JPH04313031A - 振動又は加速度測定センサ - Google Patents
振動又は加速度測定センサInfo
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- JPH04313031A JPH04313031A JP3002134A JP213491A JPH04313031A JP H04313031 A JPH04313031 A JP H04313031A JP 3002134 A JP3002134 A JP 3002134A JP 213491 A JP213491 A JP 213491A JP H04313031 A JPH04313031 A JP H04313031A
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- G—PHYSICS
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- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
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- G—PHYSICS
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- G01H11/06—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means
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- G—PHYSICS
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- G01P2015/0808—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
- G01P2015/0811—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0814—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for translational movement of the mass, e.g. shuttle type
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/005—Electrostatic transducers using semiconductor materials
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、請求項１の上位概念に
記載の振動測定センサ及びその製作方法に関する。
記載の振動測定センサ及びその製作方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ドイツ特許出願Ｐ３８１４９５２号明細
書から、１つ又は複数のウェブが懸架されている舌状部
がチップ表面に対して垂直に変位される、シリコンマイ
クロメカニックをベースとした加速度センサが公知であ
る。ウェブの伸縮は、ホィートストンブリッジに配置さ
れている圧電抵抗を用いて決められる。圧電動作するセ
ンサの振動質量は比較的大きいチップ表面を必要とする
。舌状部として形成されている振動質量と、チップ表面
に垂直なその振動方向はしばしばセンサのカプセル化と
、センサ内の圧力の低下を必要とする、何故ならばその
ようにしないと舌状部振動が過剰に制動されるからであ
る。これに加えて、圧電動作するセンサは強い温度に敏
感である。
書から、１つ又は複数のウェブが懸架されている舌状部
がチップ表面に対して垂直に変位される、シリコンマイ
クロメカニックをベースとした加速度センサが公知であ
る。ウェブの伸縮は、ホィートストンブリッジに配置さ
れている圧電抵抗を用いて決められる。圧電動作するセ
ンサの振動質量は比較的大きいチップ表面を必要とする
。舌状部として形成されている振動質量と、チップ表面
に垂直なその振動方向はしばしばセンサのカプセル化と
、センサ内の圧力の低下を必要とする、何故ならばその
ようにしないと舌状部振動が過剰に制動されるからであ
る。これに加えて、圧電動作するセンサは強い温度に敏
感である。
【０００３】未公開の特許出願Ｐ３９２７１６３号明細
書から、半導体ウェーハの中で構造をエッチングするこ
とができることは公知である。
書から、半導体ウェーハの中で構造をエッチングするこ
とができることは公知である。
【０００４】
【発明の効果】従来の技術に対して、請求項１の特徴部
分に記載の構成を有する本発明のセンサは、舌状部を垂
直に配置することによりセンサを非常に僅かなチップ表
面で実現することができる利点を有する。この配置は、
通常の圧力においてもセンサが動作することを可能にす
る。舌状部がチップ平面で振動し、従ってチップにより
過負荷においても保護されるので有利であることが分か
った。更に、舌状部に圧電抵抗を集積する必要がないの
でそれほど堅牢でない舌状部によりセンサ信号の容量評
価が可能であるので有利である。
分に記載の構成を有する本発明のセンサは、舌状部を垂
直に配置することによりセンサを非常に僅かなチップ表
面で実現することができる利点を有する。この配置は、
通常の圧力においてもセンサが動作することを可能にす
る。舌状部がチップ平面で振動し、従ってチップにより
過負荷においても保護されるので有利であることが分か
った。更に、舌状部に圧電抵抗を集積する必要がないの
でそれほど堅牢でない舌状部によりセンサ信号の容量評
価が可能であるので有利である。
【０００５】その他の請求項に記載の手段により、請求
項１に記載のセンサの有利な実施例が可能である。本発
明のセンサの１つの特別な利点は、上層２０と下層２１
との間のｐｎ又はｎｐ接合部が、下層２１に対する舌状
部１２と電極１３との絶縁に用いられるだけでなく、支
持体表面１６からの舌状部１２の電気化学的アンダーエ
ッチングにおけるエッチングストップ境界として作用す
ることができるか、又は固定電極１３に対する可動舌状
部１２の絶縁に寄与する裏面エッチングのために作用す
ることができる点である。センサの静止容量が、それぞ
れ１つの舌状部１２と１つの固定電極１３とにより形成
される多数のコンデンサの並列接続により簡単に高める
ことができるので有利である。別の１つの利点は、加速
の際に、固定電極１３を基準としてそれぞれ可動な舌状
部１２の位置に基づいて互いに逆の容量変化で応動する
２つの舌状部／電極−配置の容量差を評価することによ
りセンサ感度を高めることができる点である。
項１に記載のセンサの有利な実施例が可能である。本発
明のセンサの１つの特別な利点は、上層２０と下層２１
との間のｐｎ又はｎｐ接合部が、下層２１に対する舌状
部１２と電極１３との絶縁に用いられるだけでなく、支
持体表面１６からの舌状部１２の電気化学的アンダーエ
ッチングにおけるエッチングストップ境界として作用す
ることができるか、又は固定電極１３に対する可動舌状
部１２の絶縁に寄与する裏面エッチングのために作用す
ることができる点である。センサの静止容量が、それぞ
れ１つの舌状部１２と１つの固定電極１３とにより形成
される多数のコンデンサの並列接続により簡単に高める
ことができるので有利である。別の１つの利点は、加速
の際に、固定電極１３を基準としてそれぞれ可動な舌状
部１２の位置に基づいて互いに逆の容量変化で応動する
２つの舌状部／電極−配置の容量差を評価することによ
りセンサ感度を高めることができる点である。
【０００６】別の１つの利点は、センサをエッチング技
術の標準手段により製作することができる点である。
術の標準手段により製作することができる点である。
【０００７】
【実施例】図１には、１０により単結晶材料から成る支
持体が示され、この支持体のためには例えばシリコンウ
ェーハが用いられる。しかし例えばガリウムひ素又はゲ
ルマニウム等の他の半導体材料も適している。図２に示
されているように支持体は下層２１及び上層２０から成
る。通常は下層２１はｐ形ドーピングされた基板であり
、上層２０は、このｐ形ドーピング基板の上に設けられ
ているｎ形ドーピングエピタキシャル層である。個々の
層を逆にドーピングすることも可能である、何故ならば
ｐｎ接合部とｎｐ接合部との双方が回路において遮断方
向で絶縁作用を有するからである。垂直な溝を形成する
異方性エッチング又はその他適当なエッチング方法によ
り支持体表面にエッチングされたエッチング溝１１は上
層２０を完全に貫通し、２つの互いに電気的に絶縁され
ている領域を形成している。一方の領域は、支持体平面
の中で振動可能な舌状部１２を有する舌状部の基部１４
を有し、他方の領域は、不動の電極１３を有する電極基
部１５を有する。舌状部１２は例えば幅５μｍ、長さ１
から２ｍｍ、高さ１０から１５μｍである。舌状部１２
の長手方向側面は電極１３の長手方向側面に例えば２μ
ｍ間隔をおいて対向しており、この間隔は舌状部１２の
振動の際に変化する。舌状部基部１４及び電極基部１５
は、舌状部１２及び電極１３により形成されているコン
デンサの電気端子として用いられる。図２は、舌状部１
２がアンダーエッチング２２により露出されていること
を示す。舌状部１２のアンダーエッチングは例えば裏面
エッチング又は前面からの側方アンダーエッチングによ
り行われる。基部を有する多数の舌状部及び多数の電極
を支持体表面１６からエッチングし、例えば図３の上半
部が示すように、容量動作形センサの並列接続に統合す
ることも可能である。この場合、舌状部の基部１４１か
ら、支持体平面の中で振動することができる２つの舌状
部１２１が垂直に出ており、電極基部１５から出ていて
対向して位置する２つの不動の電極１３１と共働して２
つの並列に接続されているコンデンサを形成している。
持体が示され、この支持体のためには例えばシリコンウ
ェーハが用いられる。しかし例えばガリウムひ素又はゲ
ルマニウム等の他の半導体材料も適している。図２に示
されているように支持体は下層２１及び上層２０から成
る。通常は下層２１はｐ形ドーピングされた基板であり
、上層２０は、このｐ形ドーピング基板の上に設けられ
ているｎ形ドーピングエピタキシャル層である。個々の
層を逆にドーピングすることも可能である、何故ならば
ｐｎ接合部とｎｐ接合部との双方が回路において遮断方
向で絶縁作用を有するからである。垂直な溝を形成する
異方性エッチング又はその他適当なエッチング方法によ
り支持体表面にエッチングされたエッチング溝１１は上
層２０を完全に貫通し、２つの互いに電気的に絶縁され
ている領域を形成している。一方の領域は、支持体平面
の中で振動可能な舌状部１２を有する舌状部の基部１４
を有し、他方の領域は、不動の電極１３を有する電極基
部１５を有する。舌状部１２は例えば幅５μｍ、長さ１
から２ｍｍ、高さ１０から１５μｍである。舌状部１２
の長手方向側面は電極１３の長手方向側面に例えば２μ
ｍ間隔をおいて対向しており、この間隔は舌状部１２の
振動の際に変化する。舌状部基部１４及び電極基部１５
は、舌状部１２及び電極１３により形成されているコン
デンサの電気端子として用いられる。図２は、舌状部１
２がアンダーエッチング２２により露出されていること
を示す。舌状部１２のアンダーエッチングは例えば裏面
エッチング又は前面からの側方アンダーエッチングによ
り行われる。基部を有する多数の舌状部及び多数の電極
を支持体表面１６からエッチングし、例えば図３の上半
部が示すように、容量動作形センサの並列接続に統合す
ることも可能である。この場合、舌状部の基部１４１か
ら、支持体平面の中で振動することができる２つの舌状
部１２１が垂直に出ており、電極基部１５から出ていて
対向して位置する２つの不動の電極１３１と共働して２
つの並列に接続されているコンデンサを形成している。
【０００８】図３に示されているセンサも２つの層の支
持体１０から成り、支持体１０の上層２０は、エッチン
グ溝１１により電気的に互いに絶縁されている多数の櫛
状領域を有する。舌状部の基部１４１に垂直に位置し支
持体平面の中で振動することができる２つの舌状部１２
１を有するビーム状の舌状部の基部１４１は、同様に支
持体平面の中で振動することができる２つの舌状部１２
２を有する同様に構造化されている舌状部の基部１４２
に平行に配置され、従って舌状部１２１及び１２２は互
いに対向して位置している。舌状部１２１及び１２２の
間に、２つの舌状部の基部１４１及び１４２に平行に電
極基部１５が位置し、電極基部１５から２つの不動の電
極１３１が舌状部の基部１４１の方向に出ており、２つ
の不動の電極１３２が舌状部の基部１４２の方向に出て
いる。舌状部と電極の数は任意に変化させることができ
る。電極基部１４２に対する舌状部の基部１４１の間隔
と、舌状部の基部１４２に対する電極基部１５の間隔と
、舌状部及び電極の長さとは、電極１３１の長手側面に
舌状部１２１の長手側面が例えば２μｍの間隔をおいて
対向し、電極１３２の長手側面に舌状部１２２の長手側
面が同様の間隔をおいて対向するように選択されている
。２つの舌状部１２１は２つの電極１３１と共働して２
つの並列に接続されているコンデンサを形成し、これら
のコンデンサは、２つの同様に並列に接続されている、
２つの舌状部１２２が２つの電極１３２と共働して形成
しているコンデンサに対向して位置している。更に、電
極１３１を基準とする舌状部１２１の配置は、電極１３
２を基準とする舌状部１２２の配置と逆になっており、
このようにして、舌状部を変位させる加速度により、互
いに対向して位置するコンデンサのそれぞれコンデンサ
の舌状部と電極の間隔は互いに逆方向に変化する。この
配置の場合、センサの静止容量は多数のコンデンサの並
列接続により制御される。互いに逆方向に変化する容量
の差の評価により感度が高められる。図３において、３
０により、裏面エッチングのエッチングウインドウ３０
の下部端縁が示されている。このエッチングウインドウ
３０の位置は、舌状部が舌状部の基部と不動に接続され
てはいるが、しかし舌状部の先端は自由に振動すること
ができるように選択しなければならない。これに対して
電極は電極基部と不動に接続されているだけでなく、付
加的に少なくとも１つの別の個所で下層２１と接続され
ていなければならない。
持体１０から成り、支持体１０の上層２０は、エッチン
グ溝１１により電気的に互いに絶縁されている多数の櫛
状領域を有する。舌状部の基部１４１に垂直に位置し支
持体平面の中で振動することができる２つの舌状部１２
１を有するビーム状の舌状部の基部１４１は、同様に支
持体平面の中で振動することができる２つの舌状部１２
２を有する同様に構造化されている舌状部の基部１４２
に平行に配置され、従って舌状部１２１及び１２２は互
いに対向して位置している。舌状部１２１及び１２２の
間に、２つの舌状部の基部１４１及び１４２に平行に電
極基部１５が位置し、電極基部１５から２つの不動の電
極１３１が舌状部の基部１４１の方向に出ており、２つ
の不動の電極１３２が舌状部の基部１４２の方向に出て
いる。舌状部と電極の数は任意に変化させることができ
る。電極基部１４２に対する舌状部の基部１４１の間隔
と、舌状部の基部１４２に対する電極基部１５の間隔と
、舌状部及び電極の長さとは、電極１３１の長手側面に
舌状部１２１の長手側面が例えば２μｍの間隔をおいて
対向し、電極１３２の長手側面に舌状部１２２の長手側
面が同様の間隔をおいて対向するように選択されている
。２つの舌状部１２１は２つの電極１３１と共働して２
つの並列に接続されているコンデンサを形成し、これら
のコンデンサは、２つの同様に並列に接続されている、
２つの舌状部１２２が２つの電極１３２と共働して形成
しているコンデンサに対向して位置している。更に、電
極１３１を基準とする舌状部１２１の配置は、電極１３
２を基準とする舌状部１２２の配置と逆になっており、
このようにして、舌状部を変位させる加速度により、互
いに対向して位置するコンデンサのそれぞれコンデンサ
の舌状部と電極の間隔は互いに逆方向に変化する。この
配置の場合、センサの静止容量は多数のコンデンサの並
列接続により制御される。互いに逆方向に変化する容量
の差の評価により感度が高められる。図３において、３
０により、裏面エッチングのエッチングウインドウ３０
の下部端縁が示されている。このエッチングウインドウ
３０の位置は、舌状部が舌状部の基部と不動に接続され
てはいるが、しかし舌状部の先端は自由に振動すること
ができるように選択しなければならない。これに対して
電極は電極基部と不動に接続されているだけでなく、付
加的に少なくとも１つの別の個所で下層２１と接続され
ていなければならない。
【０００９】図４にはセンサが示されており、このセン
サは、下層２１と上層２０とを有する２層の支持体１０
からエッチングされ、２つの層２１及び２０は、異なる
ドーピングに基づいてｐｎ接合部又はｎｐ接合部を形成
し、この接合部は、遮断方向へ接続されると上層２０を
下層２１に対して絶縁する。上層２０を完全に貫通して
いる２つのＵ状のエッチング溝１１はそれぞれ１つの側
方アンダーエッチング２２と共働して上層２０の中に、
支持体平面の中で振動することができる、舌状部の基部
１４から出ている２つの舌状部１２を形成する。このよ
うな舌状部１２は、舌状部１２に平行に静止したままで
ある、Ｕ状エッチング溝１１の周縁に形成される２つの
固定電極１３１及び１３２を有する差動−板コンデンサ
の可動電極として用いられる。舌状部１２と電極１３１
及び１３２との間の絶縁は上層２０の中で、上層２０を
完全に貫通している絶縁拡散層２３により行われる。こ
の場合、上層２０が負にドーピングされている場合には
ｐ形拡散層であり、上層２０が正にドーピングされてい
る場合にはｎ形拡散層である。舌状部１２と電極１３１
及び１３２とは互いに対しても、下層２１に対してもｐ
ｎ接合部により絶縁されている。舌状部１２が変位した
際の差動−板コンデンサの容量変化を回路により評価す
ることができるように、舌状部１２と電極１３１及び１
３２とにおける舌状部の基部側端部にそれぞれ１つの金
属端子２４が支持体表面１６の上に設けられている。舌
状部１２の変位により舌状部１２と電極１３１との間の
容量は例えば高められ、これに対して舌状部１２と電極
１３２との間の容量は低下される。多数のこのような差
動−板コンデンサの並列接続においては、一方の側にお
ける容量減少が他方の側における容量増加により補償さ
れることがないように、隣同士の固定電極１３１及び１
３２は互いに絶縁されていなければならない。図示の実
施例においてはこれは、上層２０を完全に貫通している
絶縁拡散層２３により行われる。図１及び図３に示され
ている絶縁切込みも適している。
サは、下層２１と上層２０とを有する２層の支持体１０
からエッチングされ、２つの層２１及び２０は、異なる
ドーピングに基づいてｐｎ接合部又はｎｐ接合部を形成
し、この接合部は、遮断方向へ接続されると上層２０を
下層２１に対して絶縁する。上層２０を完全に貫通して
いる２つのＵ状のエッチング溝１１はそれぞれ１つの側
方アンダーエッチング２２と共働して上層２０の中に、
支持体平面の中で振動することができる、舌状部の基部
１４から出ている２つの舌状部１２を形成する。このよ
うな舌状部１２は、舌状部１２に平行に静止したままで
ある、Ｕ状エッチング溝１１の周縁に形成される２つの
固定電極１３１及び１３２を有する差動−板コンデンサ
の可動電極として用いられる。舌状部１２と電極１３１
及び１３２との間の絶縁は上層２０の中で、上層２０を
完全に貫通している絶縁拡散層２３により行われる。こ
の場合、上層２０が負にドーピングされている場合には
ｐ形拡散層であり、上層２０が正にドーピングされてい
る場合にはｎ形拡散層である。舌状部１２と電極１３１
及び１３２とは互いに対しても、下層２１に対してもｐ
ｎ接合部により絶縁されている。舌状部１２が変位した
際の差動−板コンデンサの容量変化を回路により評価す
ることができるように、舌状部１２と電極１３１及び１
３２とにおける舌状部の基部側端部にそれぞれ１つの金
属端子２４が支持体表面１６の上に設けられている。舌
状部１２の変位により舌状部１２と電極１３１との間の
容量は例えば高められ、これに対して舌状部１２と電極
１３２との間の容量は低下される。多数のこのような差
動−板コンデンサの並列接続においては、一方の側にお
ける容量減少が他方の側における容量増加により補償さ
れることがないように、隣同士の固定電極１３１及び１
３２は互いに絶縁されていなければならない。図示の実
施例においてはこれは、上層２０を完全に貫通している
絶縁拡散層２３により行われる。図１及び図３に示され
ている絶縁切込みも適している。
【図１】センサの上面図。
【図２】図１のセンサの断面図。
【図３】図１とは別の形のセンサの平面図。
【図４】図１とは別の形のセンサの一部を切欠して示す
斜視図。
斜視図。
１０ 支持体
１２ 舌状部
１１ エッチング溝
１４ 舌状部の基部
１５ 電極基部
１６ 支持体表面
２０ 上層
２１ 下層
２２ アンダーエッチング
２３ 絶縁拡散層
２４ 金属端子
３０ エッチングウインドウ
１２１ 舌状部
１２２ 舌状部
１３１ 電極
１３２ 電極
Claims (5)
- 【請求項１】 振動測定センサが、単結晶材料から成
る支持体（１０）から製作され、支持体（１０）から少
なくとも１つの振動することができる舌状部（１２）が
エッチングにより形成され、少なくとも１つの舌状部（
１２）の変位の評価手段を具備する、特に加速度測定等
の振動測定センサにおいて、前記舌状部（１２）を支持
体表面（１６）に対して垂直に配置し、前記舌状部（１
２）を電極（１３）に対向して配置し、前記舌状部（１
２）と前記電極（１３）とを互いに電気的に絶縁し、前
記舌状部（１２）と前記電極（１３）との間の容量変化
を測定することができることを特徴とする振動測定セン
サ。 - 【請求項２】 支持体（１０）が下層（２１）と上層
（２０）とを有し、下層（２１）と上層（２０）とがそ
れらの負又は正のドーピングに基づいてｐｎ接合部又は
ｎｐ接合部を形成し、上層（２０）の中に形成されてい
る舌状部（１２）と、電極（１３）との絶縁を、上層（
２０）を完全に貫通しているエッチング溝（１１）によ
り形成することを特徴とする請求項１に記載の振動測定
センサ。 - 【請求項３】 支持体（１０）が下層（２１）と上層
（２０）とを有し、下層（２１）と上層（２０）はそれ
らの負又は正のドーピングに基づいてｐｎ接合部又はｎ
ｐ接合部を形成し、上層（２０）の中に形成されている
舌状部（１２）と、電極（１３）との絶縁が、上層（２
０）を完全に貫通している絶縁拡散層（２３）により行
われることを特徴とする請求項１に記載の振動測定セン
サ。 - 【請求項４】 支持体（１０）の双方の主表面に対し
て実質的に垂直に走行する側方の制限面と、双方の主表
面に実質的に平行に走行する底面とを有する、フォトマ
スク技術を用いてのセンサのエッチング溝（１１）を、
支持体表面（１６）から例えば反応性イオンエッチング
又は湿式エッチング等の異方性エッチングにより支持体
（１０）の中に、上層（２０）が完全に貫通されるよう
にエッチングし、次いで少なくとも１つの舌状部（１２
）を形成するために、露出すべき舌状部を包囲している
、エッチング溝（１１）の部分に、側方のアンダーエッ
チング（２２）をエッチング溝（１１）の底面の近傍に
設けることを特徴とする請求項１から請求項３までのう
ちのいずれか１つの請求項に記載の振動測定センサの製
作方法。 - 【請求項５】 支持体（１０）の双方の主表面に対し
て実質的に垂直に走行する側方の制限面と、双方の主表
面に実質的に平行に走行する底面とを有する、フォトマ
スク技術を用いてのセンサのエッチング溝（１１）を、
支持体表面（１６）から異方性反応性イオンエッチング
又は異方性ウエットケミカルエッチングにより支持体（
１０）の中に、上層（２０）が完全に貫通されるように
エッチングし、少なくとも１つの舌状部（１２）の露出
を裏面エッチングにより、支持体（１０）におけるまだ
構造化されていない下面の上に設けられているフォトマ
スク技術により形成されたエッチングウインドウ（３０
）から出発して下層（２１）が異方性エッチング処理に
より完全に貫通されるように行うことを特徴とする請求
項１から請求項３までのうちのいずれか１つの請求項に
記載の振動測定センサの製作方法。
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|---|---|
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| GB (1) | GB2240178B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH085448A (ja) * | 1994-06-15 | 1996-01-12 | Sensor Gijutsu Kenkyusho:Kk | 地震レベル判定方法、ガスメータおよび震度測定方法 |
| JP2001272414A (ja) * | 1999-12-18 | 2001-10-05 | Robert Bosch Gmbh | 内燃機関のノッキングを検出するためのセンサ |
Families Citing this family (79)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4022464C2 (de) * | 1990-07-14 | 2000-12-28 | Bosch Gmbh Robert | Beschleunigungssensor |
| US6903084B2 (en) | 1991-08-29 | 2005-06-07 | Sterix Limited | Steroid sulphatase inhibitors |
| JP2773495B2 (ja) * | 1991-11-18 | 1998-07-09 | 株式会社日立製作所 | 三次元加速度センサ |
| US5707077A (en) * | 1991-11-18 | 1998-01-13 | Hitachi, Ltd. | Airbag system using three-dimensional acceleration sensor |
| JP3367113B2 (ja) | 1992-04-27 | 2003-01-14 | 株式会社デンソー | 加速度センサ |
| US5461916A (en) * | 1992-08-21 | 1995-10-31 | Nippondenso Co., Ltd. | Mechanical force sensing semiconductor device |
| JP3151956B2 (ja) * | 1992-09-04 | 2001-04-03 | 株式会社村田製作所 | 加速度センサ |
| US5734105A (en) | 1992-10-13 | 1998-03-31 | Nippondenso Co., Ltd. | Dynamic quantity sensor |
| DE4309206C1 (de) * | 1993-03-22 | 1994-09-15 | Texas Instruments Deutschland | Halbleitervorrichtung mit einem Kraft- und/oder Beschleunigungssensor |
| DE4315012B4 (de) * | 1993-05-06 | 2007-01-11 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Sensoren und Sensor |
| DE4318466B4 (de) * | 1993-06-03 | 2004-12-09 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Sensors |
| US5616514A (en) * | 1993-06-03 | 1997-04-01 | Robert Bosch Gmbh | Method of fabricating a micromechanical sensor |
| DE4331798B4 (de) * | 1993-09-18 | 2004-08-26 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Bauelementen |
| DE4417132C2 (de) * | 1994-05-17 | 1996-08-14 | Ibm | Resonanter Meßwertaufnehmer und dessen Verwendung |
| DE4421337A1 (de) * | 1994-06-17 | 1995-12-21 | Telefunken Microelectron | Ätzverfahren zur Herstellung von quasiplanaren, freitragenden Strukturen in Silizium |
| JP3114006B2 (ja) * | 1994-08-29 | 2000-12-04 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体装置、及び、その製造方法 |
| DE4431232C2 (de) * | 1994-09-02 | 1999-07-08 | Hahn Schickard Ges | Integrierbares Feder-Masse-System |
| DE4431338C2 (de) * | 1994-09-02 | 2003-07-31 | Bosch Gmbh Robert | Beschleunigungssensor |
| US5802479A (en) * | 1994-09-23 | 1998-09-01 | Advanced Safety Concepts, Inc. | Motor vehicle occupant sensing systems |
| DE4439238A1 (de) * | 1994-11-03 | 1996-05-09 | Telefunken Microelectron | Kapazitiver Beschleunigungssensor |
| US5640039A (en) * | 1994-12-01 | 1997-06-17 | Analog Devices, Inc. | Conductive plane beneath suspended microstructure |
| US5726480A (en) * | 1995-01-27 | 1998-03-10 | The Regents Of The University Of California | Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same |
| US5627316A (en) * | 1995-03-24 | 1997-05-06 | Sigma-Delta N.V. | Capacitive inclination and acceleration sensor |
| US5824565A (en) * | 1996-02-29 | 1998-10-20 | Motorola, Inc. | Method of fabricating a sensor |
| US5870482A (en) * | 1997-02-25 | 1999-02-09 | Knowles Electronics, Inc. | Miniature silicon condenser microphone |
| US5959200A (en) * | 1997-08-27 | 1999-09-28 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Micromachined cantilever structure providing for independent multidimensional force sensing using high aspect ratio beams |
| JPH1194873A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ及びその製造方法 |
| DE69735806D1 (de) | 1997-10-29 | 2006-06-08 | St Microelectronics Srl | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter Microantrieb, insbesondere für Lese-Schreibekopf einem Festplattengerät, und so hergestellter Microantrieb |
| DE69826242D1 (de) | 1998-05-05 | 2004-10-21 | St Microelectronics Srl | Herstellungsverfahren für eine Festplatten-Lese/Schreibeinheit, mit mikrometrischer Betätigung |
| US6389899B1 (en) | 1998-06-09 | 2002-05-21 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | In-plane micromachined accelerometer and bridge circuit having same |
| DE69828960D1 (de) | 1998-07-22 | 2005-03-17 | St Microelectronics Srl | Integrierte Anordnung mit einer Vorrichtung für den elektrostatischen Transport von dielektrischen Teilchen, die in einer Vorrichtung zum Betätigen von Festplatten erzeugt werden, und elektrostatisches Transportverfahren |
| US6303986B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-10-16 | Silicon Light Machines | Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die |
| DE69830789D1 (de) | 1998-07-30 | 2005-08-11 | St Microelectronics Srl | Fernbedienbarer integrierter Microantrieb, insbesondere für einen Lese/Schreibköpf einer Festplattenanlage |
| EP0977180B1 (en) | 1998-07-30 | 2005-02-09 | STMicroelectronics S.r.l. | Method for assembling an actuator device for a hard disc device, comprising a read/write transducer, a microactuator and a suspension and the actuator device thus obtained |
| DE69831237D1 (de) | 1998-09-30 | 2005-09-22 | St Microelectronics Srl | Integrierter Hochleistungs-Microantrieb insbesondere für einen Lese/Schreib-Kopf in Festplattenlaufwerken |
| JP4238437B2 (ja) | 1999-01-25 | 2009-03-18 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサとその製造方法 |
| US7335650B2 (en) | 2000-01-14 | 2008-02-26 | Sterix Limited | Composition |
| US6987859B2 (en) | 2001-07-20 | 2006-01-17 | Knowles Electronics, Llc. | Raised microstructure of silicon based device |
| US6535460B2 (en) | 2000-08-11 | 2003-03-18 | Knowles Electronics, Llc | Miniature broadband acoustic transducer |
| US8617934B1 (en) | 2000-11-28 | 2013-12-31 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port multi-part surface mount silicon condenser microphone packages |
| US7439616B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-10-21 | Knowles Electronics, Llc | Miniature silicon condenser microphone |
| US7434305B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-10-14 | Knowles Electronics, Llc. | Method of manufacturing a microphone |
| US7166910B2 (en) | 2000-11-28 | 2007-01-23 | Knowles Electronics Llc | Miniature silicon condenser microphone |
| US6782205B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-08-24 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing |
| US6747781B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-06-08 | Silicon Light Machines, Inc. | Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle |
| US6829092B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Blazed grating light valve |
| US6930364B2 (en) * | 2001-09-13 | 2005-08-16 | Silicon Light Machines Corporation | Microelectronic mechanical system and methods |
| US7023066B2 (en) * | 2001-11-20 | 2006-04-04 | Knowles Electronics, Llc. | Silicon microphone |
| US6800238B1 (en) | 2002-01-15 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics |
| US6767751B2 (en) * | 2002-05-28 | 2004-07-27 | Silicon Light Machines, Inc. | Integrated driver process flow |
| US6728023B1 (en) | 2002-05-28 | 2004-04-27 | Silicon Light Machines | Optical device arrays with optimized image resolution |
| US6822797B1 (en) | 2002-05-31 | 2004-11-23 | Silicon Light Machines, Inc. | Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light |
| US6829258B1 (en) | 2002-06-26 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Rapidly tunable external cavity laser |
| US6813059B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Silicon Light Machines, Inc. | Reduced formation of asperities in contact micro-structures |
| US6801354B1 (en) | 2002-08-20 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses |
| US6781231B2 (en) * | 2002-09-10 | 2004-08-24 | Knowles Electronics Llc | Microelectromechanical system package with environmental and interference shield |
| US6712480B1 (en) | 2002-09-27 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Controlled curvature of stressed micro-structures |
| US6829077B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane |
| US6806997B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-10-19 | Silicon Light Machines, Inc. | Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction |
| US7150192B2 (en) * | 2003-03-03 | 2006-12-19 | Yamaha Corporation | Acceleration measurement method using electrostatic-capacity-type acceleration sensor |
| US7004027B2 (en) * | 2003-03-03 | 2006-02-28 | Yamaha Corporation | Electrostatic-capacity-type acceleration sensor and acceleration measuring device therewith |
| JP4085854B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2008-05-14 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサの製造方法 |
| FR2876795B1 (fr) * | 2004-10-19 | 2006-12-29 | Univ Reims Champagne Ardenne | Dispositif de detection de defauts des machines tournantes |
| DE102005008511B4 (de) | 2005-02-24 | 2019-09-12 | Tdk Corporation | MEMS-Mikrofon |
| DE102005008512B4 (de) | 2005-02-24 | 2016-06-23 | Epcos Ag | Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon |
| DE102005053767B4 (de) | 2005-11-10 | 2014-10-30 | Epcos Ag | MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau |
| DE102005053765B4 (de) | 2005-11-10 | 2016-04-14 | Epcos Ag | MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung |
| US20080042223A1 (en) * | 2006-08-17 | 2008-02-21 | Lu-Lee Liao | Microelectromechanical system package and method for making the same |
| US20080075308A1 (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-27 | Wen-Chieh Wei | Silicon condenser microphone |
| US20080083957A1 (en) * | 2006-10-05 | 2008-04-10 | Wen-Chieh Wei | Micro-electromechanical system package |
| US7894622B2 (en) | 2006-10-13 | 2011-02-22 | Merry Electronics Co., Ltd. | Microphone |
| ES2355657T3 (es) | 2007-05-07 | 2011-03-29 | Raytheon Sarcos, Llc | Sistema de detección digital de heridas. |
| US8191421B2 (en) | 2007-05-07 | 2012-06-05 | Raytheon Company | Digital ballistic impact detection system |
| EP2774390A4 (en) | 2011-11-04 | 2015-07-22 | Knowles Electronics Llc | EMBEDDED DIELEKTRIKUM AS A BARRIER IN AN ACOUSTIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING |
| US9121785B2 (en) | 2012-04-24 | 2015-09-01 | Sarcos Lc | Non-powered impact recorder |
| US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
| DE102013106353B4 (de) * | 2013-06-18 | 2018-06-28 | Tdk Corporation | Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement |
| US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
| DE102018220936A1 (de) | 2018-12-04 | 2020-06-04 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Überprüfung eines Sensorwertes eines MEMS-Sensors |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH642461A5 (fr) * | 1981-07-02 | 1984-04-13 | Centre Electron Horloger | Accelerometre. |
| JPS5938621A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-02 | Nissan Motor Co Ltd | 振動分析装置 |
| JPS6055655A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-03-30 | Nissan Motor Co Ltd | 梁構造体を有する半導体装置 |
| US4783237A (en) * | 1983-12-01 | 1988-11-08 | Harry E. Aine | Solid state transducer and method of making same |
| FR2558263B1 (fr) * | 1984-01-12 | 1986-04-25 | Commissariat Energie Atomique | Accelerometre directif et son procede de fabrication par microlithographie |
| JPS61234064A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体振動検出装置 |
| FR2580389B2 (fr) * | 1985-04-16 | 1989-03-03 | Sfena | Accelerometre micro-usine a rappel electrostatique |
| FI81915C (fi) * | 1987-11-09 | 1990-12-10 | Vaisala Oy | Kapacitiv accelerationsgivare och foerfarande foer framstaellning daerav. |
| US5016072A (en) * | 1988-01-13 | 1991-05-14 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Semiconductor chip gyroscopic transducer |
| DE3814952A1 (de) * | 1988-05-03 | 1989-11-23 | Bosch Gmbh Robert | Sensor |
| US4951510A (en) * | 1988-07-14 | 1990-08-28 | University Of Hawaii | Multidimensional force sensor |
| US4945773A (en) * | 1989-03-06 | 1990-08-07 | Ford Motor Company | Force transducer etched from silicon |
| US5006487A (en) * | 1989-07-27 | 1991-04-09 | Honeywell Inc. | Method of making an electrostatic silicon accelerometer |
-
1990
- 1990-01-15 DE DE4000903A patent/DE4000903C1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-06 FR FR9015300A patent/FR2657170B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-18 GB GB9027366A patent/GB2240178B/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-21 US US07/631,623 patent/US5151763A/en not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-01-11 JP JP00213491A patent/JP3149196B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH085448A (ja) * | 1994-06-15 | 1996-01-12 | Sensor Gijutsu Kenkyusho:Kk | 地震レベル判定方法、ガスメータおよび震度測定方法 |
| JP2001272414A (ja) * | 1999-12-18 | 2001-10-05 | Robert Bosch Gmbh | 内燃機関のノッキングを検出するためのセンサ |
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