JP7177274B2 - センサ装置およびセンサ装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、センサ装置およびセンサ装置の製造方法に関する。

静電容量センサでは、通常、導電層と犠牲層、および後から露出する膜（メンブレン）層を堆積して静電容量センサを製造する。ここで、大抵、犠牲層の厚さは対向電極からの膜（メンブレン）の距離を規定しており、通常は比較的大きく選択される。このような膜センサの感度を高めるために、膜と対向電極との間の距離を小さくすることが望ましい。

ＤＥ１０２０１３２１３０６５（独国特許出願公開第１０２０１３２１３０６５号）には、基板上の対向電極を含むことができる静電容量センサであって、空洞を有する犠牲層を対向電極上に堆積でき、犠牲層上に膜（メンブレン）を配置できる静電容量センサが記載されている。膜のエッチングアクセス部は、対向電極の横側に配置され、空洞はエッチングチャネルとしても使用できる。このようにして、薄い膜を実現することができる。

本発明は、請求項１に記載のセンサ装置と、請求項１６に記載のセンサ装置の製造方法とを提供する。

好ましい改善形態は、従属請求項の主題である。

発明の利点
本発明の根拠となる考えは、センサ装置およびその製造方法を提供することであり、センサ装置の製造方法は、薄い膜（メンブレン）が対向電極に対して好ましくは小さい距離で形成可能であり、ひいては高い感度を有することができることを特徴としている。有利には、膜は単一の材料から製造することができ、エッチングは側面から横方向に行うことができるため、膜を露出させるためのエッチングアクセスホールを可動測定領域において省略することができる。

本発明によれば、センサ装置は、少なくとも１つの基板と、基板上に配置され、基板上方の内部領域を横方向に画定する端部領域と、端部構造に係止され、内部領域にわたって少なくとも部分的に広がる膜（メンブレン）であって、内部領域において、圧力によって移動可能であり、膜と基板との間の中空穴を取り囲む少なくとも１つの可動領域を含む膜と、膜下方の可動領域において延在し、膜に接続され、特に少なくとも１つのトレンチを有する第１の中間支持体と、を含む。

一実施例のセンサ装置によれば、このセンサ装置は、中空穴に接続され、膜の可動領域の外側に配置され、中空穴の内部および媒体アクセス部の内部の規定された圧力を封入する封止部を備えた媒体アクセス部を含む。

一実施例のセンサ装置によれば、端部構造は、中空穴に接続された少なくとも１つのエッチングアクセスチャネルを含む。

一実施例のセンサ装置によれば、基板上および基板と中間支持体との間に、少なくとも１つの導電層が第１の電極として配置され、基板から電気的に絶縁されている。

一実施例のセンサ装置によれば、中間支持体は、可動領域の膜に接点で取り付けられている。

一実施例のセンサ装置によれば、第１の中間支持体は、部分領域において第１の方向に、およびこの方向の全幅にわたって、膜との完全な機械的接続を有する。

一実施例のセンサ装置によれば、第１の中間支持体は、第２の方向に個々の中間支持体要素にセグメント化されており、個々の要素は、第２の方向とは異なる第１の方向に連続して実施されている。

一実施例のセンサ装置によれば、膜は、端部領域に取り囲まれた領域全体を覆う。

一実施例のセンサ装置によれば、膜および／または中間支持体は、少なくとも１つのポリシリコン層を有する。

一実施例のセンサ装置によれば、膜および／または中間支持体は、同じ層厚の少なくとも１つの連続した材料を有する。

一実施例のセンサ装置によれば、膜は、第１の中間支持体が、第１の中間支持体を基板に機械的に接続する少なくとも１つの支持点を含む、部分領域としての少なくとも１つの基準領域を含む。

一実施例のセンサ装置によれば、膜は、ハーフホイートストンブリッジまたはフルホイートストンブリッジとして相互に接続された同数の基準領域および可動領域を含む。

一実施例のセンサ装置によれば、膜は端部構造を介して電気的に接触している。

一実施例のセンサ装置によれば、トレンチの少なくとも１つは、第１の方向または第２の方向の幅が、中間支持体の高さよりも小さい。

一実施例のセンサ装置によれば、端部領域から最も近い接点までの距離は、膜の平面的な延伸領域の少なくとも１０％を有し、延伸領域は、円形の膜の場合は直径に相当し、長方形の膜の場合は短辺の側端の長さに相当する。

本発明によれば、センサ装置の製造方法では、基板を提供するステップと、基板上に少なくとも第１の犠牲層を配置するステップと、少なくとも第１の犠牲層上に補助層を配置するステップと、補助層において、少なくとも第１の犠牲層まで少なくとも１つのトレンチが導入されるように補助層をパターニングするステップであって、トレンチは端部領域の横方向内側に位置し、端部領域は少なくとも部分的に基板上の横方向の外縁である、ステップと、少なくともトレンチ内に第３の犠牲層を配置するステップと、補助層上に膜（メンブレン）を堆積させるステップと、端部領域の膜に少なくとも１つのエッチングアクセスを導入するステップと、少なくとも１つのエッチングアクセス部を介したエッチングプロセスにより、端部領域の横方向内側に、少なくとも第１の犠牲層および第３の犠牲層を少なくとも部分的に除去するステップと、少なくとも１つのエッチングアクセス部を封止材で封止し、規定された圧力を封入するステップと、が行われる。

１つまたは複数のトレンチは、端部領域の横方向内側に、端部領域自体に、およびほぼ中間支持体に、すなわち内部領域内（端部領域の横方向内側に）に位置することができる。

方法の一実施例によれば、第３の犠牲層は補助層上にも配置され、補助層まで端部領域の横方向内側に凹部が導入されるように、第３の犠牲層のパターニングが行われ、凹部には膜の材料が充填されている。

方法の一実施例によれば、第１の犠牲層を配置する前に、基板上に導電層を堆積させ、端部領域の横方向内側でパターニングする。

方法の一実施例によれば、エッチングアクセス部は、膜の横方向および下方で、少なくとも第１および／または第３の犠牲層に接続されている。

方法の一実施例によれば、さらなるステップにおいて、第１の領域で第１の導電層を除去し、第１の領域が第１の導電層の第１の部分領域を画定するように、第１の導電層をパターニングし、第１の部分領域において第１の導電層が第１の電極を形成し、第１の導電層上および第１の領域に第１の犠牲層を配置し、第２の領域において第１の導電層が露出し、第２の領域は第１の部分領域の横方向外側に位置するように、少なくとも第１の犠牲層をパターニングし、第２の領域は内部領域を画定し、補助層を少なくとも第１の犠牲層上および第２の領域に配置し、補助層において少なくとも第１の犠牲層まで凹部が導入されるように補助層をパターニングし、凹部は第１の領域上方および第３の領域に位置し、第３の領域は第１の部分領域および第２の領域の横方向外側に位置し、第１の部分領域の補助層は第１の中間支持体を形成し、第１および第３の領域の補助層上に第３の犠牲層を配置し、第２の領域上方および第１の部分領域上方に第３の犠牲層を介して補助層まで凹部が形成されるように、第３の犠牲層をパターニングし、第３の犠牲層上、ならびに第１の部分領域および第２の領域の凹部内に膜を配置し、第３の領域の膜にエッチングアクセス部を導入し、第２の領域では、補助層は膜が係止される端部領域を形成し、第３の犠牲層の第１の部分領域の凹部内の膜は、膜と第１の中間支持体との間の接点を形成し、エッチングアクセス部を介したエッチングプロセスによって、少なくとも第１の犠牲層および第３の犠牲層を少なくとも部分的に除去し、膜は、圧力によって移動可能な領域を有する内部領域に形成され、第１の電極は、第１の中間支持体から第１の距離だけ離間している。

方法の一実施例によれば、第２の犠牲層および／または第４の犠牲層が、第１の犠牲層上および／または第３の犠牲層上に配置され、第１の犠牲層および／または第３の犠牲層と同じ領域でパターニングされ、除去される。

方法の一実施例によれば、第３の領域および／または第１の領域（Ｂ１）において、補助層は完全に除去される。

方法の一実施例によれば、第３の犠牲層は、補助層上およびその凹部内に堆積させられる。第３の犠牲層は、次の方法ステップで補助層が除去されるべき領域、好ましくは第１および／または第３の領域に凹部が形成されるようにパターニングされる。続いて、補助層の一部が、第３の犠牲層の凹部を通して、好ましくは等方性エッチングプロセスによって除去される。続いて、第４の犠牲層が、第３の犠牲層上およびその凹部内に、凹部が封止されるように堆積される。さらに、第３の犠牲層および第４の犠牲層は、凹部が少なくとも補助層まで形成されるようにパターニングされる。

方法の一実施例によれば、膜は基準領域を有して形成され、基準領域は膜の部分領域を表し、基準領域には、補助層を導電層から電気的に分離された領域に接続し、補助層をその領域上で支持する少なくとも１つの支持点を有する補助層が形成される。

一実施例によれば、センサ装置の製造方法は、基板を提供し、基板上に第１の絶縁体層を形成し、第１の絶縁体層上に第１の導電層を配置し、第１の領域において第１の導電層が除去され、第１の領域が第１の導電層の第１の部分領域を画定するように、第１の導電層をパターニングし、第１の部分領域において、第１の導電層が第１の電極を形成し、第１の導電層上および第１の領域に少なくとも第１の犠牲層を配置し、第２の領域において第１の導電層が露出し、第２の領域が第１の部分領域の横方向外側に位置するように、少なくとも第１の犠牲層をパターニングし、第２の領域が内部領域を画定する。さらに、少なくとも第１の犠牲層上および第２の領域に補助層を配置し、少なくとも第１の犠牲層までの補助層に凹部が導入されるように補助層をパターニングし、凹部は第１の領域上方および第３の領域に位置し、第３の領域は第１の部分領域および第２の領域の横方向外側に位置し、補助層は第１の部分領域に第１の中間支持体を形成し、第１および第３の領域の補助層上に第３の犠牲層を配置し、第３の犠牲層を介して第２の領域および第１の部分領域上方に凹部が形成されるように第３の犠牲層をパターニングし、規定された圧力を封入する。

膜は、有利には、膜層または層の配列であってよい。

センサ装置は、有利にはマイクロメカニカルコンポーネント（ＭＥＭＳ）、有利にはセンサとして実施されてよい。

さらに、第３の犠牲層上、ならびに第１の部分領域および第２の領域の凹部に膜が配置され、第３の領域において膜にエッチングアクセス部が導入され、第２の領域において補助層は膜が係止される端部構造を形成し、第３の犠牲層の第１の部分領域の凹部において膜と第１の中間支持体との間に接点が形成されている。さらに、少なくとも第１のオーパー層および第３の犠牲層が、エッチングアクセス部を介したエッチングプロセスによって少なくとも部分的に除去され、膜は、圧力によって移動する領域を有する内部領域に形成され、第１の電極は、第１の中間支持体から第１の距離だけ離間しており、エッチングアクセス部は封止材によって封止される。

有利には、膜は、少なくとも１つの膜層として形成することができる。

第３の領域は、エッチングストップとしてのＳｉ制限フレームを形成することができる。

方法の好ましい実施形態によれば、第２の犠牲層は第１の犠牲層および／または第３の犠牲層上に配置され、第１の犠牲層および／または第３の犠牲層と同じ領域でパターニングされ、除去される。

このような場合、（少なくとも）第１の犠牲層上に第２の犠牲層を堆積させ、例えば補助層のその後のパターニングの際に、補助層を第２の犠牲層まで部分的に除去することができる。両方の犠牲層は同じ材料を含むことができる。

方法の好ましい実施形態によれば、補助層は、配置の際に、膜の厚さの５０％よりも大きい厚さを有する。

方法の好ましい実施形態によれば、第１の領域および／または第３の領域において補助層をパターニングする際に、補助層に、補助層の厚さよりも狭い複数の垂直トレンチが形成され、これにより、第２の絶縁体層をこれらのトレンチに配置する際に、第３の犠牲層に少なくとも１つの空洞が形成される。

方法の好ましい実施形態によれば、第１の領域、および／または第２の領域、および／または第３の領域、およびまたは第１の部分領域において補助層をパターニングする際に、補助層に、補助層の厚さよりも狭い複数の垂直なトレンチが形成され、これにより、第２の絶縁体層をこれらのトレンチに配置する際に、第３の犠牲層に少なくとも１つの空洞が形成される。

方法の好ましい実施形態によれば、補助層は第１の領域で完全に除去される。
任意選択的に、第３の領域の外側の領域で、補助層を部分的または完全に除去することができる。

補助層は、有利には、第３の犠牲層の狭い開口部を介して、好ましくは気相エッチングプロセスによって除去される。補助層がこれらの開口部を介して除去された後、第３の犠牲層の狭い開口部は、続いて堆積する第４の犠牲層によって封止することができる。第３の犠牲層のスリットは、第４の犠牲層（封止層）の厚さの半分よりも狭く形成することができる。

方法の好ましい実施形態によれば、エッチングプロセス後、後続の封止の際に、膜と第１の導電層との間に一定の内圧が発生する。

方法の好ましい実施形態によれば、膜は基準領域を有して形成され、基準領域は膜の部分領域を表し、基準領域には、補助層を導電層から電気的に分離された領域に接続し、補助層をその領域上で支持する少なくとも１つの支持点を有するが補助層が形成される。基準領域は、有利には、個別の（別の）膜領域に形成することができる。基準領域下方には、有利には別の基準電極を配置することができる。

一実施例によれば、センサ装置は、基板と、基板上に配置され、基板上方の内部領域を画定する端部構造と、端部構造に係止され、内部領域にわたって少なくとも部分的に広がる膜であって、内部領域において、圧力によって移動可能である領域を含む膜と、膜下方の可動領域において延在し、膜に接点によって接続される第１の中間支持体と、第１の中間支持体下方に延在する基板上の第１の電極であって、第１の中間支持体と第１の電極との間の第１の距離は、可動領域上の圧力によって可変であり、第１の中間支持体と基板との間には、規定された圧力が封入されている第１の電極と、を含む。

端部領域の（横方向）外側には、エッチングアクセス部として少なくとも１つの開口部を配置することができる。

センサ装置は、有利には、方法に関連して既に述べたその特徴および利点によって特徴付けることができ、その逆も然りである。

中間支持体と第１の電極とを備えた膜がコンデンサに相当するため、センサ装置は有利には静電容量センサ装置であってよい。

センサ装置の好ましい実施形態によれば、膜は、膜の部分領域として少なくとも１つの基準領域を含み、基準領域では、第１の中間支持体が、第１の中間支持体を第１の電極から電気的に分離された領域に接続し、分離された領域上で第１の中間支持体を支持する少なくとも１つの支持点を含む。

基準領域は、さらなる追加の膜で形成することもできる。膜または複数の膜が、それぞれ２つの可動膜と、２つの移動不可能な固定された膜（領域）を有する４つの膜領域を形成することが可能である。

センサ装置の好ましい実施形態によれば、膜は、ホイートストンブリッジとして相互に接続された同数の基準領域および可動領域を含む。

センサ装置の好ましい実施形態によれば、膜は端部構造を介して電気的に接触している。

センサ装置の好ましい実施形態によれば、第１の中間支持体は、第１の方向に個々の中間支持体要素にセグメント化されており、個々の要素は、第１の方向とは異なる第２の方向に連続して実施されている。

センサ装置の好ましい実施形態によれば、２つの隣接する中間支持体の間の平均距離は、第１の中間支持体の厚さよりも小さい。

センサ装置の好ましい実施形態によれば、中間支持体要素は互いに完全に分離されている。

センサ装置の好ましい実施形態によれば、膜は、端部構造に含まれる領域全体を覆う。

センサ装置の好ましい実施形態によれば、膜は少なくとも１つのポリシリコン層からなる。

センサ装置の好ましい実施形態によれば、膜は、同じ層厚の少なくとも１つの連続した材料からなる。

センサ装置の好ましい実施形態によれば、中間支持体要素は、中間支持体要素の長さの７０％以上で互いに分離されている。

センサ装置の好ましい実施形態によれば、各中間支持体要素は、第２の方向で完全に、または少なくとも７０％、膜に接続されている。

センサ装置の好ましい実施形態によれば、膜は、凹部のない少なくとも１つの連続した材料からなる。

本発明のセンサ装置の好ましい実施形態によれば、端部構造における少なくとも１つの領域に空洞が設けられている。

本発明のセンサ装置の好ましい実施形態によれば、空洞は、補助層のレベルで形成されている。

センサ装置は、端部構造と第１の中間支持体との間の領域において、少なくとも１つの空洞が端部構造から中間支持体に向かって延在するように形成することができる。さらに、空洞は、例えば、媒体アクセス部として、補助層のレベルで構成することができる。

端部構造に含まれる空洞は、チャネルを介して端部構造外側の領域に延在することができ、周囲から気密に密閉することができる。膜層は、端部構造を超えて延在し、そこで凹部を有することができる。犠牲層のエッチング後、中間支持体の下方およびその横方向に、封入された基準圧力に相当し得る中空穴を形成することができる。

本発明にかかるセンサ装置によって、有利には、圧力センサを実現することができる。しかし、代替的に、説明したセンサ装置、特に製造された膜センサのセンサ装置によって、可動式の膜が中空穴上方に配置されている他の種類の各センサを実現することができる。そのため、センサ装置を回転数センサや加速度センサの枠内で使用することも考えられる。この場合、膜やそれに接続される電極の動きを、回転数や加速度の指標として使用することができる。また、この構成を他の物理的および／または化学的なセンサ値の検出と組み合わせることも可能である。そのため、ピエゾ素子や温度素子、または所定の化学化合物の吸収や存在によってその導電性が変化する層などの、さらなるセンサ素子を膜に導入することが考えられる。ここで考えられるのは、例えば、風量センサ、ガスセンサ、湿度センサなどである。

本発明の実施形態のさらなる特徴および利点は、添付の図面に関連した以下の説明から明らかになる。

本発明を、以下に、図面の概略図に示す実施例を参照して詳述する。

本発明の一実施例にかかるセンサ装置の製造方法の方法ステップによるセンサ装置の概略側面図である。 本発明の一実施例にかかるセンサ装置の製造方法のさらなる方法ステップによるセンサ装置の概略側面図である。 本発明の一実施例にかかるセンサ装置の製造方法のさらなる方法ステップによるセンサ装置の概略側面図である。 本発明の一実施例にかかるセンサ装置の製造方法のさらなる方法ステップによるセンサ装置の概略側面図である。 本発明の一実施例にかかるセンサ装置の製造方法のさらなる方法ステップによるセンサ装置の概略側面図である。 本発明の一実施例にかかるセンサ装置の製造方法のさらなる方法ステップによるセンサ装置の概略上面図である。 本発明の一実施例にかかるセンサ装置の概略側面図である。 本発明の一実施例にかかるセンサ装置のさらなる概略側面図である。 本発明の一実施例にかかるセンサ装置の製造方法の方法ステップの概略図である。 本発明のさらなる実施例にかかるセンサ装置の概略側面図である。 本発明のさらなる実施例にかかるセンサ装置の概略上面図である。

図中、同一の参照符号は、同一または機能的に同一の要素を示す。

図１は、本発明の一実施例にかかるセンサ装置の製造方法の方法ステップによるセンサ装置の概略側面図である。

図１は、第１の絶縁体層３が構成された基板２を示す。続いて、第１の絶縁体層３上に第１の導電層４が配置され、第１の導電層４は、第１の絶縁体層３が第１の領域Ｂ１で露出するようにパターニングされ、第１の領域Ｂ１は、第１の導電層４の第１の部分領域Ｔ１を画定し、第１の部分領域Ｔ１において、第１の導電層４は、第１の電極Ｅ１を形成し、有利には、導体路を形成することもできる。第１の導電層４は、ドープされたポリシリコン層を含むことができる。さらに、第１の導電層４上および第１の領域Ｂ１において第１の犠牲層Ｏ１が配置され、第２の領域Ｂ２において第１の犠牲層Ｏ１が除去され、第２の領域Ｂ２が第１の部分領域Ｔ１の横方向外側に位置するように、第１の犠牲層Ｏ１がパターニングされ、第２の領域Ｂ２は内部領域ＩＢを画定する。第２の領域Ｂ２の横方向外側に位置してもよい横方向外部領域Ｂ２２では、第１の犠牲層Ｏ１、または、存在する場合はその上の第２の犠牲層Ｏ２を除去することができる。ここで、図１はさらに、追加の絶縁体層、有利には複数の個別層を含み得る非導電性層３ｂが、第１の絶縁体層３と第１の導電性層４との間に位置できることを示す。追加の絶縁体層３ｂは、さらなる方法で、シリコンリッチな窒化物層を含むことができるエッチングストップとして機能することができる。追加の絶縁体層３ｂは、第１の導電層の堆積前後にパターニングすることができる。第１の絶縁体層３、および、存在する場合は追加の絶縁体層３ｂは、基板の接触を生成するためにパターニングされ、凹部を備えることができる。さらに、第１の犠牲層Ｏ１上に第２の犠牲層Ｏ２を配置することができ、第１の犠牲層Ｏ１と同じ領域においてパターニングして除去することができる。第１および／または第２の犠牲層Ｏ１、Ｏ２は、例えば、酸化物層（酸化ケイ素）を含むことができる。２つの犠牲層によって、第１の電極Ｅ１と、図３の補助層５などの後続の要素との間の距離を２段階で調整することができ、すなわち、異なる領域においてほぼ異なる距離を生成することができる。補助層５は、半導体材料層として構成することができる。

第１の導電層４下方では、犠牲層エッチングの際に第１の絶縁体層３を攻撃しないようにし、ひいては第１の導電層４のアンダーエッチングを防止するために、有利にはエッチングプロセスの停止層として基板２上に絶縁体層３ｂを形成することができる。適用材料は、ＳｉＯ２よりもゆっくりエッチングされるため、ＳｉＲｉＮやＳｉＣなどであってよい。

センサ装置は、圧力センサ装置として形成することができる。

図２は、本発明の一実施例にかかるセンサ装置の製造方法のさらなる方法ステップによるセンサ装置の概略側面図である。

例えば図１に示すような方法ステップが、完了した後、続いて図２にしたがって、第１の犠牲層Ｏ１上および第２の領域Ｂ２に補助層５を配置することができ、有利には第１の犠牲層Ｏ１まで、または第１の犠牲層Ｏ１上に堆積している場合には第２の犠牲層Ｏ２まで、第１の領域Ｂ１上方、および第３の領域Ｂ３に位置する凹部が補助層５に導入されるように、補助層５をパターニングすることができ、第３の領域Ｂ３は、第１の部分領域Ｔ１および第２の領域Ｂ２の横方向外側に位置し、補助層５は、第１の部分領域Ｔ１に第１の中間支持体ＺＴ１を形成する。第１の領域Ｂ１および／または第３の領域Ｂ３で補助層５をパターニングする際に、補助層５に、補助層５の厚さよりも狭い複数の垂直トレンチＧを形成することができる。

補助層５としてポリシリコン層を堆積することができる。

好ましくは、個々の領域において良好な硬化を可能にするために、図５にしたがって形成される膜（メンブレン）の層の厚さの５０％よりも大きい層厚を選択することができる。好ましくは、補助層の横方向の端部領域で高い安定性を達成できるようにするために、少なくとも１つの５００ｎｍ厚の層が堆積される。好ましくは、補助層をパターニングするために、エッチング法を使用して補助層に垂直なトレンチまたは凹部を作成することができる。好ましくは、トレンチ法を使用することができる。

トレンチＧと、このようにして生成されたエッチングアクセス部により、補助層と第１の導電層との間の犠牲層Ｏ１およびＯ２は、任意で薄く実施することができる。この構成の利点は、第３の犠牲層６またはＯ３が堆積された後、トレンチＧに横方向の空洞Ｈが形成され、この空洞を通ってエッチング媒体が非常に速く広がり、ひいては第３の領域Ｂ３において、特に補助層５によって、まだ形成されるべき膜の横方向へのエッチングアクセスを可能にすることである（これについては図３参照）。

図３は、本発明の一実施例にかかるセンサ装置の製造方法のさらなる方法ステップによるセンサ装置の概略側面図である。

例えば図２に示すような方法ステップが完了した後、続いて図３にしたがって第１の領域Ｂ１および第３の領域Ｂ３の補助層５上に第３の犠牲層６、Ｏ３を配置することができる。第３の犠牲層６、Ｏ３を導入する際に、横方向の寸法が十分に狭い場合には、トレンチＧに空洞Ｈを形成することができる。

さらに、それ自体も犠牲層として、例えば酸化物層（酸化シリコン）として形成することができる第３の犠牲層６、Ｏ３には、狭い凹部Ａ１を形成することができる。

図４は、本発明の一実施例にかかるセンサ装置の製造方法のさらなる方法ステップによるセンサ装置の概略側面図である。

図３で形成された第３の犠牲層６、Ｏ３の凹部Ａ１は、例えば等方性エッチングを用いて第３の犠牲層６、Ｏ３下方の補助層５の一部を除去するために使用され、その後、図４にかかる空洞Ｈ１が形成される結果となり得る。

したがって、補助層５は、第３の領域Ｂ３および／または第１の領域Ｂ１において完全に除去することができる。スリットとして形成された凹部Ａ１は、続いて、さらなる酸化物堆積物（酸化ケイ素）、例えば犠牲層の材料、例えば第２の犠牲層Ｏ２または第４の犠牲層Ｏ４の材料で封止され、場合によって先に生成された空洞Ｈとともに大きな空洞Ｈ１を形成することができる。これにより、膜（図５）を後から配置した場合、個々の領域において膜と第１の電極Ｅ１との間に容量が非常に小さい、非常に大きい距離を生成できる。空洞Ｈ、Ｈ１は、第３の犠牲層６、Ｏ３および犠牲層Ｏ１、Ｏ２、Ｏ４が後に除去される際に、エッチング媒体のより良い広がりのための加速要素として機能することができる。これらの空洞をどの領域に形成するかの選択は、エッチング効果（空間的な広がり）に影響を及ぼすために使用され、局所的に異なって選択することができる。

さらに、第３の犠牲層６、Ｏ３は、第２の領域Ｂ２（および任意選択的に、図１および図５に示すようにＢ２２も）および第１の部分領域Ｔ１上方に、第３の犠牲層６を介して補助層５までの凹部が形成されるようにパターニングされる。ここで、第３の犠牲層６、Ｏ３上に第２の犠牲層Ｏ２や第４の犠牲層Ｏ４が形成されてもよく、これらは第３の犠牲層６、Ｏ３と同じ領域にパターニングすることができる。

図５は、本発明の一実施例にかかるセンサ装置の製造方法のさらなる方法ステップによるセンサ装置の概略側面図である。

例えば図４に示すような方法ステップが完了した後、続いて図５にしたがって、第３の犠牲層Ｏ３および／または第４の犠牲層Ｏ４上、および第１の部分領域Ｔ１および第２の領域Ｂ２（および任意選択的にＢ２２も）の凹部に膜（層）７を配置し、エッチングアクセス部ＡまたはＡ’を第３の領域Ｂ３における膜（層）７に導入することができ、第２の領域Ｂ２において、有利には第１の領域Ｂ１から見て横方向外側に、補助層５が、膜７を係止することができる端部構造ＲＳを形成することができ、第３の犠牲層６、Ｏ３および／または第４の犠牲層Ｏ４の第１の部分領域Ｔ１の凹部における膜７は、有利には膜７の材料を含んで、膜（層）７と第１の中間支持体ＺＴ１との間に有利には複数の接点ＫＳを形成することができる。膜７は、例えばポリシリコン層を含むことができる。したがって、端部構造ＲＳは、有利には外部からの圧力によって移動可能な膜７の領域の外側に位置することができる。端部構造ＲＳは、有利には複数の領域で膜７を横方向に取り囲むことができる。端部構造では、補助層５は、導電層４および膜層７に部分的に接続することができ、それらと電気的に接触することができる第２の中間支持体ＺＴ２として残ることができる。このようにして生成された周回型のフレームは、有利には横方向の外部領域Ｂ２２において、領域Ｂ２の膜懸架部（Ｍｅｍｂｒａｎａｕｆｈａｎｇｕｎｇ）の外側でエッチングストップとして機能することができる。

図５は断面平面を示し、別の断面平面（図示せず）の横方向後方に、ほぼ図５ａに示すように、トレンチＧ’が、中間支持体において、そのセグメント間で、左方から右方に延在することができ、また、端部構造ＲＳ内に到達することができ、および／または、端部構造ＲＳを通って延在することができる。ここで実施例では、トレンチＧ’は、いわばそれらを互いに分離するために、個々の中間支持体ＺＴ１の間に位置している。これらは、図５の断面図では、図示された断面に平行に配置されているため見えない（これについては図５ａ参照）。このように、個々の中間支持体ＺＴ１は、その中間支持体ＺＴ１が接続されている膜領域とともに、ボス膜を表す。中間支持体を機械的に互いに分離するトレンチＧ’によって、外部から圧力をかけた際の膜の動きが小さいことにより、膜のより柔軟な動きを達成することができる。ここで、少なくとも２つの中間支持体ＺＴ１を隣接して配置し、それらの間に、２つの中間支持体を空間的に分離するトレンチＧ’を設けることを企図することができる（図５ａ参照）。トレンチＧ’によって中間支持体ＺＴ１間に十分な距離が設けられているため、膜が撓む場合に、隣接する中間支持体ＺＴ１が互いに接触することがない。任意選択的に、この補助層５によって生成された第１の中間支持体ＺＴ１を、互いに間隔を空けた複数のセグメントに細分化するために、トレンチＧ’を補助層５に直接導入することを企図することもできる。

他の構成では、中間支持体ＺＴ１内のトレンチが、図５にかかる一点破線に沿って延在することを企図することもできる。この場合、中間支持体を露出させるための犠牲層の均一かつ完全なエッチングが可能になるエッチングチャネルの生成を達成することができる。

図５ａは、本発明の一実施例にかかるセンサ装置の製造方法のさらなる方法ステップによるセンサ装置の概略上面図である。

可動領域の横方向外側のエッチングアクセス部ＡまたはＡ’（エッチングアクセス部Ａの横方向の変形として図５を参照）によって、膜から分離された横方向のエッチングアクセス部Ａを提供することができ、また、中間支持体（ＺＴ１）のセグメント間および端部構造ＲＳ内の細長いトレンチＧ’によって支持されて、犠牲層のエッチングを有利には側面から、かつ加速して行うことができる。中間支持体ＺＴ１は、膜ＭＳ（ＭＳは図６の膜７に対応）に完全に接続された状態で一方向に延在することができ、トレンチＧによって他の方向に分離することができる複数の可動領域ＢＢをセグメントとして含むことができる。

図６は、本発明の一実施例にかかるセンサ装置の概略側面図である。

例えば図５に示すような方法ステップが完了した後、続いて図６にしたがって、第１の犠牲層Ｏ１および第３の犠牲層６、Ｏ３、有利には第２の犠牲層Ｏ２および／または第４の犠牲層Ｏ４の少なくとも部分的な除去を、エッチングアクセス部Ａを介したエッチングプロセスによって行うことができ、膜層７は、圧力Ｐによって移動する領域ＢＢを有する内部領域ＩＢに形成され、第１の電極Ｅ１は、第１の中間支持体ＺＴ１から第１の距離ｄ１２だけ離間している。エッチングプロセスは、端部構造ＲＳから、先に設けられたエッチングチャネルまたは空洞ＨおよびＨ１を介して内部領域ＩＢに横方向に広がることができ、エッチング時間に応じて、第１および／または第２の犠牲層および／または第３の犠牲層６、Ｏ３および／または第４の犠牲層Ｏ４の部分領域も、例えば端部構造ＲＳの内部領域ＩＢの外側に存在したままであってもよい。さらに、例えば膜（層）７の下のセンサ装置内部に、有利には規定された内部ガス圧または真空を封入するために、封止材Ｖを用いてエッチングアクセス部Ａを封止することができる。封止材Ｖは、有利には保護材Ｖ１で被覆することができる封止栓Ｖを形成することができる。封止栓Ｖは、可動膜の横方向外側に封止部を形成し、エッチングチャネル（エッチング後に封止）が貫通する端部構造ＲＳを形成することができる。

封止材Ｖは、ＬＰＣＶＤ（ｌｏｗ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ－ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）堆積法によって成膜または形成することができる。ここで、シリコンリッチな窒化物層を堆積することができる。さらに、膜（層）および／または封止材Ｖ上に、例えば接触部、導体路、または拡散保護や腐食保護として、さらなる機能層や保護層を堆積させることも可能である。保護材Ｖ１は、２つの封止栓Ｖの間に接続層を形成することもできる。エッチング方法として、ＨＦ（フッ化水素）気相エッチング法を用いることができる。内部領域では、補助層の下の犠牲層が好ましくは完全に除去されてもよく、同様に、これらの領域では、犠牲層Ｏ１、Ｏ２および第３の犠牲層Ｏ３および／または第４の犠牲層Ｏ４を完全に除去することができる。

端部構造ＲＳに向かって第１の中間支持体ＺＴ１が除去されているので、有利には、端部に向かう容量基本信号は、信号の変化にほとんど寄与し得ないこれらの領域で非常に大きく減少する可能性がある。接点ＫＳは、例えば、それぞれがより大きな平面領域に広がっていてもよく、例えば、複数の接点がつながっていてもよい。膜（層）７と第１の中間支持体ＺＴ１を接続することにより、膜の硬化を達成することができ、領域全体がほぼ同じように撓み、通常の膜のように、中央部でのみ最大の撓みが達成されることがないため、この領域での膜の硬化により容量信号を増加させることができる。さらに、可動領域において中間支持体ＺＴ１がその端部まで到達するため、膜が少ししか曲がらないこの部分も信号発生に利用でき、全体的に非常に小型で信号の大きいチップを作成することができる。

図７は、本発明の一実施例にかかるセンサ装置のさらなる概略的な側面図である。

センサ装置１は、膜７の部分領域として少なくとも１つの基準領域ＲｆＢを備えていてもよく、基準領域ＲｆＢでは、第１の中間支持体ＺＴ１が、第１の電極Ｅ１から電気的に分離された領域ＥＢに第１の中間支持体ＺＴ１を接続し、分離された領域ＥＢ上に第１の中間支持体ＺＴ１を支持することができる少なくとも１つの支持点８を含む。基準領域ＲｆＢの形状は、有利には、例えば図６の可動領域の形状とわずかにのみ異なるため、基準領域ＲｆＢおよび可動領域が、有利には、第１の中間支持体ＺＴ１と第１の電極Ｅ１との間のそれぞれの距離に関して、同じまたは非常に類似した容量を含むことができる。基準領域ＲｆＢは、同様に内部領域ＩＢに形成することができる。

さらに、基準領域ＲｆＢは、膜を移動させるための優勢な圧力を除いて、可動領域と同様に、全ての周囲およびシステムの影響に敏感であり得る。これにより、他の影響を非常に良好に補償することができる。同様に、基準領域ＲｆＢにおける第１の中間支持体ＺＴ１と第１の電極Ｅ１との間の第１の距離ｄ１２は、可動領域よりも小さくなるように、特に、外部から印加される平均圧力または目標圧力または動作圧力における可動領域での第１の距離にほぼ対応するように選択することが可能である。これにより、有利には対称的で単純な評価回路を介して、膜に良好かつ正確に決定することが可能である。基準領域における第１の距離の設定と形成は、犠牲層（複数）の厚さによって、または第１および第２の犠牲層の適切なパターニングおよび組み合わせによって、第１の電極と補助層の間で制御することができる。製作時に、電気的な分離領域ＥＰを製作するために、基準領域内の第１の導電層４に、有利にはその下の絶縁体層３または３ｂまで凹部を形成するために、第１の電極Ｅ１において基準領域内のパターニングが行われ、その後支持点８を絶縁体材料上に（第１の電極のパターニング後に）形成することができる（図示せず）。代替的に、分離領域ＥＰは、それ自体が第１の電極Ｅ１の材料を含むことができるが、有利には第１の電極Ｅ１に導入れたトレンチによって、第１の電極Ｅ１の残りの部分から横方向に分離されていてもよく、（図７にかかる）基準領域ＲｆＢの第１の中間支持体ＺＴ１と少なくとも同電位が印加されていてもよい。

基準領域ＲｆＢは、例えば可動領域に類似させて、これと同時に製作することができる。したがって、第１の領域Ｂ１が第１の部分領域Ｔ１を取り囲むことができる。しかし、第１の犠牲層Ｏ１が堆積された後、パターニングの際に基準領域全体の上方でこれを除去することができる。その後に第２の犠牲層Ｏ２が堆積すると、これを基準領域ＲｆＢの第１の導電層に直接堆積させることができ、ひいては基準領域ＲｆＢの第１の間隔の厚さを調整することができる。続いて、第２の犠牲層Ｏ２も分離領域ＥＰの上方でパターニングされ、補助層は分離領域ＥＰに接続され、この領域の凹部に配置することができる。基準領域ＲｆＢは、可動領域に横方向で隣接することができ、第１の中間支持体ＺＴ１は、可動領域と基準領域との間で中断することができる。図７において、可動領域は、例えば端部構造ＲＳで区切られて基準領域の後方に配置されていてもよい。

図６にも示すように、封止材Ｖからなる封止栓Ｖによって、基準領域ＲｆＢと可動領域の両方において（図６に示すように）、膜７と第１の電極Ｅ１の間のキャビティに、内部ガス圧または真空を封入することができる。封止栓Ｖは、有利には可動領域ＢＢの外側に位置することができるため、これにかかる応力は、基準領域ＲｆＢでは膜のより低い曲げ力が作用し得るため、有利には封止栓Ｖが可動領域ＢＢに配置されているかのように低減され得る。したがって、膜にバイメタル効果をもたらし、その慣性を増大し得る、膜７と封止栓Ｖ上方の補強層を、有利には省略することができる。封止栓Ｖは、エンドキャップＶ１によって膜（層）７に固定することができ、これは導電性を有する。

全体として、本実施形態では、第１の電極Ｅ１と膜、特に第１の中間支持体ＺＴ１との間の距離を小さくすることが実現可能であり、第１の中間支持体ＺＴ１の硬化効果により、膜７自体を特に薄くすることができる。さらに、エッチングアクセス部（図５のＡ）は、膜領域における追加の封止材を避けることができる可動膜（層）の隣で実現することができる。したがって、膜７は、１つの材料のみで構成され、均質に形成することができる（例えば、これは、可動領域においてエッチングアクセス部なしで形成することができる）。したがって、比較的小型のセンサが達成でき、その寸法によって例えば駆動制御装置からの基本信号に対して、相対的に高い容量信号変化を有することができる。

図８は、本発明の一実施例にかかるセンサ装置の製造方法の方法ステップの概略図である。

センサ装置の製造方法では、基板を提供し（Ｓ１）、基板上に少なくとも１つの第１の犠牲層を配置し（Ｓ２）、少なくとも第１の犠牲層上に補助層を配置し（Ｓ３）、補助層において少なくとも第１の犠牲層まで少なくとも１つのトレンチが導入されるように補助層をパターニングし、トレンチは端部領域の横方向内側に位置し、端部領域は少なくとも部分的に基板上の横方向の外縁を表し、少なくともトレンチ内に第３の犠牲層を配置し（Ｓ４）、補助層上に膜（メンブレン）を堆積させ（Ｓ５）、端部領域の膜に少なくとも１つのエッチングアクセス部を導入し、少なくとも１つのエッチングアクセス部を介したエッチングプロセスにより、端部領域の横方向内側の少なくとも第１の犠牲層および第３の犠牲層を少なくとも部分的に除去し（Ｓ６）、少なくとも１つのエッチングアクセス部を封止材で封止し（Ｓ７）、規定された圧力を封入する。

図９は、本発明のさらなる実施例にかかるセンサ装置の概略側面図である。

図９には、センサ装置の簡易的な基本バージョンが示されており、センサ装置は、少なくとも、基板２と、基板２上に配置された端部領域ＲＢ、ＲＳと、基板２上方の内部領域ＩＢと、を含み、これを横方向に画定する。端部構造ＲＳに係止され、少なくとも部分的に内部領域ＩＢにわたって広がる膜７であって、内部領域ＩＢにおいて、圧力ｐによって移動可能であり、膜７と基板２との間の中空穴Ｋを取り囲む少なくとも１つの可動領域ＢＢを含む膜７と、膜７下方の可動領域ＢＢに延在し、膜７に接続され、少なくとも１つのトレンチＧを有する第１の中間支持体ＺＴ１と、を有する。

第３の犠牲層Ｏ３の材料の一部を有することができるトレンチは、媒体アクセス部Ａと、それに続く封止部Ｖによって、中空穴Ｋにわたってエッチングを加速することができる。エッチングは、第１の犠牲層Ｏ１の残留物が端部領域ＲＳに残り、中空穴の端部構造ＲＳ、ＲＢを形成できる場合にのみ行うことができる。任意選択的に、第３の犠牲層を補助層５の上面に堆積させ、その後、（図１～図７のように）エッチングによって除去するか、部分的に残すこともできる。図９に示す例では、膜７を堆積させる前に、トレンチ上方の第３の犠牲層を薄く（平坦化）することができる。

図１０は、本発明のさらなる実施例にかかるセンサ装置の概略上面図である。

図１０は、図９のセンサ装置１の上面図である。トレンチＧは、端部領域ＲＳの横方向内側、すなわち例えば可動領域ＢＢ内に正方形の構造を形成し、エッチングアクセス部Ａはその横方向外側に位置することができる。エッチングは、トレンチを用いてアクセス部Ａから内部領域ＩＢにわたって加速することができる。

以上、本発明を好ましい実施例を参照して全て説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な方法で変更可能である。

Claims (21)

1. 少なくとも１つの基板（２）と、
   前記基板（２）上に配置され、前記基板（２）上方の内部領域（ＩＢ）を横方向に画定する端部構造（ＲＢ、ＲＳ）と、
   前記端部構造（ＲＢ、ＲＳ）に係止され、前記内部領域（ＩＢ）にわたって少なくとも部分的に広がる膜（７）であって、前記内部領域（ＩＢ）において、圧力（ｐ）によって移動可能であり、前記膜（７）と前記基板（２）との間の中空穴（Ｋ）を取り囲む少なくとも１つの可動領域（ＢＢ）を含む膜（７）と、
   前記膜（７）下方の前記可動領域（ＢＢ）において延在し、前記膜（７）に接続され、特に少なくとも１つのトレンチ（Ｇ）を有する第１の中間支持体（ＺＴ１）と、
   前記第１の中間支持体（ＺＴ１）の直下において前記基板（２）上に形成された絶縁体層（３、３ｂ）と、
   前記第１の中間支持体（ＺＴ１）の直下において前記絶縁体層（３、３ｂ）上に第１の電極（Ｅ１）として形成され、前記基板（２）から電気的に絶縁されている少なくとも１つの導電層と、
   前記膜（７）の前記可動領域（ＢＢ）の外側に配置され、前記中空穴（Ｋ）に接続されたエッチングアクセス部（Ａ）と
   を含み、
   前記エッチングアクセス部（Ａ）は、前記中空穴（Ｋ）の内部および前記エッチングアクセス部の内部に規定された圧力（ｐ１）を封入する封止部（Ｖ）を備え、
   前記第１の電極（Ｅ１）は、前記第１の中間支持体（ＺＴ１）から所定の距離だけ離間している、センサ装置（１）。
2. 前記端部構造（ＲＳ）は、前記中空穴（Ｋ）に接続された少なくとも１つのエッチングアクセスチャネルを含む、請求項１に記載のセンサ装置（１）。
3. 前記絶縁体層（３，３ｂ）は、エッチングストップとして機能する非導電性層（３ｂ）を含む、請求項１または２に記載のセンサ装置（１）。
4. 前記第１の中間支持体（ＺＴ１）は、前記可動領域（ＢＢ）の前記膜（７）に接点（ＫＳ）で取り付けられている、請求項１から３のいずれか一項に記載のセンサ装置（１）。
5. 前記第１の中間支持体（ＺＴ１）は、前記接点（ＫＳ）にて、前記膜（７）との完全な機械的接続を有する、請求項４に記載のセンサ装置（１）。
6. 前記第１の中間支持体（ＺＴ１）は、第２の方向に個々の中間支持体要素（ＺＴ１ａ；．．．；ＺＴ１ｎ）にセグメント化されており、個々の要素は、前記第２の方向とは異なる第１の方向に連続して実施されている、請求項１から５のいずれか一項に記載のセンサ装置（１）。
7. 前記膜（７）は、前記第１の中間支持体（ＺＴ１）が、前記第１の中間支持体（ＺＴ１）を前記基板（２）に機械的に接続する少なくとも１つの支持点（８）を含む、部分領域としての少なくとも１つの基準領域（ＲｆＢ）を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載のセンサ装置（１）。
8. 前記膜（７）は、ハーフホイートストンブリッジまたはフルホイートストンブリッジとして相互に接続された同数の基準領域（ＲｆＢ）および可動領域（ＢＢ）を含む、請求項１から７のいずれか一項に記載のセンサ装置（１）。
9. 前記膜（７）は前記端部構造（ＲＳ）を介して電気的に接触している、請求項１から８のいずれか一項に記載のセンサ装置（１）。
10. 前記トレンチ（Ｇ）の少なくとも１つは、第１の方向または第２の方向の幅が、前記第１の中間支持体（ＺＴ１）の高さよりも小さい、請求項１から９のいずれか一項に記載のセンサ装置（１）。
11. 前記端部構造（ＲＢ）から最も近い接点（ＫＳ）までの距離は、前記膜（７）の平面的な延伸領域の少なくとも１０％を有し、前記延伸領域は、円形の膜（７）の場合は直径に相当し、長方形の膜の場合は短辺の側端の長さに相当する、請求項１から１０のいずれか一項に記載のセンサ装置（１）。
12. 少なくとも２つの第１の中間支持体（ＺＴ１）が、前記膜（７）下方の前記可動領域（ＢＢ）において延在し、前記膜（７）に接続されており、少なくとも前記２つの第１の中間支持体（ＺＴＧ１）は、トレンチ（Ｇ’）によって分離されていることを企図することを特徴とする、請求項１から１１のいずれか一項に記載のセンサ装置（１）。
13. センサ装置（１）の製造方法であって、
    基板（２）を提供するステップ（Ｓ１）と、
    前記基板上に少なくとも第１の犠牲層（Ｏ１）を配置するステップ（Ｓ２）と、
    少なくとも前記第１の犠牲層（Ｏ１）上に補助層（５）を配置するステップ（Ｓ３）と、
    前記補助層（５）において、少なくとも前記第１の犠牲層（Ｏ１）まで少なくとも１つのトレンチ（Ｇ）が導入されるように前記補助層（５）をパターニングするステップであって、前記トレンチ（Ｇ）が、少なくとも部分的に前記基板（２）上の横方向の外縁である端部領域（ＲＢ、ＲＳ）の横方向内側に位置する、ステップと、
    少なくとも前記トレンチ（Ｇ）内に第３の犠牲層（Ｏ３）を配置するステップ（Ｓ４）と、
    前記補助層（５）上に膜（７）を堆積させるステップ（Ｓ５）と、前記端部領域（ＲＢ、ＲＳ）の前記膜に少なくとも１つのエッチングアクセス部（Ａ）を導入するステップと、
    少なくとも前記１つのエッチングアクセス部（Ａ）を介したエッチングプロセスにより、前記端部領域の横方向内側に、少なくとも前記第１の犠牲層（Ｏ１）および前記第３の犠牲層（Ｏ３）を少なくとも部分的に除去するステップ（Ｓ６）と、
    少なくとも前記１つのエッチングアクセス部（Ａ）を封止材（Ｖ）で封止し、規定された圧力（ｐ１）を封入するステップ（Ｓ７）と、
    第１の領域（Ｂ１）で第１の導電層（４）を除去し、前記第１の領域（Ｂ１）が前記第１の導電層（４）の第１の部分領域（Ｔ１）を画定するように、導電層（４）をパターニングするステップであって、前記第１の部分領域（Ｔ１）において前記第１の導電層（４）が第１の電極（Ｅ１）を形成する、ステップと、
    前記第１の導電層（４）上および前記第１の領域（Ｂ１）に前記第１の犠牲層（Ｏ１）を配置するステップと、第２の領域（Ｂ２）において前記第１の導電層（４）が露出し、前記第２の領域（Ｂ２）が前記第１の部分領域（Ｔ１）の横方向外側に位置するように、少なくとも前記第１の犠牲層（Ｏ１）をパターニングするステップであって、前記第２の領域（Ｂ２）が内部領域（ＩＢ）を画定する、ステップと、
    前記補助層（５）を少なくとも前記第１の犠牲層（Ｏ１）上および前記第２の領域（Ｂ２）に配置するステップと、前記補助層（５）において少なくとも前記第１の犠牲層（Ｏ１）まで凹部が導入されるように前記補助層（５）をパターニングするステップであって、前記凹部が前記第１の領域（Ｂ１）上方および第３の領域（Ｂ３）に位置し、前記第３の領域（Ｂ３）が前記第１の部分領域（Ｔ１）および前記第２の領域（Ｂ２）の横方向外側に位置し、前記第１の部分領域（Ｔ１）の前記補助層（５）が第１の中間支持体（ＺＴ１）を形成する、ステップと、
    前記第１（Ｂ１）および前記第３の領域（Ｂ３）の前記補助層（５）上に前記第３の犠牲層（Ｏ３）を配置するステップと、前記第２の領域（Ｂ２）上方および前記第１の部分領域（Ｔ１）上方に前記第３の犠牲層（Ｏ３）を介して前記補助層（５）まで前記凹部が形成されるように、前記第３の犠牲層（Ｏ３）をパターニングするステップと、
    前記第３の犠牲層（Ｏ３）上、ならびに前記第１の部分領域（Ｔ１）および前記第２の領域（Ｂ２）の前記凹部（ＫＳ）内に膜（７）を配置するステップと、前記第３の領域（Ｂ３）の前記膜（７）に前記エッチングアクセス部（Ａ）を導入するステップであって、前記第２の領域（Ｂ２）では、前記補助層（５）が前記膜（７）が係止される前記端部領域（ＲＢ、ＲＳ）を形成し、前記第３の犠牲層（Ｏ３）の前記第１の部分領域（Ｔ１）の前記凹部内の前記膜（７）が、前記膜（７）と前記第１の中間支持体（ＺＴ１）との間の接点（ＫＳ）を形成する、ステップと、
    前記エッチングアクセス部（Ａ）を介したエッチングプロセスによって、少なくとも前記第１の犠牲層（Ｏ１）および前記第３の犠牲層（Ｏ３）を少なくとも部分的に除去するステップであって、前記膜（７）が、圧力（ｐ）によって移動可能な領域（ＢＢ）を有する前記内部領域（ＩＢ）に形成され、前記第１の電極（Ｅ１）が、前記第１の中間支持体（ＺＴ１）から第１の距離だけ離間している、ステップと、
    を含む方法。
14. 前記第３の犠牲層（Ｏ３）は前記補助層（５）上にも配置され、前記補助層（５）まで前記端部領域（ＲＢ、ＲＳ）の横方向内側に凹部（ＫＳ）が導入されるように、前記第３の犠牲層（Ｏ３）のパターニングが行われ、前記凹部（ＫＳ）には前記膜（７）の材料が充填されている、請求項１３に記載の方法。
15. 前記第１の犠牲層（Ｏ１）を配置する前に、前記基板（２）上に導電層（４）を堆積させ、前記端部領域（ＲＢ、ＲＳ）の横方向内側でパターニングする、請求項１３または１４に記載の方法。
16. 前記エッチングアクセス部（Ａ）は、前記膜（７）の横方向および下方で、少なくとも前記第１および／または第３の犠牲層（Ｏ１、Ｏ３）に接続されている、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の方法。
17. 第２の犠牲層（Ｏ２、６ａ）または第４の犠牲層（Ｏ４）が、前記第１の犠牲層（Ｏ１）上および／または前記第３の犠牲層（Ｏ３、６）上に配置され、前記第１の犠牲層（Ｏ１）および／または前記第３の犠牲層（Ｏ３）と同じ領域でパターニングされ、除去される、請求項１３から１６のいずれか一項に記載の方法。
18. 前記第３の領域（Ｂ３）および／または前記第１の領域（Ｂ１）において、前記補助層（５）は完全に除去される、請求項１３から１７のいずれか一項に記載の方法。
19. 前記膜（７）は基準領域（ＲｆＢ）を有して形成され、前記基準領域（ＲｆＢ）は前記膜（７）の部分領域を表し、前記基準領域（ＲｆＢ）には、前記補助層（５）を前記導電層（４）から電気的に分離された領域（ＥＢ）に接続し、前記補助層（５）を前記領域上で支持する少なくとも１つの支持点（８）が形成される、請求項１５から１８のいずれか一項に記載の方法。
20. 少なくとも前記第１の部分領域（Ｔ１）における前記補助層（５）または前記第１の中間支持体（ＺＴ１）にトレンチ（Ｇ’）が生成され、前記トレンチ（Ｇ’）によって前記膜に接続された少なくとも２つの第１の中間支持体（ＺＴ１）への分離が行われることを特徴とする、請求項１５から１９のいずれか一項に記載の方法。
21. 少なくとも前記第１の部分領域（Ｔ１）における前記補助層（５）または前記第１の中間支持体（ＺＴ１）にトレンチ（Ｇ’）が生成され、前記トレンチ（Ｇ’）によって前記第１の中間支持体（ＺＴ１）のうちの１つから複数のセグメントが作り出され、特にこれらのセグメントは互いに直接機械的に接続されていないことを特徴とする、請求項１５から２０のいずれか一項に記載の方法。

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