JPH10335676A - 半導体基板の空洞の上に横たわる単結晶部材を有する半導体構造およびそのためのプロセス - Google Patents
半導体基板の空洞の上に横たわる単結晶部材を有する半導体構造およびそのためのプロセスInfo
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- JPH10335676A JPH10335676A JP10152078A JP15207898A JPH10335676A JP H10335676 A JPH10335676 A JP H10335676A JP 10152078 A JP10152078 A JP 10152078A JP 15207898 A JP15207898 A JP 15207898A JP H10335676 A JPH10335676 A JP H10335676A
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- G01P2015/0811—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0814—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for translational movement of the mass, e.g. shuttle type
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 横方向加速度検知に有用でありかつ基板の表
面のバルクシリコンに構築できる加速度計のようなセン
サを実現する。 【解決手段】 加速度計のようなセンサ１０を形成する
プロセスは半導体基板１２上にエピタキシャル層１４を
形成する段階、該エピタキシャル層の一部をパターニン
グして単結晶フィンガ２０，２２を提供する段階を含
む。前記フィンガはその幅４４の少なくとも２倍の高さ
４３を有する。前記プロセスはまた約１０：１より大き
なエピタキシャル層に関する半導体基板のエッチング選
択性を備えたエッチング剤を使用して前記フィンガの底
部面３８を露出するために前記フィンガの少なくとも一
部の下に空洞４０を形成する段階を含む。該空洞の底部
から前記部材の底部面への距離４２は約５ミクロンより
大きい。
面のバルクシリコンに構築できる加速度計のようなセン
サを実現する。 【解決手段】 加速度計のようなセンサ１０を形成する
プロセスは半導体基板１２上にエピタキシャル層１４を
形成する段階、該エピタキシャル層の一部をパターニン
グして単結晶フィンガ２０，２２を提供する段階を含
む。前記フィンガはその幅４４の少なくとも２倍の高さ
４３を有する。前記プロセスはまた約１０：１より大き
なエピタキシャル層に関する半導体基板のエッチング選
択性を備えたエッチング剤を使用して前記フィンガの底
部面３８を露出するために前記フィンガの少なくとも一
部の下に空洞４０を形成する段階を含む。該空洞の底部
から前記部材の底部面への距離４２は約５ミクロンより
大きい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的には、半導
体構造に関し、かつより特定的には、半導体基板の空洞
の上に横たわる単結晶部材を有する半導体構造およびそ
のためのプロセスに関する。
体構造に関し、かつより特定的には、半導体基板の空洞
の上に横たわる単結晶部材を有する半導体構造およびそ
のためのプロセスに関する。
【０００２】
【従来の技術】センサ装置、かつ特に加速度計（ａｃｃ
ｅｌｅｒｏｍｅｔｅｒｓ）、はしばしば該センサの一部
として微細構造ビーム（ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
ｂｅａｍ）または他の要素を使用する。加速度計の場
合には、前記微細構造は外部加速力に応じて運動する半
導体チップ上に配置された可動ビームまたは他の質量を
含む。この運動は前記チップ上のあるいは関連する制御
ダイ（ｄｉｅ）上の電子回路装置によって加速度の大き
さおよび方向に対応する電気信号に変換される。前記セ
ンサチップは典型的には、表面実装技術などによって、
プリント回路基板（ＰＣＢ）に実装される。
ｅｌｅｒｏｍｅｔｅｒｓ）、はしばしば該センサの一部
として微細構造ビーム（ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
ｂｅａｍ）または他の要素を使用する。加速度計の場
合には、前記微細構造は外部加速力に応じて運動する半
導体チップ上に配置された可動ビームまたは他の質量を
含む。この運動は前記チップ上のあるいは関連する制御
ダイ（ｄｉｅ）上の電子回路装置によって加速度の大き
さおよび方向に対応する電気信号に変換される。前記セ
ンサチップは典型的には、表面実装技術などによって、
プリント回路基板（ＰＣＢ）に実装される。
【０００３】いくつかの従来の加速度計はチップの表面
に対して垂直な方向で（すなわち、ｚ軸）加速度を測定
する。しかしながら、自動車におけるエアバッグ配備の
ための横方向加速度測定のような、いくつかの加速度測
定の用途に対しては、そのようなｚ軸のセンサチップは
ブラケットその他を使用してＰＣＢに対し垂直に実装さ
れなければならない。
に対して垂直な方向で（すなわち、ｚ軸）加速度を測定
する。しかしながら、自動車におけるエアバッグ配備の
ための横方向加速度測定のような、いくつかの加速度測
定の用途に対しては、そのようなｚ軸のセンサチップは
ブラケットその他を使用してＰＣＢに対し垂直に実装さ
れなければならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この形
式の実装はいくつかの不都合を有する。第１に、ブラケ
ットは必要とされるＰＣＢ対ＰＣＢ間隔の度合を増大し
かつチップを提供するのが高価になる。また、そのよう
なセンサチップは低い感度（すなわち、低ｇ加速度の用
途に適していない）および非常に低い信号対雑音比を有
する。
式の実装はいくつかの不都合を有する。第１に、ブラケ
ットは必要とされるＰＣＢ対ＰＣＢ間隔の度合を増大し
かつチップを提供するのが高価になる。また、そのよう
なセンサチップは低い感度（すなわち、低ｇ加速度の用
途に適していない）および非常に低い信号対雑音比を有
する。
【０００５】さらに、そのような従来の加速度計はチッ
プの面に平行な容量プレートを使用する。従って、例え
ば感度を増大するために、プレートの表面積が増大され
たとき、それに応じてプレートとチップの表面との間の
寄生容量の望ましくない増大がある。また、そのような
増大した表面積はチップの利用可能な表面積のより多く
を必要とする。
プの面に平行な容量プレートを使用する。従って、例え
ば感度を増大するために、プレートの表面積が増大され
たとき、それに応じてプレートとチップの表面との間の
寄生容量の望ましくない増大がある。また、そのような
増大した表面積はチップの利用可能な表面積のより多く
を必要とする。
【０００６】いくつかの現在の加速度計の不都合は検知
エレメントにポリシリコンまたは多結晶シリコンを使用
することである。多結晶シリコンはセンサの性能に悪影
響を与え得るクラックおよび残留応力を受けやすい。
エレメントにポリシリコンまたは多結晶シリコンを使用
することである。多結晶シリコンはセンサの性能に悪影
響を与え得るクラックおよび残留応力を受けやすい。
【０００７】従って、ブラケットを使用してＰＣＢ上に
垂直に実装する必要性なしに横方向加速度を測定できか
つまた改善された信号対雑音比と共に高いまたは低いｇ
の用途に適した加速度計をもつことが望ましい。また、
多結晶シリコンより安定な材料を使用して形成されかつ
寄生容量を大きく増大することなく感度を改善するため
に加速度計における容量プレートのサイズを増大できる
加速度計をもつことが望ましい。
垂直に実装する必要性なしに横方向加速度を測定できか
つまた改善された信号対雑音比と共に高いまたは低いｇ
の用途に適した加速度計をもつことが望ましい。また、
多結晶シリコンより安定な材料を使用して形成されかつ
寄生容量を大きく増大することなく感度を改善するため
に加速度計における容量プレートのサイズを増大できる
加速度計をもつことが望ましい。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の一態様では、半
導体構造（１０）を形成するためのプロセスが提供さ
れ、該プロセスは、半導体基板（１２）の上に横たわる
半導体層（１４）を形成する段階、前記半導体層（１
４）の一部をパターニングして単結晶部材（２０，２
２）を提供する段階、そして前記半導体層（１４）に関
する前記半導体基板（１２）に対するエッチング選択性
が約１０：１より大きなエッチング剤を使用して前記部
材の少なくとも一部の下に空洞（４０）を形成する段
階、を具備することを特徴とする。
導体構造（１０）を形成するためのプロセスが提供さ
れ、該プロセスは、半導体基板（１２）の上に横たわる
半導体層（１４）を形成する段階、前記半導体層（１
４）の一部をパターニングして単結晶部材（２０，２
２）を提供する段階、そして前記半導体層（１４）に関
する前記半導体基板（１２）に対するエッチング選択性
が約１０：１より大きなエッチング剤を使用して前記部
材の少なくとも一部の下に空洞（４０）を形成する段
階、を具備することを特徴とする。
【０００９】本発明の別の態様では、センサ（１０）を
形成するためのプロセスが提供され、該プロセスは、半
導体基板（１２）の上に横たわる半導体層（１４）を形
成する段階、前記半導体層（１４）の一部をパターニン
グして単結晶の第１の部材（２２）を提供する段階であ
って、該第１の部材はある高さ（４３）およびある幅
（４４）を有しかつ前記高さ（４３）は前記幅（４４）
の少なくとも２倍であるもの、そして前記半導体層（１
４）に関する前記半導体基板（１２）に対するエッチン
グ選択性が約１０：１より大きなエッチング剤を使用し
て前記第１の部材（２２）の底部面（３８）を露出する
ために前記第１の部材（２２）の少なくとも一部の下に
空洞（４０）を形成する段階であって、該空洞（４０）
は空洞表面を有しかつ前記底部面（３８）から前記空洞
表面への距離（４２）は約５ミクロンより大きいもの、
を具備することを特徴とする。
形成するためのプロセスが提供され、該プロセスは、半
導体基板（１２）の上に横たわる半導体層（１４）を形
成する段階、前記半導体層（１４）の一部をパターニン
グして単結晶の第１の部材（２２）を提供する段階であ
って、該第１の部材はある高さ（４３）およびある幅
（４４）を有しかつ前記高さ（４３）は前記幅（４４）
の少なくとも２倍であるもの、そして前記半導体層（１
４）に関する前記半導体基板（１２）に対するエッチン
グ選択性が約１０：１より大きなエッチング剤を使用し
て前記第１の部材（２２）の底部面（３８）を露出する
ために前記第１の部材（２２）の少なくとも一部の下に
空洞（４０）を形成する段階であって、該空洞（４０）
は空洞表面を有しかつ前記底部面（３８）から前記空洞
表面への距離（４２）は約５ミクロンより大きいもの、
を具備することを特徴とする。
【００１０】前記第１の部材（２２）は前記センサ（１
０）の容量のための静止フィンガを提供し、かつ前記パ
ターニングする段階は可動単結晶サイズモ質量（１８）
に接続された可動単結晶の第２の部材（２０）を提供す
る段階を含み前記第２の部材（２０）は前記第１の部材
（２２）に関して移動して可変容量を提供するもの、そ
して前記空洞（４０）を形成する段階は前記第２の部材
（２０）および前記サイズモ質量（１８）の下に横たわ
る前記空洞（４０）を形成することを特徴とする請求項
２に記載のセンサ（１０）を形成すると好都合である。
０）の容量のための静止フィンガを提供し、かつ前記パ
ターニングする段階は可動単結晶サイズモ質量（１８）
に接続された可動単結晶の第２の部材（２０）を提供す
る段階を含み前記第２の部材（２０）は前記第１の部材
（２２）に関して移動して可変容量を提供するもの、そ
して前記空洞（４０）を形成する段階は前記第２の部材
（２０）および前記サイズモ質量（１８）の下に横たわ
る前記空洞（４０）を形成することを特徴とする請求項
２に記載のセンサ（１０）を形成すると好都合である。
【００１１】本発明のさらに別の態様では、半導体構造
（１０）を形成するためのプロセスが提供され、該プロ
セスは、半導体基板（１２）の上に横たわる半導体層
（１４）を形成する段階、前記半導体層（１４）の一部
をパターニングして単結晶部材（２０，２２）を提供す
る段階、そして前記部材（２０，２２）の少なくとも一
部の下に空洞（４０）を形成して前記部材（２０，２
２）の底部面（３８）を露出する段階であって、前記空
洞（４０）は空洞表面を有しかつ前記底部面（３８）か
ら前記空洞表面への距離（４２）は約５ミクロンより大
きいもの、を具備することを特徴とする。
（１０）を形成するためのプロセスが提供され、該プロ
セスは、半導体基板（１２）の上に横たわる半導体層
（１４）を形成する段階、前記半導体層（１４）の一部
をパターニングして単結晶部材（２０，２２）を提供す
る段階、そして前記部材（２０，２２）の少なくとも一
部の下に空洞（４０）を形成して前記部材（２０，２
２）の底部面（３８）を露出する段階であって、前記空
洞（４０）は空洞表面を有しかつ前記底部面（３８）か
ら前記空洞表面への距離（４２）は約５ミクロンより大
きいもの、を具備することを特徴とする。
【００１２】本発明のさらに別の態様では、半導体構造
（１０）が提供され、該半導体構造は、半導体基板（１
２）の上に横たわる半導体層（１４）であって、該半導
体層（１４）の一部は単結晶部材（２０，２２）を提供
するもの、そして前記部材（２０，２２）の底部面（３
８）を露出する前記部材（２０，２２）の少なくとも一
部の下に配置された空洞（４０）であって、前記空洞
（４０）は空洞表面を有しかつ前記底部面（３８）から
前記空洞表面への距離（４２）は約５ミクロンより大き
いもの、を具備することを特徴とする。
（１０）が提供され、該半導体構造は、半導体基板（１
２）の上に横たわる半導体層（１４）であって、該半導
体層（１４）の一部は単結晶部材（２０，２２）を提供
するもの、そして前記部材（２０，２２）の底部面（３
８）を露出する前記部材（２０，２２）の少なくとも一
部の下に配置された空洞（４０）であって、前記空洞
（４０）は空洞表面を有しかつ前記底部面（３８）から
前記空洞表面への距離（４２）は約５ミクロンより大き
いもの、を具備することを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の１実施形態に係
わる加速度計または半導体構造１０の頭部平面図であ
る。ここでは加速度計が示されているが、本発明は一般
に半導体構造に適用することができかつ化学センサを含
む数多くの形式のセンサのためにかつさらに単結晶また
はバルク半導体微細構造を使用した他の形式の半導体装
置のためにも使用できることが理解されるべきである。
わる加速度計または半導体構造１０の頭部平面図であ
る。ここでは加速度計が示されているが、本発明は一般
に半導体構造に適用することができかつ化学センサを含
む数多くの形式のセンサのためにかつさらに単結晶また
はバルク半導体微細構造を使用した他の形式の半導体装
置のためにも使用できることが理解されるべきである。
【００１４】加速度計１０は加速力に応じて運動を行う
可動サイズモ質量または震動質量（ｓｅｉｓｍｉｃ ｍ
ａｓｓ）１８を有する。可動部材またはフィンガまたは
ビーム２０がマス１０に接続されかつそれと共に２つの
固定または静止部材またはフィンガ２２の間で移動し加
速度に応じて変化する可変差動容量を提供する。サイズ
モ質量１８は半導体基板１２の表面に関して横方向に移
動しまたは運動しかつばね２４により単結晶半導体また
はエピタキシャル層１４の主要部分（ｍａｊｏｒ ｐｏ
ｒｔｉｏｎ）に接続されている。部材２０および２２
は、ばね２４と共に、以下に説明するように始めに形成
された半導体層１４の部分から形成される。この実施形
態では、半導体層１４は基板１２上に形成されたエピタ
キシャル層である。
可動サイズモ質量または震動質量（ｓｅｉｓｍｉｃ ｍ
ａｓｓ）１８を有する。可動部材またはフィンガまたは
ビーム２０がマス１０に接続されかつそれと共に２つの
固定または静止部材またはフィンガ２２の間で移動し加
速度に応じて変化する可変差動容量を提供する。サイズ
モ質量１８は半導体基板１２の表面に関して横方向に移
動しまたは運動しかつばね２４により単結晶半導体また
はエピタキシャル層１４の主要部分（ｍａｊｏｒ ｐｏ
ｒｔｉｏｎ）に接続されている。部材２０および２２
は、ばね２４と共に、以下に説明するように始めに形成
された半導体層１４の部分から形成される。この実施形
態では、半導体層１４は基板１２上に形成されたエピタ
キシャル層である。
【００１５】半導体基板１２は、例えば、シリコンであ
るが、他の半導体材料も他の実施形態においては使用す
ることができる。静止部材２２は、下部酸化物層２８の
上に着座する、多結晶部分１６に接続されまたは実装さ
れている。再充填またはレフィル酸化物層（ｒｅｆｉｌ
ｌ ｏｘｉｄｅ ｌａｙｅｒ）および金属層は図示を容
易にするため図１では示されていないが、後の図には示
されていることに注目すべきである。トレンチ３０が多
結晶部分１６をエピタキシャル層１４の主要部から分離
している。トレンチ３０および下部酸化物層２８が部材
２２を電気的に分離または隔離し、かつ部材２２への電
気的接続は後に説明するように多結晶部分１６へのパタ
ーニングされた金属層からのコンタクトによって達成さ
れる。
るが、他の半導体材料も他の実施形態においては使用す
ることができる。静止部材２２は、下部酸化物層２８の
上に着座する、多結晶部分１６に接続されまたは実装さ
れている。再充填またはレフィル酸化物層（ｒｅｆｉｌ
ｌ ｏｘｉｄｅ ｌａｙｅｒ）および金属層は図示を容
易にするため図１では示されていないが、後の図には示
されていることに注目すべきである。トレンチ３０が多
結晶部分１６をエピタキシャル層１４の主要部から分離
している。トレンチ３０および下部酸化物層２８が部材
２２を電気的に分離または隔離し、かつ部材２２への電
気的接続は後に説明するように多結晶部分１６へのパタ
ーニングされた金属層からのコンタクトによって達成さ
れる。
【００１６】サイズモ質量１８はその中に多くの穴また
はホール２６を有し、かつそれらはサイズモ質量１８お
よび部材２０および２２の下の空洞を形成するために後
に説明する解放または解離エッチング（ｒｅｌｅａｓｅ
ｅｔｃｈ）の間に使用される。ホール２６はエッチン
グ化学剤がより容易に下の空洞を形成できるようにす
る。サイズモ質量１８および部材２０および２２は後に
さらに説明される形成プロセスにより単結晶とされる。
はホール２６を有し、かつそれらはサイズモ質量１８お
よび部材２０および２２の下の空洞を形成するために後
に説明する解放または解離エッチング（ｒｅｌｅａｓｅ
ｅｔｃｈ）の間に使用される。ホール２６はエッチン
グ化学剤がより容易に下の空洞を形成できるようにす
る。サイズモ質量１８および部材２０および２２は後に
さらに説明される形成プロセスにより単結晶とされる。
【００１７】図２〜図６は図１の加速度計の断面図であ
る。特に図２を参照すると、再充填またはレフィル酸化
物層（ｒｅｆｉｌｌ ｏｘｉｄｅ ｌａｙｅｒ）３２が
エピタキシャル層１４、多結晶部分１６、および静止部
材２２の一部の上に横たわって示されている。金属層３
４は、以下に説明するプロセスの結果として高ドープさ
れる（ｈｅａｖｉｌｙ−ｄｏｐｅｄ）、多結晶部分１６
へのオーミックコンタクトを生成する。金属層３４は半
導体基板１２の他の部分の上に形成された電子回路また
はトランジスタ回路ブロック（好ましい実施形態では相
補ｐおよびｎ型トランジスタを含む）からの電気的信号
経路を提供するために使用される。同じ手法が他のセン
サ部材への電気的経路を提供するために使用される。
る。特に図２を参照すると、再充填またはレフィル酸化
物層（ｒｅｆｉｌｌ ｏｘｉｄｅ ｌａｙｅｒ）３２が
エピタキシャル層１４、多結晶部分１６、および静止部
材２２の一部の上に横たわって示されている。金属層３
４は、以下に説明するプロセスの結果として高ドープさ
れる（ｈｅａｖｉｌｙ−ｄｏｐｅｄ）、多結晶部分１６
へのオーミックコンタクトを生成する。金属層３４は半
導体基板１２の他の部分の上に形成された電子回路また
はトランジスタ回路ブロック（好ましい実施形態では相
補ｐおよびｎ型トランジスタを含む）からの電気的信号
経路を提供するために使用される。同じ手法が他のセン
サ部材への電気的経路を提供するために使用される。
【００１８】この実施形態では、エピタキシャル層１４
が基板１２上に形成されかつ後に説明するように図１の
センサ構造を提供するためにパターニングされる。空洞
４０が部材２２の下に横たわって形成されかつ部材２２
の底部面３８から空洞表面３６へと測定されたギャップ
寸法４２によってほぼ特徴付けられる。ギャップ寸法４
２は一般に約５ミクロンより大きく、かつ以下に説明す
るプロセスに従って約５０〜１００ミクロンほどの大き
さとすることができる。そのような大きなギャップ寸法
４２は部材２２と基板１２との間のその寄生容量の低減
のため従来のセンサに対して大きな改善を与えることが
理解されるべきである。
が基板１２上に形成されかつ後に説明するように図１の
センサ構造を提供するためにパターニングされる。空洞
４０が部材２２の下に横たわって形成されかつ部材２２
の底部面３８から空洞表面３６へと測定されたギャップ
寸法４２によってほぼ特徴付けられる。ギャップ寸法４
２は一般に約５ミクロンより大きく、かつ以下に説明す
るプロセスに従って約５０〜１００ミクロンほどの大き
さとすることができる。そのような大きなギャップ寸法
４２は部材２２と基板１２との間のその寄生容量の低減
のため従来のセンサに対して大きな改善を与えることが
理解されるべきである。
【００１９】図３は、部材またはフィンガ２２または２
０の高さ４３および幅４４を示す。一般に、高さ４３は
約５〜２００ミクロンでありかつより好ましくは約５〜
２５ミクロンである。以下に説明する本発明の方法によ
れば、部材２０または２２の幅に対する高さの比率はほ
ぼ２：１より大きい（すなわち、部材の高さがその幅の
少なくとも２倍）。より特定的には、本発明は約１０
０：１までにおよぶ高さ：幅比率を提供できる。これに
対し、従来のセンサにおける微細構造は典型的には、こ
れらの従来のセンサと共に使用される形成プロセスの制
限のため、３：１またはそれより小さい高さ：幅比率を
有する。
０の高さ４３および幅４４を示す。一般に、高さ４３は
約５〜２００ミクロンでありかつより好ましくは約５〜
２５ミクロンである。以下に説明する本発明の方法によ
れば、部材２０または２２の幅に対する高さの比率はほ
ぼ２：１より大きい（すなわち、部材の高さがその幅の
少なくとも２倍）。より特定的には、本発明は約１０
０：１までにおよぶ高さ：幅比率を提供できる。これに
対し、従来のセンサにおける微細構造は典型的には、こ
れらの従来のセンサと共に使用される形成プロセスの制
限のため、３：１またはそれより小さい高さ：幅比率を
有する。
【００２０】本発明の大きい高さ：幅部材比率（すなわ
ち、アスペクト比）の大きな利点は、例えば、容量セン
サ装置において、容量構造において使用される部材のサ
イズまたは容量表面積が寄生容量の対応する劇的な増大
なしに劇的に増大できることである。これは部材の底部
面３８のみがアスペクト比が増大した場合に基板の空洞
表面３６に平行なためである。これは、ｚ軸加速度計の
場合のように、その広がりの大部分が基板表面に平行な
容量プレートを有する従来のセンサと異なる。そのよう
な場合、プレート面積の増大は基板に平行なプレート面
積を増大させ、対応して寄生容量の大きな増大を伴う。
ち、アスペクト比）の大きな利点は、例えば、容量セン
サ装置において、容量構造において使用される部材のサ
イズまたは容量表面積が寄生容量の対応する劇的な増大
なしに劇的に増大できることである。これは部材の底部
面３８のみがアスペクト比が増大した場合に基板の空洞
表面３６に平行なためである。これは、ｚ軸加速度計の
場合のように、その広がりの大部分が基板表面に平行な
容量プレートを有する従来のセンサと異なる。そのよう
な場合、プレート面積の増大は基板に平行なプレート面
積を増大させ、対応して寄生容量の大きな増大を伴う。
【００２１】図４において、２つの別個の金属ラインが
パターニングされた金属層３４の部分として示されてい
る。各々の金属ラインは静止部材３２（図２を参照）へ
の電気的接続を提供する。下部酸化物層２８が完全に両
方の多結晶部分１６の下にかつ基板１２の上に直接延在
している。
パターニングされた金属層３４の部分として示されてい
る。各々の金属ラインは静止部材３２（図２を参照）へ
の電気的接続を提供する。下部酸化物層２８が完全に両
方の多結晶部分１６の下にかつ基板１２の上に直接延在
している。
【００２２】図５を参照すると、ばね２４がエピタキシ
ャル層１４の直前に（ｐｒｏｘｉｍａｔｅ ｔｏ）示さ
れている。サイズモ質量１８（図１を参照）の予期され
る運動の全動作範囲に対してばね２４とエピタキシャル
層１４との間に十分なクリアランスが与えられている。
レフィル酸化物層３２がエピタキシャル層１４の一部の
上に延在している。
ャル層１４の直前に（ｐｒｏｘｉｍａｔｅ ｔｏ）示さ
れている。サイズモ質量１８（図１を参照）の予期され
る運動の全動作範囲に対してばね２４とエピタキシャル
層１４との間に十分なクリアランスが与えられている。
レフィル酸化物層３２がエピタキシャル層１４の一部の
上に延在している。
【００２３】空洞４０は、すべてのばね２４、サイズモ
質量１８、および部材２０および２２の下を含む、基板
１２の表面の大きな部分にわたり延在することが注目さ
れるべきである。また、サイズモ質量１８の対向側に２
つの組の固定および静止部材のみが示されているが、典
型的な加速度計では、いくつかのそのような組を各側に
使用することができる。
質量１８、および部材２０および２２の下を含む、基板
１２の表面の大きな部分にわたり延在することが注目さ
れるべきである。また、サイズモ質量１８の対向側に２
つの組の固定および静止部材のみが示されているが、典
型的な加速度計では、いくつかのそのような組を各側に
使用することができる。
【００２４】図６は、空洞４０の上につるされた（ｓｕ
ｓｐｅｎｄｅｄ）サイズモ質量１８を示す。ホール２６
は以下に説明するように解除エッチング化学剤が通過す
るようにサイズモ質量１８を完全に貫通して延在してい
る。検知の間に、サイズモ質量１８は実質的に基板１２
に平行に移動する。
ｓｐｅｎｄｅｄ）サイズモ質量１８を示す。ホール２６
は以下に説明するように解除エッチング化学剤が通過す
るようにサイズモ質量１８を完全に貫通して延在してい
る。検知の間に、サイズモ質量１８は実質的に基板１２
に平行に移動する。
【００２５】図７〜図１０は、図１に示されるかつより
特定的には図２の断面図に示された最終構造に対応する
加速度計の形成における引き続くステップを示す断面図
である。図７によって説明を開始すると、好ましくは＜
１００＞結晶学的方位を備えたシリコンの半導体基板１
２が選択される。酸化物層が、例えば、伝統的な熱酸化
により約０．５〜１ミクロンの厚さまで基板１２の上に
形成されかつ次に伝統的な方法でパターニングされて下
部酸化物層２８を提供する。次に、半導体層１４が、好
ましくはエピタキシャル層が、例えば、伝統的な単結晶
エピタキシャル層形成工程を使用して基板１２の上に形
成される。形成されたエピタキシャル層の厚さは約５〜
２００ミクロンであり、かつより好ましくは約５〜２５
ミクロンであり、かつ一般的には部材２０および２２に
対して望まれる最終的な高さ４３に対応する。
特定的には図２の断面図に示された最終構造に対応する
加速度計の形成における引き続くステップを示す断面図
である。図７によって説明を開始すると、好ましくは＜
１００＞結晶学的方位を備えたシリコンの半導体基板１
２が選択される。酸化物層が、例えば、伝統的な熱酸化
により約０．５〜１ミクロンの厚さまで基板１２の上に
形成されかつ次に伝統的な方法でパターニングされて下
部酸化物層２８を提供する。次に、半導体層１４が、好
ましくはエピタキシャル層が、例えば、伝統的な単結晶
エピタキシャル層形成工程を使用して基板１２の上に形
成される。形成されたエピタキシャル層の厚さは約５〜
２００ミクロンであり、かつより好ましくは約５〜２５
ミクロンであり、かつ一般的には部材２０および２２に
対して望まれる最終的な高さ４３に対応する。
【００２６】下部酸化物層２８の上に形成されるエピタ
キシャル層の部分は、知られているように、本来多結晶
として形成されかつ従って多結晶領域４６（これは後に
エッチングされて多結晶部分１６を提供する）を提供す
る。
キシャル層の部分は、知られているように、本来多結晶
として形成されかつ従って多結晶領域４６（これは後に
エッチングされて多結晶部分１６を提供する）を提供す
る。
【００２７】一般に、基板１２はｐまたはｎ型としてド
ーピングすることができる。しかしながら、基板１２お
よびエピタキシャル層１４の双方に対するドーピング型
および濃度はある程度、後に詳細に説明するように、使
用されるべき特定の空洞形成プロセスに依存する。
ーピングすることができる。しかしながら、基板１２お
よびエピタキシャル層１４の双方に対するドーピング型
および濃度はある程度、後に詳細に説明するように、使
用されるべき特定の空洞形成プロセスに依存する。
【００２８】図８においては、トレンチ３０が、例え
ば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって形成さ
れる。また、図８には示されていないが、好ましくは同
じエッチング工程で、サイズモ質量１８、ばね２４、お
よび部材２０および２２を含む図１に示される他の構造
のすべてがパターニングされる。トレンチ３０に対する
エッチングは酸化物層２８上で停止するが、他のセンサ
構造をパターニングするためのエッチングは基板１２ま
で下に伸びることに注目すべきである。これらの他の構
造のためのエッチングの深さを制御するために計時エッ
チング（ｔｉｍｅｄ ｅｔｃｈ）が使用される。トレン
チ３０は、例えば、約１〜２ミクロンの幅である。
ば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって形成さ
れる。また、図８には示されていないが、好ましくは同
じエッチング工程で、サイズモ質量１８、ばね２４、お
よび部材２０および２２を含む図１に示される他の構造
のすべてがパターニングされる。トレンチ３０に対する
エッチングは酸化物層２８上で停止するが、他のセンサ
構造をパターニングするためのエッチングは基板１２ま
で下に伸びることに注目すべきである。これらの他の構
造のためのエッチングの深さを制御するために計時エッ
チング（ｔｉｍｅｄ ｅｔｃｈ）が使用される。トレン
チ３０は、例えば、約１〜２ミクロンの幅である。
【００２９】図９は、部材２２の下の空洞４０の形成を
示す。一般に、空洞４０はセンサの可動部分の自由な運
動を可能にするため基板１２から十分な材料を除去する
エッチング（しばしば解放エッチング（ｒｅｌｅａｓｅ
ｅｔｃｈ）と称される）によって形成される。この解
放エッチングのために使用されるエッチング剤（ｅｔｃ
ｈａｎｔ）はホール２６を通過しエッチングの一様性を
改善する。後に説明するように、空洞４０を形成するた
めに使用できるいくつかの処理の選択肢がある。しかし
ながら、当業者は以下に説明しない他の伝統的な代替処
理も、もし以下に説明するセンサの構造的特性と適合す
れば、空洞４０を形成するために使用できることを認識
するであろう。
示す。一般に、空洞４０はセンサの可動部分の自由な運
動を可能にするため基板１２から十分な材料を除去する
エッチング（しばしば解放エッチング（ｒｅｌｅａｓｅ
ｅｔｃｈ）と称される）によって形成される。この解
放エッチングのために使用されるエッチング剤（ｅｔｃ
ｈａｎｔ）はホール２６を通過しエッチングの一様性を
改善する。後に説明するように、空洞４０を形成するた
めに使用できるいくつかの処理の選択肢がある。しかし
ながら、当業者は以下に説明しない他の伝統的な代替処
理も、もし以下に説明するセンサの構造的特性と適合す
れば、空洞４０を形成するために使用できることを認識
するであろう。
【００３０】一般に、空洞４０は約５ミクロンより大き
いギャップ寸法４２を提供するために十分な深さまでエ
ッチングされる。ギャップ寸法４２はより典型的には約
１〜５０ミクロンの間におよび、かつより好ましくは約
１〜２０ミクロンである。また、好ましい手法によれ
ば、部材２２の頭部面２１は直接エッチング剤に露出さ
れて空洞４０を形成する。これは解放エッチングの前に
部材上に非単結晶材料の層が形成されるいくつかの従来
の手法と対比されるものである。
いギャップ寸法４２を提供するために十分な深さまでエ
ッチングされる。ギャップ寸法４２はより典型的には約
１〜５０ミクロンの間におよび、かつより好ましくは約
１〜２０ミクロンである。また、好ましい手法によれ
ば、部材２２の頭部面２１は直接エッチング剤に露出さ
れて空洞４０を形成する。これは解放エッチングの前に
部材上に非単結晶材料の層が形成されるいくつかの従来
の手法と対比されるものである。
【００３１】以下に説明するように、基板１２およびエ
ピタキシャル層１４は一般に高いエッチング選択性が達
成できるようにドーピングされる。また、以下に述べる
大部分の場合に、基板および半導体層は反対の導電型を
有するようドーピングされる。解放エッチングの間に使
用されるエッチング剤のエッチング選択性は一般にエピ
タキシャル層１４に対して基板１２の選択性が約１０：
１より大きくなりかつより好ましくは約５０：１より大
きくされる。いっそう大きな選択性も以下に述べるよう
に可能である。
ピタキシャル層１４は一般に高いエッチング選択性が達
成できるようにドーピングされる。また、以下に述べる
大部分の場合に、基板および半導体層は反対の導電型を
有するようドーピングされる。解放エッチングの間に使
用されるエッチング剤のエッチング選択性は一般にエピ
タキシャル層１４に対して基板１２の選択性が約１０：
１より大きくなりかつより好ましくは約５０：１より大
きくされる。いっそう大きな選択性も以下に述べるよう
に可能である。
【００３２】この高いエッチング選択性（ｅｔｃｈ ｓ
ｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）は従来の微細構造プロセスより
も重要な利点となり、それはこれによって相対的に大き
な高さおよび高いアスペクト比の容量フィンガの形成が
可能になるためである。そのような大きな高さおよび高
いアスペクト比は大きな信号対雑音比およびセンサのた
めのより大きな容量を可能にする（従って、より低いま
たはより小さい加速力が測定できる）。
ｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）は従来の微細構造プロセスより
も重要な利点となり、それはこれによって相対的に大き
な高さおよび高いアスペクト比の容量フィンガの形成が
可能になるためである。そのような大きな高さおよび高
いアスペクト比は大きな信号対雑音比およびセンサのた
めのより大きな容量を可能にする（従って、より低いま
たはより小さい加速力が測定できる）。
【００３３】＜工程オプション１：バイアスなしの選択
的エッチング＞第１の空洞エッチング手法においては、
空洞４０は硝酸およびフッ化水素酸（ＨＦ）（ｎｉｔｒ
ｉｃ ａｎｄ ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｉｃ ａｃｉｄ）
の水との混合物によって形成されるエッチング剤による
エッチングによって形成される。好ましくは、前記混合
物に酢酸（ａｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ）のような有機酸も
与えられる。好ましい混合比は容積で酢酸：硝酸：ＨＦ
につき約８：３：１である。そのような好ましい混合物
は、例えば、約セ氏２５度の温度で空洞４０をエッチン
グするのに適しており、この場合基板におけるシリコン
のエッチング速度は毎分約１ミクロンである。
的エッチング＞第１の空洞エッチング手法においては、
空洞４０は硝酸およびフッ化水素酸（ＨＦ）（ｎｉｔｒ
ｉｃ ａｎｄ ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｉｃ ａｃｉｄ）
の水との混合物によって形成されるエッチング剤による
エッチングによって形成される。好ましくは、前記混合
物に酢酸（ａｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ）のような有機酸も
与えられる。好ましい混合比は容積で酢酸：硝酸：ＨＦ
につき約８：３：１である。そのような好ましい混合物
は、例えば、約セ氏２５度の温度で空洞４０をエッチン
グするのに適しており、この場合基板におけるシリコン
のエッチング速度は毎分約１ミクロンである。
【００３４】前記エッチング剤はエピタキシャル層に関
して基板につき約１００：１の選択性を達成することが
できる。この選択性は基板１２を好ましくは約１Ｅ１８
原子／立方センチメートル（アトム／ｃｍ３）より大き
な高いドーパント濃度（ｐまたはｎ型の）を有するよう
ドーピングすることによって達成される。半導体層１４
は基板１２のものと反対導電型にドーピングされて好ま
しくは約１Ｅ１６アトム／ｃｍ３より小さなドーパント
濃度をもつようにされる。
して基板につき約１００：１の選択性を達成することが
できる。この選択性は基板１２を好ましくは約１Ｅ１８
原子／立方センチメートル（アトム／ｃｍ３）より大き
な高いドーパント濃度（ｐまたはｎ型の）を有するよう
ドーピングすることによって達成される。半導体層１４
は基板１２のものと反対導電型にドーピングされて好ま
しくは約１Ｅ１６アトム／ｃｍ３より小さなドーパント
濃度をもつようにされる。
【００３５】上に述べたドーパント濃度はここで説明さ
れたエッチング選択性を可能にする。基板のドーピング
は好ましくはウエーハ製造からイントリンシックドーピ
ングされた（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃａｌｌｙ ｄｏｐｅ
ｄ）材料で開始することにより達成される。前記半導体
層のドーピングは、例えば、エピタキシャル層形成の間
にイントリンシック・インシトゥドーピング（ｉｎｔｒ
ｉｎｓｉｃ ｉｎ−ｓｉｔｕ ｄｏｐｉｎｇ）によって
行われる。しかしながら、基板およびエピタキシャル層
のドーピングはまた他の伝統的な方法で行うこともでき
る。
れたエッチング選択性を可能にする。基板のドーピング
は好ましくはウエーハ製造からイントリンシックドーピ
ングされた（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃａｌｌｙ ｄｏｐｅ
ｄ）材料で開始することにより達成される。前記半導体
層のドーピングは、例えば、エピタキシャル層形成の間
にイントリンシック・インシトゥドーピング（ｉｎｔｒ
ｉｎｓｉｃ ｉｎ−ｓｉｔｕ ｄｏｐｉｎｇ）によって
行われる。しかしながら、基板およびエピタキシャル層
のドーピングはまた他の伝統的な方法で行うこともでき
る。
【００３６】＜工程オプション２：電気化学的エッチン
グ＞この工程オプションに対しては、基板１２は約１Ｅ
１８アトム／ｃｍ３より大きなドーパント濃度をもつよ
う強くドーピングされかつｐまたはｎ型ドーピングする
ことができる。エピタキシャル層１４は、たとえドーパ
ントの導電型が基板１２をドーピングするために使用さ
れたものと同じであっても、ｐまたはｎ型にドーピング
できるが、ドーパント濃度は約１Ｅ１６アトム／ｃｍ３
より小さくすべきである。適切なエッチング剤はＨＦで
あり、かつ基板１２はエッチングの間にエッチング剤溶
液の電位に関して、例えば、約１〜１０ボルト（Ｖ）に
電気的にバイアスされる。前記ＨＦは、例えば、重量で
５パーセントＨＦの水溶液でありかつエッチングは約セ
氏２５度で行うことができる。
グ＞この工程オプションに対しては、基板１２は約１Ｅ
１８アトム／ｃｍ３より大きなドーパント濃度をもつよ
う強くドーピングされかつｐまたはｎ型ドーピングする
ことができる。エピタキシャル層１４は、たとえドーパ
ントの導電型が基板１２をドーピングするために使用さ
れたものと同じであっても、ｐまたはｎ型にドーピング
できるが、ドーパント濃度は約１Ｅ１６アトム／ｃｍ３
より小さくすべきである。適切なエッチング剤はＨＦで
あり、かつ基板１２はエッチングの間にエッチング剤溶
液の電位に関して、例えば、約１〜１０ボルト（Ｖ）に
電気的にバイアスされる。前記ＨＦは、例えば、重量で
５パーセントＨＦの水溶液でありかつエッチングは約セ
氏２５度で行うことができる。
【００３７】ここではＨＦが説明されているが、他のエ
ッチング剤もまたこの電気化学的エッチングのために使
用できる。この工程オプションに対しては、エッチング
選択性は概略的に約３００：１より大きくかつ典型的に
は約３００：１〜１，０００：１になるものと期待され
る。（基板：エピタキシャル層）。また、基板のバイア
スは伝統的な背面ウエーハコンタクトによって行うこと
ができる。
ッチング剤もまたこの電気化学的エッチングのために使
用できる。この工程オプションに対しては、エッチング
選択性は概略的に約３００：１より大きくかつ典型的に
は約３００：１〜１，０００：１になるものと期待され
る。（基板：エピタキシャル層）。また、基板のバイア
スは伝統的な背面ウエーハコンタクトによって行うこと
ができる。
【００３８】＜工程オプション３：ＴＭＡＨエッチング
＞ここでは、基板１２はｐ型ドーパントによって強く
（ｈｅａｖｉｌｙ）または弱く（ｌｉｇｈｔｌｙ）ドー
ピングされる。もしセンサが相補金属酸化物半導体（Ｃ
ＭＯＳ）装置を備えたチップ上に集積される場合はこの
工程オプションにおいてはｐ型ドーパントが基板１２の
ドーピングのために使用されるのが好ましく（後により
詳細に説明する）、しかしながらそうでない場合はｎ型
ドーパントを。使用できることに注目すべきである。エ
ピタキシャル層１４はｎ型ドーパントを使用して約１Ｅ
１６アトム／ｃｍ３より低いドーパント濃度を有するよ
うドーピングされる。サイズモ質量１８およびすべての
部材２０および２２を含む微細構造はエッチングの間
に、例えば、約１〜１０Ｖだけエッチング剤溶液に対し
て電気的にバイアスされる。エッチング剤は、例えば、
２０パーセント重量の水溶液のテトラメチルアンモニウ
ム水酸化物（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ
ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ：ＴＭＡＨ）であり、かつエッチ
ングは、例えば、約セ氏９０度の温度でバイアスの間に
行われる。エッチング選択性は一般に約３００：１より
大きくかつ典型的には約３００：１〜１，０００：１で
あることが予期される。一般に、このエッチングの間
に、上に述べたように電気的にバイアスされる材料は実
質的にエッチングされない状態に留まる。
＞ここでは、基板１２はｐ型ドーパントによって強く
（ｈｅａｖｉｌｙ）または弱く（ｌｉｇｈｔｌｙ）ドー
ピングされる。もしセンサが相補金属酸化物半導体（Ｃ
ＭＯＳ）装置を備えたチップ上に集積される場合はこの
工程オプションにおいてはｐ型ドーパントが基板１２の
ドーピングのために使用されるのが好ましく（後により
詳細に説明する）、しかしながらそうでない場合はｎ型
ドーパントを。使用できることに注目すべきである。エ
ピタキシャル層１４はｎ型ドーパントを使用して約１Ｅ
１６アトム／ｃｍ３より低いドーパント濃度を有するよ
うドーピングされる。サイズモ質量１８およびすべての
部材２０および２２を含む微細構造はエッチングの間
に、例えば、約１〜１０Ｖだけエッチング剤溶液に対し
て電気的にバイアスされる。エッチング剤は、例えば、
２０パーセント重量の水溶液のテトラメチルアンモニウ
ム水酸化物（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ
ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ：ＴＭＡＨ）であり、かつエッチ
ングは、例えば、約セ氏９０度の温度でバイアスの間に
行われる。エッチング選択性は一般に約３００：１より
大きくかつ典型的には約３００：１〜１，０００：１で
あることが予期される。一般に、このエッチングの間
に、上に述べたように電気的にバイアスされる材料は実
質的にエッチングされない状態に留まる。
【００３９】前記パターニングされた微細構造のバイア
スは１つの手法では前記微細構造のすべての部分をおお
うブランケットシリサイドおよび金属被着またはデポジ
ションを行うことによって達成できる。前記バイアスが
次にエッチングの間にブランケット層に供給される。前
記シリサイドおよび金属層は解放エッチングの後に除去
される。
スは１つの手法では前記微細構造のすべての部分をおお
うブランケットシリサイドおよび金属被着またはデポジ
ションを行うことによって達成できる。前記バイアスが
次にエッチングの間にブランケット層に供給される。前
記シリサイドおよび金属層は解放エッチングの後に除去
される。
【００４０】＜工程オプション４：多孔性シリコンエッ
チング＞この工程オプションにおいては、基板１２に多
孔性シリコン層（ｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎ ｌａｙ
ｅｒ）が形成され、酸化され、かつ次にエッチングされ
て空洞４０を提供する。多孔性シリコンの形成は技術的
に知られておりかつ「犠牲層としての多孔性シリコンの
付加（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｐｏｒｏｕｓ
Ｓｉｌｉｃｏｎ ａｓ ａ Ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ
Ｌａｙｅｒ）」、ダブリュ・ラング（Ｗ．Ｌａｎｇ）
他、ソリッドステートセンサおよびアクチュエイタに関
する第７回国際会議、技術論文の要約、トランスデュー
サ、１９９３年６月７〜１０日、パシフィコ横浜、日
本、ｐｐ．２０２〜２０３、参照のためここに導入、に
概略的に記載されている。
チング＞この工程オプションにおいては、基板１２に多
孔性シリコン層（ｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎ ｌａｙ
ｅｒ）が形成され、酸化され、かつ次にエッチングされ
て空洞４０を提供する。多孔性シリコンの形成は技術的
に知られておりかつ「犠牲層としての多孔性シリコンの
付加（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｐｏｒｏｕｓ
Ｓｉｌｉｃｏｎ ａｓ ａ Ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ
Ｌａｙｅｒ）」、ダブリュ・ラング（Ｗ．Ｌａｎｇ）
他、ソリッドステートセンサおよびアクチュエイタに関
する第７回国際会議、技術論文の要約、トランスデュー
サ、１９９３年６月７〜１０日、パシフィコ横浜、日
本、ｐｐ．２０２〜２０３、参照のためここに導入、に
概略的に記載されている。
【００４１】図１１〜図１３は、この多孔性シリコン工
程オプションに係わる図１の加速度計の形成における引
き続くステップを示す断面図である。これらの図は特に
図３に示された最終構造に対応する。図１１において、
エピタキシャル層１４が基板１２の上に形成されてい
る。しかしながら、この処理のオプションにおいては、
処理のこの時点では下部酸化物層２８は上の場合のよう
には存在しない。その結果、エピタキシャル層１４（お
よびこの実施形態においては最終的なセンサ構造）は多
結晶領域または部分を含まない。従って、図１の多結晶
部分１６はこの実施形態においては単結晶部分であろ
う。
程オプションに係わる図１の加速度計の形成における引
き続くステップを示す断面図である。これらの図は特に
図３に示された最終構造に対応する。図１１において、
エピタキシャル層１４が基板１２の上に形成されてい
る。しかしながら、この処理のオプションにおいては、
処理のこの時点では下部酸化物層２８は上の場合のよう
には存在しない。その結果、エピタキシャル層１４（お
よびこの実施形態においては最終的なセンサ構造）は多
結晶領域または部分を含まない。従って、図１の多結晶
部分１６はこの実施形態においては単結晶部分であろ
う。
【００４２】図１２において、部材２０および２２なら
びに微細構造の残りが、例えば、ＲＩＥによってパター
ニングされている。また、多孔性シリコンの形成のため
の準備において、タングステンシリサイド（ｔｕｎｇｓ
ｔｅｎ ｓｉｌｉｃｉｄｅ）のような背面コンタクトが
基板１２上に形成される。
びに微細構造の残りが、例えば、ＲＩＥによってパター
ニングされている。また、多孔性シリコンの形成のため
の準備において、タングステンシリサイド（ｔｕｎｇｓ
ｔｅｎ ｓｉｌｉｃｉｄｅ）のような背面コンタクトが
基板１２上に形成される。
【００４３】図１３を参照すると、多孔性シリコン層５
２が伝統的な多孔性シリコン技術を使用して形成され
る。多孔性シリコン層５２は、例えば、約５ミクロンの
厚さを有する。この厚さは、以下の説明から分かるよう
に、後に下部酸化物層２８の最終的な厚さに対応するこ
とになることが注目されるべきである。多孔性シリコン
層５２は、例えば、背面コンタクト５０を使用して約１
〜１０Ｖだけエッチング剤溶液に対して基板１２を電気
的にバイアスすることにより形成される。エッチング溶
液は基板１２の表面と化学的に反応することにより多孔
性シリコン層５２を形成しかつ約セ氏２５度の温度で使
用される５重量パーセントのＨＦ溶液とすることができ
る。また、背面コンタクト５０は他の処理オプションに
従ってバイアスを行うための有用な手法でもあることに
注目すべきである。
２が伝統的な多孔性シリコン技術を使用して形成され
る。多孔性シリコン層５２は、例えば、約５ミクロンの
厚さを有する。この厚さは、以下の説明から分かるよう
に、後に下部酸化物層２８の最終的な厚さに対応するこ
とになることが注目されるべきである。多孔性シリコン
層５２は、例えば、背面コンタクト５０を使用して約１
〜１０Ｖだけエッチング剤溶液に対して基板１２を電気
的にバイアスすることにより形成される。エッチング溶
液は基板１２の表面と化学的に反応することにより多孔
性シリコン層５２を形成しかつ約セ氏２５度の温度で使
用される５重量パーセントのＨＦ溶液とすることができ
る。また、背面コンタクト５０は他の処理オプションに
従ってバイアスを行うための有用な手法でもあることに
注目すべきである。
【００４４】上述のようにして多孔性シリコン層５２が
形成された後、それは例えば、約２時間の間約セ氏１，
０００度で酸素雰囲気中で熱酸化される。結果として層
５２のシリコン酸化物層への実質的な変換が生じ、それ
は酸素が急速に多孔性シリコンにわたり拡散するからで
ある。
形成された後、それは例えば、約２時間の間約セ氏１，
０００度で酸素雰囲気中で熱酸化される。結果として層
５２のシリコン酸化物層への実質的な変換が生じ、それ
は酸素が急速に多孔性シリコンにわたり拡散するからで
ある。
【００４５】空洞４０を形成するために、シリコン酸化
物層は、例えば、ＨＦ溶液を使用してエッチングされ
る。半導体部材２０および２２または基板１２に関する
酸化された多孔性シリコンに対するエッチング剤のエッ
チング選択性はおおざっぱにいって約１０，０００：１
より大きく従って実質的に酸化物層５２のみがエッチン
グされる。
物層は、例えば、ＨＦ溶液を使用してエッチングされ
る。半導体部材２０および２２または基板１２に関する
酸化された多孔性シリコンに対するエッチング剤のエッ
チング選択性はおおざっぱにいって約１０，０００：１
より大きく従って実質的に酸化物層５２のみがエッチン
グされる。
【００４６】一般に、解放エッチングの間は、酸化物層
５２のすべての露出された部分は除去されることにな
る。解放エッチングの後に、除去されなかった酸化物層
５２の部分は当業者によって認識されるようにほんの少
しの相違を有するが図１の下部酸化物層２８と等価な酸
化物層を提供することに注目すべきである。例えば、空
洞４０に対する下部酸化物層２８の高さは図１に示され
るものからやや下にシフトされる。
５２のすべての露出された部分は除去されることにな
る。解放エッチングの後に、除去されなかった酸化物層
５２の部分は当業者によって認識されるようにほんの少
しの相違を有するが図１の下部酸化物層２８と等価な酸
化物層を提供することに注目すべきである。例えば、空
洞４０に対する下部酸化物層２８の高さは図１に示され
るものからやや下にシフトされる。
【００４７】＜工程オプション５：バイアスなしの選択
的異方性エッチング＞工程オプション５においては、基
板１２は約１Ｅ１６アトム／ｃｍ３より低いドーパント
濃度を有するようｐまたはｎ型に軽くドーピングされ
る。エピタキシャル層１４は約１Ｅ１８アトム／ｃｍ３
より大きいドーパント濃度まで反対導電型で強くドーピ
ングされる。使用できるエッチング剤は伝統的なＴＭＡ
Ｈ溶液または伝統的なエチレンジアミンおよびピロカテ
コール溶液（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ ａｎｄ
ｐｙｒｏｃａｔｅｃｈｏｌ ｓｏｌｕｔｉｏｎ：ＥＤ
Ｐｓｏｌｕｔｉｏｎ）を含む。ＴＭＡＨ溶液は、例え
ば、約重量で２０パーセントのＴＭＡＨ水溶液であり、
かつエッチングは約セ氏９０度で行うことができる。Ｅ
ＤＰ溶液は概略的に「半導体センサ（Ｓｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ Ｓｅｎｓｏｒｓ）」、エス・エム・セ
（Ｓ．Ｍ．Ｓｚｅ）、編集者、ｐ．４６（これは２．４
章の、バルクマイクロマシニング（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒ
ｏｍａｃｈｉｎｉｎｇ）の一部である。他のＥＤＰ参照
文献はｐ．８８に列挙されている）、ジョン・ウイリー
・アンド・ソンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎ
ｓ）、ニューヨークに記載されており、かつＴＭＡＨ溶
液はさらに「バルクマイクロマシニング技術（Ｂｕｌｋ
Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ）」、３章、エル・リスティック（Ｌ．Ｒｉｓｔｉ
ｃ）他に、かつ「センサ技術および装置（Ｓｅｎｓｏｒ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ）」、エル・リスティック、編集者、アーテク・ハウ
ス（Ａｒｔｅｃｈ Ｈｏｕｓｅ）、ボストン、１９９４
年、ｐｐ．４９以下に記載されており、これらは各々参
照のためすべてここに導入される。また、エチレンジア
ミンまたはピロカテコールはいくつかの場合においては
多分別個に使用できるものと考えられる。ＴＭＡＨまた
はＥＤＰ溶液に対するエッチング選択性は約１００：１
より大きい。
的異方性エッチング＞工程オプション５においては、基
板１２は約１Ｅ１６アトム／ｃｍ３より低いドーパント
濃度を有するようｐまたはｎ型に軽くドーピングされ
る。エピタキシャル層１４は約１Ｅ１８アトム／ｃｍ３
より大きいドーパント濃度まで反対導電型で強くドーピ
ングされる。使用できるエッチング剤は伝統的なＴＭＡ
Ｈ溶液または伝統的なエチレンジアミンおよびピロカテ
コール溶液（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ ａｎｄ
ｐｙｒｏｃａｔｅｃｈｏｌ ｓｏｌｕｔｉｏｎ：ＥＤ
Ｐｓｏｌｕｔｉｏｎ）を含む。ＴＭＡＨ溶液は、例え
ば、約重量で２０パーセントのＴＭＡＨ水溶液であり、
かつエッチングは約セ氏９０度で行うことができる。Ｅ
ＤＰ溶液は概略的に「半導体センサ（Ｓｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ Ｓｅｎｓｏｒｓ）」、エス・エム・セ
（Ｓ．Ｍ．Ｓｚｅ）、編集者、ｐ．４６（これは２．４
章の、バルクマイクロマシニング（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒ
ｏｍａｃｈｉｎｉｎｇ）の一部である。他のＥＤＰ参照
文献はｐ．８８に列挙されている）、ジョン・ウイリー
・アンド・ソンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎ
ｓ）、ニューヨークに記載されており、かつＴＭＡＨ溶
液はさらに「バルクマイクロマシニング技術（Ｂｕｌｋ
Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ）」、３章、エル・リスティック（Ｌ．Ｒｉｓｔｉ
ｃ）他に、かつ「センサ技術および装置（Ｓｅｎｓｏｒ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ）」、エル・リスティック、編集者、アーテク・ハウ
ス（Ａｒｔｅｃｈ Ｈｏｕｓｅ）、ボストン、１９９４
年、ｐｐ．４９以下に記載されており、これらは各々参
照のためすべてここに導入される。また、エチレンジア
ミンまたはピロカテコールはいくつかの場合においては
多分別個に使用できるものと考えられる。ＴＭＡＨまた
はＥＤＰ溶液に対するエッチング選択性は約１００：１
より大きい。
【００４８】エピタキシャル層１４はここでは強くドー
ピングされるから、もしあるトランジスタ回路ブロック
が同じ半導体基板１２上に集積されるべきであれば、強
くドーピングされたエピタキシャル層１４の上に弱くド
ーピングされた（ｌｉｇｈｔｌｙ−ｄｏｐｅｄ）エピタ
キシャル層を形成するために伝統的な選択的エピタキシ
ャル被着プロセスを使用することが必要である。次にト
ランジスタは弱くドーピングされた選択的エピタキシャ
ル層に形成できる。該選択的エピタキシャル層はチップ
のセンサ領域内に形成されないであろう。また、該選択
的エピタキシャル層は好ましくはレフィル酸化物層３２
の形成および平坦化（ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）の
後に形成される。
ピングされるから、もしあるトランジスタ回路ブロック
が同じ半導体基板１２上に集積されるべきであれば、強
くドーピングされたエピタキシャル層１４の上に弱くド
ーピングされた（ｌｉｇｈｔｌｙ−ｄｏｐｅｄ）エピタ
キシャル層を形成するために伝統的な選択的エピタキシ
ャル被着プロセスを使用することが必要である。次にト
ランジスタは弱くドーピングされた選択的エピタキシャ
ル層に形成できる。該選択的エピタキシャル層はチップ
のセンサ領域内に形成されないであろう。また、該選択
的エピタキシャル層は好ましくはレフィル酸化物層３２
の形成および平坦化（ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）の
後に形成される。
【００４９】＜空洞形成の後の最終処理＞図１０に示さ
れるように、空洞４０が形成された後に、レフィル酸化
物層３２が、例えば、基板１２上の露出面をおおう（ｂ
ｌａｎｋｅｔｓ）化学蒸着（ＣＶＤ）被着された酸化シ
リコン層として形成される。レフィル酸化物層３２の厚
さは、例えば、約１〜１０ミクロンである。
れるように、空洞４０が形成された後に、レフィル酸化
物層３２が、例えば、基板１２上の露出面をおおう（ｂ
ｌａｎｋｅｔｓ）化学蒸着（ＣＶＤ）被着された酸化シ
リコン層として形成される。レフィル酸化物層３２の厚
さは、例えば、約１〜１０ミクロンである。
【００５０】例えば上で示した５つの工程オプションの
内の１つを使用して空洞４０を形成したのに続き、セン
サの微細構造要素は約１Ｅ１８アトム／ｃｍ３より大き
なより高いドーパント濃度を持つようドーピングされそ
れによってセンサ部品またはセンサの構成要素の導電率
が比較的高くなる（すなわち、電気抵抗が低くなる）よ
うにすべきである。低い電気抵抗は前記フィンガが効率
的な電極として作用するために望ましいものである。こ
れは、１つの手法では、適切な種類のドーパント、例え
ばリン（ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ）、をレフィル酸化物
層に、その形成の間にリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）を
形成することなどにより、提供することによって達成で
きる。この場合、リンのドーパントはレフィル酸化物層
３２からセンサ要素内へかつセンサ要素にわたり拡散
し、従ってそれらが比較的高いドーパント濃度を持つよ
うになる。この拡散は他の処理工程の高い温度のため犠
牲的エッチングの間にレフィル酸化物層３２の一部を後
に除去する前に生じる。また、イオン注入またはホスフ
ィン（ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ガスによる気相ドーピング
のような他のドーピング方法を上の手法の代りに使用す
ることも可能なことに注目すべきである。
内の１つを使用して空洞４０を形成したのに続き、セン
サの微細構造要素は約１Ｅ１８アトム／ｃｍ３より大き
なより高いドーパント濃度を持つようドーピングされそ
れによってセンサ部品またはセンサの構成要素の導電率
が比較的高くなる（すなわち、電気抵抗が低くなる）よ
うにすべきである。低い電気抵抗は前記フィンガが効率
的な電極として作用するために望ましいものである。こ
れは、１つの手法では、適切な種類のドーパント、例え
ばリン（ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ）、をレフィル酸化物
層に、その形成の間にリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）を
形成することなどにより、提供することによって達成で
きる。この場合、リンのドーパントはレフィル酸化物層
３２からセンサ要素内へかつセンサ要素にわたり拡散
し、従ってそれらが比較的高いドーパント濃度を持つよ
うになる。この拡散は他の処理工程の高い温度のため犠
牲的エッチングの間にレフィル酸化物層３２の一部を後
に除去する前に生じる。また、イオン注入またはホスフ
ィン（ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ガスによる気相ドーピング
のような他のドーピング方法を上の手法の代りに使用す
ることも可能なことに注目すべきである。
【００５１】次に、レフィル酸化物層３２が基板１２の
他の部分の上に形成されるべきトランジスタ回路ブロッ
ク（図示せず）におけるトランジスタの形成の準備とし
て伝統的な技術を使用して平坦化される。
他の部分の上に形成されるべきトランジスタ回路ブロッ
ク（図示せず）におけるトランジスタの形成の準備とし
て伝統的な技術を使用して平坦化される。
【００５２】前記トランジスタ回路ブロックは一般に金
属層３４における適切な金属ラインのトレースパターン
を使用して電気的に接続される電気回路を含む。本発明
の大きな利点は上に述べたようなセンサが該回路ブロッ
クのトランジスタまたは他の受動デバイスと共に集積で
きることである。前記回路ブロックはＣＭＯＳ集積回路
のようにｎおよびｐ型両方のトランジスタを含むことが
できる。本発明の半導体構造１０を備えたＣＭＯＳデバ
イスの集積は、該ＣＭＯＳ回路ブロックを含むエピタキ
シャル層１４のその部分のドーピングレベルがｐまたは
ｎウェルおよびＣＭＯＳデバイスを形成するのに適して
いるために可能になる。言い換えれば、前記エピタキシ
ャル層は回路ブロック領域において強くドーピングされ
る必要がない。
属層３４における適切な金属ラインのトレースパターン
を使用して電気的に接続される電気回路を含む。本発明
の大きな利点は上に述べたようなセンサが該回路ブロッ
クのトランジスタまたは他の受動デバイスと共に集積で
きることである。前記回路ブロックはＣＭＯＳ集積回路
のようにｎおよびｐ型両方のトランジスタを含むことが
できる。本発明の半導体構造１０を備えたＣＭＯＳデバ
イスの集積は、該ＣＭＯＳ回路ブロックを含むエピタキ
シャル層１４のその部分のドーピングレベルがｐまたは
ｎウェルおよびＣＭＯＳデバイスを形成するのに適して
いるために可能になる。言い換えれば、前記エピタキシ
ャル層は回路ブロック領域において強くドーピングされ
る必要がない。
【００５３】トランジスタ回路ブロックを形成した後、
微細構造またはセンサの可動部分の上のレフィル酸化物
層３２の部分が伝統的な犠牲的エッチング処理を使用し
て除去される。特に、この犠牲的エッチングは、例え
ば、部材２０および２２の間の領域からレフィル酸化物
層を除去する。例えば、フッ化水素酸を使用して前記犠
牲的エッチングを行なうことができる。
微細構造またはセンサの可動部分の上のレフィル酸化物
層３２の部分が伝統的な犠牲的エッチング処理を使用し
て除去される。特に、この犠牲的エッチングは、例え
ば、部材２０および２２の間の領域からレフィル酸化物
層を除去する。例えば、フッ化水素酸を使用して前記犠
牲的エッチングを行なうことができる。
【００５４】他の実施形態では、前記処理シーケンスを
換えることが可能なことに注目すべきである。例えば、
空洞４０はトランジスタ回路ブロックの形成の後に形成
することができる。この場合、レフィル酸化物層３２は
トランジスタを形成した後にチップのセンサ部分から除
去され、従って空洞４０が次にエッチングされるように
することができる。
換えることが可能なことに注目すべきである。例えば、
空洞４０はトランジスタ回路ブロックの形成の後に形成
することができる。この場合、レフィル酸化物層３２は
トランジスタを形成した後にチップのセンサ部分から除
去され、従って空洞４０が次にエッチングされるように
することができる。
【００５５】
【発明の効果】以上から、半導体基板における空洞の上
に横たわる単結晶部材を有する新規な半導体構造および
そのためのプロセスが提供されたことが理解されるべき
である。本発明に従って形成されたセンサは低減された
寄生容量、改善された機械的特性、およびより高い信号
対雑音比を有する。
に横たわる単結晶部材を有する新規な半導体構造および
そのためのプロセスが提供されたことが理解されるべき
である。本発明に従って形成されたセンサは低減された
寄生容量、改善された機械的特性、およびより高い信号
対雑音比を有する。
【００５６】また、本発明のセンサは低圧化学蒸着によ
って形成された幾つかの従来の多結晶シリコン微細構造
に見られる応力またはストレスの問題を避ける高いアス
ペクト比の横型構造が可能である（これらの従来の構造
におけるクラックはより厚い多結晶シリコン被着に対し
てより一層大きくなる）。さらに、本発明のセンサは同
じチップ上にトランジスタと共に容易に集積できる。
って形成された幾つかの従来の多結晶シリコン微細構造
に見られる応力またはストレスの問題を避ける高いアス
ペクト比の横型構造が可能である（これらの従来の構造
におけるクラックはより厚い多結晶シリコン被着に対し
てより一層大きくなる）。さらに、本発明のセンサは同
じチップ上にトランジスタと共に容易に集積できる。
【００５７】上に述べたセンサにおいて使用される単結
晶微細構造は低い内部ストレスを含み従来の構造に対し
て卓越した材料特性を有する。達成された高いエッチン
グ選択性は一様に再現可能な構造を可能にする。さら
に、センサフィンガおよび他の構成要素をパターニング
するためにＲＩＥを使用することは一様なトレンチ幅お
よび明確な（ｗｅｌｌ−ｄｅｆｉｎｅｄ）垂直側壁を含
むシリコンにおける伝統的なトレンチのエッチングの利
点を活用する。最後に、基板が強くドーピングされる上
述の処理工程に対して、基板はセンサのためのグランド
面として作用しかつセンサ構造を不利な酸化物帯電効果
（ｏｘｉｄｅ ｃｈａｒｇｉｎｇ ｅｆｆｅｃｔｓ）に
実質的に敏感でないものとし、これはセンサの放射堅固
性（ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｈａｒｄｎｅｓｓ）を改善す
る。
晶微細構造は低い内部ストレスを含み従来の構造に対し
て卓越した材料特性を有する。達成された高いエッチン
グ選択性は一様に再現可能な構造を可能にする。さら
に、センサフィンガおよび他の構成要素をパターニング
するためにＲＩＥを使用することは一様なトレンチ幅お
よび明確な（ｗｅｌｌ−ｄｅｆｉｎｅｄ）垂直側壁を含
むシリコンにおける伝統的なトレンチのエッチングの利
点を活用する。最後に、基板が強くドーピングされる上
述の処理工程に対して、基板はセンサのためのグランド
面として作用しかつセンサ構造を不利な酸化物帯電効果
（ｏｘｉｄｅ ｃｈａｒｇｉｎｇ ｅｆｆｅｃｔｓ）に
実質的に敏感でないものとし、これはセンサの放射堅固
性（ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｈａｒｄｎｅｓｓ）を改善す
る。
【００５８】本発明の半導体構造およびプロセスの用途
は前方および側部エアバッグ配備、化学センサ、同時的
なｘおよびｙ軸検知、および自動車の乗車制御調整（ａ
ｕｔｏｍｏｔｉｖｅ ｒｉｄｅ ｃｏｎｔｒｏｌ ａｄ
ｊｕｓｔｍｅｎｔ）のための加速度計において使用する
ことを含む。例えば、化学センサはある気体または液体
化学薬品に敏感なポリマーまたは金によってコーティン
グされた微細構造のカンチレバーによって形成できる。
該カンチレバーが検知される化学薬品の影響により応力
を受けた場合、該応力は光学的にまたは容量変化によっ
て測定することができる。
は前方および側部エアバッグ配備、化学センサ、同時的
なｘおよびｙ軸検知、および自動車の乗車制御調整（ａ
ｕｔｏｍｏｔｉｖｅ ｒｉｄｅ ｃｏｎｔｒｏｌ ａｄ
ｊｕｓｔｍｅｎｔ）のための加速度計において使用する
ことを含む。例えば、化学センサはある気体または液体
化学薬品に敏感なポリマーまたは金によってコーティン
グされた微細構造のカンチレバーによって形成できる。
該カンチレバーが検知される化学薬品の影響により応力
を受けた場合、該応力は光学的にまたは容量変化によっ
て測定することができる。
【００５９】以上の説明は単に本発明の例示的な方法お
よび実施形態を開示しかつ説明したものである。当該技
術に習熟した者によって理解されるように、本発明はそ
の精神および本質的な特性から離れることなく他の特定
の形式で実施できる。したがって、本発明の開示は、特
許請求の範囲に記載された、本発明の範囲を、制限する
ものではなく、例示することを意図している。
よび実施形態を開示しかつ説明したものである。当該技
術に習熟した者によって理解されるように、本発明はそ
の精神および本質的な特性から離れることなく他の特定
の形式で実施できる。したがって、本発明の開示は、特
許請求の範囲に記載された、本発明の範囲を、制限する
ものではなく、例示することを意図している。
【図１】本発明の一実施形態に係わる加速度計を示す頭
部平面図である。
部平面図である。
【図２】図１の加速度計の断面図である。
【図３】図１の加速度計の断面図である。
【図４】図１の加速度計の断面図である。
【図５】図１の加速度計の断面図である。
【図６】図１の加速度計の断面図である。
【図７】図１の加速度計の形成における順次的な工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図８】図１の加速度計の形成における順次的な工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図９】図１の加速度計の形成における順次的な工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１０】図１の加速度計の形成における順次的な工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１１】多構成シリコン形成を使用した別の実施形態
に係わる図１の加速度計の形成における順次的な工程を
示す断面図である。
に係わる図１の加速度計の形成における順次的な工程を
示す断面図である。
【図１２】多構成シリコン形成を使用した別の実施形態
に係わる図１の加速度計の形成における順次的な工程を
示す断面図である。
に係わる図１の加速度計の形成における順次的な工程を
示す断面図である。
【図１３】多構成シリコン形成を使用した別の実施形態
に係わる図１の加速度計の形成における順次的な工程を
示す断面図である。
に係わる図１の加速度計の形成における順次的な工程を
示す断面図である。
１０ 加速度計 １２ 半導体基板 １４ 半導体層 １６ 多結晶部分 １８ サイズモ質量 ２０ 可動部材 ２２ 静止部材 ２４ バネ ２６ ホール ２８ 下部酸化物層 ３２ レフィル酸化物層 ３４ 金属層 ３６ 空洞面 ３８ 静止部材の底部面 ４０ 空洞 ４２ ギャップ寸法 ４３ 部材２０または２２の高さ ４４ 部材２０または２２の幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヘンリー・グエンザー・ヒューズ アメリカ合衆国アリゾナ州85254、スコッ ツデイル、イースト・チョーラ・ストリー ト 5014 (72)発明者 アミーア・ラザ・ミアザ アメリカ合衆国アリゾナ州85254、スコッ ツデイル、イースト・ニスベット・ロード 5426
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体構造（１０）を形成するためのプ
ロセスであって、 半導体基板（１２）の上に横たわる半導体層（１４）を
形成する段階、 前記半導体層（１４）の一部をパターニングして単結晶
部材（２０，２２）を提供する段階、そして前記半導体
層（１４）に関する前記半導体基板（１２）に対するエ
ッチング選択性が約１０：１より大きなエッチング剤を
使用して前記部材の少なくとも一部の下に空洞（４０）
を形成する段階、 を具備することを特徴とする半導体構造（１０）を形成
するためのプロセス。 - 【請求項２】 センサ（１０）を形成するためのプロセ
スであって、 半導体基板（１２）の上に横たわる半導体層（１４）を
形成する段階、 前記半導体層（１４）の一部をパターニングして単結晶
の第１の部材（２２）を提供する段階であって、該第１
の部材はある高さ（４３）およびある幅（４４）を有し
かつ前記高さ（４３）は前記幅（４４）の少なくとも２
倍であるもの、そして前記半導体層（１４）に関する前
記半導体基板（１２）に対するエッチング選択性が約１
０：１より大きなエッチング剤を使用して前記第１の部
材（２２）の底部面（３８）を露出するために前記第１
の部材（２２）の少なくとも一部の下に空洞（４０）を
形成する段階であって、該空洞（４０）は空洞表面を有
しかつ前記底部面（３８）から前記空洞表面への距離
（４２）は約５ミクロンより大きいもの、 を具備することを特徴とするセンサ（１０）を形成する
ためのプロセス。 - 【請求項３】 前記第１の部材（２２）は前記センサ
（１０）の容量のための静止フィンガを提供し、かつ前
記パターニングする段階は可動単結晶サイズモ質量（１
８）に接続された可動単結晶の第２の部材（２０）を提
供する段階を含み前記第２の部材（２０）は前記第１の
部材（２２）に関して移動して可変容量を提供するも
の、そして前記空洞（４０）を形成する段階は前記第２
の部材（２０）および前記サイズモ質量（１８）の下に
横たわる前記空洞（４０）を形成することを特徴とする
請求項２に記載のセンサ（１０）を形成するためのプロ
セス。 - 【請求項４】 半導体構造（１０）を形成するためのプ
ロセスであって、 半導体基板（１２）の上に横たわる半導体層（１４）を
形成する段階、 前記半導体層（１４）の一部をパターニングして単結晶
部材（２０，２２）を提供する段階、そして前記部材
（２０，２２）の少なくとも一部の下に空洞（４０）を
形成して前記部材（２０，２２）の底部面（３８）を露
出する段階であって、前記空洞（４０）は空洞表面を有
しかつ前記底部面（３８）から前記空洞表面への距離
（４２）は約５ミクロンより大きいもの、 を具備することを特徴とする半導体構造（１０）を形成
するためのプロセス。 - 【請求項５】 半導体構造（１０）であって、 半導体基板（１２）の上に横たわる半導体層（１４）で
あって、該半導体層（１４）の一部は単結晶部材（２
０，２２）を提供するもの、そして前記部材（２０，２
２）の底部面（３８）を露出する前記部材（２０，２
２）の少なくとも一部の下に配置された空洞（４０）で
あって、前記空洞（４０）は空洞表面を有しかつ前記底
部面（３８）から前記空洞表面への距離（４２）は約５
ミクロンより大きいもの、 を具備することを特徴とする半導体構造（１０）。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/866,588 US6013933A (en) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | Semiconductor structure having a monocrystalline member overlying a cavity in a semiconductor substrate and process therefor |
| US08/866,588 | 1997-05-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335676A true JPH10335676A (ja) | 1998-12-18 |
| JP4397440B2 JP4397440B2 (ja) | 2010-01-13 |
Family
ID=25347941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15207898A Expired - Lifetime JP4397440B2 (ja) | 1997-05-30 | 1998-05-15 | 半導体基板の空洞の上に横たわる単結晶部材を有する半導体構造を形成するためのプロセス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6013933A (ja) |
| JP (1) | JP4397440B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000183364A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-30 | Motorola Inc | センサおよび製造方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69726718T2 (de) * | 1997-07-31 | 2004-10-07 | St Microelectronics Srl | Verfahren zum Herstellen hochempfindlicher integrierter Beschleunigungs- und Gyroskopsensoren und Sensoren, die derartig hergestellt werden |
| US6407441B1 (en) * | 1997-12-29 | 2002-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit and method of using porous silicon to achieve component isolation in radio frequency applications |
| EP1084511A1 (en) * | 1998-05-08 | 2001-03-21 | Infineon Technologies AG | Substrate and method for manufacturing the same |
| US6433401B1 (en) | 1999-04-06 | 2002-08-13 | Analog Devices Imi, Inc. | Microfabricated structures with trench-isolation using bonded-substrates and cavities |
| GB0000619D0 (en) * | 2000-01-13 | 2000-03-01 | British Aerospace | Accelerometer |
| US6874363B1 (en) | 2003-10-31 | 2005-04-05 | Honeywell International, Inc. | Trapped charge field bias vibrating beam accelerometer |
| US20050181572A1 (en) * | 2004-02-13 | 2005-08-18 | Verhoeven Tracy B. | Method for acoustically isolating an acoustic resonator from a substrate |
| US7226802B2 (en) * | 2004-08-06 | 2007-06-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | Tungsten coated silicon fingers |
| US20060207327A1 (en) * | 2005-03-16 | 2006-09-21 | Zarabadi Seyed R | Linear accelerometer |
| US7250322B2 (en) * | 2005-03-16 | 2007-07-31 | Delphi Technologies, Inc. | Method of making microsensor |
| US8214007B2 (en) | 2006-11-01 | 2012-07-03 | Welch Allyn, Inc. | Body worn physiological sensor device having a disposable electrode module |
| US7919388B2 (en) * | 2008-05-30 | 2011-04-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | Methods for fabricating semiconductor devices having reduced gate-drain capacitance |
| US7838389B2 (en) * | 2008-05-30 | 2010-11-23 | Freescale Semiconductor, Inc. | Enclosed void cavity for low dielectric constant insulator |
| US8776337B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-07-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Methods of forming capacitive sensors |
| US9700222B2 (en) | 2011-12-02 | 2017-07-11 | Lumiradx Uk Ltd | Health-monitor patch |
| US9734304B2 (en) | 2011-12-02 | 2017-08-15 | Lumiradx Uk Ltd | Versatile sensors with data fusion functionality |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5058856A (en) * | 1991-05-08 | 1991-10-22 | Hewlett-Packard Company | Thermally-actuated microminiature valve |
| US5287082A (en) * | 1992-07-02 | 1994-02-15 | Cornell Research Foundation, Inc. | Submicron isolated, released resistor structure |
| DE4341271B4 (de) * | 1993-12-03 | 2005-11-03 | Robert Bosch Gmbh | Beschleunigungssensor aus kristallinem Material und Verfahren zur Herstellung dieses Beschleunigungssensors |
-
1997
- 1997-05-30 US US08/866,588 patent/US6013933A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-05-15 JP JP15207898A patent/JP4397440B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000183364A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-30 | Motorola Inc | センサおよび製造方法 |
| JP4703808B2 (ja) * | 1998-12-10 | 2011-06-15 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | センサおよび製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4397440B2 (ja) | 2010-01-13 |
| US6013933A (en) | 2000-01-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20041217 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050502 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050502 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081028 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081107 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090127 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090130 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090327 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090421 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090717 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090723 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090818 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090821 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090831 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090929 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091021 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131030 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |