JPH0894398A - シリコンマイクロセンサ - Google Patents
シリコンマイクロセンサInfo
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- JPH0894398A JPH0894398A JP7229049A JP22904995A JPH0894398A JP H0894398 A JPH0894398 A JP H0894398A JP 7229049 A JP7229049 A JP 7229049A JP 22904995 A JP22904995 A JP 22904995A JP H0894398 A JPH0894398 A JP H0894398A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】機械的強度、熱的強度が強く、信頼性の高いシ
リコンマイクロセンサを得る。 【構成】一主面上に凹部が形成されたシリコン基板3
と、前記凹部を除くシリコン基板3表面に形成されたボ
ロンドープ層5と、少なくとも該ボロンドープ層5表面
に形成され、該ボロンドープ層5に比較して薄い絶縁膜
6と、からなる支持体を具備してなり、前記絶縁膜6上
にセンサ膜を設ける。
リコンマイクロセンサを得る。 【構成】一主面上に凹部が形成されたシリコン基板3
と、前記凹部を除くシリコン基板3表面に形成されたボ
ロンドープ層5と、少なくとも該ボロンドープ層5表面
に形成され、該ボロンドープ層5に比較して薄い絶縁膜
6と、からなる支持体を具備してなり、前記絶縁膜6上
にセンサ膜を設ける。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコンの異方性エ
ッチングを利用したシリコンマイクロセンサに関し、特
に支持体部の材料および構造に関する。
ッチングを利用したシリコンマイクロセンサに関し、特
に支持体部の材料および構造に関する。
【0002】
【従来の技術】赤外線センサ、フローセンサ、ガスセン
サなど熱収支を利用するセンサでは、発熱部や検出部を
微小化・薄膜化することによって高感度化、高速応答
化、低消費電力化が可能となる。また、圧力センサ、振
動センサ、加速度センサなど可動部を有するセンサで
は、可動部とその支持部を薄膜化することによって、高
感度化、微小化が図られる。以上のように、センサ部を
非常に薄い支持体で形成することによってセンサの高感
度化、低消費電力化、センサチップの微小化、さらには
各種センサの複合化、集積化も可能になる。このような
理由から、シリコン基板のごく表面層の酸化膜や、高濃
度ボロンドープ層を残し、下層のシリコンをエッチング
で除去して、支持体及びセンサ部を形成するいわゆるシ
リコンマイクロセンサの開発が盛んである。その支持体
の形状は、ブリッジ、カンチレバー、ダイアフラムなど
様々である。支持体の概略図を図5(A)(B)(C)
に示す。つぎに上述の薄い支持体を形成する方法につい
て説明する。
サなど熱収支を利用するセンサでは、発熱部や検出部を
微小化・薄膜化することによって高感度化、高速応答
化、低消費電力化が可能となる。また、圧力センサ、振
動センサ、加速度センサなど可動部を有するセンサで
は、可動部とその支持部を薄膜化することによって、高
感度化、微小化が図られる。以上のように、センサ部を
非常に薄い支持体で形成することによってセンサの高感
度化、低消費電力化、センサチップの微小化、さらには
各種センサの複合化、集積化も可能になる。このような
理由から、シリコン基板のごく表面層の酸化膜や、高濃
度ボロンドープ層を残し、下層のシリコンをエッチング
で除去して、支持体及びセンサ部を形成するいわゆるシ
リコンマイクロセンサの開発が盛んである。その支持体
の形状は、ブリッジ、カンチレバー、ダイアフラムなど
様々である。支持体の概略図を図5(A)(B)(C)
に示す。つぎに上述の薄い支持体を形成する方法につい
て説明する。
【0003】シリコン単結晶をEPW液(エチレンジア
ミン・ピロカテコール・水の混合液)NaOH,KOH
などのアルカリ液でエッチングすると、結晶軸によって
エッチング速度が大きく異なる結晶軸異方性がある。す
なわち<111>方向のエッチング速度が、他の<10
0>や<110>等の方向に比べて極端に遅い。この性
質のために、例えば(100)ウェハーに、SiO2を
マスクとしてエッチングで穴を開けると、ウェハー面と
54.7°の角度をなす4つの(111)面で囲まれた
逆ピラミッド形の穴が開く。また(110)ウェハーの
場合には、ウェハー面と垂直な穴が開く。(100)ウ
ェハーを用いて、熱酸化膜を形成したのち、パターン化
してマスクとし、シリコンのエッチングを行った例が図
5である。この際に支持体として残るのは、熱酸化膜の
みである。熱酸化膜の代わりに、CVD(Chemic
al Vapour Deposition)法等で形
成したSiO2膜や、Si3N4膜を用いた例もある。
ミン・ピロカテコール・水の混合液)NaOH,KOH
などのアルカリ液でエッチングすると、結晶軸によって
エッチング速度が大きく異なる結晶軸異方性がある。す
なわち<111>方向のエッチング速度が、他の<10
0>や<110>等の方向に比べて極端に遅い。この性
質のために、例えば(100)ウェハーに、SiO2を
マスクとしてエッチングで穴を開けると、ウェハー面と
54.7°の角度をなす4つの(111)面で囲まれた
逆ピラミッド形の穴が開く。また(110)ウェハーの
場合には、ウェハー面と垂直な穴が開く。(100)ウ
ェハーを用いて、熱酸化膜を形成したのち、パターン化
してマスクとし、シリコンのエッチングを行った例が図
5である。この際に支持体として残るのは、熱酸化膜の
みである。熱酸化膜の代わりに、CVD(Chemic
al Vapour Deposition)法等で形
成したSiO2膜や、Si3N4膜を用いた例もある。
【0004】その他の薄い支持体を形成する方法とし
て、シリコンエッチングの際の不純物濃度依存性を利用
する方法がある。前述のエッチング液では、ボロンを高
濃度に拡散したシリコン層は、エッチング速度が遅くな
り、エッチング停止層として働く。従って、シリコンウ
ェハーの片面にボロンを高濃度に拡散した層を形成し、
裏面よりSiO2、Si3N4などをマスクとしてエッチ
ングすると、図5(C)のダイアフラムが形成される。
ブリッジ、カンチレバー等も同様にして形成することが
できる。ただし、この際支持体として残るのは、高濃度
ボロンドープ層である。
て、シリコンエッチングの際の不純物濃度依存性を利用
する方法がある。前述のエッチング液では、ボロンを高
濃度に拡散したシリコン層は、エッチング速度が遅くな
り、エッチング停止層として働く。従って、シリコンウ
ェハーの片面にボロンを高濃度に拡散した層を形成し、
裏面よりSiO2、Si3N4などをマスクとしてエッチ
ングすると、図5(C)のダイアフラムが形成される。
ブリッジ、カンチレバー等も同様にして形成することが
できる。ただし、この際支持体として残るのは、高濃度
ボロンドープ層である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】酸化膜を用いて、薄い
支持体を形成した場合、膜厚が1ミクロン以下のように
薄くなると、支持体の湾曲が起こったり、機械的強度が
弱くなる。逆に厚くなると、シリコンと酸化膜との熱膨
張率の差によって歪が加わり、支持体にヒビ割れや、破
損が起こる。また厚い熱酸化膜は作製に時間を要し、生
産性が悪く、得られる膜厚はせいぜい2〜3ミクロン以
下である。
支持体を形成した場合、膜厚が1ミクロン以下のように
薄くなると、支持体の湾曲が起こったり、機械的強度が
弱くなる。逆に厚くなると、シリコンと酸化膜との熱膨
張率の差によって歪が加わり、支持体にヒビ割れや、破
損が起こる。また厚い熱酸化膜は作製に時間を要し、生
産性が悪く、得られる膜厚はせいぜい2〜3ミクロン以
下である。
【0006】一方、高濃度ボロンドープ層で薄い支持体
を形成した場合ボロンドープの深さは、約10ミクロン
程度まで深くできるので支持体を厚くでき、また、熱膨
張率はシリコン基板と等しいので、歪みがなく、平坦で
機械的強度の強い支持体が得られる。しかし、高濃度ボ
ロンドープ層の電気抵抗は低いので、この支持体上に、
センサ材料を形成しようとする際には、高濃度ボロンド
ープ層とセンサ材料の間を電気的に絶縁する必要があ
る。
を形成した場合ボロンドープの深さは、約10ミクロン
程度まで深くできるので支持体を厚くでき、また、熱膨
張率はシリコン基板と等しいので、歪みがなく、平坦で
機械的強度の強い支持体が得られる。しかし、高濃度ボ
ロンドープ層の電気抵抗は低いので、この支持体上に、
センサ材料を形成しようとする際には、高濃度ボロンド
ープ層とセンサ材料の間を電気的に絶縁する必要があ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明では一主面上に凹部が形成されたシリコン
基板3と、前記凹部を除くシリコン基板3表面に形成さ
れたボロンドープ層5と、少なくとも該ボロンドープ層
5表面に形成され、該ボロンドープ層5に比較して薄い
絶縁膜6と、からなる支持体を具備してなり、前記絶縁
膜6上にセンサ膜を設けたシリコンマイクロセンサを提
供するものである。
めに、本発明では一主面上に凹部が形成されたシリコン
基板3と、前記凹部を除くシリコン基板3表面に形成さ
れたボロンドープ層5と、少なくとも該ボロンドープ層
5表面に形成され、該ボロンドープ層5に比較して薄い
絶縁膜6と、からなる支持体を具備してなり、前記絶縁
膜6上にセンサ膜を設けたシリコンマイクロセンサを提
供するものである。
【0008】また、前記絶縁膜6が、SiO2,Si3N
4,Al2O3の少なくとも1種類からなるシリコンマイ
クロセンサを提供するものである。
4,Al2O3の少なくとも1種類からなるシリコンマイ
クロセンサを提供するものである。
【0009】酸化膜等の絶縁膜の熱膨張率は、シリコン
とは異なるが、膜厚が薄いため、支持体全体としての熱
膨張率はボロンドープ層によって定まり、従って支持体
部の熱膨張率はシリコンと等しくなるので作製時の熱的
歪みが少なく、機械的強度、熱的強度が強く、しかも湾
曲のない平坦な支持体(ブリッジ、カンチレバー、ダイ
ヤフラム等)が得られる。
とは異なるが、膜厚が薄いため、支持体全体としての熱
膨張率はボロンドープ層によって定まり、従って支持体
部の熱膨張率はシリコンと等しくなるので作製時の熱的
歪みが少なく、機械的強度、熱的強度が強く、しかも湾
曲のない平坦な支持体(ブリッジ、カンチレバー、ダイ
ヤフラム等)が得られる。
【0010】ボロンドープ層を被覆する薄い絶縁層は、
熱酸化膜に限定されない。CVD法、スパッタリング
法、その他の方法で形成したSiO2膜でも良いし、S
i3N4膜、Al2O3膜も良好である。作製プロセスの点
からは、ボロンドーピングと同じ装置(拡散装置)を使
用できる熱酸化膜が適するが、熱膨張率の点からは、S
i3N4膜、Al2O3膜の方が良い。
熱酸化膜に限定されない。CVD法、スパッタリング
法、その他の方法で形成したSiO2膜でも良いし、S
i3N4膜、Al2O3膜も良好である。作製プロセスの点
からは、ボロンドーピングと同じ装置(拡散装置)を使
用できる熱酸化膜が適するが、熱膨張率の点からは、S
i3N4膜、Al2O3膜の方が良い。
【0011】
<実施例1>図1に本発明の1実施例であるシリコンマ
イクロセンサの断面図及び平面図を、図2に、その製作
工程毎の断面図を示す。
イクロセンサの断面図及び平面図を、図2に、その製作
工程毎の断面図を示す。
【0012】n型シリコンウェハー3表面を熱酸化し、
フォトエッチングで熱酸化膜4をパターン化する(図2
(A))。このパターン化した熱酸化膜4をマスクとし
て、ボロンを拡散しボロンドープ層5を形成する(図2
(B))。この際ボロン濃度は、できるだけ高濃度に
(1×1020cm/cm3以上が好ましい)、また接合
深さはかなり深く(約5μm)する。つぎに、マスクの
熱酸化膜4をフッ酸緩衝液で除去した後(図2
(C))、沸点近くまで昇温したEPWエッチング液中
に浸漬し、ボロンドープ層5によりブリッジが形成され
るまでエッチングを行う(図2(D))。さらに、熱酸
化によって、ボロンドープ層5の厚さに比較して十分薄
い酸化膜6(約3000Å)を形成する(図2
(E))。最後に、得られたブリッジ部にセンサ材料と
なる薄膜7および電極8を形成して、図1のセンサが完
成する。上記実施例では、支持体の形状がブリッジの例
を示したが、カンチレバー、ダイヤフラムについても同
様に作製可能である。
フォトエッチングで熱酸化膜4をパターン化する(図2
(A))。このパターン化した熱酸化膜4をマスクとし
て、ボロンを拡散しボロンドープ層5を形成する(図2
(B))。この際ボロン濃度は、できるだけ高濃度に
(1×1020cm/cm3以上が好ましい)、また接合
深さはかなり深く(約5μm)する。つぎに、マスクの
熱酸化膜4をフッ酸緩衝液で除去した後(図2
(C))、沸点近くまで昇温したEPWエッチング液中
に浸漬し、ボロンドープ層5によりブリッジが形成され
るまでエッチングを行う(図2(D))。さらに、熱酸
化によって、ボロンドープ層5の厚さに比較して十分薄
い酸化膜6(約3000Å)を形成する(図2
(E))。最後に、得られたブリッジ部にセンサ材料と
なる薄膜7および電極8を形成して、図1のセンサが完
成する。上記実施例では、支持体の形状がブリッジの例
を示したが、カンチレバー、ダイヤフラムについても同
様に作製可能である。
【0013】<実施例2>図3に本発明の他の実施例で
あるシリコンマイクロセンサの断面図及び平面図を、図
4にその製作工程毎の断面図を示す。
あるシリコンマイクロセンサの断面図及び平面図を、図
4にその製作工程毎の断面図を示す。
【0014】n型シリコンウェハー3を熱酸化し、フォ
トエッチングで熱酸化膜4をパターン化し、シリコンエ
ッチング部のみ熱酸化膜4を残す(図4(A))。この
パターン化した熱酸化膜4をマスクとしてボロンを拡散
し、ボロンドープ層5を形成する。同時にボロンドープ
層5の表面に熱酸化膜6を薄く形成する(図4
(B))。ボロンドープ層5は数μm〜10μm、熱酸
化膜6は1000〜5000Å程度が好ましい。つぎに
マスクの酸化膜4のみを、フォトエッチングで除去した
後(図4(C))、沸点近くまで昇温したEPWエッチ
ング液中に浸漬し、シリコンのエッチングを行う。ボロ
ンドープ層5と酸化膜はエッチングされないので、これ
ら2層からなるダイヤフラムが形成される(図4
(D))。最後に得られたダイヤフラム部に、センサ材
料となる薄膜7および電極8を形成して、図3のセンサ
が完成する。
トエッチングで熱酸化膜4をパターン化し、シリコンエ
ッチング部のみ熱酸化膜4を残す(図4(A))。この
パターン化した熱酸化膜4をマスクとしてボロンを拡散
し、ボロンドープ層5を形成する。同時にボロンドープ
層5の表面に熱酸化膜6を薄く形成する(図4
(B))。ボロンドープ層5は数μm〜10μm、熱酸
化膜6は1000〜5000Å程度が好ましい。つぎに
マスクの酸化膜4のみを、フォトエッチングで除去した
後(図4(C))、沸点近くまで昇温したEPWエッチ
ング液中に浸漬し、シリコンのエッチングを行う。ボロ
ンドープ層5と酸化膜はエッチングされないので、これ
ら2層からなるダイヤフラムが形成される(図4
(D))。最後に得られたダイヤフラム部に、センサ材
料となる薄膜7および電極8を形成して、図3のセンサ
が完成する。
【0015】
【発明の効果】本発明の支持体上にセンサ材料を形成す
ることにより、機械的強度、熱的強度が強く、信頼性の
高いシリコンマイクロセンサが得られる。
ることにより、機械的強度、熱的強度が強く、信頼性の
高いシリコンマイクロセンサが得られる。
【0016】そして、このシリコンマイクロセンサは、
赤外線センサ、フローセンサ、ガスセンサ等の熱収支を
利用するセンサに応用でき、高感度化、低消費電力化に
役立つ。また、圧力センサ、振動センサ、加速度センサ
等可動部を有するセンサへの応用も可能である。さら
に、センサの微小化、複合化、集積化にも寄与する。
赤外線センサ、フローセンサ、ガスセンサ等の熱収支を
利用するセンサに応用でき、高感度化、低消費電力化に
役立つ。また、圧力センサ、振動センサ、加速度センサ
等可動部を有するセンサへの応用も可能である。さら
に、センサの微小化、複合化、集積化にも寄与する。
【図1】本発明の1実施例を示すシリコンマイクロセン
サの断面図及び平面図である。
サの断面図及び平面図である。
【図2】図1に示すシリコンマイクロセンサの製造工程
図である。
図である。
【図3】本発明の他の実施例を示すシリコンマイクロセ
ンサの断面図及び平面図である。
ンサの断面図及び平面図である。
【図4】図3に示すシリコンマイクロセンサの製造工程
図である。
図である。
【図5】従来のシリコンマイクロセンサの支持体形状を
示す構成図である。
示す構成図である。
3 シリコン基板 4 熱酸化膜 5 ボロンドープ層 6 熱酸化膜 7 センサ膜 8 電極
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 29/84 B 31/0248
Claims (2)
- 【請求項1】 一主面上に凹部が形成されたシリコン基
板3と、 前記凹部を除くシリコン基板3表面に形成されたボロン
ドープ層5と、 少なくとも該ボロンドープ層5表面に形成され、該ボロ
ンドープ層5に比較して薄い絶縁膜6と、からなる支持
体を具備してなり、 前記絶縁膜6上にセンサ膜を設けたことを特徴とするシ
リコンマイクロセンサ。 - 【請求項2】 前記絶縁膜6が、SiO2,Si3N4,
Al2O3の少なくとも1種類からなることを特徴とする
請求項1に記載のシリコンマイクロセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7229049A JP2617287B2 (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | シリコンマイクロセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7229049A JP2617287B2 (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | シリコンマイクロセンサ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62079243A Division JPH0650255B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | シリコンマイクロセンサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0894398A true JPH0894398A (ja) | 1996-04-12 |
JP2617287B2 JP2617287B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=16885951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7229049A Expired - Fee Related JP2617287B2 (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | シリコンマイクロセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2617287B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007101459A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサおよびその製造方法 |
JP2010276459A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサ |
TWI452287B (zh) * | 2010-12-27 | 2014-09-11 | Ind Tech Res Inst | 氣體感測元件及其製造方法 |
JP2016021565A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-02-04 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ エナジーズ アルタナティブス | 歪みゲルマニウム膜を含むデバイス |
US11953380B2 (en) | 2019-05-21 | 2024-04-09 | Nextinput, Inc. | Combined near and mid infrared sensor in a chip scale package |
-
1995
- 1995-09-06 JP JP7229049A patent/JP2617287B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
INTERNATIONAL JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES=1985US * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007101459A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサおよびその製造方法 |
JP2010276459A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサ |
TWI452287B (zh) * | 2010-12-27 | 2014-09-11 | Ind Tech Res Inst | 氣體感測元件及其製造方法 |
US8859317B2 (en) | 2010-12-27 | 2014-10-14 | Industrial Technology Research Institute | Gas sensor and manufacturing method thereof |
JP2016021565A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-02-04 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ エナジーズ アルタナティブス | 歪みゲルマニウム膜を含むデバイス |
US11953380B2 (en) | 2019-05-21 | 2024-04-09 | Nextinput, Inc. | Combined near and mid infrared sensor in a chip scale package |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2617287B2 (ja) | 1997-06-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |