JPS61105861A - 梁構造体を有する半導体装置 - Google Patents
梁構造体を有する半導体装置Info
- Publication number
- JPS61105861A JPS61105861A JP60120366A JP12036685A JPS61105861A JP S61105861 A JPS61105861 A JP S61105861A JP 60120366 A JP60120366 A JP 60120366A JP 12036685 A JP12036685 A JP 12036685A JP S61105861 A JPS61105861 A JP S61105861A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- movable beam
- film
- substrate
- etching
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one piezoelectric, electrostrictive or magnetostrictive element covered by groups H10N30/00 – H10N35/00
Landscapes
- Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は、半導体基板に少なくとも一部が振動可能に
形成されてなる梁構造体を有する半導体装置に関する。
形成されてなる梁構造体を有する半導体装置に関する。
「発明の技術的背景」
機械振動の検出においては、その正確さを期するため真
の振動部の振動をいかに検出するかが重要である。その
ためには、当該振動部の大小、存在場所に拘わらず、し
かもその振動が微細であっても測定できる検出装置が必
要となってくる。そこで、本発明者は先に特願昭５７−
１４８８７７１号に示すごとき構造の装置を開発するに
至っている。この装置は、基本的には半導体基板」−に
少なくとも一端が支持され、振動部位が当該基板面にほ
ぼ平行で、その振動部位に一体的に電極層を含んだ可動
梁と、この可動梁に対向して上記半導体基板面に設けら
れ、上記電極層とともにコンデンサを形成する固定電極
層とを備える構造で、ぞの動作どしては、可動梁の撮動
に伴なう前記コンデンサの容９変化によって振動を検出
するものである。
の振動部の振動をいかに検出するかが重要である。その
ためには、当該振動部の大小、存在場所に拘わらず、し
かもその振動が微細であっても測定できる検出装置が必
要となってくる。そこで、本発明者は先に特願昭５７−
１４８８７７１号に示すごとき構造の装置を開発するに
至っている。この装置は、基本的には半導体基板」−に
少なくとも一端が支持され、振動部位が当該基板面にほ
ぼ平行で、その振動部位に一体的に電極層を含んだ可動
梁と、この可動梁に対向して上記半導体基板面に設けら
れ、上記電極層とともにコンデンサを形成する固定電極
層とを備える構造で、ぞの動作どしては、可動梁の撮動
に伴なう前記コンデンサの容９変化によって振動を検出
するものである。
［発明の目的および概要］
この発明は、上述したような梁構造体を有する半導体装
置における好適な可動梁を提供することを目的とするも
のである。
置における好適な可動梁を提供することを目的とするも
のである。
上記目的を）辛酸するために、この発明は、半導体基板
上に少なくとも一端が支持され当該基板にほぼ平行に一
体的に電極を含んだ振動部位を右Ｊる可動梁と、前記？
１′導体基板上に可動梁の振動部位に対向して形成され
た固定電極とを右し、可動梁の電極ど固定電極との間で
］ンデンリを形成しでイする梁４１４造体を有する半導
体装置において、前記可動梁を耐アルノＪすＴツヂ性に
形成したポリシリコン膜と該ポリシリコン膜に夕・１し
上下に上側の層厚を下側の層厚より若ｆ厚く形成した耐
アルカリニップ性をイＪ−する部材の三組構造としたこ
とを要旨とり−る。
上に少なくとも一端が支持され当該基板にほぼ平行に一
体的に電極を含んだ振動部位を右Ｊる可動梁と、前記？
１′導体基板上に可動梁の振動部位に対向して形成され
た固定電極とを右し、可動梁の電極ど固定電極との間で
］ンデンリを形成しでイする梁４１４造体を有する半導
体装置において、前記可動梁を耐アルノＪすＴツヂ性に
形成したポリシリコン膜と該ポリシリコン膜に夕・１し
上下に上側の層厚を下側の層厚より若ｆ厚く形成した耐
アルカリニップ性をイＪ−する部材の三組構造としたこ
とを要旨とり−る。
［発明の実施例］
以下、図面を用いてこの発明の実Ｌｆ！ｉ例を３１明リ
−る。
−る。
第１図は、この発明の一実施例を示ηものである。１は
基板９」二に片持梁のような形態で設りられ独自の固有
振動数を右づる可動梁・で、電（ル層を４１４成する耐
アルカリニップ−性の高濃度Ｐ＋ポリシリコン膜３がや
はり耐アルカリエッチ性のナイトライト膜５．７で一す
−ンドイッチされた三重構造である。なａう、ナイ）−
ライド膜５は後述するようにナイトライド膜７より若干
厚く（約２０ｘ）形成されている。一方、基板９には、
可動梁１に対向して熱酸化５ＩＣｈ膜１１を介してＰ＋
領域１３が形成されている。当該Ｐ＋領域１３ば、固定
電極層となっており、可動梁１の高濃度Ｐ＋ポリシリコ
ン膜３との間でコンデンサを形成している。
基板９」二に片持梁のような形態で設りられ独自の固有
振動数を右づる可動梁・で、電（ル層を４１４成する耐
アルカリニップ−性の高濃度Ｐ＋ポリシリコン膜３がや
はり耐アルカリエッチ性のナイトライト膜５．７で一す
−ンドイッチされた三重構造である。なａう、ナイ）−
ライド膜５は後述するようにナイトライド膜７より若干
厚く（約２０ｘ）形成されている。一方、基板９には、
可動梁１に対向して熱酸化５ＩＣｈ膜１１を介してＰ＋
領域１３が形成されている。当該Ｐ＋領域１３ば、固定
電極層となっており、可動梁１の高濃度Ｐ＋ポリシリコ
ン膜３との間でコンデンサを形成している。
このため、可動梁１が共振すると、可動梁１とＰ゛領域
１３の間隔が変化し、それに応じて前記コンデンサの容
量が変化することになる。したがって、可動梁１とＰ＋
領域１３との間の容量変化を検出する回路を設（プれば
、その回路の出力から可動梁１にその固有振動数に相当
する振動が加わっているかどうか判定することができる
。この容量変化の検出回路は基板９上に一体的に集積形
成することができる。なお、可動梁１に前記固有振動数
を大きく外れる振動が加わった場合には、可動梁１は共
振しないので、前記コンデンサの容量変化は小さいこと
は自明である。
１３の間隔が変化し、それに応じて前記コンデンサの容
量が変化することになる。したがって、可動梁１とＰ＋
領域１３との間の容量変化を検出する回路を設（プれば
、その回路の出力から可動梁１にその固有振動数に相当
する振動が加わっているかどうか判定することができる
。この容量変化の検出回路は基板９上に一体的に集積形
成することができる。なお、可動梁１に前記固有振動数
を大きく外れる振動が加わった場合には、可動梁１は共
振しないので、前記コンデンサの容量変化は小さいこと
は自明である。
次に、この半導体装置の製造工程を第２図の（Δ）乃〒
〈トＩ）にしたがって説明する。
〈トＩ）にしたがって説明する。
（Ａ）・・・よす、Ｎ形Ｓ１の基板９に容量変化を検出
出力するための例えばｒ−’ −Ｍ ＯＳのＦＦＴのソ
ース、ドレイン用及び前記固定電極用のＰ″領１或１３
．１５．１７を形成し、基板９の表面には熱酸化５１０
２膜を例えば７０００ズ形成する。
出力するための例えばｒ−’ −Ｍ ＯＳのＦＦＴのソ
ース、ドレイン用及び前記固定電極用のＰ″領１或１３
．１５．１７を形成し、基板９の表面には熱酸化５１０
２膜を例えば７０００ズ形成する。
（［３）・・・次に全面に、例えば減圧ＣＶＤ法により
５ｉｌ−１４を約６２０°Ｃで熱分解し、例えば１へ・
３１１ｍの不純物を合まないポリシリコン層を形成し、
フＡ１〜エツチングによりポリシリコンスペーサ１９を
形成する。
５ｉｌ−１４を約６２０°Ｃで熱分解し、例えば１へ・
３１１ｍの不純物を合まないポリシリコン層を形成し、
フＡ１〜エツチングによりポリシリコンスペーサ１９を
形成する。
（Ｃ）・・・次に全面に、例えば減圧ＣＶＤ法により、
Ｎ ｌ−１３と５ｉｔ−ｈＣ女２を約７５０°Ｃで熱分
解し約５００にのナイトライド膜を形成し、フォトエツ
ヂングにより、ポリシリコンスペーサ１９の酸化を防止
する酸化防止膜２１を形成する。
Ｎ ｌ−１３と５ｉｔ−ｈＣ女２を約７５０°Ｃで熱分
解し約５００にのナイトライド膜を形成し、フォトエツ
ヂングにより、ポリシリコンスペーサ１９の酸化を防止
する酸化防止膜２１を形成する。
（Ｄ＞・・・前記Ｐ−ＭＯ８のＦＦＴのゲート部、及び
コンク９１〜部２２の熱酸化３ｉｏ２膜１１を）第１ヘ
エツヂングで除去し、例えば１０５０’Ｃ酸索雰囲気中
で熱酸化し、ゲート酸化膜２３を形成する。その後必要
に応じてスレッシュホールド電圧Ｖｔｈコン１ヘロール
用のイオン注入をゲート酸化膜を通して行なう。
コンク９１〜部２２の熱酸化３ｉｏ２膜１１を）第１ヘ
エツヂングで除去し、例えば１０５０’Ｃ酸索雰囲気中
で熱酸化し、ゲート酸化膜２３を形成する。その後必要
に応じてスレッシュホールド電圧Ｖｔｈコン１ヘロール
用のイオン注入をゲート酸化膜を通して行なう。
（「）・・・熱リン酸（１５０℃）で酸化防止膜２１を
除去したあと、全面に例えば減圧ＣＶＤ法により、約３
００大の下層のナイ］・ライド膜７を形成し、さらに全
面に例えば減圧ＣＶＤ法により約５０００〜１００００
人のポリシリコン膜を形成し、このポリシリコンに例え
ばＢ Ｂ ｒ ３を用いた不純物拡散法で高濃度のボロ
ンをドープし高濃度Ｐ＋ポリシリコン膜３を形成する。
除去したあと、全面に例えば減圧ＣＶＤ法により、約３
００大の下層のナイ］・ライド膜７を形成し、さらに全
面に例えば減圧ＣＶＤ法により約５０００〜１００００
人のポリシリコン膜を形成し、このポリシリコンに例え
ばＢ Ｂ ｒ ３を用いた不純物拡散法で高濃度のボロ
ンをドープし高濃度Ｐ＋ポリシリコン膜３を形成する。
さらに、全面に例えば減圧ＣＶＤ法により下層のナイト
ライド膜７より約２０大厚い上層のナイトライド膜５を
形成する。
ライド膜７より約２０大厚い上層のナイトライド膜５を
形成する。
なお、このように減圧ＣＶＤ法により上層のティ１〜ラ
イド膜５を下層のナイトライド膜７より厚く形成すると
、形成時に生じる罠性ひずみによりポリシリコン膜３お
よびナイトライド膜５，７で構成される可動梁１として
は、上側に反るｊ：うな力が働くことが一般に知られて
いる（Ｔ業調査会介行エレクＩ−ロニクス技術全＝３ｒ
Ｍｏｓデバイス」 （把１１１珈著）Ｐｌ ７１〜１７
２）。
イド膜５を下層のナイトライド膜７より厚く形成すると
、形成時に生じる罠性ひずみによりポリシリコン膜３お
よびナイトライド膜５，７で構成される可動梁１として
は、上側に反るｊ：うな力が働くことが一般に知られて
いる（Ｔ業調査会介行エレクＩ−ロニクス技術全＝３ｒ
Ｍｏｓデバイス」 （把１１１珈著）Ｐｌ ７１〜１７
２）。
（Ｆ）・・・次に、ＣＦ４を用いたプラズマエツチング
により、片持梁パターン２５を形成し、さらにフォトエ
ツチングにより、電極取り出し部２７の上層のナイトラ
イド膜５を除去する。
により、片持梁パターン２５を形成し、さらにフォトエ
ツチングにより、電極取り出し部２７の上層のナイトラ
イド膜５を除去する。
（Ｇ）・・・次にフｙ＋ ｌ−エツチングにより、コン
タクト部２２の熱酸化膜に穴を開（）、全面に例えば真
空蒸着法にＪ：す、１〜１．５μｍの八女膜を形成しフ
ォトエツチングにより電極値９４２９．３０を形成する
。
タクト部２２の熱酸化膜に穴を開（）、全面に例えば真
空蒸着法にＪ：す、１〜１．５μｍの八女膜を形成しフ
ォトエツチングにより電極値９４２９．３０を形成する
。
（＋−１＞・・・次に全面に例えば常圧ＣＶＤ法にＪ、
す、約’１．００℃で５ｉｔ−１＜どＰＨ３を熱分解し
、例えば厚さ１．２μｍのＰＳＧ膜を形成し、）Ａ１〜
エッヂングによってポンディングパッド及び可動梁領域
上以外に保護膜３１を形成する。そして、最後に、強ア
ルカリ水溶液（例えばエヂ１ノンジアミン４ピロノＪデ
］−ル＋水の混合液）をエツチング液として全体をエツ
チング覆る。これにより、ボロンの添加されていないポ
リシリコンスペーサ１９は約５０μｍ／時のスピードで
エツチングされ、第１図に示す半導体装置が完成する。
す、約’１．００℃で５ｉｔ−１＜どＰＨ３を熱分解し
、例えば厚さ１．２μｍのＰＳＧ膜を形成し、）Ａ１〜
エッヂングによってポンディングパッド及び可動梁領域
上以外に保護膜３１を形成する。そして、最後に、強ア
ルカリ水溶液（例えばエヂ１ノンジアミン４ピロノＪデ
］−ル＋水の混合液）をエツチング液として全体をエツ
チング覆る。これにより、ボロンの添加されていないポ
リシリコンスペーサ１９は約５０μｍ／時のスピードで
エツチングされ、第１図に示す半導体装置が完成する。
この時、可動梁１の主材料である高濃度Ｐ＋ポリシリコ
ン膜３はボロンが高濃度に入っているため、横方向から
ほとんどエツチングされず、可動梁を精度よく製造する
ことができる。
ン膜３はボロンが高濃度に入っているため、横方向から
ほとんどエツチングされず、可動梁を精度よく製造する
ことができる。
また、このエツチング処理においては、前述した如く可
動梁１に上側に反るような力が動いているため、エツチ
ングから水洗い乾燥の工程で可動梁１が基板面に張りつ
いてしまうといったことを防止することができる。
動梁１に上側に反るような力が動いているため、エツチ
ングから水洗い乾燥の工程で可動梁１が基板面に張りつ
いてしまうといったことを防止することができる。
なお、可動梁１の形状は、第２図（「）の工程のフォト
エツチングで自由に作ることができ、例えば可動梁１の
形状を長さ方向中央より先端側に重心が移るようにする
こともできるし、あるいは可動梁１の長さ方向中央に細
長い穴を開口し、最終工程の強アルカリ水溶液によるエ
ツチング時に、上記穴から強アルカリ水溶液を浸透させ
、可動梁１直下のポリシリコンスペーサ１９のエツチン
グ７一 時間を短縮するようにすることもできる。
エツチングで自由に作ることができ、例えば可動梁１の
形状を長さ方向中央より先端側に重心が移るようにする
こともできるし、あるいは可動梁１の長さ方向中央に細
長い穴を開口し、最終工程の強アルカリ水溶液によるエ
ツチング時に、上記穴から強アルカリ水溶液を浸透させ
、可動梁１直下のポリシリコンスペーサ１９のエツチン
グ７一 時間を短縮するようにすることもできる。
このように形成した半導体装置の具体的イン応用例とし
ては、自動中のエンジンのノッキング検出子）加速度レ
ン（ノー、回転計に適用できる。すなわち、ノッキング
検出においては、ノッキング発イ１−旧にエンジンから
約７ Ｋ ｌ−ｌ ｚの振動が発生するので′、可動梁
°５１を同右振動数が７ Ｋ Ｌｌ ｚど４するＪ−う
に形成してお（づば当該ノッキング検出を行なうことが
できる。一方、加速度センリ−や回転計の応用において
は、加速度や遠心力により可動梁１の水平部に対し垂直
方向に力が加わるように半導体装置を配置して、加速度
や遠心力による容量変化を検出する」、うにで−ればよ
い。
ては、自動中のエンジンのノッキング検出子）加速度レ
ン（ノー、回転計に適用できる。すなわち、ノッキング
検出においては、ノッキング発イ１−旧にエンジンから
約７ Ｋ ｌ−ｌ ｚの振動が発生するので′、可動梁
°５１を同右振動数が７ Ｋ Ｌｌ ｚど４するＪ−う
に形成してお（づば当該ノッキング検出を行なうことが
できる。一方、加速度センリ−や回転計の応用において
は、加速度や遠心力により可動梁１の水平部に対し垂直
方向に力が加わるように半導体装置を配置して、加速度
や遠心力による容量変化を検出する」、うにで−ればよ
い。
第３図は、この発明の別の実施例を示すもので、可動梁
１の支持部を高濃度「）４ポリシリ］ンスペーザ３３の
形成配置によって補強したことを特徴どする。
１の支持部を高濃度「）４ポリシリ］ンスペーザ３３の
形成配置によって補強したことを特徴どする。
以下、この実施例の半導体装間の製造工程を第４図の（
Ｃ）及び（Ｃ−）を用いて説明力−る。なお、前）ホし
た第２図の〈Δ）、（Ｂ）、（Ｄ）乃至（Ｈ）は同じ工
程であるのでその説明は略する。
Ｃ）及び（Ｃ−）を用いて説明力−る。なお、前）ホし
た第２図の〈Δ）、（Ｂ）、（Ｄ）乃至（Ｈ）は同じ工
程であるのでその説明は略する。
また、第１図及び第２図と同符号のものは同一物を示す
。
。
（Ｃ）・・・第２図（Ｂ）に示す工程を終了した後、全
面に、例えば減圧ＣＶＤ法により、ＮＨ３と５ｉＨ２Ｃ
愛２を約７５０°Ｃで熱分解し約５００スの下層のナイ
トライド膜７を形成し、さらにその上に、例えば常圧Ｃ
ＶＤ法により約４００℃で＄１ト１４を熱分解し、約７
０００λの５ｉ０２膜を形成し、フォトエツチングにて
、可動梁の補強部の５ｉ（ｈ膜を除去し、イオン注入マ
イク３５を形成する。そして、ボロンをイオン注入法で
例えば加速エネルギー１００ＫｅＶで３Ｘ１０１６個／
ｃｍ２注入し、マスキングされていなかったポリシリ
コンスペーサ１９部にポリシリコンスペーサ３３を作る
。
面に、例えば減圧ＣＶＤ法により、ＮＨ３と５ｉＨ２Ｃ
愛２を約７５０°Ｃで熱分解し約５００スの下層のナイ
トライド膜７を形成し、さらにその上に、例えば常圧Ｃ
ＶＤ法により約４００℃で＄１ト１４を熱分解し、約７
０００λの５ｉ０２膜を形成し、フォトエツチングにて
、可動梁の補強部の５ｉ（ｈ膜を除去し、イオン注入マ
イク３５を形成する。そして、ボロンをイオン注入法で
例えば加速エネルギー１００ＫｅＶで３Ｘ１０１６個／
ｃｍ２注入し、マスキングされていなかったポリシリ
コンスペーサ１９部にポリシリコンスペーサ３３を作る
。
（Ｃ′）・・・次に、希フッ酸にてイオン注入マスク３
５をエツチングし、さらにフォトエツチングにより高濃
度Ｐ＋ポリシリコンスペーサ３３及びポリシリコンスペ
ーサ１９の酸化を防止する酸化防止膜２１を形成する。
５をエツチングし、さらにフォトエツチングにより高濃
度Ｐ＋ポリシリコンスペーサ３３及びポリシリコンスペ
ーサ１９の酸化を防止する酸化防止膜２１を形成する。
その後、第２図（Ｄ）〜（１」）の工程を経て、最後に
強アルカリ水溶液でポリシリコンスペーザ１９をエツチ
ングするが、この時、高温度Ｐ＋ポリシリコンスペーザ
３３は高濃度にボロンがドープされているため強アルカ
リ水溶液に対する■ツヂングレー１〜が極めて小さいの
で残り、もって第３図に示すごとき半導体装置が形成さ
れることになる。
強アルカリ水溶液でポリシリコンスペーザ１９をエツチ
ングするが、この時、高温度Ｐ＋ポリシリコンスペーザ
３３は高濃度にボロンがドープされているため強アルカ
リ水溶液に対する■ツヂングレー１〜が極めて小さいの
で残り、もって第３図に示すごとき半導体装置が形成さ
れることになる。
したがって、このように可動梁の支持部を補強し可動梁
の立上がりをなくしたので、横方向の力に対して強度が
増し、可動梁が例えばエツヂフグ中あるいは水洗い中に
折れるという不具合を抑制でき、もって可動梁の形成に
関し、歩留り向上を期待することができる。
の立上がりをなくしたので、横方向の力に対して強度が
増し、可動梁が例えばエツヂフグ中あるいは水洗い中に
折れるという不具合を抑制でき、もって可動梁の形成に
関し、歩留り向上を期待することができる。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明にｊ；れば、半導体基板
上に少なくとも一端が支持され当該Ｖ板にほぼ平行に一
体的に電極を含んだ振動部位を右する可動梁と、前記半
導体基板上に可動梁の振動部位に対向して形成された固
定電極とを右し、可動梁の電極と固定電極との間でコン
デンサ゛を形成してなる梁構造体を有する半導体装置に
おいて、前記可動梁を耐アルカリエッチ性に形成したポ
リシリコン膜と該ポリシリコン膜に対し上下に上側の層
厚を下側の層厚より若干厚く形成した耐アルカリエッチ
性を有する部材の三重構造とすることで、可動梁に上側
に反らせるような力を働かせるようにしている。これに
より、可動梁の形成時、特にエツチング処理終了から水
洗い乾燥の工程において可動梁が基板に張りついてしま
うといったことがなく、可動梁の形成に関し歩留り向上
が期待でき、結果として好適な可動梁を有する半導体装
置を提供することができる。
上に少なくとも一端が支持され当該Ｖ板にほぼ平行に一
体的に電極を含んだ振動部位を右する可動梁と、前記半
導体基板上に可動梁の振動部位に対向して形成された固
定電極とを右し、可動梁の電極と固定電極との間でコン
デンサ゛を形成してなる梁構造体を有する半導体装置に
おいて、前記可動梁を耐アルカリエッチ性に形成したポ
リシリコン膜と該ポリシリコン膜に対し上下に上側の層
厚を下側の層厚より若干厚く形成した耐アルカリエッチ
性を有する部材の三重構造とすることで、可動梁に上側
に反らせるような力を働かせるようにしている。これに
より、可動梁の形成時、特にエツチング処理終了から水
洗い乾燥の工程において可動梁が基板に張りついてしま
うといったことがなく、可動梁の形成に関し歩留り向上
が期待でき、結果として好適な可動梁を有する半導体装
置を提供することができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の断面図
、第２図は第１図の半導体装置の製造工程図、第３図は
この発明の別の実施例を示す半導体装置の断面図、第４
図は第３図の半導体装置の製造工程図である。 （図の主要な部分を表わす符号の説明）１・・・可動梁 ３・・・Ｐ９ポリシリコン膜 ５．７・・・ティ１〜ライド膜
、第２図は第１図の半導体装置の製造工程図、第３図は
この発明の別の実施例を示す半導体装置の断面図、第４
図は第３図の半導体装置の製造工程図である。 （図の主要な部分を表わす符号の説明）１・・・可動梁 ３・・・Ｐ９ポリシリコン膜 ５．７・・・ティ１〜ライド膜
Claims (1)
- 半導体基板上にすくなくとも一端が支持され当該基板
にほぼ平行に一体的に電極を含んだ振動部位を有する可
動梁と、前記半導体基板上に可動梁の振動部位に対向し
て形成された固定電極とを有する半導体装置において、
前記可動梁を耐アルカリエッチ性に形成されたポリシリ
コン膜と該ポリシリコン膜に対し上下に上側の層厚を下
側の層厚より若干厚く形成した耐アルカリエッチ性を有
する部材との三重構造にしたことを特徴とする梁構造体
を有する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60120366A JPS61105861A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 梁構造体を有する半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60120366A JPS61105861A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 梁構造体を有する半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58163270A Division JPS6055655A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 梁構造体を有する半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61105861A true JPS61105861A (ja) | 1986-05-23 |
| JPH023302B2 JPH023302B2 (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=14784416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60120366A Granted JPS61105861A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 梁構造体を有する半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61105861A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001272414A (ja) * | 1999-12-18 | 2001-10-05 | Robert Bosch Gmbh | 内燃機関のノッキングを検出するためのセンサ |
| JP2009153203A (ja) * | 2000-08-11 | 2009-07-09 | Knowles Electronics Llc | 小型ブロードバンド変換器 |
-
1985
- 1985-06-05 JP JP60120366A patent/JPS61105861A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001272414A (ja) * | 1999-12-18 | 2001-10-05 | Robert Bosch Gmbh | 内燃機関のノッキングを検出するためのセンサ |
| JP2009153203A (ja) * | 2000-08-11 | 2009-07-09 | Knowles Electronics Llc | 小型ブロードバンド変換器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH023302B2 (ja) | 1990-01-23 |
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