JP6330530B2 - 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体 - Google Patents
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本適用例の物理量センサーは、基板と、
前記基板に配置されている配線と、
前記基板に接合している接合部と、前記接合部に応力緩和部を介して接続し、かつ前記配線と電気的に接続されている接続部と、を有する素子片と、
を備えていることを特徴とする。
これにより、基板と素子片との熱膨張差によるストレスが応力緩和部で緩和されるため、配線と素子片との電気的な接続の安定を図ることができる。
本適用例の物理量センサーでは、前記応力緩和部は、前記素子片の面内方向に弾性変形可能であることが好ましい。
これにより、応力緩和部によって、基板と素子片との熱膨張差によるストレスを効果的に吸収・緩和することができる。
本適用例の物理量センサーでは、前記応力緩和部は、前記素子片の厚さ方向に弾性変形可能であることが好ましい。
これにより、応力緩和部によって、基板と素子片との熱膨張差によるストレスを効果的に吸収・緩和することができる。
本適用例の物理量センサーでは、前記接続部と前記配線とを接続している導電性部材を有することが好ましい。
これにより、素子片の意図しない箇所での配線との電気的な接続を低減することができる。
本適用例の物理量センサーでは、前記素子片は、
離間して配置されている一対の前記接合部と、
前記一対の接合部の間に配置されている前記接続部と、
前記一対の接合部と前記接続部とを連結している一対の前記連結部と、
を有していることが好ましい。
これにより、接続部を安定して支持することができる。そのため、配線と素子片との電気的な接続がより安定する。
本適用例の物理量センサーでは、前記素子片は、前記基板に対して変位可能な可動電極部を有する第1構造体と、前記可動電極部に対向する対向部を有する第2構造体と、を有し、
前記第1構造体および前記第2構造体が、それぞれ、前記接合部、前記応力緩和部および前記接続部を備えていることが好ましい。
これにより、第1構造体と配線との電気的な接続の安定を図りつつ、第2構造体と配線との電気的な接続の安定を図ることができる。
本適用例の物理量センサー装置は、上記適用例の物理量センサーと、
前記物理量センサーと電気的に接続されている電子部品と、を有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い物理量センサー装置が得られる。
本適用例の電子機器は、上記適用例の物理量センサーを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
本適用例の移動体は、上記適用例の物理量センサーを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
まず、本発明の物理量センサーの第1実施形態について説明する。
ベース基板2には上面に開口する凹部21が形成されている。この凹部21は、素子片4とベース基板2との接触を防止するための逃げ部として機能する。また、ベース基板2には上面に開口し、凹部21の外周に沿うように配置されている凹部22、23、24が形成されている。そして、凹部22には配線511および端子512が形成され、凹部23には配線521および端子522が形成され、凹部24には配線531および端子532が形成されている。また、各端子512、522、532は、蓋体3から露出するように配置されており、これにより、外部(例えば後述するICチップ102)との電気的な接続が可能となっている。
素子片4は、図1および図2に示すように、ベース基板2の上面に接合されている。この素子片4は、ベース基板2に対して変位可能な部分を有する第1構造体4Aと、ベース基板2に対して位置が固定されている第2構造体4Bと、を有している。このような素子片4は、例えば、リン、ボロン等の不純物がドープされたシリコン基板から形成されている。具体的には、例えば、ベース基板2の上面にシリコン基板を陽極接合によって接合し、次に、シリコン基板にリン、ボロン等の不純物をドープして導電性を付与し、次に、シリコン基板をフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてパターニングすることで、素子片4を形成することができる。ただし、素子片4の構成材料としては、シリコンに限定されず、その他の半導体等を用いることができる。
蓋体3は、下面に開口する凹部31を有しており、この凹部31が凹部21とで内部空間Sを形成するように、ベース基板2に接合されている。このような蓋体3は、本実施形態では、シリコン基板で形成されている。これにより、蓋体3とベース基板2とを陽極接合によって接合することができる。なお、蓋体3をベース基板2に接合しただけの状態では、ベース基板2に形成されている凹部22、23、24を介して内部空間Sの内外が連通されている。そのため、本実施形態では、図2に示すように、TEOSCVD法等で形成されたSiO2膜7によって凹部22、23、24を塞いで、内部空間Sを気密封止している。
次に、本発明の物理量センサーの第2実施形態について説明する。
次に、本発明の物理量センサー装置を説明する。
図8に示す物理量センサー装置100は、基板101と、接着層103を介して基板101の上面に固定されている物理量センサー1と、接着層104を介して物理量センサー1の上面に固定されているICチップ(電子部品)102と、を有している。そして、物理量センサー1およびICチップ102が基板101の下面を露出させた状態で、モールド材Mによってモールドされている。なお、接着層103、104としては、例えば、半田、銀ペースト、樹脂系接着剤(ダイアタッチ剤)等を用いることができる。また、モールド材Mとしては、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることができ、例えば、トランスファーモールド法によってモールドすることができる。
次に、本発明の電子機器を説明する。
次に、本発明の移動体を説明する。
図12に示すように、自動車1500には物理量センサー1が内蔵されており、例えば、物理量センサー1によって車体1501の姿勢を検出することができる。物理量センサー1の検出信号は、車体姿勢制御装置1502に供給され、車体姿勢制御装置1502は、その信号に基づいて車体1501の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪1503のブレーキを制御したりすることができる。また、物理量センサー1は、他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム(ABS)、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(TPMS:Tire Pressure Monitoring System)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター等の電子制御ユニット(ECU:electronic control unit)に広く適用できる。
2……ベース基板
21、22、23、24……凹部
3……蓋体
31……凹部
4……素子片
4A……第1構造体
4B……第2構造体
41、42……支持部
411、412……接合部
413……接続部
414、415……連結部
43……可動部
431……基部
432……可動電極指
44、45……連結部
48……第1固定電極指
481、482……接合部
483……接続部
484、485……連結部
484a、484b、485a、485b……梁部
486……対向部
49……第2固定電極指
491、492……接合部
493……接続部
494、495……連結部
494a、494b、495a、495b……梁部
496……対向部
511、521、531……配線
511a、521a、531a……領域
512、522、532……端子
524……第1検出電極
534……第2検出電極
6……素子片
61、62……支持部
611……接合部
613……接続部
614……連結部
614a、614b……梁部
63……可動部
631……第1可動部
632……第2可動部
64、65……連結部
7……SiO2膜
100……物理量センサー装置
101……基板
101a……端子
101b……実装端子
102……ICチップ
103、104……接着層
105、106……ボンディングワイヤー
1100……パーソナルコンピューター
1102……キーボード
1104……本体部
1106……表示ユニット
1108……表示部
1200……携帯電話機
1202……操作ボタン
1204……受話口
1206……送話口
1208……表示部
1300……ディジタルスチルカメラ
1302……ケース
1304……受光ユニット
1306……シャッタボタン
1308……メモリ
1310……表示部
1312……ビデオ信号出力端子
1314……入出力端子
1430……テレビモニタ
1440……パーソナルコンピューター
1500……自動車
1501……車体
1502……車体姿勢制御装置
1503……車輪
B1、B2、B3……バンプ
J……軸
M……モールド材
O……中心
S……内部空間
Claims (9)
- 基板と、
前記基板に配置されている配線と、
前記基板に接合している接合部と、前記接合部に応力緩和部を介して接続し、かつ前記配線と電気的に接続されている接続部と、を有する素子片と、
を備えていることを特徴とする物理量センサー。 - 前記応力緩和部は、前記素子片の面内方向に弾性変形可能である請求項1に記載の物理量センサー。
- 前記応力緩和部は、前記素子片の厚さ方向に弾性変形可能である請求項1または2に記載の物理量センサー。
- 前記接続部と前記配線とを接続している導電性部材を有する請求項1ないし3のいずれか1項に記載の物理量センサー。
- 前記素子片は、
離間して配置されている一対の前記接合部と、
前記一対の接合部の間に配置されている前記接続部と、
前記一対の接合部と前記接続部とを連結している一対の前記連結部と、
を有している請求項1ないし4のいずれか1項に記載の物理量センサー。 - 前記素子片は、前記基板に対して変位可能な可動電極部を有する第1構造体と、前記可動電極部に対向する対向部を有する第2構造体と、を有し、
前記第1構造体および前記第2構造体が、それぞれ、前記接合部、前記応力緩和部および前記接続部を備えている請求項1ないし5のいずれか1項に記載の物理量センサー。 - 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の物理量センサーと、
前記物理量センサーと電気的に接続されている電子部品と、を有することを特徴とする物理量センサー装置。 - 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の物理量センサーを有することを特徴とする電子機器。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の物理量センサーを有することを特徴とする移動体。
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