JPS60159658A - 単一方向性加速度計およびそれを製造する方法 - Google Patents

単一方向性加速度計およびそれを製造する方法

Info

Publication number
JPS60159658A
JPS60159658A JP60002604A JP260485A JPS60159658A JP S60159658 A JPS60159658 A JP S60159658A JP 60002604 A JP60002604 A JP 60002604A JP 260485 A JP260485 A JP 260485A JP S60159658 A JPS60159658 A JP S60159658A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
accelerometer
mask
acceleration
block
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60002604A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0654327B2 (ja
Inventor
ジヤン セバスチヤン ダネル
ジレ デラピエール
フランス ミシエル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Publication of JPS60159658A publication Critical patent/JPS60159658A/ja
Publication of JPH0654327B2 publication Critical patent/JPH0654327B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802Details
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0808Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
    • G01P2015/0811Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0817Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for pivoting movement of the mass, e.g. in-plane pendulum
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/0825Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0828Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、指向性加速度計とそのマイクロ平版印刷によ
る製造法とに関する。その名の示すごとく、この指向性
加速度計は遅動する物体の加速度の個々の成分を画定す
ることを可能にする。
従来の技術 一般に加速度は、逢動質址m(振り子)と、遅動物体の
加速度yによるカp“”myを測定することを可能にさ
せる装置とを具備する。
現在商業的に入手可能な加速度計は、取外し可能な機械
部品を具備する。この極の加速度針の大きさは、とくに
前記加速度計を構成する各棟の構成要素とその組立て体
との位置決めの問題を配慮した上で、それを形成する部
品の抜雑な製造技術ならびにその多大な数量を顧慮する
と、極めて大きい。
半導体技術から生まれた技法の利用法が目下、とくに同
一の平らな基板上での一括製造により、上記加速度計の
生産原価と共にその大ぎさを低減させる目的で開発され
ている。この種加速度計の製作手順か、米国電気電子学
会(IEEE )紀散(Proceeaings ) 
(1982年5月発行、第70巻、泥5号)中のケイ・
ペイターゼン (K、 PATER8EN )の−又に記述されている
第1図には、この新規な手j戯に従って栴成された加速
度計の基本的な線図が縦断面形式で示しである。この加
速度11−は、例えばくほみ4を有するけい素またはガ
ラスで作られた基板2を具備する。
この基板上には、基板内に形成されたくほみ4上に掛か
る、とくにシリカ、ドープを施したけい素または金員で
作られたビームの形をしたたわみ性の薄い層6が、例え
ば真を蒸着によって、沈積される。方向2で表示される
基板の表面に垂直の方向に変形または運動することがで
きるこのビームは、その自由端に簀動質量8を支える。
測定しようとする方向2における加速度の成分に比例す
る質量8の変位の測定は、ビームの形をした薄層6によ
って画定されるコンデンサの容皺の変化の測定を介する
か、または前記薄層に取り付けられた圧電抵抗素子によ
るか、のいずれかによって行われる。
事実、上記の加速度側′は、現在、けい素板について最
も役立ち得るものに該当するが、数多くの不利点を有す
る。とく処たわみ性ビームbは、加速度が存在しない場
合でさえ、ビームの曲けをもたらす内部応力を生ずる可
能性がある。制御することが極めて困難なこれらの応力
は、とくに、加速度計の製造方法によるものである。さ
らに、これらの応力は、温度と共に変化する。
別の不利点は、異なった膨張係数を其え且つまた許容し
難い応力をもたらす数多くの嚢なった材料によって生起
される。
さらにまた、たわみ性ビーム6に取り付けられた質量8
がビーム@練に対して中心から外されると、この形式の
加速度計は、方向yのような、基板20表向に平行な方
向における加速度の成分に対しても感受性を有する。し
かし、すぐれた指向性加速i=tは、測定されるべき加
速度の単一成分についてのみ感受性を有するものでなけ
れはならない。この現象は、実際のビーム内の応力によ
り、加速度が存在しなくてもビーム6が曲がる場合には
更に態化する。
さらにまた、加速度計の桝成の対称の欠如により、質量
8の変位の示差的な測定を行うことが極めて困難である
。しかし、このような手順な経ずにビームの位置のmm
な測定を行うことは不可能である。
この対称の欠如を防止するためには、薄層6に対して、
第一のそれVC第二の対称基板を加えることもできるは
ずである。この極の装置が、二ニー・ヨーク(New 
York) 45 A 、米国電気電子学会(BgE)
 電子装置関連会報(Transactions 0n
Electron Devices)、(1979年1
2月発行、第ED−26巻、第12号、1911〜19
17ヘー シ)のエル・エヌ・ロイランス(L、N。
Roylance) 等による「ア・バッチ・7アプリ
ケーシヨン・シリコン・アクセレロメータ(A bat
chfabrication 5ilicon acc
elerometer) J と和する論文に記述され
ている。前記装置の場合には、シールの結果として、実
際の基板に内部応力の問題が発生する。さらに、この方
法は複雑であり、費用がかかる。
これらの加速度計の別の不利点は、それらの劣った感度
である。このように、ビームの形をした薄層6の寸法は
不変であるため、震動貿址8を増すことは困難であり、
後者は多くとも数ミクロンの厚さを具える。
毘1図に示す加速度計の考えられる変株は、薄層6の両
端を基板に固定させることから成り、これにより、前記
層内に応力が存在する場合でも賀緻8の出発位置を固定
することが容易になる。し゛かじ、この種の加速度計は
はるかに堅固な栴造と、従って低い感度とを具える。
問題点を解決するための手段 本発明の目的は、上記忙言及した不利点を排除しながら
、マイクロ電子工学技術に基づき、即ち上記基板におけ
る一括製造を可能にさせる指向性加速度計とその製造法
とに関する。
更に詳述すれば、本発明は、基板内に少なく共一つのビ
ームを画定する少なく共−のくほみを有し且つその端部
の一方が基板の残余の部分と一体をなすようにした基板
を具備し、第一方向に向けられた前記ビームが、前記く
ほみ内の第二方向と呼はれ基板の面に平行且つ第一方向
に垂直な単一方向内で変形することができ、前記第二方
向が、前記ビームの変形を測定する接続装置用の基板上
の接点および電気接続と同様に測定すべき加速度の成分
に対応し、前記測定が加速度の前記成分の値を定めるこ
とを可能とするようにした運動物体の加速度の一つの成
分を測定することを可能にする指向性加速度計に関する
この加速度肝は基板の(2)に平行に向けられた加速度
の一つの成分を測定することを可能にするが、一方、先
行技術による加速度計は基板の薗に垂直に向けられた加
速度の一つの成分を測定することを可能にする。
さらにまた、ビームが基板内に直接機械加工されるとい
う事実により、多重基板あるいは層の槓1ねという間組
は除去され、それにより、加速度計の機械的応力を相当
に跣少させることと、すぐれた熱安定性を有する加速展
開を得ることとが可能となる。
本発明による加速度H1の好適な実施例によれは、基板
の変形を測定する装置が基板内に実現される。
加速度H十の釣合いを保持しながらビームの寸法と形状
とに影響を与えることにより、あるいは質量の適切な付
加によって、種々の加速度測定範囲を容易に得ることが
できる。好都合なことに、本発明による加速度計は幅の
寸法よりもはるかに大きな厚さの寸法を具えており、そ
れにより極めて指向性のある加速度計を得ることを可能
にしてい−る。
さらにまた、本発明による加速度計の好適な実施例によ
れは、ビームの自由端は、基板内に形成されたブロック
を支えることができ且つ、測定されるべき加速度の成分
の作用を受けて基板のくほみ内に前記第二方向に動くこ
とができる。これにより、先行技術による加速度計の場
合にそうであったように、とくに電気分解で、震動質量
を接合させる必軟性を除くことができる。
あきらかに、加速度計の基板は、任意のいかなる材料で
作ることもできるが、これに対してはモノクリスタルα
石英またはけい素の使用が選択される。
本発明による加速度計の好適な変形の場合には、加速度
計か、基板内に形成され且つブロックの姑長部に置かれ
、且つ基板の残余部分にブロックを第一方向に連結する
はねを具備する。
本発明による加速度計の好適な実施例の場合には、測定
装置が、ゾロツクの面によって画定され且つ第二方向を
概ね横切る少なく共一つの可変容量コンデンサを具備し
、基板面が前記ブロック面に面し、余端層により且つ前
記の余端で被われた面の間にある空間によって前記面が
被われるようにされる。
好都合なことに、これらの画定装歓はまた、第二方向を
概ね横切り且つ金員層で被われた二つの対向面を有する
、基板内に形成された別のくほみによって画定される少
なく共一つの定容量コンデンサを具備する。
この定容量コンデンサによって、ビームおよび/または
ブロックの変形の示差的な測定を行うことができ、こう
して、先行技術による加速度肝では困難であった測定す
べき加速度の成分の精確な測定がなされる。
本発明はまた、上記に示した形式の指向性加速度計をマ
イクロ平版印刷法によって製作する方法において、この
方法が、基板内に形成される加速度計の極々の栴成要素
の形状を基板上に画定することを可能にするマスクを基
板上に形成する段階と、マスクのない基板の領域をエツ
チングする段階と、加速度肝およびビームの変形を画定
する装置の接点および電気接続を形成する段階とを包含
するようにした方法に関する。
この製作方法においては、先行技術による加速度計の場
合にそうであったように、導体と基板とのインタフェー
スにおける応力が基板に垂直に、即ち加速度計の感知軸
線に沿ってではなくそれと垂直に作用する。従って、加
速度が存在しない場合には、加速度計のすぐれた熱安定
性と共に、加速度計の可!!I構成要素のねじりまたは
変形の完全な除去が果たされる。
好都合ンLことに、基板はエツチングにより、とくに加
速度計基板を形成する任意のいかなる材料に対しても有
利に使用できる反応性イオン・エツチングによってエツ
チングされる。さらにまた、この形式のエツチングは、
基板の結晶配列と無関係ニ、マスクの形状を介して基板
に形成される加速度1°柚成蒙素の形状を固定させると
いう利点を1する。
この方法の変形によれは、基板がモノクリスタル(けい
素、石英)である場合に、異方性化学エツチングを用い
ることも可能である。しかしこの場合、側面の真っ直な
基板が必要であるとすれは、基板の結晶配列がいかなる
性質でも良いということはあり得ない。
実施例および作用 非限定的な実施例に関し、且つ添付図面について、本発
明を以下に更に詳細に説明する。
第2図は、くほみ14を完全に貝通させた、なるべくな
らけい素、シリカ、またはモノクリスタルα石英のよう
な絶縁材で形成することが望ましい基板12を具備する
本発明による加速度計の蕗本的な線図の斜視図である。
基板内で、その端部16aが基板の残鍛部分と一体にな
ったたわみ性のビーム16をくほみ14が画定する。基
板12の上面に平行なX方向に向けられたこのビーム1
6は、前記基板凹に平行且つX方向に垂直なX方向にた
わむことができ、このX方向は測定すべき加速度取分の
方向に対応する。X方向におけるビーム16の変位に対
する変形の測定により、前′記方向における加速度成分
の値を定めることができ、前記変形は前記成分の姐に比
例する。
たわみ性のビーム16を直接基板12内に機械加工する
ことにより、先行技術による加速度計における多1層の
使用によって生ずる問題を克服することが可能である。
好都合なことに、ビーム16が加速度を受けた場合、ビ
ーム16の変形を測定することを可能にする装置を基板
12内に形成することができる。
これらの装置はとくに、くほみ14によって画定され、
この目的のため、互いに対向し且つX方向に平行に向け
られた金員で被われた二つの側面、例えは1B、20、
を有する可変容置コンデンサ17によって栴成すること
ができる。基板12の上面への4亀ストリップ22の配
設により、可変0緻コンデンサ17を在来の測定装置2
4に接続することができ、それによって前記コンデンサ
の容量の変化量を測定することか可能となる。
これらの測定唾を基とすれは、次式により、yxで示さ
れる物体のX方向の加速度成分の値を定めることは鞍馬
である。
ことに、 ε。:真空の諌m率 S:コンデンサ*覆の衣面積 に:ビームの剛性率(横断性係数) m:ビームの負址 C:コンデンサの容量 ΔC:容址0変化量 加速度計の櫨々の接続と金属被櫃とは、クロムと金との
二1の層によって実現される。
極めて指向性の強い、即ちX方向における物体の加速度
取分を測定することの6を可能とする加速度計を得るた
めには、第2図に示すように、ビーム16が幅の寸法1
よりもはるかに大きい厚さの寸法eを具えなけれはなら
ない。
加速良計の釣合いとビーム16の厚さとを考慮すると、
一つ以上の26のような展動賀緻を付加することは常に
可能である。一つ以上の震動寅敏゛26の付加により、
加速度計の感度なp」放向上させることが可能となる。
第6図は、本発明による加速度計の特殊な災施例の斜視
図である。この加速度計は、例えは乙断面(z、軸に沿
った断面)のけい素またはモノクリスタルα石英で作ら
れた基板32を具備し、その中に基板を完全に貫通する
くほみ34が形成され、中でも、一端36aが基板32
の残余部分と一体をなした二つのたわみ性ビーム36が
画定されている。基&32の上(6)に平行なX方向に
向げられたこれらのビーム36は、基板の面に平行且つ
前記X方向に垂直なX方向に動き、または可成変形する
ことができる。X方向は、測定すべき加速度成分の方向
に相当する。
幅よりもはるかに大きい厚さを有するこれらの二つのビ
ーム36は、例えは、その厚さがビームのそれ妃等しい
長方形の平行六面体のような形状をなすブロック38を
その自由端に支える。基板32内に形成されたこのブロ
ック38は、X方向に基板のくほみ34内で動きまたは
可成変形することができる。この加速度計はまた、ビー
ム36に関して対称に基板内に形成され且つブロック3
8の蝿長部に位置するはね40をも具備し、従つてビー
ム36を基板32の残金部分に接合することができる。
X方向に向けられ且つビーム36のそれに等しい厚さを
有するこのはね40によって、加速度A−の徊遺体をそ
の感反が低下するまでに剛性にすることなしに、加速度
計の可動部分(ビーム、ブロック)に付層された電&(
層52)を電気的に接続することかoJ能となる。
ブロック38のX方向の変形を測定する装置もまた基板
32内に形成される。詳述すると、これらの装置は、グ
ロック38の側板42、即ちグロックの前記側面42に
面するくほみ34の面44によってX方向に向けられた
ブロックの面によって画定され、前記面44.42か余
端層で被われ、また、全編で被榎されたthI42によ
って画定された二つの同様な可変容量コンデンサ39.
41を具備する。こうして画定されたコンデンサの容置
の変化歓の測定により、ブロック38がX方向の゛加速
度を受けた場合のブロック38の):方向におけるブロ
ック38の変形を測定することが可能となる。
グロック38の変形の水差的な測定を行うため、本発明
による加速度計に一つ以上の定各社コンデンサ43.4
5を設けることがで、きる。この目的のため、加速度計
はX方向に、基板32内に形成され且つくほみ34の両
側に位置する46のようなくほみを具備する。これらの
くほみ4tiは、X方向に向けられ且つ金執層で被われ
た二つの対向面4B、5υを有する。くほみ4bの金楓
被覆面4B、5υは、これら2面間のを間と同様に、定
uktコンデンサ43.45を画定する。これらの空間
は、余端被覆41 t 4411」と同じ寸法(岸さ、
幅および長さ)を何する。
基板32の上面への金一層52の付層により、可変0址
コンデンサ39.41と定容駄コンデンサ43.45と
の各種の接点53. 54. 55゜56と電気接続と
を作ることができる。この全編1m 52 &s、柚々
のコンデンサ…jに短絡が無〜1ことを保址するために
、適切な形状を具えなけれはな′ らない。
mBa図は、第6図の加速度計のキャパシタンス・ブリ
ッジを示す亀気縁図を示す。ゾロツク38の変形は、a
K3a−に示すように、キャパシタンス・ブリッジの不
平衡を測定することによって検出される。
好都合なことに、ブリッジの不平衡をOにするように、
加速度yによる力F=myKx方向の対抗力P゛工を働
かせるために、この不平衡の測定値を用いることができ
る(サーボ系)。前記力Fxを働かせるための可能な装
置の一つは、基板の面に垂直な磁界B2と、点53.5
1間のX方向の強さエアの電流とを加えることから成る
。次いで、フィードバック力が次式によって与えられる
FX= B2X Iy、 X 1 ここに、1ばB、z、が作用する領域の長さである。
この場合、各社検出は零点検出(静止時閉鎖)用に用い
られ、ビームとブロックとはねとによって形成される糸
の中の電流により、磁界B2の作用の結果化ずるブロッ
ク38で測定される加速度の影響を平衡させることがで
きる。次いで、加速度の測定が、キャパシタンス・ブリ
ッジ(第6a図)を平衡させるに必要な電流のそれによ
って行われるが、前記電流の強さエアは、加速度の甑に
直接に比例する。
上記に述べた検出装置を、加速度と誤速度との両者を測
定するために用い得ることは注意すべきである。
さらKまた上記に述べた検出装置は、測定装置の唯一の
可能な実施例である。基板の上面に付活された圧電抵抗
体の使用に基づいた、または光学的検出+1獣に基づい
た、別の装置も用いることができる。
種々の加速度の範囲を包宮するため、単にエツチング・
マスクの形状を変えるたけで′jM動質蓋26の寸法を
変化させることができる。
ここで、本発明による加速度計な映造する、マイクロ平
版印刷法を用いた方法について説明する。
測定装置と同様に、ビーム16または36、ブロック3
8およびはね4υのような、基体内に形成された加速度
計の種々の構成要素は、前記構成要素がその中に作られ
る基板12または32をエツチングすることによって形
成される。前記エツチングJ例えは反応性イオン・エツ
チングのような乾式エツチング法または異方性湿式エツ
チング、は、なるべく、基板の上面を被い且つ植々の加
速度計構成要素の正確な形状を画定することを可能にす
る金とクロムとの二1層のような導電材料で形成された
マスクを用いて行うことができる。
乾式エツチングの場合、良好な札同性が得られたとして
も、エツチングの深さに対して数十μ、ビームの−につ
いては数μでなけれはならない、という制約がある。こ
の場合、けい素の熱成長によって得られたシリカにより
、興味深い基板を構成することかできる。エツチング工
程かシリカについて終了した後、シリカを支持するけい
累を化学的にエツチングすることにより、ビームの後部
を障すことができる。この方法の利点は、それをけい素
集積回路に用いることができる、というこ゛とである。
別の変形によれは、基板を化学的にのみエツチングする
ことが可能であるが、この場合には、基板の結晶の異方
性に対する依存関係がある。前記異方性と化学的エツチ
ング生成物のそれとに影響を与えることにより、加速度
計を一形成する種々の構成要素の所望の形状を得ること
ができる。この方法忙対するすぐれた候補は、基板を形
成する浴断面(基板の而に垂直な2軸)のα石英と、モ
ノクリスタルけい紫とである。石英の場合忙は、例えは
、90°Cにおけるエツチング生成物としてHFとNH
,Fとの混合物が用いられる。
基板をエツチングするために用いられたマスクを除去し
た後、エツチングされた基板面の適切な金属被覆による
か、または次に雀鵬被櫃される基板にエツチング・マス
クを形成する前の基板の適切な金属被覆によるか、のい
ずれかによって、基板面上に形成される加速度計の檜々
の接点と一気接続とを得ることができる。
これらの接点と接続とを得る別の方法は、基板内に形成
される櫨々の加速度計構成要素の、および前記の電気接
続と接点とを生成するための、双方の形状を得ることを
可能にする、なるべく金とクロムとの二1層の形式の導
電性マスクを基板上に生成することから成る。
組4図は、加速度計の基板構成要素の、およびその電気
接続と接点とを生成するための、双方の形状を画定する
ことを可能にする単一マスクの原理を示す。このマスク
は、加速匹計の柚々の構成要素を収り除くためにエツチ
ングされる基板57の領域を示す適切に形作られたくほ
み64と同様に1基板内に形成され且つ電気接続と接点
とを設けられた、基板の上面を被い且つ種々の加速度計
麺成登素の形状を具えた58,6υ、62のような導電
性ストリップを有する導電層で形成される。
さらにまた、エツチングされない基板の領域においては
、このマスクが、種々の加速度計の接続を電気的に分離
することを’5J能にする極めて細い溝を臀する。
グリッド66を形成するこれらの纒の存在により、基板
のエツチングの10]、グリッドにおける極めて限定さ
れた深さにまで基板をエツチングすることが可能となり
、エツチング作業は極めて低いエツチング速度で結晶の
面に直面し、従って良好な機械的安定性が保持される。
このわずかな基板のエツチングは、61のようなノツチ
で示される。
この基板のエツチングの深さの差は、基板の結晶の異方
性ならびにマスク・パターンの寸法に依存する。従って
、マスク・パターンが大きい場合(パターン57)には
深いエツチングが行われ、一方、パターンが小さい場合
(グリッド66)、基板のエツチングは単に浅いものに
過き゛ない。
加速度計製作工程の最終段階は、基板を機械的にマスキ
ングした仮にoJiV量コンデンサの一定な容量を一定
することをp」−とにする垂直の余端被徨を生成するこ
とから成る。この目的のため、好都合なことに、9U0
と異なる基板上の蒸着媒質の傾斜角を以て真を蒸着を用
いることができる。
本発明による方法により、柿々の加速度または減速度の
範囲な山1]定できる複数の指向性加速度計を、同じ基
板内に一括形式で生成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は既述の先行技術による指向性加速良計の縦断面
で示した基本線図、第2図は本発明による加速度計の原
理を示す斜視図、力6図は本発明による加速度計の特殊
な実施例の斜視図、第6a図はその電気的等価物を示す
図、第4図は本発明による加速度計の製造方法の特殊な
実施例を示す図である。 12:基板 39:司変容敏コンデンサ14:くほみ 
40:はね 16:ビーム 41 :可変′4−鼠コンデンサ17:
可髪答址コンデ゛ンサ43:定容量コンデンサ32:基
板 45:定答緻コンデンサ 34:くほみ 52:金@層 36:ビーム e:厚さ 38ニブロツク l二幅 代理人 浅 村 皓

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)基板内に少なく共一つのビームを画定する少なく
    共一つのくほみな有し且つその端部の一方が基板の残余
    の部分と一体をなすようにした基板を具備し、第一方向
    に向けられた前記ビームが、前記くほみ内の第二方向と
    呼はれ基板の面に平行且つ第一方向に垂直な単一方向内
    で変形することができ、前記第二方向が、前記ビームの
    変形を測定する接続装置用の基板上の接点および電気接
    続と同様に測定すべき加速度の成分に対応し、前記測定
    が加度の前記成分の匝を定めることを可能とするように
    した運動物体の加速度の一つの成分を測定することを可
    能にする指向性加速度計。 +21 特許請求の範囲第1項に記載の加速度計におい
    て、ビームの厚さかその幅をはるかに超えるようにした
    加速度計。 (3)特許請求の範囲第1項に記載の加速度計において
    、測定装置が基板内に形成されるようにした加速度針。 (4) 特許請求の範囲第1項に記載の加速度計におい
    て、ビームの他端が基板内に形成されたブロックを支え
    且つ、前記加速度成分の作用を受けて、基板の(ばみ内
    で第二方向に動き得るようにした加速度計。 (5〕 特許請求の範囲第4項に記載の加速度計におい
    て、加速度計が、基板内に形成され且つブロックの蝙長
    部に配設された、基板の残余部分にブロックを第一方向
    に連結するばねを具備するようにした加速度計。 (61特許請求の範囲第4項に記載の加速度計において
    、測定装置が、ブロックの面によって画定され且つ第二
    方向を概ね横切って向けられた少なく共一つの可変容量
    コンデンサを具備し、基板の面が前記のブロックの面に
    面し、前記面が金員11により且つまた前記の金員で被
    われた面の間に位置する空間によって被われるようにし
    た加速度計。 (7)特許請求の範囲第6項に記載の加速度u十におい
    て、測定装置が、ル二方向を概ね横切って向けられ且つ
    金縞層で被われた二つの対向面を有する、基板内に形成
    された別のくほみによって画定される少なく共一つの定
    答皺コンデンサを具備するようにした加速度計。 (8J 特許請求の範囲第1項に記載の加速度計におい
    て、基板か、けい素に浴着されたシリカで形成されるよ
    うにした加速度計。 (9)特許請求の範囲第1項に記載の加速度計において
    、基板が、モノクリスタルα石英またはけい素で作られ
    るようにした加速度計。 tJIJ) 特許請求の範囲第6項に記載の加速度計に
    おいて、測定装置か、基板の面に垂直な磁界を生成する
    ことを可能にする装置を具備するようにした加速度計。 aυ 特許請求の範囲第1項に記載の指向性加速度計の
    製造方法において、この方法が、基板内に形成される加
    速度計の種々の構成要素の形状を画定することをb」能
    にするマスクを基板上に形成する段階と、マスクのない
    基板の領域をエツチングする段階と、加速度計およびビ
    ームの変形を測定する装置の接点および電気接続を形成
    する段階とを包含するようにした製造方法。 (121特許請求の範囲第11項に記載の方法において
    、基板が乾式エツチング法によってエツチングされるよ
    うにした方法。 a3I 特許請求の範囲第11項に記載の方法において
    、基板が化学的エツチング法によってエツチングされる
    ようにした方法。 Q41 特許請求の範囲薬11項に記載の方法において
    、マスクが導電材料で形成されるようにした方法。 α5)特許請求の範囲第14項に記載の方法において、
    マスクがクロムと金との二重層で作られるようにした方
    法。 (16> 特許請求の範囲第11項に記載の方法におい
    て、この方法が、基板内に生成される加速度itの゛種
    々の構成要素の形状を画定することを可能にするマスク
    を基板上に形成する段階と、マスクのない基板の領域を
    エツチングする段階と、マスクの除去の段階と、電気接
    続と接点とを生成するためのエツチングされた基板面の
    金員被覆の段階とを包含するようにした方法。 (17+ 特許請求の範囲第11項に記載の方法におい
    て、この方法が、電気接続と接点とを生成するため基板
    面を金楓で被覆することと、基板内に生成される加速度
    計の柚々の構成要素の形状を画定することを可能にする
    マスクの金員で被覆された基板上への形成と1.マスク
    のない基板領域をエツチングすることと、マスクを除去
    することとを包含するようにした方法。 餞 特許請求の範囲第11項に記載の方法において、こ
    の方法が、基板内に生成される加速度計の種々の構成要
    素の形状を画定することを可能にし且つ電気接続と接点
    とを生成することを可能にする導電性のマスクを基板上
    に形成する段階を包含し、前記マスクがグリッド状の形
    をなし、電気接続のない基板の領域内ではその板が狭い
    間隔を有し、マスクのない基板領域をエツチングする段
    階を包含するようにした方法。 (11%許請求の範囲第16項に記載の方法において、
    測定装置がコンデンサを具備し、基板の機械的マスキン
    グに続いて、前記コンデンサを画定するために用いられ
    る基板面の真空蒸着によって、金属による被覆が行われ
    るようにした方法。
JP60002604A 1984-01-12 1985-01-10 単一方向性加速度計およびそれを製造する方法 Expired - Lifetime JPH0654327B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8400414 1984-01-12
FR8400414A FR2558263B1 (fr) 1984-01-12 1984-01-12 Accelerometre directif et son procede de fabrication par microlithographie

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60159658A true JPS60159658A (ja) 1985-08-21
JPH0654327B2 JPH0654327B2 (ja) 1994-07-20

Family

ID=9300044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60002604A Expired - Lifetime JPH0654327B2 (ja) 1984-01-12 1985-01-10 単一方向性加速度計およびそれを製造する方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4653326A (ja)
EP (1) EP0149572B1 (ja)
JP (1) JPH0654327B2 (ja)
CA (1) CA1251338A (ja)
DE (1) DE3566459D1 (ja)
FR (1) FR2558263B1 (ja)

Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3515349A1 (de) * 1985-04-27 1986-10-30 Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8012 Ottobrunn Elektrischer geber zur messung mechanischer groessen
JPH0821722B2 (ja) * 1985-10-08 1996-03-04 日本電装株式会社 半導体振動・加速度検出装置
FR2604791B1 (fr) * 1986-10-02 1988-11-25 Commissariat Energie Atomique Procedes de fabrication d'une jauge piezoresistive et d'un accelerometre comportant une telle jauge
JPH077012B2 (ja) * 1987-08-18 1995-01-30 富士通株式会社 加速度センサ
US4812199A (en) * 1987-12-21 1989-03-14 Ford Motor Company Rectilinearly deflectable element fabricated from a single wafer
US5216490A (en) * 1988-01-13 1993-06-01 Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Bridge electrodes for microelectromechanical devices
US4951510A (en) * 1988-07-14 1990-08-28 University Of Hawaii Multidimensional force sensor
US4945765A (en) * 1988-08-31 1990-08-07 Kearfott Guidance & Navigation Corp. Silicon micromachined accelerometer
US4969359A (en) * 1989-04-06 1990-11-13 Ford Motor Company Silicon accelerometer responsive to three orthogonal force components and method for fabricating
US5064165A (en) * 1989-04-07 1991-11-12 Ic Sensors, Inc. Semiconductor transducer or actuator utilizing corrugated supports
US5594172A (en) * 1989-06-21 1997-01-14 Nissan Motor Co., Ltd. Semiconductor accelerometer having a cantilevered beam with a triangular or pentagonal cross section
US5253510A (en) * 1989-06-22 1993-10-19 I C Sensors Self-testable micro-accelerometer
DE3920645A1 (de) * 1989-06-23 1991-01-10 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zur messung mechanischer kraefte und kraftwirkungen
US4980598A (en) * 1989-12-21 1990-12-25 Lucas Schaevitz Inc. Monolithic resonator for a vibrating beam accelerometer
DE4000903C1 (ja) * 1990-01-15 1990-08-09 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
DE4003473A1 (de) * 1990-02-06 1991-08-08 Bosch Gmbh Robert Kristallorientierter bewegungssensor und verfahren zu dessen herstellung
US5126812A (en) * 1990-02-14 1992-06-30 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Monolithic micromechanical accelerometer
US5473945A (en) * 1990-02-14 1995-12-12 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical angular accelerometer with auxiliary linear accelerometer
DE69113632T2 (de) * 1990-08-17 1996-03-21 Analog Devices Inc Monolithischer beschleunigungsmesser.
US5326726A (en) * 1990-08-17 1994-07-05 Analog Devices, Inc. Method for fabricating monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure
US5620931A (en) * 1990-08-17 1997-04-15 Analog Devices, Inc. Methods for fabricating monolithic device containing circuitry and suspended microstructure
US5314572A (en) * 1990-08-17 1994-05-24 Analog Devices, Inc. Method for fabricating microstructures
US5417111A (en) * 1990-08-17 1995-05-23 Analog Devices, Inc. Monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure
US5605598A (en) * 1990-10-17 1997-02-25 The Charles Stark Draper Laboratory Inc. Monolithic micromechanical vibrating beam accelerometer with trimmable resonant frequency
US5408119A (en) * 1990-10-17 1995-04-18 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Monolithic micromechanical vibrating string accelerometer with trimmable resonant frequency
US5129983A (en) * 1991-02-25 1992-07-14 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Method of fabrication of large area micromechanical devices
US5203208A (en) * 1991-04-29 1993-04-20 The Charles Stark Draper Laboratory Symmetrical micromechanical gyroscope
US5606162A (en) * 1991-06-13 1997-02-25 British Technology Group Limited Microprobe for surface-scanning microscopes
GB9112777D0 (en) * 1991-06-13 1991-07-31 Buser Rudolf A Microprobe for surface scanning microscopes
US5635639A (en) * 1991-09-11 1997-06-03 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical tuning fork angular rate sensor
US5331852A (en) * 1991-09-11 1994-07-26 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Electromagnetic rebalanced micromechanical transducer
DE69232273T2 (de) * 1991-09-24 2002-08-08 Murata Manufacturing Co Beschleunigungsmessaufnehmer
FR2685642B1 (fr) * 1991-12-31 1996-09-13 Ela Medical Sa Stimulateur cardiaque a frequence asservie a l'effort du patient.
FR2688315B1 (fr) * 1992-03-09 1994-05-27 Sagem Capteur accelerometrique capacitif et accelerometre non asservi en comportant application.
US5763782A (en) * 1992-03-16 1998-06-09 British Technology Group Limited Micromechanical sensor
GB9205711D0 (en) * 1992-03-16 1992-04-29 Lynxvale Ltd Micromechanical sensor
US5408877A (en) * 1992-03-16 1995-04-25 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical gyroscopic transducer with improved drive and sense capabilities
US5767405A (en) * 1992-04-07 1998-06-16 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Comb-drive micromechanical tuning fork gyroscope with piezoelectric readout
US5349855A (en) * 1992-04-07 1994-09-27 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Comb drive micromechanical tuning fork gyro
JP3367113B2 (ja) 1992-04-27 2003-01-14 株式会社デンソー 加速度センサ
US5461916A (en) 1992-08-21 1995-10-31 Nippondenso Co., Ltd. Mechanical force sensing semiconductor device
JP3151956B2 (ja) * 1992-09-04 2001-04-03 株式会社村田製作所 加速度センサ
US5734105A (en) 1992-10-13 1998-03-31 Nippondenso Co., Ltd. Dynamic quantity sensor
FR2700014B1 (fr) * 1992-12-08 1995-04-28 Commissariat Energie Atomique Capteur capacitif sensible aux accélérations orientées dans toutes les directions d'un plan.
FR2700065B1 (fr) * 1992-12-28 1995-02-10 Commissariat Energie Atomique Procédé de fabrication d'accéléromètres utilisant la technologie silicium sur isolant.
FR2700012B1 (fr) * 1992-12-28 1995-03-03 Commissariat Energie Atomique Accéléromètre intégré à axe sensible parallèle au substrat.
JP3896158B2 (ja) * 1993-02-04 2007-03-22 コーネル・リサーチ・ファウンデーション・インコーポレイテッド マイクロ構造及びその製造のためのシングルマスク、単結晶プロセス
US5650568A (en) * 1993-02-10 1997-07-22 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Gimballed vibrating wheel gyroscope having strain relief features
US5610335A (en) * 1993-05-26 1997-03-11 Cornell Research Foundation Microelectromechanical lateral accelerometer
US6199874B1 (en) 1993-05-26 2001-03-13 Cornell Research Foundation Inc. Microelectromechanical accelerometer for automotive applications
US6149190A (en) * 1993-05-26 2000-11-21 Kionix, Inc. Micromechanical accelerometer for automotive applications
IT1272511B (it) * 1993-08-11 1997-06-23 Luigi Goglio Procedimento ed impianto per l'imballaggio del caffe'
FR2719906B1 (fr) * 1994-05-10 1996-08-02 Sagem Détecteur accélérométrique capacitif.
US5646348A (en) * 1994-08-29 1997-07-08 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical sensor with a guard band electrode and fabrication technique therefor
US5581035A (en) * 1994-08-29 1996-12-03 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical sensor with a guard band electrode
US5725729A (en) * 1994-09-26 1998-03-10 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Process for micromechanical fabrication
US5911738A (en) * 1997-07-31 1999-06-15 Medtronic, Inc. High output sensor and accelerometer implantable medical device
US5674258A (en) * 1995-03-08 1997-10-07 Medtronic, Inc. Packaged integrated accelerometer
US5640133A (en) * 1995-06-23 1997-06-17 Cornell Research Foundation, Inc. Capacitance based tunable micromechanical resonators
US5817942A (en) * 1996-02-28 1998-10-06 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Capacitive in-plane accelerometer
FR2748851B1 (fr) 1996-05-15 1998-08-07 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur
US5792954A (en) * 1996-09-30 1998-08-11 Texas Instruments Incorporated Condition responsive sensor
FR2754349B1 (fr) * 1996-10-03 1998-10-30 Commissariat Energie Atomique Capteur, notamment accelerometre, et actionneur, et procede de fabrication d'une structure de capteur ou d'actionneur a isolation electrique localisee dans une plaque de substrat
FR2755863B1 (fr) * 1996-11-21 1999-01-29 Ela Medical Sa Dispositif medical implantable actif, notamment stimulateur cardiaque, asservi a un signal d'acceleration
US5892153A (en) * 1996-11-21 1999-04-06 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Guard bands which control out-of-plane sensitivities in tuning fork gyroscopes and other sensors
US5911156A (en) * 1997-02-24 1999-06-08 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Split electrode to minimize charge transients, motor amplitude mismatch errors, and sensitivity to vertical translation in tuning fork gyros and other devices
US5783973A (en) * 1997-02-24 1998-07-21 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Temperature insensitive silicon oscillator and precision voltage reference formed therefrom
US5952574A (en) * 1997-04-29 1999-09-14 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Trenches to reduce charging effects and to control out-of-plane sensitivities in tuning fork gyroscopes and other sensors
US5914553A (en) * 1997-06-16 1999-06-22 Cornell Research Foundation, Inc. Multistable tunable micromechanical resonators
FR2764706B1 (fr) * 1997-06-17 1999-07-09 Commissariat Energie Atomique Accelerometre miniaturise du type a compensation par ressort de l'effet de la pesanteur et son procede de fabrication
FR2773261B1 (fr) 1997-12-30 2000-01-28 Commissariat Energie Atomique Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions
US6389899B1 (en) 1998-06-09 2002-05-21 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University In-plane micromachined accelerometer and bridge circuit having same
JP4238437B2 (ja) 1999-01-25 2009-03-18 株式会社デンソー 半導体力学量センサとその製造方法
US6216537B1 (en) 1999-03-31 2001-04-17 Medtronic, Inc. Accelerometer for implantable medical device
TWI265925B (en) * 1999-10-11 2006-11-11 Pfizer Pyrazolo[4,3-d]pyrimidin-7-ones useful in inhibiting type 5 cyclic guanosine 3',5'-monophosphate phosphodiesterases(cGMP PDE5), process and intermediates for their preparation, their uses and composition comprising them
DE19961299B4 (de) * 1999-12-18 2009-04-30 Robert Bosch Gmbh Sensor zur Erkennung des Klopfens bei einer Brennkraftmaschine
FR2823599B1 (fr) 2001-04-13 2004-12-17 Commissariat Energie Atomique Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation
FR2834283B1 (fr) 2001-12-28 2005-06-24 Commissariat Energie Atomique Procede et zone de scellement entre deux substrats d'une microstructure
WO2003083492A1 (en) * 2002-03-26 2003-10-09 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Microelectromechanical sensors having reduced signal bias errors and methods of manufacturing the same
FR2848336B1 (fr) 2002-12-09 2005-10-28 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une structure contrainte destinee a etre dissociee
FR2856844B1 (fr) 2003-06-24 2006-02-17 Commissariat Energie Atomique Circuit integre sur puce de hautes performances
FR2857953B1 (fr) 2003-07-21 2006-01-13 Commissariat Energie Atomique Structure empilee, et procede pour la fabriquer
FR2861497B1 (fr) 2003-10-28 2006-02-10 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation
US7397097B2 (en) * 2003-11-25 2008-07-08 Stmicroelectronics, Inc. Integrated released beam layer structure fabricated in trenches and manufacturing method thereof
US7353706B2 (en) * 2004-12-28 2008-04-08 Stmicroelectronics, Inc. Weighted released-beam sensor
US7179674B2 (en) * 2004-12-28 2007-02-20 Stmicroelectronics, Inc. Bi-directional released-beam sensor
FR2880128B1 (fr) 2004-12-29 2007-02-02 Commissariat Energie Atomique Accelerometre micro-usine a peignes capacitifs
FR2880127B1 (fr) 2004-12-29 2007-03-02 Commissariat Energie Atomique Accelerometre micro-usine a peignes capacitifs
FR2881568B1 (fr) * 2005-02-03 2011-01-14 Commissariat Energie Atomique Condensateur a capacite variable et a forme specifique, gyrometre comportant un tel condensateur et accelerometre comportant un tel condensateur
FR2888394A1 (fr) * 2005-07-08 2007-01-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif capacitif a volume capacitif optimise
US7392702B2 (en) * 2005-08-08 2008-07-01 Litton Systems Inc. Method for modifying the location of nodal points of a vibrating beam
FR2889887B1 (fr) 2005-08-16 2007-11-09 Commissariat Energie Atomique Procede de report d'une couche mince sur un support
FR2891281B1 (fr) 2005-09-28 2007-12-28 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un element en couches minces.
FR2910179B1 (fr) 2006-12-19 2009-03-13 Commissariat Energie Atomique PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART
FR2925221B1 (fr) 2007-12-17 2010-02-19 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince
US8187902B2 (en) * 2008-07-09 2012-05-29 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. High performance sensors and methods for forming the same
FR2947098A1 (fr) 2009-06-18 2010-12-24 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince
US10197590B2 (en) * 2014-11-17 2019-02-05 The Royal Institution For The Advancement Of Learning/Mcgill University Combined magnetometer accelerometer MEMS devices and methods

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57125355A (en) * 1980-12-24 1982-08-04 Ibm Semiconductor acceleration detector

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3877313A (en) * 1973-07-23 1975-04-15 Singer Co Electrostatic accelerometer
US4050049A (en) * 1976-02-09 1977-09-20 Signetics Corporation Solid state force transducer, support and method of making same
US4094199A (en) * 1976-07-06 1978-06-13 Sundstrand Data Control, Inc. Accelerometer
AU3825078A (en) * 1977-10-17 1980-01-24 Sundstrand Data Control Servoed accelerometer
CH642461A5 (fr) * 1981-07-02 1984-04-13 Centre Electron Horloger Accelerometre.
US4553436A (en) * 1982-11-09 1985-11-19 Texas Instruments Incorporated Silicon accelerometer

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57125355A (en) * 1980-12-24 1982-08-04 Ibm Semiconductor acceleration detector

Also Published As

Publication number Publication date
CA1251338A (en) 1989-03-21
FR2558263A1 (fr) 1985-07-19
EP0149572A1 (fr) 1985-07-24
EP0149572B1 (fr) 1988-11-23
US4653326A (en) 1987-03-31
FR2558263B1 (fr) 1986-04-25
DE3566459D1 (en) 1988-12-29
JPH0654327B2 (ja) 1994-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60159658A (ja) 単一方向性加速度計およびそれを製造する方法
JP3429780B2 (ja) 半導体加速度計の懸架構造
US5780885A (en) Accelerometers using silicon on insulator technology
US6389899B1 (en) In-plane micromachined accelerometer and bridge circuit having same
US5404749A (en) Boron doped silicon accelerometer sense element
US20040025591A1 (en) Accleration sensor
US20020066317A1 (en) Micro yaw rate sensors
JPH10177033A (ja) 加速度測定装置
JPS62174978A (ja) 半導体振動・加速度検出装置
US9828242B2 (en) Accelerometer and its fabrication technique
JPS6391568A (ja) 圧電抵抗ひずみ計の製造方法並びにこのひずみ計を含む加速度計の製造方法
JPH05203667A (ja) 容量型三軸加速度センサ
US5261277A (en) Resonator micro-accelerometer
US9557346B2 (en) Accelerometer and its fabrication technique
JPH09113534A (ja) 加速度センサー
CN113624991A (zh) 一种z轴加速度计
JPH04504759A (ja) 機械的な力及び力作用を測定するための装置
CN103472260A (zh) 一种mems叉梁电容式加速度计及其制造方法
JP4139436B2 (ja) 重力補償型加速度計と同加速度計の製造方法
JP2654602B2 (ja) 半導体力学量センサ
JPH08504035A (ja) 力成分を測定する単結晶材料製のデバイスおよびこのデバイスの製造方法およびこのデバイスの使用方法
JPS62118260A (ja) 加速度センサ
JPH05346356A (ja) 静電容量の変化を利用した物理量の検出装置
JPH10504649A (ja) トランスデューサ
GB2102579A (en) Force transducer flexure reed bearing electrical connections

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term