可動電極22の回動に際し、第1間隙S1に存在する気体を複数の貫通孔222を通じて逃すとともに、第2間隙S2に存在する気体を複数の貫通孔223を通じて逃すことができる。そのため、可動電極22の回動に際し、第1間隙S1および第2間隙S2に存在する気体の流動抵抗を低減することができる。これにより、可動電極22と第1固定電極41との間の距離および可動電極22と第2固定電極42との間の距離をそれぞれ小さく設定しても、可動電極22を物理量に応じた所望量で変位(回動)させることができる。そのため、物理量センサー素子1は、高感度化を図ることができる。
また、可動電極22と第1固定電極41との間の静電容量と、可動電極22と第2固定電極42との間の静電容量との差に基づいて(いわゆる差動容量検出により)、高精度に物理量を検出することができる。
<第2実施形態>
次に、本発明の物理量センサー素子の第2実施形態について説明する。
図3は、本発明の第2実施形態に係る物理量センサー素子を示す平面図である。
本実施形態にかかる物理量センサー素子は、可動電極に設けられた流路(貫通孔)の構成が異なる以外は、前述した第1実施形態にかかる物理量センサー素子と同様である。
なお、以下の説明では、第2実施形態の物理量センサー素子に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図3では、前述した第1実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
本実施形態の物理量センサー素子1Aは、支持基板3の上面に、素子片2Aが接合されている。
素子片2Aは、固定部21、可動電極22Aと、連結部23、24とで構成されている。
可動電極22Aは、固定部21に対して連結部23、24を介して軸線aまわりに回動可能に支持されている。
この可動電極22Aは、Z軸方向からみたとき、軸線a(可動電極22Aの回動中心軸)に対して一方側(−X方向側)に位置する第1部分A1Aと他方側(+X方向側)に位置する第2部分A2Aとで構成されている。
そして、可動電極22Aの第1部分A1Aの下面は、第1固定電極41に対して第1間隙を介して対向する第1電極面を構成する。また、可動電極22Aの第2部分A2Aの下面は、第2固定電極42に対して第2間隙を介して対向する第2電極面を構成する。
そして、可動電極22Aには、その厚さ方向に貫通する複数の貫通孔222Aおよび複数の貫通孔223Aが形成されている。具体的には、前述した第1部分A1Aに複数の貫通孔222Aが形成され、第2部分A2Aに複数の貫通孔223Aが形成されている。
ここで、複数の貫通孔222Aの内部空間は、可動電極22Aの回動に際し第1間隙に存在する気体の流動抵抗を低減する複数の流路を構成する。また、複数の貫通孔223Aの内部空間は、可動電極22Aの回動に際し第2間隙に存在する気体の流動抵抗を低減する複数の流路を構成する。
特に、各貫通孔222A、223Aは、可動電極22Aの板面に垂直な方向からみたときに、可動電極22Aの回動中心軸(軸線a)に対して垂直な方向に延びている。これにより、可動電極22Aの回動に際して第1間隙および第2間隙にそれぞれ存在する気体を各貫通孔222A、223Aを通じて効率的に逃すことができる。
以上説明したような第2実施形態に係る物理量センサー素子1Aによっても、前述した第1実施形態に係る物理量センサー素子1と同様、高感度化を図るとともに、耐衝撃性を優れたものとすることができる。
<第3実施形態>
次に、本発明の物理量センサー素子の第3実施形態について説明する。
図4は、本発明の第3実施形態に係る物理量センサー素子を示す断面図である。
本実施形態にかかる物理量センサー素子は、可動電極の第2部分に設けられた流路(貫通孔)の構成が異なるとともに、第2部分の上面の凹部を省略した以外は、前述した第1実施形態にかかる物理量センサー素子と同様である。
なお、以下の説明では、第3実施形態の物理量センサー素子に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図4では、前述した第1実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
本実施形態の物理量センサー素子1Bは、支持基板3の上面に、素子片2Bが接合されている。
素子片2Bは、固定部21、可動電極22Bと、連結部23、24とで構成されている。
可動電極22Bは、固定部21に対して連結部23、24を介して軸線aまわりに回動可能に支持されている。
この可動電極22Bは、Z軸方向からみたとき、軸線a(可動電極22Bの回動中心軸)に対して一方側(−X方向側)に位置する第1部分A1と他方側(+X方向側)に位置する第2部分A2Bとで構成されている。
そして、可動電極22Bの第1部分A1の下面A11は、第1固定電極41に対して第1間隙を介して対向する第1電極面を構成する。また、可動電極22Bの第2部分A2Bの下面A21Bは、第2固定電極42に対して第2間隙を介して対向する第2電極面を構成する。
そして、可動電極22Bの第2部分A2Bに複数の貫通孔223Bが形成されている。
ここで、複数の貫通孔223Bの内部空間は、可動電極22Bの回動に際し第2間隙に存在する気体の流動抵抗を低減する複数の流路を構成する。
各貫通孔223Bは、第1実施形態の各貫通孔223と同様、可動電極22Bの板面に垂直な方向からみたときに、可動電極22Bの回動中心軸(軸線a)に対して平行な方向に延びている。
特に、各貫通孔223Bは、図4に示すように、幅が下側から上側に向けて拡がっている。一方、各貫通孔222は、幅が一定である。そのため、前述した第1実施形態の凹部221のような凹部を第2部分A2Bの上面に設けなくても、第2部分A2Bの質量を第1部分A1の質量よりも大きくすることができる。
以上説明したような第3実施形態に係る物理量センサー素子1Bによっても、前述した第1実施形態に係る物理量センサー素子1と同様、高感度化を図るとともに、耐衝撃性を優れたものとすることができる。
<第4実施形態>
次に、本発明の物理量センサー素子の第4実施形態について説明する。
図5は、本発明の第4実施形態に係る物理量センサー素子を示す平面図、図6は、図5中のA−A線断面図である。
本実施形態にかかる物理量センサー素子は、可動電極に設けられた流路の構成、および、第1部分の質量と第2部分の質量とを異ならせるための凹部の構成が異なる以外は、前述した第1実施形態にかかる物理量センサー素子と同様である。
なお、以下の説明では、第3実施形態の物理量センサー素子に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図5、6
では、前述した第1実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
本実施形態の物理量センサー素子1Cは、支持基板3の上面に、素子片2Cが接合されている。
素子片2Cは、固定部21、可動電極22Cと、連結部23、24とで構成されている。
可動電極22Cは、固定部21に対して連結部23、24を介して軸線aまわりに回動可能に支持されている。
この可動電極22Cは、Z軸方向からみたとき、軸線a(可動電極22Cの回動中心軸)に対して一方側(−X方向側)に位置する第1部分A1Cと他方側(+X方向側)に位置する第2部分A2Cとで構成されている。
そして、可動電極22Cの第1部分A1Cの下面A11Cは、第1固定電極41に対して第1間隙を介して対向する第1電極面を構成する。また、可動電極22Cの第2部分A2Cの下面A21Cは、第2固定電極42に対して第2間隙を介して対向する第2電極面を構成する。
そして、可動電極22Cの第1部分A1Cの下面A11Cには、複数の溝222Cが形成されている。また、可動電極22Cの第2部分A2Cの下面A21Cには、複数の溝223Cが形成されている。
各溝222C、223Cは、可動電極22Cの板面に垂直な方向からみたときに、可動電極22Cの回動中心軸(軸線a)に対して平行な方向に延びている。
そして、各溝222C、223Cの両端は、可動電極22Cの外周縁で開放されている。すなわち、各溝222C、223Cは、可動電極22CのY軸方向での一端から他端までの全域に亘って形成されている。
ここで、複数の溝222Cの内部空間は、可動電極22Cの回動に際し第1間隙に存在する気体の流動抵抗を低減する複数の流路を構成する。また、複数の溝223Cの内部空間は、可動電極22Cの回動に際し第2間隙に存在する気体の流動抵抗を低減する複数の流路を構成する。
このような各溝222C、223Cの深さは、Y軸方向に亘って一定であっても異なっていてもよい。各溝222C、223Cの深さがY軸方向に亘って異なる場合、気体の流通を円滑に行うため、Y軸方向での中央側から両端側へ深さが深くなるのが好ましい。
このような複数の流路によっても、可動電極22Cの回動に際し第1間隙および第2間隙にそれぞれ存在する気体の流動抵抗を低減することができる。また、このような各溝222C、223Cは、例えばエッチングにより簡単かつ高精度に形成することができる。
また、可動電極22Cの第2部分A2Cの上面には、複数の凹部(溝)221Cが形成されている。このような複数の凹部221Cによっても、第2部分A2Cの質量を減ずることができる。
本実施形態では、複数の凹部221Cは、それぞれY軸方向に延び、互いに平行となるように配置されている。
また、複数の凹部221Cの少なくとも1つの内部には、質量の小さい低質量材料224が充填されている。この低質量材料としては、素子片2の主たる部分を構成する材料よりも比重の小さい材料であれば特に限定されないが、例えば、樹脂材料、アルミニウムのような軽量な金属等が挙げられる。
また、このような低質量材料224は、必要に応じて、例えばレーザーの照射により所望量だけ除去することにより、第2部分A2Cの質量を調整することができる。これにより、物理量センサー素子1Cを所望の感度を調整することができる。
以上説明したような第4実施形態に係る物理量センサー素子1Cによっても、前述した第1実施形態に係る物理量センサー素子1と同様、高感度化を図るとともに、耐衝撃性を優れたものとすることができる。
(物理量センサー)
次に、図7に基づいて、本発明の物理量センサーを説明する。
図7は、本発明の物理量センサーの一例を示す模式図である。
図7に示す物理量センサー200は、前述した物理量センサー素子1と、物理量センサー素子1に電気的に接続された電子部品201とを有する。
電子部品201は、例えば集積回路素子(IC)であり、物理量センサー素子1を駆動する機能を有する。この電子部品201に角速度検出回路や加速度検出回路を形成することにより物理量センサー200をジャイロセンサーや加速度センサーとして構成することができる。
なお、図7では、物理量センサー200が1つの物理量センサー素子1を有する場合を図示しているが、物理量センサー200が複数の物理量センサー素子1を有していてもよい。また、物理量センサー200は、物理量センサー素子1と、物理量センサー素子1とは異なる構成の物理量センサー素子とを有していてもよい。
このような物理量センサー200は、感度および耐衝撃性の優れた物理量センサー素子1を備えるので、優れた信頼性を有する。
(電子機器)
次に、本発明の電子機器を説明する。
図8は、本発明の電子機器を適用したモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピュータ1100には、物理量センサー200が内蔵されている。
図9は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機1200は、アンテナ、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部が配置されている。
このような携帯電話機1200には、物理量センサー200が内蔵されている。
図10は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
ディジタルスチルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
また、ケース1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリ1308に転送・格納される。
また、このディジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子1312にはテレビモニタ1430が、デ−タ通信用の入出力端子1314にはパーソナルコンピュータ1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ1308に格納された撮像信号が、テレビモニタ1430や、パーソナルコンピュータ1440に出力される構成になっている。
このようなディジタルスチルカメラ1300には、物理量センサー200が内蔵されている。
このような電子機器は、高感および耐衝撃性に優れた物理量センサー素子1を備えるので、優れた信頼性を有する。
なお、本発明の電子機器は、図8のパーソナルコンピュータ(モバイル型パーソナルコンピュータ)、図9の携帯電話機、図10のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンタ)、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシュミレータ等に適用することができる。
以上、本発明の物理量センサー素子、物理量センサーおよび電子機器について図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
1‥‥物理量センサー素子 1A‥‥物理量センサー素子 1B‥‥物理量センサー素子 1C‥‥物理量センサー素子 2‥‥素子片 2A‥‥素子片 2B‥‥素子片 2C‥‥素子片 3‥‥支持基板 21‥‥固定部 22‥‥可動電極 22A‥‥可動電極 22B‥‥可動電極 22C‥‥可動電極 23‥‥連結部 24‥‥連結部 31‥‥凹部 41‥‥第1固定電極 42‥‥第2固定電極 200‥‥物理量センサー 201‥‥電子部品 221‥‥凹部 221C‥‥凹部 222‥‥貫通孔 222A‥‥貫通孔 222C‥‥溝 223‥‥貫通孔 223A‥‥貫通孔 223B‥‥貫通孔 223C‥‥溝 224‥‥低質量材料 1100‥‥パーソナルコンピュータ 1102‥‥キーボード 1104‥‥本体部 1106‥‥表示ユニット 1200‥‥携帯電話機 1202‥‥操作ボタン 1204‥‥受話口 1206‥‥送話口 1300‥‥ディジタルスチルカメラ 1302‥‥ケース 1304‥‥受光ユニット 1306‥‥シャッタボタン 1308‥‥メモリ 1312‥‥ビデオ信号出力端子 1314‥‥入出力端子 1430‥‥テレビモニタ 1440‥‥パーソナルコンピュータ a‥‥軸線(第1軸) A1‥‥第1部分 A11‥‥下面 A11C‥‥下面 A1A‥‥第1部分 A1C‥‥第1部分 A2‥‥第2部分 A21‥‥下面 A21B‥‥下面 A21C‥‥下面 A2A‥‥第2部分 A2B‥‥第2部分 A2C‥‥第2部分 G1‥‥距離 G2‥‥距離 S1‥‥間隙 S2‥‥間隙

Claims (12)

  1. 基体と、
    前記基体に設けられた固定電極と、
    前記基体に対して間隙を介して配置された可動錘と、
    前記固定電極に対向して前記可動錘に設けられた可動電極と、
    前記基体に設けられた固定部と、
    前記固定部に対して前記可動錘を第1軸回りに揺動可能に連結する連結部と、を有し、
    前記可動錘は、平面視で前記第1軸によって第1部分と第2部分とに区分けされ、
    前記第1部分および前記第2部分の少なくとも一方には貫通孔が設けられたことを特徴とする物理量センサー素子。
  2. 前記固定電極は、前記第1部分に対向して設けられた第1固定電極と、前記第2部分に対向して設けられた第2固定電極と、を有することを特徴とする請求項1に記載の物理量センサー素子。
  3. 前記可動電極は、前記第1部分に設けられた第1可動電極と、前記第2部分に設けられた第2可動電極と、を有することを特徴とする請求項1または2に記載の物理量センサー素子。
  4. 前記貫通孔は、複数設けられ、
    平面視でそれぞれ帯状をなし、互いに幅方向に並んで設けられている請求項1ないし3のいずれか一項に記載の物理量センサー素子。
  5. 前記貫通孔の各々は、平面視で前記第1軸に対して平行な方向に延びている請求項4に記載の物理量センサー素子。
  6. 前記貫通孔の各々は、平面視で前記第1軸に対して垂直な方向に延びている請求項4に記載の物理量センサー素子。
  7. 前記貫通孔は、前記第1部分の前記固定電極に対向する面積と、前記第2部分の前記固定電極に対向する面積とが互いに等しくなるように形成されている請求項1ないし6のいずれかに記載の物理量センサー素子。
  8. 前記可動錘は、前記第1部分の質量と前記第2部分の質量とが異なる請求項1ないし7のいずれかに記載の物理量センサー素子。
  9. 前記第1部分および前記第2部分のいずれか一方には、前記基体とは反対側の面に、凹部が設けられている請求項1ないし8のいずれか一項に記載の物理量センサー素子。
  10. 前記可動錘は、前記第1軸に対して前記第1部分の外形と前記第2部分の外形とが互いに対称な形状をなしている請求項1ないし9のいずれかに記載の物理量センサー素子。
  11. 請求項1ないし10のいずれかに記載の物理量センサー素子を備えることを特徴とする物理量センサー。
  12. 請求項11に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする電子機器。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013140148A (ja) * 2011-12-28 2013-07-18 Maxim Integrated Products Inc Mems加速度センサ
JP2014149234A (ja) * 2013-02-01 2014-08-21 Yamaha Corp 静電容量型センサ
CN104407172A (zh) * 2014-12-11 2015-03-11 歌尔声学股份有限公司 一种新型的加速度计的z轴结构
JP2018531158A (ja) * 2015-09-30 2018-10-25 メムズ ドライブ, インク.Mems Drive, Inc. Memsデバイスの構造パラメータを操作する為のmemsグリッド
EP3351942A4 (en) * 2015-09-15 2019-03-20 Hitachi, Ltd. ACCELEROMETER
CN112747740A (zh) * 2019-10-31 2021-05-04 精工爱普生株式会社 物理量传感器、电子设备及移动体
KR102722274B1 (ko) 2019-03-15 2024-10-25 엘지전자 주식회사 Mems 가속도 센서

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06308152A (ja) * 1993-04-07 1994-11-04 Ford Motor Co センサー要素
JPH08220134A (ja) * 1994-12-19 1996-08-30 Ford Motor Co 捩りビーム式加速度計の検出要素
US5659195A (en) * 1995-06-08 1997-08-19 The Regents Of The University Of California CMOS integrated microsensor with a precision measurement circuit
JP2008544243A (ja) * 2005-06-17 2008-12-04 ヴェーテーイー テクノロジーズ オサケユキチュア 容量性加速度センサーを製造する方法、および、容量性加速度センサー
JP2009109494A (ja) * 2007-10-26 2009-05-21 Rosemount Aerospace Inc 気体の減衰が平衡な振り子式加速度計
US7578190B2 (en) * 2007-08-03 2009-08-25 Freescale Semiconductor, Inc. Symmetrical differential capacitive sensor and method of making same
JP2009537803A (ja) * 2006-05-16 2009-10-29 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 加速度センサ
JP2009540280A (ja) * 2006-06-09 2009-11-19 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング マイクロメカニカル加速度センサ
US20100122578A1 (en) * 2008-11-17 2010-05-20 Johannes Classen Micromechanical component

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06308152A (ja) * 1993-04-07 1994-11-04 Ford Motor Co センサー要素
JPH08220134A (ja) * 1994-12-19 1996-08-30 Ford Motor Co 捩りビーム式加速度計の検出要素
US5659195A (en) * 1995-06-08 1997-08-19 The Regents Of The University Of California CMOS integrated microsensor with a precision measurement circuit
JP2008544243A (ja) * 2005-06-17 2008-12-04 ヴェーテーイー テクノロジーズ オサケユキチュア 容量性加速度センサーを製造する方法、および、容量性加速度センサー
JP2009537803A (ja) * 2006-05-16 2009-10-29 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 加速度センサ
JP2009540280A (ja) * 2006-06-09 2009-11-19 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング マイクロメカニカル加速度センサ
US7578190B2 (en) * 2007-08-03 2009-08-25 Freescale Semiconductor, Inc. Symmetrical differential capacitive sensor and method of making same
JP2009109494A (ja) * 2007-10-26 2009-05-21 Rosemount Aerospace Inc 気体の減衰が平衡な振り子式加速度計
US20100122578A1 (en) * 2008-11-17 2010-05-20 Johannes Classen Micromechanical component

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013140148A (ja) * 2011-12-28 2013-07-18 Maxim Integrated Products Inc Mems加速度センサ
JP2014149234A (ja) * 2013-02-01 2014-08-21 Yamaha Corp 静電容量型センサ
CN104407172A (zh) * 2014-12-11 2015-03-11 歌尔声学股份有限公司 一种新型的加速度计的z轴结构
US10739376B2 (en) 2015-09-15 2020-08-11 Hitachi, Ltd. Acceleration sensor
EP3351942A4 (en) * 2015-09-15 2019-03-20 Hitachi, Ltd. ACCELEROMETER
JP2023015129A (ja) * 2015-09-30 2023-01-31 メムズ ドライブ,インク. Memsデバイスの構造パラメータを操作する為のmemsグリッド
JP7166917B2 (ja) 2015-09-30 2022-11-08 メムズ ドライブ,インク. Memsデバイスの構造パラメータを操作する為のmemsグリッド
JP2023002750A (ja) * 2015-09-30 2023-01-10 メムズ ドライブ,インク. Memsデバイスの構造パラメータを操作する為のmemsグリッド
JP2018531158A (ja) * 2015-09-30 2018-10-25 メムズ ドライブ, インク.Mems Drive, Inc. Memsデバイスの構造パラメータを操作する為のmemsグリッド
JP2023017817A (ja) * 2015-09-30 2023-02-07 メムズ ドライブ,インク. Memsデバイスの構造パラメータを操作する為のmemsグリッド
JP7519420B2 (ja) 2015-09-30 2024-07-19 メムズ ドライブ,インク. Memsデバイスの構造パラメータを操作する為のmemsグリッド
KR102722274B1 (ko) 2019-03-15 2024-10-25 엘지전자 주식회사 Mems 가속도 센서
CN112747740A (zh) * 2019-10-31 2021-05-04 精工爱普生株式会社 物理量传感器、电子设备及移动体

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