JPS6055655A - 梁構造体を有する半導体装置 - Google Patents
梁構造体を有する半導体装置Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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-
- G—PHYSICS
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- G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は、半導体基板に少なくとも一部が振動可能に
形成されてなる梁構造体を有する半導体装置に関する。
形成されてなる梁構造体を有する半導体装置に関する。
「発明の技術的背景」
機械振動の検出においては、その正確さを期するため真
の振動部の振動をいかに検出するかが重要である。その
ためには、当該振動部の大小、存在場所に拘わらず、し
かもその振動が微細であっても測定できる検出装置が必
要となってくる。そこで、本発明者は先に特願昭５７−
１４８８７４号に示すごとき構造の装置を開発するに至
っている。この装置は、基本的には半導体基板上に少な
くとも一端が支持され、振動部位が当該基板面にほぼ平
行で、その振動部位に一体的に電極層を含んだ可動梁と
、この可動梁に対向して上記半導体基板面に設けられ、
上記電極層とともにコンデンサを形成する固定電極層と
を備える構造で、その動作としては、可動梁の振動に伴
なう前記コンデンサの容量変化によって振動を検出する
ものである。
の振動部の振動をいかに検出するかが重要である。その
ためには、当該振動部の大小、存在場所に拘わらず、し
かもその振動が微細であっても測定できる検出装置が必
要となってくる。そこで、本発明者は先に特願昭５７−
１４８８７４号に示すごとき構造の装置を開発するに至
っている。この装置は、基本的には半導体基板上に少な
くとも一端が支持され、振動部位が当該基板面にほぼ平
行で、その振動部位に一体的に電極層を含んだ可動梁と
、この可動梁に対向して上記半導体基板面に設けられ、
上記電極層とともにコンデンサを形成する固定電極層と
を備える構造で、その動作としては、可動梁の振動に伴
なう前記コンデンサの容量変化によって振動を検出する
ものである。
［発明の目的および概要」
この発明は、上述したような梁構造体を有する半導体装
置における好適な可動梁を提供することを目的とするも
のである。
置における好適な可動梁を提供することを目的とするも
のである。
上記目的を達成するために、この発明は、半導体基板上
に少なくとも一端が支持され当該基板にほぼ平行に一体
的に電極を含んだ振動部位を有する可動梁と、前記半導
体基板上に可動梁の振動部位に対向して形成された固定
電極とを有し、可動梁の電極と固定電極との間でコンデ
ンサを形成してなる梁構造体を有する半導体装置におい
て、前記可ｌｌ］梁を耐アルカリエッチ性に形成したポ
リシリコン膜と該ポリシリコン膜の上下に形成した耐ア
ルカリエッチ性を有する部材の三重構造としたことを要
旨とする。
に少なくとも一端が支持され当該基板にほぼ平行に一体
的に電極を含んだ振動部位を有する可動梁と、前記半導
体基板上に可動梁の振動部位に対向して形成された固定
電極とを有し、可動梁の電極と固定電極との間でコンデ
ンサを形成してなる梁構造体を有する半導体装置におい
て、前記可ｌｌ］梁を耐アルカリエッチ性に形成したポ
リシリコン膜と該ポリシリコン膜の上下に形成した耐ア
ルカリエッチ性を有する部材の三重構造としたことを要
旨とする。
「発明の実施例」
以下、図面を用いてこの発明の詳細な説明する。
第１図は、この発明の一実施例を示すものである。１は
基板９上に片持梁のような形態で設けられ独自の固有振
動数を有する可動梁で、電極層を構成する耐アルカリエ
ッチ性の高濃度Ｐ＋ポリシリコン膜３がやはり耐アルカ
リエッチ性のナイトライド膜５，７でサンドイッチされ
た三重構造である。一方、基板９には、可動梁１に対向
して熱酸化Ｓ！０２膜１１を介してＰ＋領域１３が形成
されている。当該Ｐ“領域１３は、固定電極層となって
おり、可動梁１の高濃度Ｐ＋ポリシリコン膜３との間で
コンデンサを形成している。このため、可動梁１が共振
すると、可動梁１とＰ＋領域１３の間隔が変化し、それ
に応じて前記コンデンサの容量が変化することになる。
基板９上に片持梁のような形態で設けられ独自の固有振
動数を有する可動梁で、電極層を構成する耐アルカリエ
ッチ性の高濃度Ｐ＋ポリシリコン膜３がやはり耐アルカ
リエッチ性のナイトライド膜５，７でサンドイッチされ
た三重構造である。一方、基板９には、可動梁１に対向
して熱酸化Ｓ！０２膜１１を介してＰ＋領域１３が形成
されている。当該Ｐ“領域１３は、固定電極層となって
おり、可動梁１の高濃度Ｐ＋ポリシリコン膜３との間で
コンデンサを形成している。このため、可動梁１が共振
すると、可動梁１とＰ＋領域１３の間隔が変化し、それ
に応じて前記コンデンサの容量が変化することになる。
したがって、可動梁１とＰ＋領域１３との間の容量変化
を検出する回路を設（づれば、その回路の出力から可動
梁１にその固有振動数に相当する振動が加わっているか
どうか判定することができる。この容量変化の検出回路
は基板９上に一体的に集積形成することができる。なお
、可動梁１に前記固有撮動数を大きく外れる振動が７１
Ｇねった揚台には、可動梁１は共振しないので、前記コ
ンデンサの容量変化は小さいことは自明である。
を検出する回路を設（づれば、その回路の出力から可動
梁１にその固有振動数に相当する振動が加わっているか
どうか判定することができる。この容量変化の検出回路
は基板９上に一体的に集積形成することができる。なお
、可動梁１に前記固有撮動数を大きく外れる振動が７１
Ｇねった揚台には、可動梁１は共振しないので、前記コ
ンデンサの容量変化は小さいことは自明である。
次に、この半導体装置の製造工程を第２図の（Ａ＞乃至
（１−１＞にしたがって説明する。
（１−１＞にしたがって説明する。
（Ａ）・・・まず、Ｎ形Ｓ１の基板９に容量変化を検出
出力するための例えばＰ−ＭＯＳのＦＥＴの３− リース、ドレイン用及び前記固定電極用のＰ＋ｆＪ１或
１３．１５．１７を形成し、基板９の表面には熱酸化３
ｉ０２膜を例えば７０００Ａ形成する。
出力するための例えばＰ−ＭＯＳのＦＥＴの３− リース、ドレイン用及び前記固定電極用のＰ＋ｆＪ１或
１３．１５．１７を形成し、基板９の表面には熱酸化３
ｉ０２膜を例えば７０００Ａ形成する。
（Ｂ）・・・次に全面に、例えば減圧ＣＶＤ法により３
ｉＨ＋を約６２０℃で熱分解し、例えば１〜３μｍの不
純物を含まないポリシリコン層を形成し、フォトエツチ
ングによりポリシリコンスペーサ１９を形成する。
ｉＨ＋を約６２０℃で熱分解し、例えば１〜３μｍの不
純物を含まないポリシリコン層を形成し、フォトエツチ
ングによりポリシリコンスペーサ１９を形成する。
（Ｃ）・・・次に全面に、例えば減圧ＣＶＤ法により、
ＮＨ３と５ｉ）−１２ｃ吏２を約７５０℃で熱分解し約
５００Ａのナイトライド膜を形成し、フォトエツチング
により、ポリシリコンスペーサ１９の酸化を防止する酸
化防止膜２１を形成する。
ＮＨ３と５ｉ）−１２ｃ吏２を約７５０℃で熱分解し約
５００Ａのナイトライド膜を形成し、フォトエツチング
により、ポリシリコンスペーサ１９の酸化を防止する酸
化防止膜２１を形成する。
（Ｄ）・・・前記Ｐ−ＭＯ８のＦＥＴのゲート部、及び
コンタクト部２２の熱酸化５ｔＯ２ｔｌＱ１１を７オト
エツヂングで除去し、例えば１０５０℃酸素雰囲気中で
熱酸化し、ゲート酸化膜２３を形成する。その後必要に
応じてスレッシュホールド電圧ｖｔｈコントロール用の
イオン注入をゲート酸化膜を通して行なう。
コンタクト部２２の熱酸化５ｔＯ２ｔｌＱ１１を７オト
エツヂングで除去し、例えば１０５０℃酸素雰囲気中で
熱酸化し、ゲート酸化膜２３を形成する。その後必要に
応じてスレッシュホールド電圧ｖｔｈコントロール用の
イオン注入をゲート酸化膜を通して行なう。
４−
（Ｅ）・・・熱リン酸（１５０℃）で酸化防止膜２１を
除去したあと、全面に例えば減圧ＣＶＤ法により、約３
０ＯＡの下層のナイトライド膜７を形成し、さらに全面
に例えば減圧ＣＶＤ法により約５０００〜１００００Ａ
のポリシリコン膜を形成し、このポリシリコンに例えば
ＢＢｒ３を用いた不純物拡散法で高濃度のボロンをドー
プし高濃度Ｐ＋ポリシリコン膜３を形成する。さらに、
全面に例えば減圧ＣＶＤ法により下層のナイトライド膜
７より約２ＯＡ厚い上層のナイトライド膜５を形成する
。
除去したあと、全面に例えば減圧ＣＶＤ法により、約３
０ＯＡの下層のナイトライド膜７を形成し、さらに全面
に例えば減圧ＣＶＤ法により約５０００〜１００００Ａ
のポリシリコン膜を形成し、このポリシリコンに例えば
ＢＢｒ３を用いた不純物拡散法で高濃度のボロンをドー
プし高濃度Ｐ＋ポリシリコン膜３を形成する。さらに、
全面に例えば減圧ＣＶＤ法により下層のナイトライド膜
７より約２ＯＡ厚い上層のナイトライド膜５を形成する
。
（Ｆ）・・・次に、ＣＦ４を用いたプラズマエツチング
により、片持梁パターン２５を形成し、さらにフォトエ
ツチングにより、電極取り出し部２７の上層のナイトラ
イドＩｌ！５を除去する。
により、片持梁パターン２５を形成し、さらにフォトエ
ツチングにより、電極取り出し部２７の上層のナイトラ
イドＩｌ！５を除去する。
（Ｇ）・・・次にフォトエツチングにより、コンタクト
部２２の熱酸化膜に穴を開け、全面に例えば真空蒸着法
により、１〜１．５μｍのＡ斐膜を形成しフォトエツチ
ングにより電極配線２９．３０を形成する。
部２２の熱酸化膜に穴を開け、全面に例えば真空蒸着法
により、１〜１．５μｍのＡ斐膜を形成しフォトエツチ
ングにより電極配線２９．３０を形成する。
（Ｈ）・・・次に全面に例えば常圧ＣＶＤ法により、約
４００℃で５ｉｌ−１４とＰＨ３を熱分解し、例えば厚
さ１．２μｍのＰＳＧ膜を形成し、フォトエツチングに
よってポンディングパッド及び可動梁領域上以外に保護
膜３１を形成する。そして、最後に、強アルカリ水溶液
（例えばエチレンジアミン＋ピロカテコール＋水の混合
液）をエツチング液として全体をエツチングする。これ
により、ボロンの添加されていないポリシリコンスペー
サ１９は約５０μＩＩｌ／時のスピードでエツチングさ
れ、第１図に示す半導体装置が完成する。この時、可ｖ
Ｊ梁１の主材料である高濃度Ｐ＋ポリシリコン膜３はボ
ロンが高濃度に入っているため、横方向からほとんどエ
ツチングされず、可動梁を精度よく製造することができ
る。
４００℃で５ｉｌ−１４とＰＨ３を熱分解し、例えば厚
さ１．２μｍのＰＳＧ膜を形成し、フォトエツチングに
よってポンディングパッド及び可動梁領域上以外に保護
膜３１を形成する。そして、最後に、強アルカリ水溶液
（例えばエチレンジアミン＋ピロカテコール＋水の混合
液）をエツチング液として全体をエツチングする。これ
により、ボロンの添加されていないポリシリコンスペー
サ１９は約５０μＩＩｌ／時のスピードでエツチングさ
れ、第１図に示す半導体装置が完成する。この時、可ｖ
Ｊ梁１の主材料である高濃度Ｐ＋ポリシリコン膜３はボ
ロンが高濃度に入っているため、横方向からほとんどエ
ツチングされず、可動梁を精度よく製造することができ
る。
なお、可動梁１の形状は、第２図（Ｆ）の工程のフォト
エツチングで自由に作ることができ、例えば可動梁１の
形状を長さ方向中央より先端側に重心が移るようにする
こともできるし、あるいは可動梁１の長さ方向中央に細
長い穴を開口し、最終工程の強アルリカ水溶液によるエ
ツチング液に、上記穴から強アルカリ水溶液を浸透させ
、可動梁１直下のポリシリコンスペーサ１９のエツチン
グ時間を短縮するようにすることもできる。
エツチングで自由に作ることができ、例えば可動梁１の
形状を長さ方向中央より先端側に重心が移るようにする
こともできるし、あるいは可動梁１の長さ方向中央に細
長い穴を開口し、最終工程の強アルリカ水溶液によるエ
ツチング液に、上記穴から強アルカリ水溶液を浸透させ
、可動梁１直下のポリシリコンスペーサ１９のエツチン
グ時間を短縮するようにすることもできる。
このように形成した半導体装置の具体的な応用例として
は、自動車のエンジンのノッキング検出や加速度センサ
、回転計に適用できる。すなわち、ノッキング検出にお
いては、ノッキング発生時にエンジンから約７Ｋ）−１
ｚの振動が発生するので、可動梁５１を固有振動数が７
ＫＨｚとなるように形成しておけば当該ノッキング検出
を行なうことができる。一方、加速度センサや回転計の
応用においては、加速度や遠心力にＪ：り可動梁１の水
平部に対し垂直方向に力が加わるように半導体装置を配
置して、加速度や遠心力による容量変化を検出するよう
にすればよい。
は、自動車のエンジンのノッキング検出や加速度センサ
、回転計に適用できる。すなわち、ノッキング検出にお
いては、ノッキング発生時にエンジンから約７Ｋ）−１
ｚの振動が発生するので、可動梁５１を固有振動数が７
ＫＨｚとなるように形成しておけば当該ノッキング検出
を行なうことができる。一方、加速度センサや回転計の
応用においては、加速度や遠心力にＪ：り可動梁１の水
平部に対し垂直方向に力が加わるように半導体装置を配
置して、加速度や遠心力による容量変化を検出するよう
にすればよい。
第３図は、この発明の別の実施例を示すもので、可動梁
１の支持部を高濃度Ｐ＋ポリシリコンスペーサ３３の形
成配置によって補強したことを特徴とする。
１の支持部を高濃度Ｐ＋ポリシリコンスペーサ３３の形
成配置によって補強したことを特徴とする。
７−
以下、この実施例の半導体装置の製造工程を第４図の（
Ｃ）及び（Ｃ−）を用いて説明する。なお、前述した第
２図の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｄ）乃至（Ｉ」）は同じ工程
であるのでその説明は略する。
Ｃ）及び（Ｃ−）を用いて説明する。なお、前述した第
２図の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｄ）乃至（Ｉ」）は同じ工程
であるのでその説明は略する。
また、第１図及び第２図と同符号のものは同一物を示す
。
。
（Ｃ）・・・第２図（Ｂ）に示す■稈を終了した後、全
面に、例えば減圧ＣＶＤ法により、ＮＨ３とＳｆ １−
１２０１２を約７５０℃で熱分解し約５０ＯＡの下層の
ナイトライド膜７を形成し、ざらにその上に、例えば常
圧ＣＶＤ法により約４００℃でＳｉＨ４を熱分解し、約
７００ＯＡのＳｉＯ２膜を形成し、フォトエツチングに
て、可動梁の補強部の５ｉ０２膜を除去し、イオン注入
マイク３５を形成する。そして、ボロンをイオン注入法
で例えば加速エネルギー１００ＫｅＶで３×１０ 個／
ｃｍ２注入し、マスキングされていなかったポリシリ
コンスペーサ１９部にポリシリコンスペーサ３３を作る
。
面に、例えば減圧ＣＶＤ法により、ＮＨ３とＳｆ １−
１２０１２を約７５０℃で熱分解し約５０ＯＡの下層の
ナイトライド膜７を形成し、ざらにその上に、例えば常
圧ＣＶＤ法により約４００℃でＳｉＨ４を熱分解し、約
７００ＯＡのＳｉＯ２膜を形成し、フォトエツチングに
て、可動梁の補強部の５ｉ０２膜を除去し、イオン注入
マイク３５を形成する。そして、ボロンをイオン注入法
で例えば加速エネルギー１００ＫｅＶで３×１０ 個／
ｃｍ２注入し、マスキングされていなかったポリシリ
コンスペーサ１９部にポリシリコンスペーサ３３を作る
。
（Ｃ１・・・次に、希フッ酸にてイオン注入マス８−
り３５をエツチングし、さらにフォトエツチングにより
高濃度Ｐ＋ポリシリコンスペーサ３３及びポリシリコン
スペーサ１９の酸化を防止する酸化防止膜２１を形成す
る。その後、第２図（Ｄ）〜（１−１＞の工程を経て、
最後に強アルカリ水溶液でポリシリコンスペーサ１９を
エツチングづるが、この時、高濃度Ｐ＋ポリシリコンス
ペーサ３３は高濃度にボロンがドープされているため強
アルカリ水溶液に対するエツチングレートが極めて小さ
いので残り、もって第３図に示すごとき半導体装置が形
成されることになる。
高濃度Ｐ＋ポリシリコンスペーサ３３及びポリシリコン
スペーサ１９の酸化を防止する酸化防止膜２１を形成す
る。その後、第２図（Ｄ）〜（１−１＞の工程を経て、
最後に強アルカリ水溶液でポリシリコンスペーサ１９を
エツチングづるが、この時、高濃度Ｐ＋ポリシリコンス
ペーサ３３は高濃度にボロンがドープされているため強
アルカリ水溶液に対するエツチングレートが極めて小さ
いので残り、もって第３図に示すごとき半導体装置が形
成されることになる。
したがって、このように可動梁の支持部を補強し可動梁
の立上がりをなくしたので、横方向の力に対して強度が
増し、可動梁が例えばエツチング中あるいは水洗い中に
折れるという不具合を抑制でき、もって可動梁の形成に
関し、歩留り向上を期待することができる。
の立上がりをなくしたので、横方向の力に対して強度が
増し、可動梁が例えばエツチング中あるいは水洗い中に
折れるという不具合を抑制でき、もって可動梁の形成に
関し、歩留り向上を期待することができる。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明によれば、半導体基板上
に少なくとも一端が支持され当該基板にほぼ平行に一体
的に電極を含んだ振動部位を有する可動梁と、前記半導
体基板上に可動梁の振動部位に対向して形成された固定
電極とを有し、可動梁の電極と固定電極との間でコンデ
ンサを形成してなる梁構造体を有する半導体装置におい
て、前記可動梁を耐アルカリエッチ性に形成したポリシ
リコン膜と該ポリシリコン膜の上下に形成した耐アルカ
リエッチ性を有する部材の三重構造としたので、以下の
ような効果がある。
に少なくとも一端が支持され当該基板にほぼ平行に一体
的に電極を含んだ振動部位を有する可動梁と、前記半導
体基板上に可動梁の振動部位に対向して形成された固定
電極とを有し、可動梁の電極と固定電極との間でコンデ
ンサを形成してなる梁構造体を有する半導体装置におい
て、前記可動梁を耐アルカリエッチ性に形成したポリシ
リコン膜と該ポリシリコン膜の上下に形成した耐アルカ
リエッチ性を有する部材の三重構造としたので、以下の
ような効果がある。
■ ＠後に可動梁を形成するためには、可動梁周囲のポ
リシリコンをアルカリエツチング液でエツチングすれば
よいが、アルカリエツチング液によるポリシリコンのエ
ツチングは、異方性を利用せず、全方向からエツチング
が進行するため、可動梁の長さに関係なく短時間（例え
ば幅１００μｍの可動梁では約２時間）で可動梁を形成
することができる。
リシリコンをアルカリエツチング液でエツチングすれば
よいが、アルカリエツチング液によるポリシリコンのエ
ツチングは、異方性を利用せず、全方向からエツチング
が進行するため、可動梁の長さに関係なく短時間（例え
ば幅１００μｍの可動梁では約２時間）で可動梁を形成
することができる。
■ エツチング時間が短いため、アルカリエツチング液
に対して多少のエツチングレートを有する安価なアルミ
ニウム及びＰＳＧＩＩｉ！をそれぞれ電極材料及び保護
膜材料として使用することができるので、半導体装置が
安価になる。
に対して多少のエツチングレートを有する安価なアルミ
ニウム及びＰＳＧＩＩｉ！をそれぞれ電極材料及び保護
膜材料として使用することができるので、半導体装置が
安価になる。
■ エツチングに際しては異方性を利用していないため
、ウェハに超高精度の基準辺（オリエンテーションフラ
ット）を設けてエツチング窓のパターンの各辺の方向設
定を行なう必要がなく、製造が容易となり、もって可動
梁を製造上精度よく形成できる。
、ウェハに超高精度の基準辺（オリエンテーションフラ
ット）を設けてエツチング窓のパターンの各辺の方向設
定を行なう必要がなく、製造が容易となり、もって可動
梁を製造上精度よく形成できる。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の断面図
、第２図は第１図の半導体装置の製造工程図、第３図は
この発明の別の実施例を示す半導体装置の断面図、第４
図は第３図の半導体装置の製造工程図である。 （図の主要な部分を表わす符号の説明）１・・・可動梁 ３・・・Ｐ＋ポリシリコン膜 ５．７・・・ナイトライド膜 ９・・・基板 ３・・・Ｐ＋領域
、第２図は第１図の半導体装置の製造工程図、第３図は
この発明の別の実施例を示す半導体装置の断面図、第４
図は第３図の半導体装置の製造工程図である。 （図の主要な部分を表わす符号の説明）１・・・可動梁 ３・・・Ｐ＋ポリシリコン膜 ５．７・・・ナイトライド膜 ９・・・基板 ３・・・Ｐ＋領域
Claims (1)
- 半導体基板上にすくなくとも一端が支持され当該基板に
ほぼ平行に一体的に電極を含んだ振動部位を有する可動
梁と、前記半導体基板上に可動梁の振動部位に対向して
形成された固定電極とを有する半導体装置において、前
記可動梁を耐アルカリエッチ性に形成されたポリシリコ
ン膜と該ポリシリコン膜の上下に形成した耐アルカリエ
ッチ性を有する部材との三重構造にしたことを特徴とす
る梁構造体を有する半導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163270A JPS6055655A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 梁構造体を有する半導体装置 |
| US06/646,166 US4571661A (en) | 1983-09-07 | 1984-08-31 | Semiconductor vibration detection device with lever structure |
| EP84110517A EP0138023B1 (en) | 1983-09-07 | 1984-09-04 | Semiconductor vibration detection device with lever structure |
| DE8484110517T DE3483764D1 (de) | 1983-09-07 | 1984-09-04 | Halbleiter-schwingungs-detektor-anordnung in hebelbauweise. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163270A JPS6055655A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 梁構造体を有する半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60120366A Division JPS61105861A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 梁構造体を有する半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055655A true JPS6055655A (ja) | 1985-03-30 |
| JPH0114711B2 JPH0114711B2 (ja) | 1989-03-14 |
Family
ID=15770613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58163270A Granted JPS6055655A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 梁構造体を有する半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4571661A (ja) |
| EP (1) | EP0138023B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6055655A (ja) |
| DE (1) | DE3483764D1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS61234064A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体振動検出装置 |
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| JP2003531017A (ja) * | 2000-02-10 | 2003-10-21 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | マイクロマシーニング構造素子の製造法および該方法により製造された構造素子 |
| JP2009153203A (ja) * | 2000-08-11 | 2009-07-09 | Knowles Electronics Llc | 小型ブロードバンド変換器 |
| US7578162B2 (en) | 1989-12-28 | 2009-08-25 | Kazuhiro Okada | Apparatus for detecting a physical quantity acting as an external force and method for testing and manufacturing this apparatus |
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1984
- 1984-08-31 US US06/646,166 patent/US4571661A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-09-04 DE DE8484110517T patent/DE3483764D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1984-09-04 EP EP84110517A patent/EP0138023B1/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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|---|---|
| EP0138023A3 (en) | 1986-11-20 |
| EP0138023A2 (en) | 1985-04-24 |
| DE3483764D1 (de) | 1991-01-31 |
| JPH0114711B2 (ja) | 1989-03-14 |
| US4571661A (en) | 1986-02-18 |
| EP0138023B1 (en) | 1990-12-19 |
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