JP3149196B2 - 振動又は加速度測定センサ - Google Patents
振動又は加速度測定センサInfo
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- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
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- G01P2015/0808—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
- G01P2015/0811—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0814—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for translational movement of the mass, e.g. shuttle type
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
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- H04R19/005—Electrostatic transducers using semiconductor materials
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、請求項１または２の上
位概念に記載の振動又は加速度測定センサに関する。
位概念に記載の振動又は加速度測定センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】ドイツ特許出願Ｐ３８１４９５２号明細
書から、１つ又は複数のウェブが懸架されている舌状部
がチップ表面に対して垂直に変位される、シリコンマイ
クロメカニックをベースとした加速度センサが公知であ
る。ウェブの伸縮は、ホィートストンブリッジに配置さ
れている圧電抵抗を用いて決められる。圧電動作するセ
ンサの振動質量は比較的大きいチップ表面を必要とす
る。舌状部として形成されている振動質量と、チップ表
面に垂直なその振動方向はしばしばセンサのカプセル化
と、センサ内の圧力の低下を必要とする、何故ならばそ
のようにしないと舌状部振動が過剰に制動されるからで
ある。これに加えて、圧電動作するセンサは強い温度に
敏感である。
書から、１つ又は複数のウェブが懸架されている舌状部
がチップ表面に対して垂直に変位される、シリコンマイ
クロメカニックをベースとした加速度センサが公知であ
る。ウェブの伸縮は、ホィートストンブリッジに配置さ
れている圧電抵抗を用いて決められる。圧電動作するセ
ンサの振動質量は比較的大きいチップ表面を必要とす
る。舌状部として形成されている振動質量と、チップ表
面に垂直なその振動方向はしばしばセンサのカプセル化
と、センサ内の圧力の低下を必要とする、何故ならばそ
のようにしないと舌状部振動が過剰に制動されるからで
ある。これに加えて、圧電動作するセンサは強い温度に
敏感である。
【０００３】未公開の特許出願Ｐ３９２７１６３号明細
書から、半導体ウェーハの中で構造をエッチングするこ
とができることは公知である。
書から、半導体ウェーハの中で構造をエッチングするこ
とができることは公知である。
【０００４】
【発明の効果】従来の技術に対して、請求項１および２
の特徴部分に記載の構成を有する本発明のセンサは、舌
状部を垂直に配置することによりセンサを非常に僅かな
チップ表面で実現することができる利点を有する。この
配置は、通常の圧力においてもセンサが動作することを
可能にする。舌状部がチップ平面で振動し、従ってチッ
プにより過負荷においても保護されるので有利であるこ
とが分かった。更に、舌状部に圧電抵抗を集積する必要
がないのでそれほど堅牢でない舌状部によりセンサ信号
の容量評価が可能であるので有利である。
の特徴部分に記載の構成を有する本発明のセンサは、舌
状部を垂直に配置することによりセンサを非常に僅かな
チップ表面で実現することができる利点を有する。この
配置は、通常の圧力においてもセンサが動作することを
可能にする。舌状部がチップ平面で振動し、従ってチッ
プにより過負荷においても保護されるので有利であるこ
とが分かった。更に、舌状部に圧電抵抗を集積する必要
がないのでそれほど堅牢でない舌状部によりセンサ信号
の容量評価が可能であるので有利である。
【０００５】その他の請求項に記載の手段により、請求
項１および２に記載のセンサの有利な実施例が可能であ
る。本発明のセンサの１つの特別な利点は、上層２０と
下層２１との間のｐｎ又はｎｐ接合部が、下層２１に対
する舌状部１２と電極１３との絶縁に用いられるだけで
なく、支持体表面１６からの舌状部１２の電気化学的ア
ンダーエッチングにおけるエッチングストップ境界とし
て作用することができるか、又は固定電極１３に対する
可動舌状部１２の絶縁に寄与する裏面エッチングのため
に作用することができる点である。センサの静止容量
が、それぞれ１つの舌状部１２と１つの固定電極１３と
により形成される多数のコンデンサの並列接続により簡
単に高めることができるので有利である。別の１つの利
点は、加速の際に、固定電極１３を基準としてそれぞれ
可動な舌状部１２の位置に基づいて互いに逆の容量変化
で応動する２つの舌状部／電極−配置の容量差を評価す
ることによりセンサ感度を高めることができる点であ
る。
項１および２に記載のセンサの有利な実施例が可能であ
る。本発明のセンサの１つの特別な利点は、上層２０と
下層２１との間のｐｎ又はｎｐ接合部が、下層２１に対
する舌状部１２と電極１３との絶縁に用いられるだけで
なく、支持体表面１６からの舌状部１２の電気化学的ア
ンダーエッチングにおけるエッチングストップ境界とし
て作用することができるか、又は固定電極１３に対する
可動舌状部１２の絶縁に寄与する裏面エッチングのため
に作用することができる点である。センサの静止容量
が、それぞれ１つの舌状部１２と１つの固定電極１３と
により形成される多数のコンデンサの並列接続により簡
単に高めることができるので有利である。別の１つの利
点は、加速の際に、固定電極１３を基準としてそれぞれ
可動な舌状部１２の位置に基づいて互いに逆の容量変化
で応動する２つの舌状部／電極−配置の容量差を評価す
ることによりセンサ感度を高めることができる点であ
る。
【０００６】別の１つの利点は、センサをエッチング技
術の標準手段により製作することができる点である。
術の標準手段により製作することができる点である。
【０００７】
【実施例】図１には、１０により単結晶材料から成る支
持体が示され、この支持体のためには例えばシリコンウ
ェーハが用いられる。しかし例えばガリウムひ素又はゲ
ルマニウム等の他の半導体材料も適している。図２に示
されているように支持体は下層２１及び上層２０から成
る。通常は下層２１はｐ形ドーピングされた基板であ
り、上層２０は、このｐ形ドーピング基板の上に設けら
れているｎ形ドーピングエピタキシャル層である。個々
の層を逆にドーピングすることも可能である、何故なら
ばｐｎ接合部とｎｐ接合部との双方が回路において遮断
方向で絶縁作用を有するからである。垂直な溝を形成す
る異方性エッチング又はその他適当なエッチング方法に
より支持体表面にエッチングされたエッチング溝１１は
上層２０を完全に貫通し、２つの互いに電気的に絶縁さ
れている領域を形成している。一方の領域は、支持体平
面の中で振動可能な舌状部１２を有する舌状部の基部１
４を有し、他方の領域は、不動の電極１３を有する電極
基部１５を有する。舌状部１２は例えば幅５μｍ、長さ
１から２ｍｍ、高さ１０から１５μｍである。舌状部１
２の長手方向側面は電極１３の長手方向側面に例えば２
μｍ間隔をおいて対向しており、この間隔は舌状部１２
の振動の際に変化する。舌状部基部１４及び電極基部１
５は、舌状部１２及び電極１３により形成されているコ
ンデンサの電気端子として用いられる。図２は、舌状部
１２がアンダーエッチング２２により露出されているこ
とを示す。舌状部１２のアンダーエッチングは例えば裏
面エッチング又は前面からの側方アンダーエッチングに
より行われる。基部を有する多数の舌状部及び多数の電
極を支持体表面１６からエッチングし、例えば図３の上
半部が示すように、容量動作形センサの並列接続に統合
することも可能である。この場合、舌状部の基部１４１
から、支持体平面の中で振動することができる２つの舌
状部１２１が垂直に出ており、電極基部１５から出てい
て対向して位置する２つの不動の電極１３１と共働して
２つの並列に接続されているコンデンサを形成してい
る。
持体が示され、この支持体のためには例えばシリコンウ
ェーハが用いられる。しかし例えばガリウムひ素又はゲ
ルマニウム等の他の半導体材料も適している。図２に示
されているように支持体は下層２１及び上層２０から成
る。通常は下層２１はｐ形ドーピングされた基板であ
り、上層２０は、このｐ形ドーピング基板の上に設けら
れているｎ形ドーピングエピタキシャル層である。個々
の層を逆にドーピングすることも可能である、何故なら
ばｐｎ接合部とｎｐ接合部との双方が回路において遮断
方向で絶縁作用を有するからである。垂直な溝を形成す
る異方性エッチング又はその他適当なエッチング方法に
より支持体表面にエッチングされたエッチング溝１１は
上層２０を完全に貫通し、２つの互いに電気的に絶縁さ
れている領域を形成している。一方の領域は、支持体平
面の中で振動可能な舌状部１２を有する舌状部の基部１
４を有し、他方の領域は、不動の電極１３を有する電極
基部１５を有する。舌状部１２は例えば幅５μｍ、長さ
１から２ｍｍ、高さ１０から１５μｍである。舌状部１
２の長手方向側面は電極１３の長手方向側面に例えば２
μｍ間隔をおいて対向しており、この間隔は舌状部１２
の振動の際に変化する。舌状部基部１４及び電極基部１
５は、舌状部１２及び電極１３により形成されているコ
ンデンサの電気端子として用いられる。図２は、舌状部
１２がアンダーエッチング２２により露出されているこ
とを示す。舌状部１２のアンダーエッチングは例えば裏
面エッチング又は前面からの側方アンダーエッチングに
より行われる。基部を有する多数の舌状部及び多数の電
極を支持体表面１６からエッチングし、例えば図３の上
半部が示すように、容量動作形センサの並列接続に統合
することも可能である。この場合、舌状部の基部１４１
から、支持体平面の中で振動することができる２つの舌
状部１２１が垂直に出ており、電極基部１５から出てい
て対向して位置する２つの不動の電極１３１と共働して
２つの並列に接続されているコンデンサを形成してい
る。
【０００８】図３に示されているセンサも２つの層の支
持体１０から成り、支持体１０の上層２０は、エッチン
グ溝１１により電気的に互いに絶縁されている多数の櫛
状領域を有する。舌状部の基部１４１に垂直に位置し支
持体平面の中で振動することができる２つの舌状部１２
１を有するビーム状の舌状部の基部１４１は、同様に支
持体平面の中で振動することができる２つの舌状部１２
２を有する同様に構造化されている舌状部の基部１４２
に平行に配置され、従って舌状部１２１及び１２２は互
いに対向して位置している。舌状部１２１及び１２２の
間に、２つの舌状部の基部１４１及び１４２に平行に電
極基部１５が位置し、電極基部１５から２つの不動の電
極１３１が舌状部の基部１４１の方向に出ており、２つ
の不動の電極１３２が舌状部の基部１４２の方向に出て
いる。舌状部と電極の数は任意に変化させることができ
る。電極基部１４２に対する舌状部の基部１４１の間隔
と、舌状部の基部１４２に対する電極基部１５の間隔
と、舌状部及び電極の長さとは、電極１３１の長手側面
に舌状部１２１の長手側面が例えば２μｍの間隔をおい
て対向し、電極１３２の長手側面に舌状部１２２の長手
側面が同様の間隔をおいて対向するように選択されてい
る。２つの舌状部１２１は２つの電極１３１と共働して
２つの並列に接続されているコンデンサを形成し、これ
らのコンデンサは、２つの同様に並列に接続されてい
る、２つの舌状部１２２が２つの電極１３２と共働して
形成しているコンデンサに対向して位置している。更
に、電極１３１を基準とする舌状部１２１の配置は、電
極１３２を基準とする舌状部１２２の配置と逆になって
おり、このようにして、舌状部を変位させる加速度によ
り、互いに対向して位置するコンデンサのそれぞれコン
デンサの舌状部と電極の間隔は互いに逆方向に変化す
る。この配置の場合、センサの静止容量は多数のコンデ
ンサの並列接続により制御される。互いに逆方向に変化
する容量の差の評価により感度が高められる。図３にお
いて、３０により、裏面エッチングのエッチングウイン
ドウ３０の下部端縁が示されている。このエッチングウ
インドウ３０の位置は、舌状部が舌状部の基部と不動に
接続されてはいるが、しかし舌状部の先端は自由に振動
することができるように選択しなければならない。これ
に対して電極は電極基部と不動に接続されているだけで
なく、付加的に少なくとも１つの別の個所で下層２１と
接続されていなければならない。
持体１０から成り、支持体１０の上層２０は、エッチン
グ溝１１により電気的に互いに絶縁されている多数の櫛
状領域を有する。舌状部の基部１４１に垂直に位置し支
持体平面の中で振動することができる２つの舌状部１２
１を有するビーム状の舌状部の基部１４１は、同様に支
持体平面の中で振動することができる２つの舌状部１２
２を有する同様に構造化されている舌状部の基部１４２
に平行に配置され、従って舌状部１２１及び１２２は互
いに対向して位置している。舌状部１２１及び１２２の
間に、２つの舌状部の基部１４１及び１４２に平行に電
極基部１５が位置し、電極基部１５から２つの不動の電
極１３１が舌状部の基部１４１の方向に出ており、２つ
の不動の電極１３２が舌状部の基部１４２の方向に出て
いる。舌状部と電極の数は任意に変化させることができ
る。電極基部１４２に対する舌状部の基部１４１の間隔
と、舌状部の基部１４２に対する電極基部１５の間隔
と、舌状部及び電極の長さとは、電極１３１の長手側面
に舌状部１２１の長手側面が例えば２μｍの間隔をおい
て対向し、電極１３２の長手側面に舌状部１２２の長手
側面が同様の間隔をおいて対向するように選択されてい
る。２つの舌状部１２１は２つの電極１３１と共働して
２つの並列に接続されているコンデンサを形成し、これ
らのコンデンサは、２つの同様に並列に接続されてい
る、２つの舌状部１２２が２つの電極１３２と共働して
形成しているコンデンサに対向して位置している。更
に、電極１３１を基準とする舌状部１２１の配置は、電
極１３２を基準とする舌状部１２２の配置と逆になって
おり、このようにして、舌状部を変位させる加速度によ
り、互いに対向して位置するコンデンサのそれぞれコン
デンサの舌状部と電極の間隔は互いに逆方向に変化す
る。この配置の場合、センサの静止容量は多数のコンデ
ンサの並列接続により制御される。互いに逆方向に変化
する容量の差の評価により感度が高められる。図３にお
いて、３０により、裏面エッチングのエッチングウイン
ドウ３０の下部端縁が示されている。このエッチングウ
インドウ３０の位置は、舌状部が舌状部の基部と不動に
接続されてはいるが、しかし舌状部の先端は自由に振動
することができるように選択しなければならない。これ
に対して電極は電極基部と不動に接続されているだけで
なく、付加的に少なくとも１つの別の個所で下層２１と
接続されていなければならない。
【０００９】図４にはセンサが示されており、このセン
サは、下層２１と上層２０とを有する２層の支持体１０
からエッチングされ、２つの層２１及び２０は、異なる
ドーピングに基づいてｐｎ接合部又はｎｐ接合部を形成
し、この接合部は、遮断方向へ接続されると上層２０を
下層２１に対して絶縁する。上層２０を完全に貫通して
いる２つのＵ状のエッチング溝１１はそれぞれ１つの側
方アンダーエッチング２２と共働して上層２０の中に、
支持体平面の中で振動することができる、舌状部の基部
１４から出ている２つの舌状部１２を形成する。このよ
うな舌状部１２は、舌状部１２に平行に静止したままで
ある、Ｕ状エッチング溝１１の周縁に形成される２つの
固定電極１３１及び１３２を有する差動−板コンデンサ
の可動電極として用いられる。舌状部１２と電極１３１
及び１３２との間の絶縁は上層２０の中で、上層２０を
完全に貫通している絶縁拡散層２３により行われる。こ
の場合、上層２０が負にドーピングされている場合には
ｐ形拡散層であり、上層２０が正にドーピングされてい
る場合にはｎ形拡散層である。舌状部１２と電極１３１
及び１３２とは互いに対しても、下層２１に対してもｐ
ｎ接合部により絶縁されている。舌状部１２が変位した
際の差動−板コンデンサの容量変化を回路により評価す
ることができるように、舌状部１２と電極１３１及び１
３２とにおける舌状部の基部側端部にそれぞれ１つの金
属端子２４が支持体表面１６の上に設けられている。舌
状部１２の変位により舌状部１２と電極１３１との間の
容量は例えば高められ、これに対して舌状部１２と電極
１３２との間の容量は低下される。多数のこのような差
動−板コンデンサの並列接続においては、一方の側にお
ける容量減少が他方の側における容量増加により補償さ
れることがないように、隣同士の固定電極１３１及び１
３２は互いに絶縁されていなければならない。図示の実
施例においてはこれは、上層２０を完全に貫通している
絶縁拡散層２３により行われる。図１及び図３に示され
ている絶縁切込みも適している。
サは、下層２１と上層２０とを有する２層の支持体１０
からエッチングされ、２つの層２１及び２０は、異なる
ドーピングに基づいてｐｎ接合部又はｎｐ接合部を形成
し、この接合部は、遮断方向へ接続されると上層２０を
下層２１に対して絶縁する。上層２０を完全に貫通して
いる２つのＵ状のエッチング溝１１はそれぞれ１つの側
方アンダーエッチング２２と共働して上層２０の中に、
支持体平面の中で振動することができる、舌状部の基部
１４から出ている２つの舌状部１２を形成する。このよ
うな舌状部１２は、舌状部１２に平行に静止したままで
ある、Ｕ状エッチング溝１１の周縁に形成される２つの
固定電極１３１及び１３２を有する差動−板コンデンサ
の可動電極として用いられる。舌状部１２と電極１３１
及び１３２との間の絶縁は上層２０の中で、上層２０を
完全に貫通している絶縁拡散層２３により行われる。こ
の場合、上層２０が負にドーピングされている場合には
ｐ形拡散層であり、上層２０が正にドーピングされてい
る場合にはｎ形拡散層である。舌状部１２と電極１３１
及び１３２とは互いに対しても、下層２１に対してもｐ
ｎ接合部により絶縁されている。舌状部１２が変位した
際の差動−板コンデンサの容量変化を回路により評価す
ることができるように、舌状部１２と電極１３１及び１
３２とにおける舌状部の基部側端部にそれぞれ１つの金
属端子２４が支持体表面１６の上に設けられている。舌
状部１２の変位により舌状部１２と電極１３１との間の
容量は例えば高められ、これに対して舌状部１２と電極
１３２との間の容量は低下される。多数のこのような差
動−板コンデンサの並列接続においては、一方の側にお
ける容量減少が他方の側における容量増加により補償さ
れることがないように、隣同士の固定電極１３１及び１
３２は互いに絶縁されていなければならない。図示の実
施例においてはこれは、上層２０を完全に貫通している
絶縁拡散層２３により行われる。図１及び図３に示され
ている絶縁切込みも適している。
【図１】センサの上面図。
【図２】図１のセンサの断面図。
【図３】図１とは別の形のセンサの平面図。
【図４】図１とは別の形のセンサの一部を切欠して示す
斜視図。
斜視図。
１０ 支持体 １２ 舌状部 １１ エッチング溝 １４ 舌状部の基部 １５ 電極基部 １６ 支持体表面 ２０ 上層 ２１ 下層 ２２ アンダーエッチング ２３ 絶縁拡散層 ２４ 金属端子 ３０ エッチングウインドウ １２１ 舌状部 １２２ 舌状部 １３１ 電極 １３２ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フランク バンティエン ドイツ連邦共和国 ディツィンゲン ク ニールシュトラーセ 44 (72)発明者 ディートマール ハーク ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン 17 イム エーフォイ 18 (72)発明者 マルティン ヴァルト ドイツ連邦共和国 シュヴァイクハイム パノラマシュトラーセ 11 (56)参考文献 特開 昭63−198378（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−234064（ＪＰ，Ａ) 米国特許4711128（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01H 11/06 G01P 15/125 H01L 27/04 H01L 29/84
Claims (10)
- 【請求項１】 材料の導電形（ｐ又はｎ）を生ぜしめる
ために別の要素を少量含んでいるシリコンから成る単結
晶半導体材料の支持体から製作されている振動又は加速
度を測定するためのセンサであって、前記支持体にエッ
チングにより形成されている少なくとも１つ舌状部（１
２）及び該少なくとも１つの舌状部の変位を評価するた
めの手段を有している形式のものにおいて、 前記支持体は上層（２０）及び下層（２１）を有してお
り、該上層は該下層（２１）との接合部に、該下層のｎ
形又はｐ形のドーピングを考慮してｎ形の場合にはｐｎ
接合を形成し又はｐ形の場合にはｎｐ接合を形成し、 前記少なくとも１つ舌状部（１２）は、 前記支持体の表面に対して垂直である主側面を有してお
り、 ギャップを介して少なくとも１つの電極の表面に相対向
している少なくとも１つの主側面を有しており、 前記支持体と一体である固定された基部端を有してお
り、かつ 該基部端とは縦方向に反対である自由端を有し
ており、 前記舌状部に相対向している前記電極表面は前記支持体
の上面に対して垂直であり、 前記少なくとも１つ舌状部（１２）及び前記少なくとも
１つの電極（１３）は全部が前記上層（２０）に形成さ
れており、 前記少なくとも１つ舌状部及び前記少なくとも１つの電
極それぞれの表面は別のエレメントを少量含んでいるシ
リコンから成る前記材料で形成されており、 前記少なくとも１つ舌状部（１２）及び前記少なくとも
１つの電極（１３）は、前記上層（２０）を完全に通る
深さに延在しているエッチングされた溝によって相互に
絶縁されており、 前記少なくとも１つ舌状部及び前記少なくとも１つの電
極に対する電気的な接続により、該少なくとも１つ舌状
部及び該少なくとも１つの電極間の容量変化が測定可能
であり、これにより前記支持体の振動又は加速度による
前記舌状部の変位が測定可能であることを特徴とする振
動又は加速度測定センサ。 - 【請求項２】 材料の導電形（ｐ又はｎ）を生ぜしめる
ために別の要素を少量含んでいるシリコンから成る単結
晶半導体材料の支持体から製作されている振動又は加速
度を測定するためのセンサであって、前記支持体にエッ
チングにより形成されている少なくとも１つ舌状部（１
２）及び該少なくとも１つの舌状部の変位を評価するた
めの手段を有している形式のものにおいて、 前記支持体は上層（２０）及び下層（２１）を有してお
り、該上層は該下層（２１）との接合部に、該下層のｎ
形又はｐ形のドーピングを考慮してｎ形の場合にはｐｎ
接合を形成し又はｐ形の場合にはｎｐ接合を形成し、 前記少なくとも１つ舌状部（１２）は、 前記支持体の表面に対して垂直である主側面を有してお
り、 ギャップを介して少なくとも１つの電極の表面に相対向
している少なくとも１つの主側面を有しており、 前記支持体と一体である固定された基部端を有してお
り、かつ該基部端とは縦方向に反対である自由端を有し
ており、 前記舌状部に相対向している前記電極表面は前記支持体
の上面に対して垂直であり、 前記少なくとも１つ舌状部（１２）及び前記少なくとも
１つの電極（１３）は全部が前記上層（２０）に形成さ
れており、 前記少なくとも１つ舌状部及び前記少なくとも１つの電
極それぞれの表面は別のエレメントを少量含んでいるシ
リコンから成る前記材料で形成されており、 前記少なくとも１つ舌状部（１２）及び前記少なくとも
１つの電極（１３）は、前記上層（２０）を完全に通る
深さに延在している拡散された絶縁バリヤ（２３）によ
って相互に絶縁されており、 前記少なくとも１つ舌状部及び前記少なくとも１つの電
極に対する電気的な接続により、該少なくとも１つ舌状
部及び該少なくとも１つの電極間の容量変化が測定可能
であり、これにより前記支持体の振動又は加速度による
前記舌状部の変位が測定可能であることを特徴とする振
動又は加速度測定センサ。 - 【請求項３】 前記支持プレートからエッチングにより
形成された複数の舌 状部が設けられており、ここで前記
電極は該複数の舌状部に相対向している請求項１記載の
振動又は加速度測定センサ。 - 【請求項４】 前記支持プレートからエッチングにより
形成された複数の舌状部が設けられており、ここで前記
電極は該複数の舌状部に相対向している請求項２記載の
振動又は加速度測定センサ。 - 【請求項５】 複数の舌状部（１２）および複数の電極
（１３）が設けられており、各電極は舌状部（１２）の
１つの側面に相対向しており、該舌状部の半数が第１の
電極に相対向している側面を有しかつ残りの舌状部は第
２の電極に相対向している側面を有しており、前記電極
は舌状部に関連して次のように配置されている、すなわ
ち加速度又は振動に応答して、第１の電極に相対向して
いる側面を有している舌状部による第１の電極に対する
動きが、第２の電極に関する残りの舌状部による第２の
電極に対する同時点の動きに対して反対であるように配
置されている請求項１記載の振動又は加速度測定セン
サ。 - 【請求項６】 複数の舌状部（１２）および複数の電極
（１３）が設けられており、各電極は舌状部（１２）の
１つの側面に相対向しており、該舌状部の半数が第１の
電極に相対向している側面を有しかつ残りの舌状部は第
２の電極に相対向している側面を有しており、前記電極
は舌状部に関連して次のように配置されている、すなわ
ち加速度又は振動に応答して、第１の電極に相対向して
いる側面を有している舌状部による第１の電極に対する
動きが、第２の電極に関する残りの舌状部による第２の
電極に対する同時点の動きに対して反対であるように配
置されている請求項２記載の振動又は加速度測定セン
サ。 - 【請求項７】 前記電極は次のような構造を有してい
る、すなわち該電極が、共通の電極接続部材からくし形
状に延在しており、ここで前記舌状部は、少なくとも１
つの基部がある構造において配置されており、該基部か
ら前記舌状部は該基部から前記くし形状の構造内に延在
している請求項５記載の振動又は加速度測定センサ。 - 【請求項８】 前記電極は次のような構造を有してい
る、すなわち該電極が 、共通の電極接続部材からくし形
状に延在しており、ここで前記舌状部は、少なくとも１
つの基部がある構造において配置されており、該基部か
ら前記舌状部は該基部から前記くし形状の構造内に延在
している請求項６記載の振動又は加速度測定センサ。 - 【請求項９】 前記電極に相対向している側面を有して
いる少なくとも１つの舌状部は第２の電極に相対向して
いる別の側面を有しており、これにより振動又は加速度
に応答する前記少なくとも１つの舌状部の動きは前記舌
状部を前記電極の１つに近づけかつ前記電極の別のもの
からは遠ざけるようにする請求項５記載の振動又は加速
度測定センサ。 - 【請求項１０】 前記電極に相対向している側面を有し
ている少なくとも１つの舌状部は第２の電極に相対向し
ている別の側面を有しており、これにより振動又は加速
度に応答する前記少なくとも１つの舌状部の動きは前記
舌状部を前記電極の１つに近づけかつ前記電極の別のも
のからは遠ざけるようにする請求項２記載の振動又は加
速度測定センサ。
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|---|---|---|---|---|
| DE4022464C2 (de) * | 1990-07-14 | 2000-12-28 | Bosch Gmbh Robert | Beschleunigungssensor |
| US6903084B2 (en) | 1991-08-29 | 2005-06-07 | Sterix Limited | Steroid sulphatase inhibitors |
| US5707077A (en) * | 1991-11-18 | 1998-01-13 | Hitachi, Ltd. | Airbag system using three-dimensional acceleration sensor |
| JP2773495B2 (ja) * | 1991-11-18 | 1998-07-09 | 株式会社日立製作所 | 三次元加速度センサ |
| JP3367113B2 (ja) | 1992-04-27 | 2003-01-14 | 株式会社デンソー | 加速度センサ |
| US5461916A (en) | 1992-08-21 | 1995-10-31 | Nippondenso Co., Ltd. | Mechanical force sensing semiconductor device |
| JP3151956B2 (ja) * | 1992-09-04 | 2001-04-03 | 株式会社村田製作所 | 加速度センサ |
| US5734105A (en) * | 1992-10-13 | 1998-03-31 | Nippondenso Co., Ltd. | Dynamic quantity sensor |
| DE4309206C1 (de) * | 1993-03-22 | 1994-09-15 | Texas Instruments Deutschland | Halbleitervorrichtung mit einem Kraft- und/oder Beschleunigungssensor |
| DE4315012B4 (de) * | 1993-05-06 | 2007-01-11 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Sensoren und Sensor |
| DE4318466B4 (de) * | 1993-06-03 | 2004-12-09 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Sensors |
| US5616514A (en) * | 1993-06-03 | 1997-04-01 | Robert Bosch Gmbh | Method of fabricating a micromechanical sensor |
| DE4331798B4 (de) * | 1993-09-18 | 2004-08-26 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Bauelementen |
| DE4417132C2 (de) * | 1994-05-17 | 1996-08-14 | Ibm | Resonanter Meßwertaufnehmer und dessen Verwendung |
| JP2920868B2 (ja) * | 1994-06-15 | 1999-07-19 | 株式会社センサー技術研究所 | 地震レベル判定方法およびガスメータ |
| DE4421337A1 (de) * | 1994-06-17 | 1995-12-21 | Telefunken Microelectron | Ätzverfahren zur Herstellung von quasiplanaren, freitragenden Strukturen in Silizium |
| JP3114006B2 (ja) * | 1994-08-29 | 2000-12-04 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体装置、及び、その製造方法 |
| DE4431232C2 (de) * | 1994-09-02 | 1999-07-08 | Hahn Schickard Ges | Integrierbares Feder-Masse-System |
| DE4431338C2 (de) * | 1994-09-02 | 2003-07-31 | Bosch Gmbh Robert | Beschleunigungssensor |
| US5802479A (en) * | 1994-09-23 | 1998-09-01 | Advanced Safety Concepts, Inc. | Motor vehicle occupant sensing systems |
| DE4439238A1 (de) * | 1994-11-03 | 1996-05-09 | Telefunken Microelectron | Kapazitiver Beschleunigungssensor |
| US5640039A (en) * | 1994-12-01 | 1997-06-17 | Analog Devices, Inc. | Conductive plane beneath suspended microstructure |
| US5726480A (en) * | 1995-01-27 | 1998-03-10 | The Regents Of The University Of California | Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same |
| US5627316A (en) * | 1995-03-24 | 1997-05-06 | Sigma-Delta N.V. | Capacitive inclination and acceleration sensor |
| US5824565A (en) * | 1996-02-29 | 1998-10-20 | Motorola, Inc. | Method of fabricating a sensor |
| US5870482A (en) * | 1997-02-25 | 1999-02-09 | Knowles Electronics, Inc. | Miniature silicon condenser microphone |
| US5959200A (en) * | 1997-08-27 | 1999-09-28 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Micromachined cantilever structure providing for independent multidimensional force sensing using high aspect ratio beams |
| JPH1194873A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ及びその製造方法 |
| EP0913921B1 (en) | 1997-10-29 | 2006-05-03 | STMicroelectronics S.r.l. | Method for manufacturing a semiconductor material integrated microactuator, in particular for a hard disc mobile read/write head, and a microactuator obtained thereby |
| DE69826242D1 (de) | 1998-05-05 | 2004-10-21 | St Microelectronics Srl | Herstellungsverfahren für eine Festplatten-Lese/Schreibeinheit, mit mikrometrischer Betätigung |
| US6389899B1 (en) | 1998-06-09 | 2002-05-21 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | In-plane micromachined accelerometer and bridge circuit having same |
| DE69828960D1 (de) | 1998-07-22 | 2005-03-17 | St Microelectronics Srl | Integrierte Anordnung mit einer Vorrichtung für den elektrostatischen Transport von dielektrischen Teilchen, die in einer Vorrichtung zum Betätigen von Festplatten erzeugt werden, und elektrostatisches Transportverfahren |
| US6303986B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-10-16 | Silicon Light Machines | Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die |
| EP0977349B1 (en) | 1998-07-30 | 2005-07-06 | STMicroelectronics S.r.l. | Remote-operated integrated microactuator, in particular for a read/write transducer of hard discs |
| EP0977180B1 (en) | 1998-07-30 | 2005-02-09 | STMicroelectronics S.r.l. | Method for assembling an actuator device for a hard disc device, comprising a read/write transducer, a microactuator and a suspension and the actuator device thus obtained |
| DE69831237D1 (de) | 1998-09-30 | 2005-09-22 | St Microelectronics Srl | Integrierter Hochleistungs-Microantrieb insbesondere für einen Lese/Schreib-Kopf in Festplattenlaufwerken |
| JP4238437B2 (ja) | 1999-01-25 | 2009-03-18 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサとその製造方法 |
| DE19961299B4 (de) * | 1999-12-18 | 2009-04-30 | Robert Bosch Gmbh | Sensor zur Erkennung des Klopfens bei einer Brennkraftmaschine |
| US7335650B2 (en) | 2000-01-14 | 2008-02-26 | Sterix Limited | Composition |
| US6987859B2 (en) | 2001-07-20 | 2006-01-17 | Knowles Electronics, Llc. | Raised microstructure of silicon based device |
| US6535460B2 (en) | 2000-08-11 | 2003-03-18 | Knowles Electronics, Llc | Miniature broadband acoustic transducer |
| US7439616B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-10-21 | Knowles Electronics, Llc | Miniature silicon condenser microphone |
| US8623709B1 (en) | 2000-11-28 | 2014-01-07 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port surface mount silicon condenser microphone packages |
| US7166910B2 (en) * | 2000-11-28 | 2007-01-23 | Knowles Electronics Llc | Miniature silicon condenser microphone |
| US7434305B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-10-14 | Knowles Electronics, Llc. | Method of manufacturing a microphone |
| US6747781B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-06-08 | Silicon Light Machines, Inc. | Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle |
| US6782205B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-08-24 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing |
| US6829092B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Blazed grating light valve |
| US6930364B2 (en) * | 2001-09-13 | 2005-08-16 | Silicon Light Machines Corporation | Microelectronic mechanical system and methods |
| US7023066B2 (en) * | 2001-11-20 | 2006-04-04 | Knowles Electronics, Llc. | Silicon microphone |
| US6800238B1 (en) | 2002-01-15 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics |
| US6728023B1 (en) | 2002-05-28 | 2004-04-27 | Silicon Light Machines | Optical device arrays with optimized image resolution |
| US6767751B2 (en) * | 2002-05-28 | 2004-07-27 | Silicon Light Machines, Inc. | Integrated driver process flow |
| US6822797B1 (en) | 2002-05-31 | 2004-11-23 | Silicon Light Machines, Inc. | Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light |
| US6829258B1 (en) | 2002-06-26 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Rapidly tunable external cavity laser |
| US6813059B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Silicon Light Machines, Inc. | Reduced formation of asperities in contact micro-structures |
| US6801354B1 (en) | 2002-08-20 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses |
| US6781231B2 (en) * | 2002-09-10 | 2004-08-24 | Knowles Electronics Llc | Microelectromechanical system package with environmental and interference shield |
| US6712480B1 (en) | 2002-09-27 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Controlled curvature of stressed micro-structures |
| US6806997B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-10-19 | Silicon Light Machines, Inc. | Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction |
| US6829077B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane |
| US7004027B2 (en) * | 2003-03-03 | 2006-02-28 | Yamaha Corporation | Electrostatic-capacity-type acceleration sensor and acceleration measuring device therewith |
| US7150192B2 (en) * | 2003-03-03 | 2006-12-19 | Yamaha Corporation | Acceleration measurement method using electrostatic-capacity-type acceleration sensor |
| JP4085854B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2008-05-14 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサの製造方法 |
| FR2876795B1 (fr) * | 2004-10-19 | 2006-12-29 | Univ Reims Champagne Ardenne | Dispositif de detection de defauts des machines tournantes |
| DE102005008512B4 (de) | 2005-02-24 | 2016-06-23 | Epcos Ag | Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon |
| DE102005008511B4 (de) | 2005-02-24 | 2019-09-12 | Tdk Corporation | MEMS-Mikrofon |
| DE102005053765B4 (de) | 2005-11-10 | 2016-04-14 | Epcos Ag | MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung |
| DE102005053767B4 (de) | 2005-11-10 | 2014-10-30 | Epcos Ag | MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau |
| US20080042223A1 (en) * | 2006-08-17 | 2008-02-21 | Lu-Lee Liao | Microelectromechanical system package and method for making the same |
| US20080075308A1 (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-27 | Wen-Chieh Wei | Silicon condenser microphone |
| US20080083957A1 (en) * | 2006-10-05 | 2008-04-10 | Wen-Chieh Wei | Micro-electromechanical system package |
| US7894622B2 (en) | 2006-10-13 | 2011-02-22 | Merry Electronics Co., Ltd. | Microphone |
| US8191421B2 (en) | 2007-05-07 | 2012-06-05 | Raytheon Company | Digital ballistic impact detection system |
| JP5295223B2 (ja) | 2007-05-07 | 2013-09-18 | レイセオン カンパニー | デジタル傷検出システム |
| US9374643B2 (en) | 2011-11-04 | 2016-06-21 | Knowles Electronics, Llc | Embedded dielectric as a barrier in an acoustic device and method of manufacture |
| US9121785B2 (en) | 2012-04-24 | 2015-09-01 | Sarcos Lc | Non-powered impact recorder |
| US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
| DE102013106353B4 (de) * | 2013-06-18 | 2018-06-28 | Tdk Corporation | Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement |
| US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
| DE102018220936A1 (de) | 2018-12-04 | 2020-06-04 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Überprüfung eines Sensorwertes eines MEMS-Sensors |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH642461A5 (fr) * | 1981-07-02 | 1984-04-13 | Centre Electron Horloger | Accelerometre. |
| JPS5938621A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-02 | Nissan Motor Co Ltd | 振動分析装置 |
| JPS6055655A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-03-30 | Nissan Motor Co Ltd | 梁構造体を有する半導体装置 |
| US4783237A (en) * | 1983-12-01 | 1988-11-08 | Harry E. Aine | Solid state transducer and method of making same |
| FR2558263B1 (fr) * | 1984-01-12 | 1986-04-25 | Commissariat Energie Atomique | Accelerometre directif et son procede de fabrication par microlithographie |
| JPS61234064A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体振動検出装置 |
| FR2580389B2 (fr) * | 1985-04-16 | 1989-03-03 | Sfena | Accelerometre micro-usine a rappel electrostatique |
| FI81915C (fi) * | 1987-11-09 | 1990-12-10 | Vaisala Oy | Kapacitiv accelerationsgivare och foerfarande foer framstaellning daerav. |
| US5016072A (en) * | 1988-01-13 | 1991-05-14 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Semiconductor chip gyroscopic transducer |
| DE3814952A1 (de) * | 1988-05-03 | 1989-11-23 | Bosch Gmbh Robert | Sensor |
| US4951510A (en) * | 1988-07-14 | 1990-08-28 | University Of Hawaii | Multidimensional force sensor |
| US4945773A (en) * | 1989-03-06 | 1990-08-07 | Ford Motor Company | Force transducer etched from silicon |
| US5006487A (en) * | 1989-07-27 | 1991-04-09 | Honeywell Inc. | Method of making an electrostatic silicon accelerometer |
-
1990
- 1990-01-15 DE DE4000903A patent/DE4000903C1/de not_active Expired - Lifetime
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| US5151763A (en) | 1992-09-29 |
| GB2240178A (en) | 1991-07-24 |
| DE4000903C1 (ja) | 1990-08-09 |
| GB2240178B (en) | 1994-05-04 |
| JPH04313031A (ja) | 1992-11-05 |
| GB9027366D0 (en) | 1991-02-06 |
| FR2657170B1 (fr) | 1995-09-01 |
| FR2657170A1 (fr) | 1991-07-19 |
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