JP3507978B2 - 静電容量式圧力センサー - Google Patents
静電容量式圧力センサーInfo
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
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- G—PHYSICS
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/14—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators
- G01L1/142—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators using capacitors
- G01L1/146—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators using capacitors for measuring force distributions, e.g. using force arrays
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- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電容量式圧力セ
ンサーに関する。
ンサーに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体基板上に形成した静電容量
式圧力センサーとしては、例えば、第１の従来技術とし
て、特開平８−２３３６７２号公報に記載されたものが
ある。
式圧力センサーとしては、例えば、第１の従来技術とし
て、特開平８−２３３６７２号公報に記載されたものが
ある。
【０００３】この第１の従来技術は、ダイヤフラム層で
覆われている補助層内に該ダイヤフラム層内の空隙を通
して空洞を形成し、これらの空隙をダイヤフラム層上の
遮蔽層の一部を満たすことなく閉鎖してダイヤフラムに
所望の変形性をもたせるように仕上げるようになってい
る。
覆われている補助層内に該ダイヤフラム層内の空隙を通
して空洞を形成し、これらの空隙をダイヤフラム層上の
遮蔽層の一部を満たすことなく閉鎖してダイヤフラムに
所望の変形性をもたせるように仕上げるようになってい
る。
【０００４】また、従来の半導体基板上に形成した静電
容量式圧力センサーとしては、例えば、第２の従来技術
として、特開平６−３０７９６０号公報に記載されたも
のがある。
容量式圧力センサーとしては、例えば、第２の従来技術
として、特開平６−３０７９６０号公報に記載されたも
のがある。
【０００５】この第２の従来技術は、圧力センサーをマ
トリクス状に設け、圧縮歪みに依存する可変電気容量を
決定するために、シリコン基板の上部における電気導体
のパターン上に配置されたポリシリコン製ダイヤフラム
を備えている。これらのダイヤフラムは、少なくとも２
つの異なったサイズに形成され、同一サイズのダイヤフ
ラムの多数のセンサーが１つのサブユニットに納められ
る。各サブユニットの基本容量は、それぞれ同じ大きさ
となるようになっている。
トリクス状に設け、圧縮歪みに依存する可変電気容量を
決定するために、シリコン基板の上部における電気導体
のパターン上に配置されたポリシリコン製ダイヤフラム
を備えている。これらのダイヤフラムは、少なくとも２
つの異なったサイズに形成され、同一サイズのダイヤフ
ラムの多数のセンサーが１つのサブユニットに納められ
る。各サブユニットの基本容量は、それぞれ同じ大きさ
となるようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】第１の従来技術におい
ては、時間制御によりダイヤフラム層内の空隙を通して
補助層を部分的にエッチングして空洞を形成するため
に、エッチング条件のばらつきにより圧力特性を決定す
るダイヤフラムのサイズがばらつくという問題がある。
また、複数のセンサーを並列接続する場合には、隣接す
るセンサーと空洞がつながらないようにセンサー間隔を
保つ必要があるために、検出すべき容量形成に寄与しな
い無効領域が広くなり、寄生容量が増加する。そして、
この寄生容量の増加により、高精度の圧力検出が困難に
なるという問題がある。
ては、時間制御によりダイヤフラム層内の空隙を通して
補助層を部分的にエッチングして空洞を形成するため
に、エッチング条件のばらつきにより圧力特性を決定す
るダイヤフラムのサイズがばらつくという問題がある。
また、複数のセンサーを並列接続する場合には、隣接す
るセンサーと空洞がつながらないようにセンサー間隔を
保つ必要があるために、検出すべき容量形成に寄与しな
い無効領域が広くなり、寄生容量が増加する。そして、
この寄生容量の増加により、高精度の圧力検出が困難に
なるという問題がある。
【０００７】第２の従来技術は、並列接続する多数のセ
ンサーがそれぞれ独立にダイヤフラムと空洞領域を有す
る。このために、検出すべき容量に寄与しない無効領域
が広くなり、この無効領域によって寄生容量が増加す
る。そして、寄生容量の増加により、高精度の圧力検出
が困難になるという問題がある。
ンサーがそれぞれ独立にダイヤフラムと空洞領域を有す
る。このために、検出すべき容量に寄与しない無効領域
が広くなり、この無効領域によって寄生容量が増加す
る。そして、寄生容量の増加により、高精度の圧力検出
が困難になるという問題がある。
【０００８】本発明の目的は、このような問題を考慮し
てなされたものであり、寄生容量の増加を抑制して高精
度の圧力検出が可能な静電容量式圧力センサーを高歩留
まりおよび低コストで実現することにある。
てなされたものであり、寄生容量の増加を抑制して高精
度の圧力検出が可能な静電容量式圧力センサーを高歩留
まりおよび低コストで実現することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に電極
と空洞領域と該空洞領域を介して前記電極に対向する導
電性膜を含むダイヤフラムを備えた複数の圧力センサー
ユニットを並列接続するように構成した静電容量式圧力
センサーにおいて、前記空洞領域内にダイヤフラム固定
部を設けることにより１つのダイヤフラムを複数のセン
サーユニット領域に区画することにより、検出すべき容
量に寄与しない無効領域を小さくして寄生容量を少なく
して検出精度を高めるものである。
と空洞領域と該空洞領域を介して前記電極に対向する導
電性膜を含むダイヤフラムを備えた複数の圧力センサー
ユニットを並列接続するように構成した静電容量式圧力
センサーにおいて、前記空洞領域内にダイヤフラム固定
部を設けることにより１つのダイヤフラムを複数のセン
サーユニット領域に区画することにより、検出すべき容
量に寄与しない無効領域を小さくして寄生容量を少なく
して検出精度を高めるものである。
【００１０】前記電極およびダイヤフラムを半導体基板
上に絶縁膜を介して形成し、前記ダイヤフラムに空洞領
域形成のためのエッチング穴を設けることにより、製造
プロセスのスループットを向上させる。このエッチング
穴はダイヤフラム固定部を結ぶ位置上に配置することに
より、ダイヤフラム固定部によって決まる圧力センサー
ユニットのダイヤフラムサイズを変えないようにする。
上に絶縁膜を介して形成し、前記ダイヤフラムに空洞領
域形成のためのエッチング穴を設けることにより、製造
プロセスのスループットを向上させる。このエッチング
穴はダイヤフラム固定部を結ぶ位置上に配置することに
より、ダイヤフラム固定部によって決まる圧力センサー
ユニットのダイヤフラムサイズを変えないようにする。
【００１１】また、ダイヤフラムを構成する膜の最上部
にはダイヤフラム全体を覆うように、導電性膜を設ける
ことにより、信頼性を向上させ、検出精度を向上させ
る。
にはダイヤフラム全体を覆うように、導電性膜を設ける
ことにより、信頼性を向上させ、検出精度を向上させ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）図１および
図２は、本発明の第１の実施の形態の静電容量式圧力セ
ンサーを示す図であり、図１は平面透視図、図２は図１
におけるＡ−Ａ断面図である。
図２は、本発明の第１の実施の形態の静電容量式圧力セ
ンサーを示す図であり、図１は平面透視図、図２は図１
におけるＡ−Ａ断面図である。
【００１３】図１および図２において、半導体基板１上
には絶縁膜としてシリコン酸化膜２を設け、このシリコ
ン酸化膜２上に電極（固定電極）として機能するｎ型ポ
リシリコン膜３をマトリクス状に配置して並列接続す
る。そして、シリコン酸化膜２およびｎ型ポリシリコン
膜３上には、空洞領域８を形成するときのエッチングス
トッパの役目をする絶縁膜として、シリコン窒化膜４を
形成する。
には絶縁膜としてシリコン酸化膜２を設け、このシリコ
ン酸化膜２上に電極（固定電極）として機能するｎ型ポ
リシリコン膜３をマトリクス状に配置して並列接続す
る。そして、シリコン酸化膜２およびｎ型ポリシリコン
膜３上には、空洞領域８を形成するときのエッチングス
トッパの役目をする絶縁膜として、シリコン窒化膜４を
形成する。
【００１４】空洞領域８内には、ダイヤフラムを支える
ことにより１つのダイヤフラムを所定のダイヤフラムサ
イズの複数のセンサーユニット領域に区画するダイヤフ
ラム固定部として機能するｎ型ポリシリコン膜部７を配
置する。空洞領域８上には、ダイヤフラム構成膜の１つ
である電極（可動電極）として機能するｎ型ポリシリコ
ン膜部６を設ける。
ことにより１つのダイヤフラムを所定のダイヤフラムサ
イズの複数のセンサーユニット領域に区画するダイヤフ
ラム固定部として機能するｎ型ポリシリコン膜部７を配
置する。空洞領域８上には、ダイヤフラム構成膜の１つ
である電極（可動電極）として機能するｎ型ポリシリコ
ン膜部６を設ける。
【００１５】ｎ型ポリシリコン膜部６上には、空洞領域
８を真空封止するようにシリコン酸化膜９を設ける。ま
た、固定電極（ｎ型ポリシリコン膜）３と可動電極（ｎ
型ポリシリコン膜部）６には、固定電極引き出し配線１
０と可動電極引き出し配線１１を設け、容量検出回路
（図示省略）に接続するように導出する。
８を真空封止するようにシリコン酸化膜９を設ける。ま
た、固定電極（ｎ型ポリシリコン膜）３と可動電極（ｎ
型ポリシリコン膜部）６には、固定電極引き出し配線１
０と可動電極引き出し配線１１を設け、容量検出回路
（図示省略）に接続するように導出する。
【００１６】ダイヤフラムは、ｎ型ポリシリコン膜部６
およびシリコン酸化膜９から成り、周囲の圧力変化に応
じてこのダイヤフラムの撓み量が変化するために、空洞
領域８の厚みが変化する。固定電極（ｎ型ポリシリコン
膜）３と可動電極（ｎ型ポリシリコン膜部）６の間の静
電容量Ｃは、以下のように表せる。
およびシリコン酸化膜９から成り、周囲の圧力変化に応
じてこのダイヤフラムの撓み量が変化するために、空洞
領域８の厚みが変化する。固定電極（ｎ型ポリシリコン
膜）３と可動電極（ｎ型ポリシリコン膜部）６の間の静
電容量Ｃは、以下のように表せる。
【００１７】Ｃ＝ε0・ε・Ｓ／ｄ …（数１）
ここで、ε0：真空の誘電率 ε：電極間の材料の比誘電率
Ｓ：対向電極面積 ｄ：電極間距離
従って、空洞領域８の厚みが変化すると、（数１）式の
ｄが変化して静電容量Ｃが変化するので、この静電容量
Ｃに基づいて圧力検出が可能となる。
ｄが変化して静電容量Ｃが変化するので、この静電容量
Ｃに基づいて圧力検出が可能となる。
【００１８】この実施の形態では、ダイヤフラム固定部
としてｎ型ポリシリコン膜部７を利用して可動電極用ｎ
型ポリシリコン膜部６との一体化を図っているが、シリ
コン窒化膜等の絶縁膜を用いても良い。
としてｎ型ポリシリコン膜部７を利用して可動電極用ｎ
型ポリシリコン膜部６との一体化を図っているが、シリ
コン窒化膜等の絶縁膜を用いても良い。
【００１９】また、この実施の形態は、ダイヤフラム固
定部（ｎ型ポリシリコン膜部）７をセンサーユニットを
区画する角部のみに配置したが、必要に応じて数を増や
しても良い。
定部（ｎ型ポリシリコン膜部）７をセンサーユニットを
区画する角部のみに配置したが、必要に応じて数を増や
しても良い。
【００２０】また、この実施の形態では、９個のセンサ
ーユニットを並列接続したが、必要に応じて任意のユニ
ット数に設定することができる。
ーユニットを並列接続したが、必要に応じて任意のユニ
ット数に設定することができる。
【００２１】また、固定電極３は正方形にして並列接続
したが、任意の形状に設定しても良く、全面に形成して
も良い。
したが、任意の形状に設定しても良く、全面に形成して
も良い。
【００２２】この実施の形態によれば、ダイヤフラムの
センサーユニット領域はダイヤフラム固定部７のみによ
って区画（定義）され、ダイヤフラム，空洞領域，隣接
するセンサーユニットのダイヤフラム固定部９は共通化
されていることから、検出すべき容量に寄与しない無効
領域が減り、寄生容量は低減する。また、固定電極は絶
縁膜上に形成するために、絶縁膜を厚くすることにより
寄生容量が低減する。
センサーユニット領域はダイヤフラム固定部７のみによ
って区画（定義）され、ダイヤフラム，空洞領域，隣接
するセンサーユニットのダイヤフラム固定部９は共通化
されていることから、検出すべき容量に寄与しない無効
領域が減り、寄生容量は低減する。また、固定電極は絶
縁膜上に形成するために、絶縁膜を厚くすることにより
寄生容量が低減する。
【００２３】次に、この第１の実施の形態の静電容量式
圧力センサーの好ましい製造工程（方法）を図３を参照
して説明する。図３の（ａ）〜（ｄ）は、この製造工程
を工程順に示している。
圧力センサーの好ましい製造工程（方法）を図３を参照
して説明する。図３の（ａ）〜（ｄ）は、この製造工程
を工程順に示している。
【００２４】（ａ）工程
シリコン基板１の上に熱酸化によりシリコン酸化膜（絶
縁膜）２を形成する。
縁膜）２を形成する。
【００２５】（ｂ）工程
先ず、シリコン酸化膜（絶縁膜）２上にＣＶＤによって
ポリシリコン膜を堆積し、例えば、リンイオン打ち込み
によってｎ型にドーピングする。次に、ホト・エッチン
グによりパターニングを行ってｎ型ポリシリコン膜３を
形成する。次に、その上にＣＶＤによってシリコン窒化
膜４を堆積する。次に、補助膜として、ＣＶＤによって
シリコン酸化膜５を堆積する。シリコン酸化膜５は、フ
ッ酸によるエッチング速度が早いことが好ましく、例え
ばＰＳＧ，ＢＰＳＧ等が好ましい。
ポリシリコン膜を堆積し、例えば、リンイオン打ち込み
によってｎ型にドーピングする。次に、ホト・エッチン
グによりパターニングを行ってｎ型ポリシリコン膜３を
形成する。次に、その上にＣＶＤによってシリコン窒化
膜４を堆積する。次に、補助膜として、ＣＶＤによって
シリコン酸化膜５を堆積する。シリコン酸化膜５は、フ
ッ酸によるエッチング速度が早いことが好ましく、例え
ばＰＳＧ，ＢＰＳＧ等が好ましい。
【００２６】（ｃ）工程
先ず、シリコン酸化膜５をホト・エッチングによりパタ
ーニングする。次に、その上に、ＣＶＤによってポリシ
リコン膜を堆積し、例えば、リンイオン打ち込みにより
ｎ型にドーピングする。次に、ホト・エッチングにより
パターニングを行ってダイヤフラム固定層であるｎ型ポ
リシリコン膜部７と可動電極であるｎ型ポリシリコン膜
部６を同時に形成する。
ーニングする。次に、その上に、ＣＶＤによってポリシ
リコン膜を堆積し、例えば、リンイオン打ち込みにより
ｎ型にドーピングする。次に、ホト・エッチングにより
パターニングを行ってダイヤフラム固定層であるｎ型ポ
リシリコン膜部７と可動電極であるｎ型ポリシリコン膜
部６を同時に形成する。
【００２７】（ｄ）工程
シリコン酸化膜５をｎ型ポリシリコン膜部６の外周端か
らサイドエッチングによって除去して空洞領域８を形成
する。次に、ＣＶＤによって真空中でシリコン酸化膜９
を堆積して前記空洞領域８を真空封止する。このシリコ
ン酸化膜９は、真空封止膜およびダイヤフラム構成膜と
して機能する。
らサイドエッチングによって除去して空洞領域８を形成
する。次に、ＣＶＤによって真空中でシリコン酸化膜９
を堆積して前記空洞領域８を真空封止する。このシリコ
ン酸化膜９は、真空封止膜およびダイヤフラム構成膜と
して機能する。
【００２８】この実施の形態での図示説明は省略する
が、本発明による圧力センサーとＣＭＯＳ回路装置を同
時に形成することができることは言うまでもない。特
に、本発明のようにセンサーユニットを並列接続する構
成とすることにより、必要な検出容量値をセンサーユニ
ットの数で決めることができるようになり、ダイヤフラ
ムの厚みを自由に設定することができるようになる。従
って、通常のＣＭＯＳプロセスに合致したプロセスとな
り、高歩留まり、低コストを実現することができる。
（第２の実施の形態）図４および図５は、本発明の第２
の実施の形態の静電容量式圧力センサーを示す図であ
り、図４は平面透視図、図５は図４におけるＡ−Ａ断面
図である。
が、本発明による圧力センサーとＣＭＯＳ回路装置を同
時に形成することができることは言うまでもない。特
に、本発明のようにセンサーユニットを並列接続する構
成とすることにより、必要な検出容量値をセンサーユニ
ットの数で決めることができるようになり、ダイヤフラ
ムの厚みを自由に設定することができるようになる。従
って、通常のＣＭＯＳプロセスに合致したプロセスとな
り、高歩留まり、低コストを実現することができる。
（第２の実施の形態）図４および図５は、本発明の第２
の実施の形態の静電容量式圧力センサーを示す図であ
り、図４は平面透視図、図５は図４におけるＡ−Ａ断面
図である。
【００２９】図４および図５において、可動電極として
機能するｎ型ポリシリコン膜部６には、空洞領域８を形
成するためのエッチング穴１５を設けている。このエッ
チング穴１５は、ｎ型ポリシリコン膜部７によって支え
られて区画されるダイヤフラムサイズが変わらないよう
にｎ型ポリシリコン膜部７を結ぶ位置上に配置する。こ
のエッチング穴１５を使用して各区画毎に並行してシリ
コン酸化膜をエッチングして空洞領域８を形成すること
により、エッチング時間はセンサーユニットのサイズで
決まることになり、ｎ型ポリシリコン膜部６の外周端か
らサイドエッチングする方法に対して大幅な時間短縮を
実現することができる。また、センサユニットの並列接
続の数を増やしてもエッチング時間が増えることがな
い。これにより、スループットが向上して低コスト化を
図ることができる。
機能するｎ型ポリシリコン膜部６には、空洞領域８を形
成するためのエッチング穴１５を設けている。このエッ
チング穴１５は、ｎ型ポリシリコン膜部７によって支え
られて区画されるダイヤフラムサイズが変わらないよう
にｎ型ポリシリコン膜部７を結ぶ位置上に配置する。こ
のエッチング穴１５を使用して各区画毎に並行してシリ
コン酸化膜をエッチングして空洞領域８を形成すること
により、エッチング時間はセンサーユニットのサイズで
決まることになり、ｎ型ポリシリコン膜部６の外周端か
らサイドエッチングする方法に対して大幅な時間短縮を
実現することができる。また、センサユニットの並列接
続の数を増やしてもエッチング時間が増えることがな
い。これにより、スループットが向上して低コスト化を
図ることができる。
【００３０】このエッチング穴１５は、空洞領域８を真
空封止するシリコン酸化膜９によって埋める。
空封止するシリコン酸化膜９によって埋める。
【００３１】（第３の実施の形態）図６および図７は、
本発明の第３の実施の形態の静電容量式圧力センサーを
示す図であり、図６は平面透視図、図７は図６のＡ−Ａ
断面図である。
本発明の第３の実施の形態の静電容量式圧力センサーを
示す図であり、図６は平面透視図、図７は図６のＡ−Ａ
断面図である。
【００３２】図６および図７において、シリコン酸化膜
９上には外部からのノイズや水分または可動イオン等の
汚染物質の進入を防ぐシールド用電極として機能するｎ
型ポリシリコン膜２０を形成している。
９上には外部からのノイズや水分または可動イオン等の
汚染物質の進入を防ぐシールド用電極として機能するｎ
型ポリシリコン膜２０を形成している。
【００３３】シールド用電極として機能するｎ型ポリシ
リコン膜２０と可動電極として機能するｎ型ポリシリコ
ン膜部６との間には、シリコン酸化膜９を誘電体とする
寄生容量が生じる。シールド用電極となるｎ型ポリシリ
コン膜２０は、センサー全体を覆うように形成している
ために、寄生容量は、略、可動電極となるｎ型ポリシリ
コン膜部６の面積で決まる。
リコン膜２０と可動電極として機能するｎ型ポリシリコ
ン膜部６との間には、シリコン酸化膜９を誘電体とする
寄生容量が生じる。シールド用電極となるｎ型ポリシリ
コン膜２０は、センサー全体を覆うように形成している
ために、寄生容量は、略、可動電極となるｎ型ポリシリ
コン膜部６の面積で決まる。
【００３４】この実施の形態によれば、ダイヤフラム，
空洞領域，隣接するセンサーユニットのダイヤフラム固
定部は共通化されており、可動電極となるｎ型ポリシリ
コン膜部６の面積は必要最小限にすることができるの
で、シールド用電極であるｎ型ポリシリコン２０と可動
電極であるｎ型ポリシリコン６との間の寄生容量を低減
することができる。これにより、信頼性が向上し、静電
容量式圧力センサーの検出精度が向上する。
空洞領域，隣接するセンサーユニットのダイヤフラム固
定部は共通化されており、可動電極となるｎ型ポリシリ
コン膜部６の面積は必要最小限にすることができるの
で、シールド用電極であるｎ型ポリシリコン２０と可動
電極であるｎ型ポリシリコン６との間の寄生容量を低減
することができる。これにより、信頼性が向上し、静電
容量式圧力センサーの検出精度が向上する。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、寄生容量を低減するこ
とができ、静電容量式圧力センサーの検出精度を向上す
ることができる。また、必要な検出容量値をセンサーユ
ニットの数で決めることができるようになり、ダイヤフ
ラムの厚みを自由に設定することができるようになる。
従って、通常のＣＭＯＳプロセスに合致したプロセスと
なり、高歩留まり、低コストを実現することができる。
とができ、静電容量式圧力センサーの検出精度を向上す
ることができる。また、必要な検出容量値をセンサーユ
ニットの数で決めることができるようになり、ダイヤフ
ラムの厚みを自由に設定することができるようになる。
従って、通常のＣＭＯＳプロセスに合致したプロセスと
なり、高歩留まり、低コストを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の実施の形態の静電容量式
圧力センサーの平面透視図である。
圧力センサーの平面透視図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ断面図である。
【図３】第１の実施の形態の静電容量式圧力センサーの
製造工程（方法）を示す製造工程図である。
製造工程（方法）を示す製造工程図である。
【図４】本発明の第２の実施の実施の形態の静電容量式
圧力センサーの平面透視図である。
圧力センサーの平面透視図である。
【図５】図４におけるＡ−Ａ断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の実施の形態の静電容量式
圧力センサーの平面透視図である。
圧力センサーの平面透視図である。
【図７】図６におけるＡ−Ａ断面図である。
１…半導体基板、２…シリコン酸化膜、３…ｎ型ポリシ
リコン膜、４…シリコン窒化膜、５…シリコン酸化膜、
６…ｎ型ポリシリコン膜部（可動電極）、７…ｎ型ポリ
シリコン膜部（ダイヤフラム固定部）、８…空洞領域、
９…シリコン酸化膜、１０…固定電極引き出し配線、１
１…可動電極引き出し配線、１５…エッチング穴、２０
…ｎ型ポリシリコン膜。
リコン膜、４…シリコン窒化膜、５…シリコン酸化膜、
６…ｎ型ポリシリコン膜部（可動電極）、７…ｎ型ポリ
シリコン膜部（ダイヤフラム固定部）、８…空洞領域、
９…シリコン酸化膜、１０…固定電極引き出し配線、１
１…可動電極引き出し配線、１５…エッチング穴、２０
…ｎ型ポリシリコン膜。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 栗生 誠司
茨城県ひたちなか市高場2477番地 株式
会社 日立カーエンジニアリング内
(72)発明者 佐藤 真也
茨城県日立市大みか町七丁目１番１号
株式会社 日立製作所 日立研究所内
(72)発明者 堀江 潤一
茨城県ひたちなか市大字高場2520番地
株式会社 日立製作所 自動車機器グル
ープ内
(72)発明者 嶋田 智
茨城県日立市大みか町七丁目１番１号
株式会社 日立製作所 日立研究所内
(56)参考文献 特開 平11−284204（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−281509（ＪＰ，Ａ)
実開 昭64−17447（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01L 9/12
Claims (4)
- 【請求項１】基板上に電極と空洞領域と該空洞領域を介
して前記電極に対向する導電性膜を含むダイヤフラムを
備えた複数の圧力センサーユニットを並列接続するよう
に構成した静電容量式圧力センサーにおいて、 前記空洞領域内にダイヤフラム固定部を配置して１つの
ダイヤフラムを複数のセンサーユニット領域に区画し、 前記ダイヤフラムに空洞領域形成のためのエッチング穴
を設け、このエッチング穴は、前記ダイヤフラム固定部
を結ぶ位置上に配置したことを特徴とする静電容量式圧
力センサー。 - 【請求項２】請求項１において、前記ダイヤフラムを構
成する膜の最上部には、このダイヤフラムの全体を覆う
ような導電性膜を設けたことを特徴とする静電容量式圧
力センサー。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記電極およ
びダイヤフラムを半導体基板上に絶縁膜を介して形成し
たことを特徴とする静電容量式圧力センサー。 - 【請求項４】請求項３において、前記半導体基板はシリ
コン基板であって、ＣＭＯＳ回路装置を備えることを特
徴とする静電容量式圧力センサー。
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