JP2005534897A - モノリシックシリコン加速度センサー - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、シリコンからマイクロマシン加工された加速度センサーに関し、より詳しくは、トーションまたはカンチレバーの支持部材によって位置決めされた慣性質量を有するセンサーに関する。
シリコンウエハーを1軸に沿った加速度を検出できる適切な構成へとマイクロマシン加工することによって、小型でコンパクトな加速度センサーを作成することが可能であることが、当該技術では知られている。マイクロマシン加工プロセスは、通常複数のシリコンウエハーのバッチに対し実施される。当該プロセスは、マスキングすること、ウエハー表面にエッチング停止材料のパターンを形成すること、露出したシリコンをエッチングすること、エッチング停止材料を除去すること、メタライジングすること、およびボンディングすることからなる。シリコンウエハーは、個々の加速度センサーデバイスへとダイスカットされ、該デバイスは、パッケージされ、適切な電子回路に接続されて加速度計が形成される。これらの技術を用いて、2軸または3軸加速度センサーは、それぞれ、2または3の直交する加速軸に沿って正確に機械的に位置合わせされた2または3のダイスカットされた個別デバイス(discrete devices)を必要とする。マイクロマシン加工プロセスにより作成された速度センサーの例は、以下の米国特許に記載されている(米国特許第4,574,327号、米国特許第4,930,043号、米国特許第5,008,774号)。
本発明は、比較的に簡単な製造プロセスによってシリコンからマイクロマシン加工され、デバイス間でタイトなパラメーター公差を有し、低い機械的ストレスで、温度安定性のあるモノリシック多軸加速度センサーに関する。当該モノリシック多軸加速度センサー(monolithic multiple axes acceleration sensor)は、デバイス製造において用いられるリソグラフィープロセスにより整列され得るものであるため、個別デバイスの、直交した加速軸に沿った正確な機械的整列が必要とされない。本発明の製造プロセスは、所定の加速度感度をもつデバイスを製造するために、低感度デバイスから高感度デバイスまでの範囲のバッチで、バッチベースで調整可能である。
図1Aを参照すると、モノリシックシリコン加速度センサー100の一部が示されており、該センサーは、一つのシリコン加速度センサーセルを有し、該セルは、導電性の移動可能なシリコン慣性質量300を有し、該質量は、導電性のシリコン支持構造体200に固定されたトーションビーム部材400によって位置決めされており、X軸510、Y軸520、およびZ軸530が示されている。同様に、図1Bは、モノリシックシリコン加速度センサー100の一部を示しており、該センサーは、一つのシリコン加速度センサーセルを有し、該セルは、導電性の移動可能なシリコン慣性質量300を有し、該質量は、導電性のシリコン支持構造体200に固定されたカンチレバービーム部材410によって位置決めされており、X軸510、Y軸520、およびZ軸530が示されている。本発明の好ましい態様は、図1Aに示されたトーションビーム部材400を、移動可能なシリコン慣性質量300の位置決めするために利用しているので、図1Aは、本発明の動作を記述する目的で参照として用いられるが、図1Bのカンチレバーの構成にも同様に議論が適用できることは理解されるべきである。Z軸530に関する加速について考えると、シリコン加速度センサー100が、Z軸530に沿って+Z方向に加速された場合、慣性質量300は、トーションビーム部材400により形成された軸について回転しながら、シリコン支持構造体200に関してZ軸530に沿って−Z方向に移動する。反対に、シリコン加速度センサー100が、Z軸530に沿って−Z方向に加速された場合、慣性質量300は、トーションビーム部材400により形成された軸について回転しながら、シリコン支持構造体200に関してZ軸530に沿って+Z方向に移動する。X軸510に関する加速について考えると、シリコン加速度センサー100が、X軸510に沿って+X方向に加速された場合、慣性質量300は、トーションビーム部材400により形成された軸について回転しながら、シリコン支持構造体200に関してX軸510に沿って−X方向に移動する。反対に、シリコン加速度センサー100が、X軸510に沿って−X方向に加速された場合、慣性質量300は、トーションビーム部材400により形成された軸について回転しながら、シリコン支持構造体200に関してX軸510に沿って+X方向に移動する。Y軸520に関する加速について考えると、シリコン加速度センサー100が、Y軸520に沿って+Zまたは−Z方向のいずれかに加速された場合、慣性質量300は、トーションビーム部材400により形成された軸について回転することができない。なぜなら加速により慣性質量にかかる力は、トーションビーム部材400により形成される軸に対して、ラジアルではなくむしろ一直線上にあるからである。このように、図1Aのシリコン加速度センサー構成は、2つの直交する加速度軸に沿って、すなわち、Z軸530に沿っておよびX軸510に沿って加速を感知することができるが、これら2つの軸の加速度の間の違いを区別することはできない。
Claims (24)
- モノリシックシリコン加速度センサーであって、当該センサーは少なくとも1つのシリコン加速度センサーセルを有し、該センサーセルは第1表面と反対側の第2表面とを持つ移動可能なシリコン慣性質量を有し、該慣性質量はビーム部材によって位置決めされ、該ビーム部材は、第1および反対側の第2表面を有するシリコン支持構造に固定されており、該シリコンセンサーセルが、2つの加速の直交軸に沿った加速に応じた慣性質量の移動を検出する手段を有することを特徴とする、前記モノリシックシリコン加速度センサー。
- 移動可能なシリコン慣性質量が、トーションビーム部材によって位置決めされていることを特徴とする、請求項1記載のモノリシックシリコン加速度センサー。
- 移動可能なシリコン慣性質量が、カンチレバービーム部材によって位置決めされていることを特徴とする、請求項1記載のモノリシックシリコン加速度センサー。
- 移動可能なシリコン慣性質量の動きを検出するための手段が、
慣性質量と、該慣性質量の第1表面から離れてシリコン支持構造の第1表面に固定された第1カバープレート構造との間の静電容量、および、
シリコン慣性質量と、該慣性質量の第2表面から離れてシリコン支持構造の第2表面に固定された第2カバープレート構造との間の静電容量を、
測定することによるものであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のモノリシックシリコン加速度センサー。 - 慣性質量の動きを検出するための手段が、ビーム部材に取り付けられたピエゾ抵抗デバイスの抵抗を測定することによるものであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のモノリシックシリコン加速度センサー。
- 当該センサーが、さらに、2つの加速の直交軸に沿った加速を感知するための第1および第2の加速度センサーセルを有し、慣性質量の第1表面を見た場合に、ビーム部材を角度の基準として用いて、第2センサーセルが第1センサーセルに対して180度の角度に方向付けされていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載のモノリシックシリコン加速度センサー。
- 当該センサーが、さらに、3つの加速の直交軸に沿った加速を感知するための第1、第2および第3の加速度センサーセルを包含し、慣性質量の第1表面を見た場合に、ビーム部材を角度基準として用いて、第2センサーセルが第1センサーセルに対して90度の角度に方向付けされ、第3センサーセルが第1センサーセルに対して180度の角度に方向付けされていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載のモノリシックシリコン加速度センサー。
- センサーがさらに4つの加速直交軸に沿った加速を感知するための第1、第2、第3および第4の加速度センサーセルを有し、慣性質量の第1表面を見た場合に、ビーム部材を角度基準として用いて、第2センサーセルが第1センサーセルに対して90度の角度に方向付けされ、第3センサーセルが第1センサーセルに対して180度の角度に方向付けされ、第4センサーセルが第1センサーセルに対して270度の角度に方向付けされていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載のモノリシックシリコン加速度センサー。
- モノリシックシリコン加速度センサーであって、当該センサーは2つの直交軸に沿った加速を感知するための加速度センサーセルを有し、該加速度セルが、
(a)導電性の移動可能なシリコン慣性質量を有し、該慣性質量は、第1表面とその反対側の第2表面とを有し、かつ該慣性質量は、第1および第2表面を有する導電性シリコン支持構造に固定された導電性ビーム部材によって位置を定められており、
(b)第1導電層を有する第1カバープレート構造を有し、該第1導電層は、慣性質量の第1表面から離されており、かつシリコン支持構造の第1表面に固定された第1絶縁体上に形成されており、該第1導電層と、慣性質量の第1表面とが、慣性質量の位置に基づく値をもつ第1可変キャパシタを形成しており、
(c)第2導電層を有する第2カバープレート構造を有し、該第2導電層は、慣性質量の第2表面から離されており、かつシリコン支持構造の第2表面に固定された第2絶縁体上に形成されており、該第2導電層と、慣性質量の第2表面とが、慣性質量の位置に基づく値をもつ第2可変キャパシタを形成しており、かつ、
(d)慣性質量、第1カバープレート構造の第1金属層、および第2カバープレート構造の第2金属層を、第1および第2の可変キャパシタの静電容量値を測定することができる電子回路へ電気的に接続するための手段を有することを、
特徴とする、前記モノリシックシリコン加速度センサー。 - (a)慣性質量を電子回路へ電気的に接続するための手段が、シリコン支持構造への金属ボンディングによるものであること、
(b)第1カバープレート構造の第1金属層を電気的に接続するための手段が、第1絶縁体にマウントされた第3導電性シリコンウエハーセクションによるものであり、第3導電性シリコンウエハーセクションは、第1絶縁体を通って第1金属層と電気的接触している第1導電性シリコンメサを有し、かつ、金属ボンディングパッドを有し、該パッドには電子回路に接続されたリードワイヤが結合されており、かつ、
(c)第2カバープレート構造の第2金属層を電気的に接続するための手段が、第2絶縁体にマウントされた第4導電性シリコンウエハーセクションによるものであり、第4導電性シリコンウエハーセクションは、第2絶縁体を通って第2金属層と電気的接触している第2導電性シリコンメサを有し、かつ、金属ボンディングパッドを有し、該パッドには電子回路に接続されたリードワイヤが結合されていること、
を特徴とする、請求項9記載のモノリシックシリコン加速度センサー。 - 第1カバープレート構造の第1金属層を電気的に結合するための手段が、
第1絶縁体に孔を第1金属層まで形成し、第1金属層への該孔をメタライズし、そして、電気的リードワイヤを、第1金属層とは反対側のメタライズした孔へボンディングすることによるものであり、
第2カバープレート構造の第2金属層を電気的に結合するための手段が、
第2絶縁体に孔を第2金属層までドリル加工し、第2金属層への該孔をメタライズし、そして、電気的リードワイヤを、第2金属層とは反対側のメタライズした孔へボンディングすることによるものであることを、
特徴とする、請求項10記載のモノリシックシリコン加速度センサー。 - 慣性質量が、直方体の形をしていることを特徴とする、請求項9〜11のいずれかに記載のモノリシックシリコン加速度センサー。
- 慣性質量が、立方体の形をしていることを特徴とする、請求項9〜11のいずれかに記載のモノリシックシリコン加速度センサー。
- (a)誘電空間が第1可変キャパシタに備えられるように、慣性質量の第1表面が、シリコン支持構造の第1表面からわずかに下げられていること、および
(b)誘電空間が第2可変キャパシタに備えられるように、慣性質量の第2表面が、シリコン支持構造の第2表面よりわずかに下げられていることを、
特徴とする、請求項9〜13のいずれかに記載のモノリシックシリコン加速度センサー。 - (a)第1カバープレート構造の第1金属層が、ガラスの第1絶縁層上に形成され、該第1ガラス層を通った電気的接続を有すること、および、
(b)第2カバープレート構造の第2金属層が、ガラスの第2絶縁層上に形成され、該第2ガラス層を通った電気的接続を有することを、
特徴とする、請求項9〜13のいずれかに記載のモノリシックシリコン加速度センサー。 - (a)第1カバープレート構造が第1絶縁層を有し、該第1絶縁層は、慣性質量の第1表面から離されておりかつシリコン支持構造の第1表面に固定されており、
(b)第2カバープレート構造が第2絶縁層を有し、該第2絶縁層は、慣性質量の第2表面から離されておりかつシリコン支持構造の第2表面に固定されており、
(c)ピエゾ抵抗素子がビーム部材に取り付けられており、かつ、
(d)ピエゾ抵抗素子の抵抗を測定するための電子回路へピエゾ抵抗素子を接続するための手段が備えられていることを、
特徴とする、請求項9〜13のいずれかに記載のモノリシックシリコン加速度センサー。 - 当該センサーが、さらに、2つの加速の直交軸に沿った加速を感知するための第1および第2の加速度センサーセルを有し、慣性質量の第1表面を見た場合に、ビーム部材を角度の基準として用いて、第2センサーセルが第1センサーセルに対して90度または180度のいずれかの角度に方向付けされていることを特徴とする、請求項9〜16のいずれかに記載のモノリシックシリコン加速度センサー。
- (a)慣性質量を電子回路に電気的に接続するための手段が、シリコン支持構造への金属ボンディングによるものであること、
(b)第1カバープレート構造の第1金属層を電気的に接続するための手段が、第1ガラス絶縁体にマウントされた第3導電性シリコンウエハーセクションによるものであり、該第3導電性シリコンウエハーセクションが、第1ガラス絶縁体を通過して第1金属層と電気的に接触している第1導電性シリコンメサを有し、かつ、金属ボンディングパッドを有し、該パッドには電子回路に接続されたリードワイヤが結合されていること、および、
(c)第2カバープレート構造の第2金属層を電気的に接続するための手段が、第2ガラス絶縁体にマウントされた第4導電性シリコンウエハーセクションによるものであり、第4導電性シリコンウエハーセクションが、第2ガラス絶縁体を通過して第2金属層と電気的に接触している第2導電性シリコンメサを有し、かつ、金属ボンディングパッドを有し、該パッドには電子回路に接続されたリードワイヤが結合されていることを、
特徴とする、請求項17記載のモノリシックシリコン加速度センサー。 - 当該センサーが、さらに、3つの加速の直交軸に沿った加速を感知するための、第1、第2、および第3の加速度センサーセルを有し、慣性質量の第1表面を見た場合に、ビーム部材を角度の基準として用いて、第2センサーセルが第1センサーセルに対して90度の角度に方向付けされ、第3センサーセルが第1センサーセルに対して180度の角度に方向付けされていることを特徴とする、請求項9〜16のいずれかに記載のモノリシックシリコン加速度センサー。
- (a)慣性質量を電子回路に電気的に接続するための手段が、シリコン支持構造への金属ボンディングによるものであること、
(b)第1カバープレート構造の第1金属層を電気的に接続するための手段が、第1ガラス絶縁体にマウントされた第3導電性シリコンウエハーセクションによるものであり、第3導電性シリコンウエハーセクションが、第1ガラス絶縁体を通過して第1金属層と電気的に接触している第1導電性シリコンメサを有し、かつ、金属ボンディングパッドを有し、該パッドには電子回路に接続されたリードワイヤが結合されていること、および、
(c)第2カバープレート構造の第2金属層を電気的に接続するための手段が、第2ガラス絶縁体にマウントされた第4導電性シリコンウエハーセクションによるものであり、第4導電性シリコンウエハーセクションが、第2ガラス絶縁体を通過して第2金属層と電気的に接触している第2導電性シリコンメサを有し、かつ、金属ボンディングパッドを有し、該パッドには電子回路に接続されたリードワイヤが結合されていることを、
特徴とする、請求項19記載のモノリシックシリコン加速度センサー。 - 当該センサーが、さらに、3つの加速の直交軸に沿った加速を感知するための、第1、第2、第3、および第4の加速度センサーセルを有し、慣性質量の第1表面を見た場合に、ビーム部材を角度の基準として用いて、第2センサーセルが第1センサーセルに対して90度の角度に方向付けされ、第3センサーセルが第1センサーセルに対して180度の角度に方向付けされ、第4センサーセルが第1センサーセルに対して270度の角度に方向付けされていることを特徴とする、請求項9〜16のいずれかに記載のモノリシックシリコン加速度センサー。
- 慣性質量が、トーションビーム部材によって位置決めされていることを特徴とする、請求項9〜21のいずれかに記載のモノリシックシリコン加速度センサー。
- 慣性質量が、カンチレバービーム部材によって位置決めされていることを特徴とする、請求項9〜21のいずれかに記載のモノリシックシリコン加速度センサー。
- (a)慣性質量を電子回路に電気的に接続するための手段が、シリコン支持構造への金属ボンディングによるものであること、
(b)第1カバープレート構造の第1金属層を電気的に接続するための手段が、第1ガラス絶縁体にマウントされた第3導電性シリコンウエハーセクションによるものであり、第3導電性シリコンウエハーセクションが、第1ガラス絶縁体を通過して第1金属層と電気的に接触している第1導電性シリコンメサを有し、かつ、金属ボンディングパッドを有し、該パッドには電子回路に接続されたリードワイヤが結合されていること、および、
(c)第2カバープレート構造の第2金属層を電気的に接続するための手段が、第2ガラス絶縁体にマウントされた第4導電性シリコンウエハーセクションによるものであり、第4導電性シリコンウエハーセクションが、第2ガラス絶縁体を通過して第2金属層と電気的に接触している第2導電性シリコンメサを有し、かつ、金属ボンディングパッドを有し、該パッドには電子回路に接続されたリードワイヤが結合されていることを、
特徴とする、請求項21記載のモノリシックシリコン加速度センサー。
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