JPH0654327B2 - 単一方向性加速度計およびそれを製造する方法 - Google Patents

単一方向性加速度計およびそれを製造する方法

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JPH0654327B2
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、単一方向性加速度計とそのマイクロ平版印刷
による製造法とに関する。その名の示すごとく、この単
一方向性加速度計は運動する物体の加速度の1つの成分
のみを測定することを可能にする。
(従来の技術と問題点) 一般に加速度計は、運動質量m(振り子)と、運動物体
の加速度yによる力F=myを測定することを可能にさ
せる装置とを具備する。
現在商業的に入手可能な加速度計は、取外し可能な機械
部品を具備する。この種の加速度計は、各種の多数の構
成要素とその組立て体との位置決めの問題を含めて部品
製造技術が複雑である点を顧慮すると、そのサイズが極
めて大きくなる。
それで、半導体技術を利用した技法で、同一の平らな基
板上に以上の多数の各種部品を一括製造するようにし、
上記加速度計コストを低減しかつそのサイズを小さくす
るようにしている。この種の加速度計の製作手順が、米
国電気電子学会(IEEE)紀要(Proceedings)(1982年
5月発行.第70巻.第5号)中のケイ・ペイターゼン
(K.PATERSEN)の論文に記述されている。
第1図には、この手順に従って構成された加速度計部分
断面斜視図が示してある。この加速度計は、例えばくぼ
み4を有するけい素またはガラス製基板2を具備する。
この基板上2には、基板2内に形成されたくぼみ4上に
張出したシリカ、ドープを施したけい素または金属製の
ビームの形をしたたわみ性ビームすなわち薄い層6が、
例えば真空蒸着によって沈積形成される。方向Zで表示
される基板2の表面に垂直の方向に変形または運動する
ことができるこのビームは、その自由端に震動質量8を
支える。
測定しようとするZ方向加速度の成分に比例する質量8
の変位の測定は、ビームすなわち薄層6と基板2によっ
て画定されるコンデンサの容量の変化を測定して得る
か、またはこの薄層6に取り付けられた圧電抵抗素子を
利用するか、のいずれかによって行われる。
上記の加速度計は、現在、けい素板を使用したものが多
いが、数多くの不利点を有する。とくにたわみ性ビーム
は、加速度が存在しない場合でさえ、ビームの曲げをも
たらす内部応力を生ずる可能性がある。制御することが
極めて困難なこれらの応力は、とくに、加速度計の製造
時に帰す場合が多い。さらに、これらの応力は、温度と
共に変化する。
さらなる不利点は、異なった膨張係数を有する異なった
材料が積層されているのでこれが原因している。
さらにまた、たわみ性ビームに取り付けられた質量8の
中心がビーム軸線からずれていると、この形式の加速度
計は、方向yすなわち基板2の表面に平行な方向の加速
度の成分に対しても感受性を有する。しかし、すぐれた
指向性の加速度計は、測定されるべき加速度の単一成分
についてのみ感受性を有するものでなければならない。
加速度が存在しなくてもビーム内の応力により、ビーム
が曲がる場合には、更にこの現象が深刻化する。
さらにまた、加速度計の構成が非対称のため、質量8の
変位の示差的な測定を行うことが極めて困難である。し
かし、このような手順を経ずにビームの位置の精確な測
定を行うことは不可能である。
この非対称を防止するためには、薄層6に対して、第一
の基板に第二の対称基板を加えることもできるはずであ
る。この種の装置が、ニュー・ヨーク(New York)45
A、米国電気電子学会(IEEE)電子装置関連会報(Transac
tions on Electron Devices)、(1979年12月発
行、第ED−26巻、第12号、1911〜1917ペ
ージ)のエル・エヌ・ロイランス(L.N.Roylance)等によ
る「ア・バッチ・ファブリケーション・シリコン・アク
セレロメータ(Abatch fabrication silicon accelero
meter)」と題する論文に記述されている。前記装置の場
合には、シールの結果として、実際の基板に内部応力の
問題が発生する。さらに、この方法は複雑であり、費用
がかかる。
これらの加速度計の別の不利点は、感度が低いことであ
る。ビームの形をした薄層6の寸法が不変であるため、
震動質量8を増すことは困難であり、後者はたかだか数
ミクロンの厚さのオーダである。
第1図に示す加速度計の変形として、薄層6の両端を基
板に固定させるようにし、前記層内に応力があったとし
ても質量8の出発位置を一定とするようにしたものがあ
る。しかし、この加速度計は剛性が高くなり、従って感
度が低くなる。
(問題点を解決するため手段) 本発明は、運動物体の加速度の1つの成分を測定するた
めの単一方向性加速度計であって、1つの材料で形成さ
れ且つ少なくとも1つのくぼみを有する基板と、該くぼ
み内に配置されていて該基板と一体の第1端部を有する
少なくとも1つの平行六面体のビームとを含み、このビ
ームは、前記材料で形成されており、第1の方向に向け
られており、第2の方向に幅を有していて前記くぼみ内
で該第2の方向に変形可能であり、且つこの幅よりも大
きい厚さを有しており、この厚さは前記第1の方向及び
前記第2の方向と垂直な第3の方向に向けられていて前
記ビームは前記第2の方向にのみ変形可能であり、前記
第2の方向は前記基板の表面に対して平行であり且つ前
記第1の方向に対して垂直であり、前記第2の方向への
変形は測定すべき加速度の前記成分に相当するものであ
り、更に、この加速度の該成分の値を決定するために前
記第2の方向への前記ビームの変形を測定する測定装置
と、この測定装置を前記ビームに連結するために前記基
板上に形成された電気接点とを含むことを特徴とする。
更に、本発明は運動物体の加速度の一つの成分を測定す
るために用いられる単一方向性加速度計を製造する方法
であって、前記成分は第1の方向に対して平行であり、
前記加速度計は少なくとも1つのくぼみを有する基板
と、前記くぼみ内に配置され且つ前記基板と一体の第1
端部を有する少なくとも1つの平行六面体のビームとを
含み、このビームは、前記基板の一表面に平行な第2の
方向に向けられ且つ前記第1の方向に対して垂直であっ
て該第1の方向にのみ変形可能であるとともに、その幅
よりも大なる厚さを有しており、この厚さは前記第1の
方向及び前記第2の方向に対して垂直な第3の方向に向
けられており、前記幅は前記第1の方向に向けられてお
り、更に、前記第1の方向に前記ビームの変形を測定す
る測定装置と、この測定装置を前記ビームに接続するた
めの前記基板上に形成された電気接点とを含み、前記方
法は、前記基板上に前記くぼみ、前記ビームの形状及び
前記ビームの幅を画定するマスクを形成し、このくぼみ
及びビームを形成するために前記第3の方向にマスクの
ない基板の領域をエッチングして、前記ビームの厚さが
このエッチングによって画定されるようにし、前記測定
装置を形成し、前記マスクを除去し、前記電気接点及び
前記接続を形成するためにエッチングされた基板を金属
で被う諸工程を含むことを特徴とする。
(発明の作用及び効果) 本発明の加速度計は、1つの材料で一体的に形成された
基板とビームとを有しており、ビームの厚さは幅よりも
大であるので、運動する物体の加速度の単一方向の成分
のみを感度良好に測定することを可能とするとともに、
基板やビームを積層材料で作ったり又は別個に形成した
ものに対して、機械的応力を減少させること及び熱安定
性を向上させることができる。
本発明の方法によれば、基板とビームとを一体にして1
つの材料を用いて加速度計を製造することを容易とす
る。しかも、ビームの厚さを画定することを容易ならし
める。
この方法においては、先行技術による加速度計の場合に
そうであったように、導体と基板とのインタフェースに
おける応力が基板に垂直に、即ち加速度計の感知軸線に
沿ってではなくそれと垂直に作用する。従って、加速度
が存在しない場合には、加速度計のすぐれた熱安定性と
共に、加速度計の可動構成要素のねじりまたは変形の完
全な除去が果たされる。
基板はエッチングにより、例えば加速度計の基板を形成
する任意のいかなる材料に対しても有利に使用できる反
応性イオン・エッチングによってエッチングされ得る。
さらにまた、この形式のエッチングは、基板の結晶配列
と無関係に、マスクの形状を介して基板に形成される加
速度計の構成要素の形状を固定させるという利点を有す
る。
(実施例) 非限定的な実施例に関し、且つ添付図面について、本発
明を以下に更に詳細に説明する。
第2図は、くぼみ14を完全に貫通させた、なるべくな
らけい素、シリカ、またはモノクリスタルα石英のよう
に絶縁材で形成することが望ましい基板12を具備する
本発明による加速度計の基本的な線図の斜視図である。
基板内で、その端部16aが基板の残余部分と一体にな
つたたわみ性のビーム16をくぼみ14が画定する。基
板12の上面に平行なy方向に向けられたこのビーム1
6は、前記基板面に平行且つy方向に垂直なx方向にた
わむことができ、このx方向は測定すべき加速度成分の
方向に対応する。x方向におけるビーム16の変位に対
する変形の測定により、前記方向における加速度成分の
値を定めることができ、前記変形は前記成分の値に比例
する。
たわみ性のビーム16を直接基体12内に機械加工する
ことにより、先行技術による加速度計における多重層の
使用によつて生ずる問題を克服することが可能である。
好都合なことに、ビーム16が加速度を受けた場合、ビ
ーム16の変形を測定することを可能にする装置を基板
12内に形成することができる。これらの装置はとく
に、くぼみ14によつて画定され、この目的のため、互
いに対向し且つy方向に平行に向けられた金属で被われ
た二つの側面、例えば18,20、を有する可変容量コ
ンデンサ17によつて構成することができる。基板12
の上面への導電ストリップ22の配設により、可変容量
コンデンサ17を在来の測定装置24に接続することが
でき、それによつて前記コンデンサの容量の変化量を測
定することが可能となる。
これらの測定値を基とすれば、次式により、yで示さ
れる物体のx方向の加速度成分の値を定めることは容易
である。
ここに、 ε:真空の誘電率 S:コンデンサ被覆の表面積 k:ビームの剛性率(横断性係数) m:ビームの質量 C:コンデンサの容量 ΔC:容量の変化量 加速度計の種々の接続と金属被覆とは、クロムと金との
二重の層によつて実現される。
極めて指向性の強い、即ちx方向における物体の加速度
成分を測定することのみを可能とする加速度計を得るた
めには、第2図に示すように、ビーム16が幅の寸法1
よりもはるかに大きい厚さの寸法eを具えなければなら
ない。
加速度計の釣合いとビーム16の厚さとを考慮すると、
一つ以上の26のような震動質量を付加することは常に
可能である。一つ以上の震動質量26の付加により、加
速度計の感度を可成向上させることが可能となる。
第3図は、本発明による加速度計の特殊な実施例の斜視
図である。この加速度計は、例えばz断面(z軸に沿つ
た断面)のけい素またはモノクリスタルα石英で作られ
た基板32を具備し、その中に基板を完全に貫通するく
ぼみ34が形成され、中でも、一端36aが基板32の
残余部分と一体をなした二つのたわみ性ビーム36が画
定されている。基板32の上面に平行なy方向に向けら
れたこれらのビーム36は、基板の面に平行且つ前記y
方向に垂直なx方向に動き、または可成変形することが
できる。x方向は、測定すべき加速度成分の方向に相当
する。
幅よりもはるかに大きい厚さを有するこれらの二つのビ
ーム36は、例えば、その厚さがビームのそれに等しい
長方形の平行六面体のような形状をなすブロツク38を
その自由端に支える。基板32内に形成されたこのブロ
ツク38は、x方向に基板のくぼみ34内で動きまたは
可成変形することができる。この加速度計はまた、ビー
ム36に関して対称に基板内に形成され且つブロツク3
8の延長部に位置するばね40をも具備し、従つてビー
ム36を基板32の残余部分に接合することができる。
y方向に向けられ且つビーム36のそれに等しい厚さを
有するこのばね40によつて、加速度計の構造体をその
感度が低下するまでに剛性にすることなしに、加速度計
の可動部分(ビーム・ブロツク)に付着された電極(層
52)を電気的に接続することが可能となる。
ブロツク38のx方向の変形を測定する装置もまた基板
32内に形成される。詳述すると、これらの装置は、ブ
ロツク38の側板42、即ちブロツクの前記側面42に
面するくぼみ34の面44によつてy方向に向けられた
ブロツクの面によつて画定され、前記面44,42が金
属層で被われ、また、金属で被覆された面42によつて
画定された二つの同様な可変容量コンデンサ39,41
を具備する。こうして画定されたコンデンサの容量の変
化量の測定により、ブロツク38がx方向の加速度を受
けた場合のブロツク38のx方向におけるブロツク38
の変形を測定することが可能となる。
ブロツク38の変形の示差的な測定を行うため、本発明
による加速度計に一つ以上の定容量コンデンサ43,4
5を設けることができる。この目的のため、加速度計は
y方向に、基板32内に形成され且つくぼみ34の両側
に位置する46のようなくぼみを具備する。これらのく
ぼみ46は、y方向に向けられ且つ金属層で被われた二
つの対向面48,50を有する。くぼみ46の金属被覆
面48,50は、これら2面間の空間と同様に、定容量
コンデンサ43,45を画定する。これらの空間は、金
属被覆42,44間と同じ寸法(厚さ、幅および長さ)
を有する。
基板32の上面への金属層52の付着により、可変容量
コンデンサ39,41と定容量コンデンサ43,45と
の各種の接点53,54,55,56と電気接続とを作
ることができる。この金属層52は、種々のコンデンサ
間に短絡が無いことを保証するために、適切な形状を具
えなければならない。
第3a図は、第3図の加速度計のキヤパシタンス・ブリ
ツジを示す電気線図を示す。ブロツク38の変形は、第
3a図に示すように、キヤパシタンス・ブリツジの不平
衡を測定することによつて検出される。
好都合なことに、ブリツジの不平衡を0にするように、
加速度yによる力F=myにx方向の対抗力FXを働かせ
るために、この不平衡の測定値を用いることができる
(サーボ系)。前記力FXを働かせるための可能な装置の
一つは、基板の面に垂直な磁界BZと、点53、51間の
y方向の強さIyの電流とを加えることから成る。次い
で、フイードバツク力が次式によつて与えられる。
FX=BZ×Iy×1 ここに、1はBZが作用する領域の長さである。この場
合、容量検出は零点検出(静止時閉鎖)用に用いられ、
ビームとブロツクとばねとによつて形成される系の中の
電流により、磁界BZの作用の結果生ずるブロツク38で
測定される加速度の影響を平衡させることができる。次
いで、加速度の測定が、キヤパシタンス・ブリツジ(第
3a図)を平衡させるに必要な電流のそれによつて行わ
れるが、前記電流の強さIyは、加速度の値に直接に比例
する。
上記に述べた検出装置を、加速度と減速度との両者を測
定するために用い得ることは注意すべきである。
さらにまた上記に述べた検出装置は、測定装置の唯一の
可能な実施例である。基板の上面に付着された圧電抵抗
体の使用に基づいた、または光学的検出手順に基づい
た、別の装置も用いることができる。
種々の加速度の範囲を包含するため、単にエツチング・
マスクの形状を変えるだけで震動質量26の寸法を変化
させることができる。
ここで、本発明による加速度計を製造する、マイクロ平
版印刷法を用いた方法について説明する。
測定装置と同様に、ビーム16または36、ブロツク3
8およびばね40のような、基体内に形成された加速度
計の種々の構成要素は、前記構成要素がその中に作られ
る基板12または32をエツチングすることによつて形
成される。前記エツチング、例えば反応性イオン・エツ
チングのような乾式エンチング法または異方性湿式エツ
チング、は、なるべく、基板の上面を被い且つ種々の加
速度計構成要素の正確な形状を画定することを可能にす
る金とクロムとの二重層のような導電材料で形成された
マスクを用いて行うことができる。
乾式エツチングの場合、良好な指向性が得られたとして
も、エツチングの深さに対して数十μ、ビームの幅につ
いては数μでなければならない、という制約がある。こ
の場合、けい素の熱成長によつて得られたシリカによ
り、興味深い基板を構成することができる。エツチング
工程がシリカについて終了した後、シリカを支持するけ
い素を化学的にエツチングすることにより、ビームの後
部を離すことができる。この方法の利点は、それをけい
素集積回路に用いることができる、ということである。
別の変形によれば、基板を化学的にのみエツチングする
ことが可能であるが、この場合には、基板の結晶の異方
性に対する依存関係がある。前記異方性と化学的エツチ
ング生成物のそれとに影響を与えることにより、加速度
計を形成する種々の構成要素の所望の形状を得ることが
できる。この方法に対するすぐれた候補は、基板を形成
するz断面(基板の面に垂直なz軸)のα石英と、モノ
クリスタルけい素とである。石英の場合には、例えば、
90℃におけるエツチング生成物としてHFとNH4Fとの混
合物が用いられる。
基板をエツチングするために用いられたマスクを除去し
た後、エツチングされた基板面の適切な金属被覆による
か、または次に金属被覆される基板にエツチング・マス
クを形成する前の基板の適切な金属被覆によるか、のい
ずれかによつて、基板面上に形成される加速度計の種々
の接点と電気接続とを得ることができる。
これらの接点と接続とを得る別の方法は、基板内に形成
される種々の加速度計構成要素の、および前記の電気接
続と接点とを生成するための、双方の形状を得ることを
可能にする、なるべく金とクロムとの二重層の形式の導
電性マスクを基板上に生成することから成る。
第4図は、加速度計の基板構成要素の、およびその電気
接続と接点とを生成するための、双方の形状を画定する
ことを可能にする単一マスクの原理を示す。このマスク
は、加速度計の種々の構成要素を取り除くためにエツチ
ングされる基板57の領域を示す適切に形作られたくぼ
み64と同様に、基板内に形成され且つ電気接続と接点
とを設けられた、基板の上面を被い且つ種々の加速度計
構成要素の形状を具えた58,60,62のような導電
性ストリツプを有する導電層で形成される。さらにま
た、エツチングされない基板の領域においては、このマ
スクが、種々の加速度計の接続を電気的に分離すること
を可能にする極めて細い溝を有する。
グリツド66を形成するこれらの溝の存在により、基板
のエツチングの間、グリツドにおける極めて限定された
深さにまで基板をエツチングすることが可能となり、エ
ツチング作業は極めて低いエツチング速度で結晶の面に
直面し、従つて良好な機械的安定性が保持される。この
わずかな基板のエツチングは、67のようなノツチで示
される。この基板のエツチングの深さの差は、基板の結
晶の異方性ならびにマスク・パターンの寸法に依存す
る。従つて、マスク・パターンが大きい場合(パターン
57)には深いエツチングが行われ、一方、パターンが
小さい場合(グリツド66)、基板のエツチングは単に
浅いものに過ぎない。
加速度計製作工程の最終段階は、基板を機械的にマスキ
ングした後に可変容量コンデンサの一定な容量を画定す
ることを可能にする垂直の金属被覆を生成することから
成る。この目的のため、好都合なことに、90°と異な
る基板上の蒸着媒質の傾斜角を以て真空蒸着を用いるこ
とができる。
本発明による方法により、種々の加速度または減速度の
範囲を測定できる複数の指向性加速度計を、同じ基板内
に一括形式で生成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は既述の先行技術による指向性加速度計の縦断面
で示した基本線図、第2図は本発明による加速度計の原
理を示す斜視図、第3図は本発明による加速度計の特殊
な実施例の斜視図、第3a図はその電気的等価物を示す
図、第4図は本発明による加速度計の製造方法の特殊な
実施例を示す図である。 12:基板、39:可変容量コンデンサ 14:くぼみ、40:ばね 16:ビーム、41:可変容量コンデンサ 17:可変容量コンデンサ、43:定容量コンデンサ 32:基板、45:定容量コンデンサ 34:くぼみ、52:金属層 36:ビーム、e:厚さ 38:ブロツク、1:幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−125355(JP,A)

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】運動物体の加速度の1つの成分を測定する
    ための単一方向性加速度計であって、1つの材料で形成
    され且つ少なくとも1つのくぼみを有する基板と、該く
    ぼみ内に配置されている該基板と一体の第1端部を有す
    る少なくとも1つの平行六面体のビームとを含み、この
    ビームは、前記材料で形成されており、第1の方向に向
    けられており、第2の方向に幅を有していて前記くぼみ
    内で該第2の方向に変形可能であり、且つこの幅よりも
    大きい厚さを有しており、この厚さは前記第1の方向及
    び前記第2の方向と垂直な第3の方向に向けられていて
    前記ビームは前記第2の方向にのみ変形可能であり、前
    記第2の方向は前記基板の表面に対して平行であり且つ
    前記第1の方向に対して垂直であり、前記第2の方向へ
    の変形は測定すべき加速度の前記成分に相当するもので
    あり、更に、この加速度の該成分の値を決定するために
    前記第2の方向への前記ビームの変形を測定する測定装
    置と、この測定装置を前記ビームに連結するために前記
    基板上に形成された電気接点とを含む加速度計。
  2. 【請求項2】前記測定装置が前記基板上に形成されてい
    る特許請求の範囲第1項記載の加速度計。
  3. 【請求項3】前記ビームの他方の端部は1つのブロック
    を支持し、このブロックは前記基板内に形成されていて
    且つ前記加速度の前記成分の作用の下に前記基板のくぼ
    み内で前記第2の方向へ運動可能である特許請求の範囲
    第1項記載の加速度計。
  4. 【請求項4】前記基板内に形成され且つ前記ブロックの
    延長に配置されたばねを含み、このばねは前記ブロック
    を前記第1の方向において前記基板に連結している特許
    請求の範囲第3項記載の加速度計。
  5. 【請求項5】前記測定装置は前記ブロックの一表面によ
    って画定された少なくとも1つの可変容器コンデンサを
    含み、該コンデンサは前記第2の方向に対してほぼ横断
    方向に向いており、前記基板の一表面は前記ブロック面
    の前記一表面に対面しており、これらの表面は金属層で
    被覆されていてこれら金属層の間には空間がある特許請
    求の範囲第3項記載の加速度計。
  6. 【請求項6】前記測定装置は前記基板内に形成された他
    のくぼみによって画定された少なくとも1つの定容量コ
    ンデンサを含み、該コンデンサは2つの対面する表面を
    有し、且つ前記第2の方向に対してほぼ横断方向に向い
    ており、更に、金属層によって被覆されている特許請求
    の範囲第5項記載の加速度計。
  7. 【請求項7】前記基板はけい素に溶着されたシリカで形
    成されている特許請求の範囲第1項記載の加速度計。
  8. 【請求項8】前記基板はモノクリスタルα石英またはけ
    い素で作られている特許請求の範囲第1項記載の加速度
    計。
  9. 【請求項9】前記測定装置は前記基板の表面に対して垂
    直な方向の磁界を生成させることが可能な装置を含む特
    許請求の範囲第5項記載の加速度計。
  10. 【請求項10】運動物体の加速度の一つの成分を測定す
    るために用いられる単一方向性加速度計を製造する方法
    であって、前記成分は第1の方向に対して平行であり、
    前記加速度計は少なくとも1つのくぼみを有する基板
    と、前記くぼみ内に配置され且つ前記基板と一体の第1
    端部を有する少なくとも1つの平行六面体のビームとを
    含み、このビームは、前記基板の一表面に平行な第2の
    方向に向けられ且つ前記第1の方向に対して垂直であっ
    て該第1の方向にのみ変形可能であるとともに、その幅
    よりも大なる厚さを有しており、この厚さは前記第1の
    方向及び前記第2の方向に対して垂直な第3の方向に向
    けられており、前記幅は前記第1の方向に向けられてお
    り、更に、前記第1の方向に前記ビームの変形を測定す
    る測定装置と、この測定装置を前記ビームに接続するた
    めの前記基板上に形成された電気接点とを含み、前記方
    法は、前記基板上に前記くぼみ、前記ビームの形状及び
    前記ビームの幅を画定するマスクを形成し、このくぼみ
    及びビームを形成するために前記第3の方向にマスクの
    ない基板の領域をエッチングして、前記ビームの厚さが
    このエッチングによって画定されるようにし、前記測定
    装置を形成し、前記マスクを除去し、前記電気接点及び
    前記接続を形成するためにエッチングされた基板を金属
    で被う諸工程を含む方法。
  11. 【請求項11】基板が乾式エッチング法によってエッチ
    ングされる特許請求の範囲第10項記載の方法。
  12. 【請求項12】基板が化学的エッチング法によってエッ
    チングされる特許請求の範囲第10項記載の方法。
  13. 【請求項13】マスクが導電材料で形成される特許請求
    の範囲第10項記載の方法。
  14. 【請求項14】マスクがクロムと金との2重層で作られ
    る特許請求の範囲第13項記載の方法。
  15. 【請求項15】前記測定装置がコンデンサを含み、基板
    の機械的マスキングに続いて、前記コンデンサを画定す
    るために使用される基板の表面上への真空蒸着によっ
    て、金属による被覆が行なわれる特許請求の範囲第10
    項記載の方法。
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Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3515349A1 (de) * 1985-04-27 1986-10-30 Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8012 Ottobrunn Elektrischer geber zur messung mechanischer groessen
JPH0821722B2 (ja) * 1985-10-08 1996-03-04 日本電装株式会社 半導体振動・加速度検出装置
FR2604791B1 (fr) * 1986-10-02 1988-11-25 Commissariat Energie Atomique Procedes de fabrication d'une jauge piezoresistive et d'un accelerometre comportant une telle jauge
JPH077012B2 (ja) * 1987-08-18 1995-01-30 富士通株式会社 加速度センサ
US4812199A (en) * 1987-12-21 1989-03-14 Ford Motor Company Rectilinearly deflectable element fabricated from a single wafer
US5216490A (en) * 1988-01-13 1993-06-01 Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Bridge electrodes for microelectromechanical devices
US4951510A (en) * 1988-07-14 1990-08-28 University Of Hawaii Multidimensional force sensor
US4945765A (en) * 1988-08-31 1990-08-07 Kearfott Guidance & Navigation Corp. Silicon micromachined accelerometer
US4969359A (en) * 1989-04-06 1990-11-13 Ford Motor Company Silicon accelerometer responsive to three orthogonal force components and method for fabricating
US5064165A (en) * 1989-04-07 1991-11-12 Ic Sensors, Inc. Semiconductor transducer or actuator utilizing corrugated supports
US5594172A (en) * 1989-06-21 1997-01-14 Nissan Motor Co., Ltd. Semiconductor accelerometer having a cantilevered beam with a triangular or pentagonal cross section
US5253510A (en) * 1989-06-22 1993-10-19 I C Sensors Self-testable micro-accelerometer
DE3920645A1 (de) * 1989-06-23 1991-01-10 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zur messung mechanischer kraefte und kraftwirkungen
US4980598A (en) * 1989-12-21 1990-12-25 Lucas Schaevitz Inc. Monolithic resonator for a vibrating beam accelerometer
DE4000903C1 (ja) * 1990-01-15 1990-08-09 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
DE4003473A1 (de) * 1990-02-06 1991-08-08 Bosch Gmbh Robert Kristallorientierter bewegungssensor und verfahren zu dessen herstellung
US5126812A (en) * 1990-02-14 1992-06-30 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Monolithic micromechanical accelerometer
US5473945A (en) * 1990-02-14 1995-12-12 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical angular accelerometer with auxiliary linear accelerometer
DE69113632T2 (de) * 1990-08-17 1996-03-21 Analog Devices Inc Monolithischer beschleunigungsmesser.
US5326726A (en) * 1990-08-17 1994-07-05 Analog Devices, Inc. Method for fabricating monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure
US5620931A (en) * 1990-08-17 1997-04-15 Analog Devices, Inc. Methods for fabricating monolithic device containing circuitry and suspended microstructure
US5314572A (en) * 1990-08-17 1994-05-24 Analog Devices, Inc. Method for fabricating microstructures
US5417111A (en) * 1990-08-17 1995-05-23 Analog Devices, Inc. Monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure
US5605598A (en) * 1990-10-17 1997-02-25 The Charles Stark Draper Laboratory Inc. Monolithic micromechanical vibrating beam accelerometer with trimmable resonant frequency
US5408119A (en) * 1990-10-17 1995-04-18 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Monolithic micromechanical vibrating string accelerometer with trimmable resonant frequency
US5129983A (en) * 1991-02-25 1992-07-14 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Method of fabrication of large area micromechanical devices
US5203208A (en) * 1991-04-29 1993-04-20 The Charles Stark Draper Laboratory Symmetrical micromechanical gyroscope
US5606162A (en) * 1991-06-13 1997-02-25 British Technology Group Limited Microprobe for surface-scanning microscopes
GB9112777D0 (en) * 1991-06-13 1991-07-31 Buser Rudolf A Microprobe for surface scanning microscopes
US5635639A (en) * 1991-09-11 1997-06-03 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical tuning fork angular rate sensor
US5331852A (en) * 1991-09-11 1994-07-26 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Electromagnetic rebalanced micromechanical transducer
DE69232273T2 (de) * 1991-09-24 2002-08-08 Murata Manufacturing Co Beschleunigungsmessaufnehmer
FR2685642B1 (fr) * 1991-12-31 1996-09-13 Ela Medical Sa Stimulateur cardiaque a frequence asservie a l'effort du patient.
FR2688315B1 (fr) * 1992-03-09 1994-05-27 Sagem Capteur accelerometrique capacitif et accelerometre non asservi en comportant application.
US5763782A (en) * 1992-03-16 1998-06-09 British Technology Group Limited Micromechanical sensor
GB9205711D0 (en) * 1992-03-16 1992-04-29 Lynxvale Ltd Micromechanical sensor
US5408877A (en) * 1992-03-16 1995-04-25 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical gyroscopic transducer with improved drive and sense capabilities
US5767405A (en) * 1992-04-07 1998-06-16 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Comb-drive micromechanical tuning fork gyroscope with piezoelectric readout
US5349855A (en) * 1992-04-07 1994-09-27 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Comb drive micromechanical tuning fork gyro
JP3367113B2 (ja) 1992-04-27 2003-01-14 株式会社デンソー 加速度センサ
US5461916A (en) 1992-08-21 1995-10-31 Nippondenso Co., Ltd. Mechanical force sensing semiconductor device
JP3151956B2 (ja) * 1992-09-04 2001-04-03 株式会社村田製作所 加速度センサ
US5734105A (en) 1992-10-13 1998-03-31 Nippondenso Co., Ltd. Dynamic quantity sensor
FR2700014B1 (fr) * 1992-12-08 1995-04-28 Commissariat Energie Atomique Capteur capacitif sensible aux accélérations orientées dans toutes les directions d'un plan.
FR2700065B1 (fr) * 1992-12-28 1995-02-10 Commissariat Energie Atomique Procédé de fabrication d'accéléromètres utilisant la technologie silicium sur isolant.
FR2700012B1 (fr) * 1992-12-28 1995-03-03 Commissariat Energie Atomique Accéléromètre intégré à axe sensible parallèle au substrat.
JP3896158B2 (ja) * 1993-02-04 2007-03-22 コーネル・リサーチ・ファウンデーション・インコーポレイテッド マイクロ構造及びその製造のためのシングルマスク、単結晶プロセス
US5650568A (en) * 1993-02-10 1997-07-22 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Gimballed vibrating wheel gyroscope having strain relief features
US5610335A (en) * 1993-05-26 1997-03-11 Cornell Research Foundation Microelectromechanical lateral accelerometer
US6199874B1 (en) 1993-05-26 2001-03-13 Cornell Research Foundation Inc. Microelectromechanical accelerometer for automotive applications
US6149190A (en) * 1993-05-26 2000-11-21 Kionix, Inc. Micromechanical accelerometer for automotive applications
IT1272511B (it) * 1993-08-11 1997-06-23 Luigi Goglio Procedimento ed impianto per l'imballaggio del caffe'
FR2719906B1 (fr) * 1994-05-10 1996-08-02 Sagem Détecteur accélérométrique capacitif.
US5646348A (en) * 1994-08-29 1997-07-08 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical sensor with a guard band electrode and fabrication technique therefor
US5581035A (en) * 1994-08-29 1996-12-03 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical sensor with a guard band electrode
US5725729A (en) * 1994-09-26 1998-03-10 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Process for micromechanical fabrication
US5911738A (en) * 1997-07-31 1999-06-15 Medtronic, Inc. High output sensor and accelerometer implantable medical device
US5674258A (en) * 1995-03-08 1997-10-07 Medtronic, Inc. Packaged integrated accelerometer
US5640133A (en) * 1995-06-23 1997-06-17 Cornell Research Foundation, Inc. Capacitance based tunable micromechanical resonators
US5817942A (en) * 1996-02-28 1998-10-06 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Capacitive in-plane accelerometer
FR2748851B1 (fr) 1996-05-15 1998-08-07 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur
US5792954A (en) * 1996-09-30 1998-08-11 Texas Instruments Incorporated Condition responsive sensor
FR2754349B1 (fr) * 1996-10-03 1998-10-30 Commissariat Energie Atomique Capteur, notamment accelerometre, et actionneur, et procede de fabrication d'une structure de capteur ou d'actionneur a isolation electrique localisee dans une plaque de substrat
FR2755863B1 (fr) * 1996-11-21 1999-01-29 Ela Medical Sa Dispositif medical implantable actif, notamment stimulateur cardiaque, asservi a un signal d'acceleration
US5892153A (en) * 1996-11-21 1999-04-06 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Guard bands which control out-of-plane sensitivities in tuning fork gyroscopes and other sensors
US5911156A (en) * 1997-02-24 1999-06-08 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Split electrode to minimize charge transients, motor amplitude mismatch errors, and sensitivity to vertical translation in tuning fork gyros and other devices
US5783973A (en) * 1997-02-24 1998-07-21 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Temperature insensitive silicon oscillator and precision voltage reference formed therefrom
US5952574A (en) * 1997-04-29 1999-09-14 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Trenches to reduce charging effects and to control out-of-plane sensitivities in tuning fork gyroscopes and other sensors
US5914553A (en) * 1997-06-16 1999-06-22 Cornell Research Foundation, Inc. Multistable tunable micromechanical resonators
FR2764706B1 (fr) * 1997-06-17 1999-07-09 Commissariat Energie Atomique Accelerometre miniaturise du type a compensation par ressort de l'effet de la pesanteur et son procede de fabrication
FR2773261B1 (fr) 1997-12-30 2000-01-28 Commissariat Energie Atomique Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions
US6389899B1 (en) 1998-06-09 2002-05-21 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University In-plane micromachined accelerometer and bridge circuit having same
JP4238437B2 (ja) 1999-01-25 2009-03-18 株式会社デンソー 半導体力学量センサとその製造方法
US6216537B1 (en) 1999-03-31 2001-04-17 Medtronic, Inc. Accelerometer for implantable medical device
TWI265925B (en) * 1999-10-11 2006-11-11 Pfizer Pyrazolo[4,3-d]pyrimidin-7-ones useful in inhibiting type 5 cyclic guanosine 3',5'-monophosphate phosphodiesterases(cGMP PDE5), process and intermediates for their preparation, their uses and composition comprising them
DE19961299B4 (de) * 1999-12-18 2009-04-30 Robert Bosch Gmbh Sensor zur Erkennung des Klopfens bei einer Brennkraftmaschine
FR2823599B1 (fr) 2001-04-13 2004-12-17 Commissariat Energie Atomique Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation
FR2834283B1 (fr) 2001-12-28 2005-06-24 Commissariat Energie Atomique Procede et zone de scellement entre deux substrats d'une microstructure
WO2003083492A1 (en) * 2002-03-26 2003-10-09 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Microelectromechanical sensors having reduced signal bias errors and methods of manufacturing the same
FR2848336B1 (fr) 2002-12-09 2005-10-28 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une structure contrainte destinee a etre dissociee
FR2856844B1 (fr) 2003-06-24 2006-02-17 Commissariat Energie Atomique Circuit integre sur puce de hautes performances
FR2857953B1 (fr) 2003-07-21 2006-01-13 Commissariat Energie Atomique Structure empilee, et procede pour la fabriquer
FR2861497B1 (fr) 2003-10-28 2006-02-10 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation
US7397097B2 (en) * 2003-11-25 2008-07-08 Stmicroelectronics, Inc. Integrated released beam layer structure fabricated in trenches and manufacturing method thereof
US7353706B2 (en) * 2004-12-28 2008-04-08 Stmicroelectronics, Inc. Weighted released-beam sensor
US7179674B2 (en) * 2004-12-28 2007-02-20 Stmicroelectronics, Inc. Bi-directional released-beam sensor
FR2880128B1 (fr) 2004-12-29 2007-02-02 Commissariat Energie Atomique Accelerometre micro-usine a peignes capacitifs
FR2880127B1 (fr) 2004-12-29 2007-03-02 Commissariat Energie Atomique Accelerometre micro-usine a peignes capacitifs
FR2881568B1 (fr) * 2005-02-03 2011-01-14 Commissariat Energie Atomique Condensateur a capacite variable et a forme specifique, gyrometre comportant un tel condensateur et accelerometre comportant un tel condensateur
FR2888394A1 (fr) * 2005-07-08 2007-01-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif capacitif a volume capacitif optimise
US7392702B2 (en) * 2005-08-08 2008-07-01 Litton Systems Inc. Method for modifying the location of nodal points of a vibrating beam
FR2889887B1 (fr) 2005-08-16 2007-11-09 Commissariat Energie Atomique Procede de report d'une couche mince sur un support
FR2891281B1 (fr) 2005-09-28 2007-12-28 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un element en couches minces.
FR2910179B1 (fr) 2006-12-19 2009-03-13 Commissariat Energie Atomique PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART
FR2925221B1 (fr) 2007-12-17 2010-02-19 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince
US8187902B2 (en) * 2008-07-09 2012-05-29 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. High performance sensors and methods for forming the same
FR2947098A1 (fr) 2009-06-18 2010-12-24 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince
US10197590B2 (en) * 2014-11-17 2019-02-05 The Royal Institution For The Advancement Of Learning/Mcgill University Combined magnetometer accelerometer MEMS devices and methods

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3877313A (en) * 1973-07-23 1975-04-15 Singer Co Electrostatic accelerometer
US4050049A (en) * 1976-02-09 1977-09-20 Signetics Corporation Solid state force transducer, support and method of making same
US4094199A (en) * 1976-07-06 1978-06-13 Sundstrand Data Control, Inc. Accelerometer
AU3825078A (en) * 1977-10-17 1980-01-24 Sundstrand Data Control Servoed accelerometer
US4342227A (en) * 1980-12-24 1982-08-03 International Business Machines Corporation Planar semiconductor three direction acceleration detecting device and method of fabrication
CH642461A5 (fr) * 1981-07-02 1984-04-13 Centre Electron Horloger Accelerometre.
US4553436A (en) * 1982-11-09 1985-11-19 Texas Instruments Incorporated Silicon accelerometer

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