JPS6362339A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6362339A JPS6362339A JP61208236A JP20823686A JPS6362339A JP S6362339 A JPS6362339 A JP S6362339A JP 61208236 A JP61208236 A JP 61208236A JP 20823686 A JP20823686 A JP 20823686A JP S6362339 A JPS6362339 A JP S6362339A
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
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- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にそのチップ上の電極と
外部リード端子とを金属細線で接続する構造の半導体装
置に関する。
外部リード端子とを金属細線で接続する構造の半導体装
置に関する。
従来より一般に採用されている、例えば半導体集積回路
チップの電極取り出し部の構造を第2図の平面図および
第3図のA−A線断面図に示す。
チップの電極取り出し部の構造を第2図の平面図および
第3図のA−A線断面図に示す。
半導体基板(チ・ツブ)1上に形成された絶縁膜5中に
、内部回路の一部と電気的に接続された導体層であるポ
ンディングパッド3が設けられている。
、内部回路の一部と電気的に接続された導体層であるポ
ンディングパッド3が設けられている。
さらにこのポンディングパッド3の露出した部分に、容
器のリード端子2とポンディングパッド3とを接続する
ために金属細線4がボンディング法により接続されてい
るという構造である。
器のリード端子2とポンディングパッド3とを接続する
ために金属細線4がボンディング法により接続されてい
るという構造である。
上述した従来の半導体装置では、ポンディングパッド3
は第3図の様に半導体基板1の上部表面に設置されてい
るため、その部分に金属細線4がボンディングされるこ
とにより、半導体基板1のaの範囲には内部素子などを
設置□できないという欠点がある。このことは小型化を
めざす高密度半導体装置の実現に対して一つの大きな障
害となっている。
は第3図の様に半導体基板1の上部表面に設置されてい
るため、その部分に金属細線4がボンディングされるこ
とにより、半導体基板1のaの範囲には内部素子などを
設置□できないという欠点がある。このことは小型化を
めざす高密度半導体装置の実現に対して一つの大きな障
害となっている。
本発明の半導体装置は、少なくとも内部回路の一部と電
気的に接続された導体層を半導体基板の側面に有してい
る。
気的に接続された導体層を半導体基板の側面に有してい
る。
次に、本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例における電極取り出し部の縦
断面図である。図のように、半導体集積回路の半導体基
板6の表面及び側面に絶縁膜8を形成し、その側面側の
絶縁膜8中に、内部回路の一部と電気的に接続された導
体層であるポンディングパッド7を形成する。さらにこ
のポンディングパッド7の露出した部分に容器のリード
とポンディングパッド7とを接続するための金属細線4
がボンディング法により接続されている。
断面図である。図のように、半導体集積回路の半導体基
板6の表面及び側面に絶縁膜8を形成し、その側面側の
絶縁膜8中に、内部回路の一部と電気的に接続された導
体層であるポンディングパッド7を形成する。さらにこ
のポンディングパッド7の露出した部分に容器のリード
とポンディングパッド7とを接続するための金属細線4
がボンディング法により接続されている。
このような構造にすることにより、半導体基板6のbの
範囲以外には内部素子を配置することが出来、第3図・
第1図における(a−b)の範囲を有効に活用すること
ができる。
範囲以外には内部素子を配置することが出来、第3図・
第1図における(a−b)の範囲を有効に活用すること
ができる。
なお、上記の実施例では半導体集積回路について述べた
が、必ずしも集積回路に限らず、半導体基板を使用し、
本発明の適用によるポンディングパッドと容器のリード
とを金属細線で接続する装置においては本発明の適用に
よる効果が得られ目的を達成することは明らかである。
が、必ずしも集積回路に限らず、半導体基板を使用し、
本発明の適用によるポンディングパッドと容器のリード
とを金属細線で接続する装置においては本発明の適用に
よる効果が得られ目的を達成することは明らかである。
以上説明したように本発明は、半導体基板側面にポンデ
ィングパッドを形成することにより、半導体集積回路チ
ップ等の集積度を向上することができ、高密度半導体装
置の実現を可能にするという効果がある。
ィングパッドを形成することにより、半導体集積回路チ
ップ等の集積度を向上することができ、高密度半導体装
置の実現を可能にするという効果がある。
第1図は本発明の一実施例における電極取り出し部の縦
断面図、 第2図は従来の半導体装置の一例の電極取り出し部の構
造を示す平面図、 第3図は第2図のA−A線における断面図である。 1・6・・・・・・半導体基板、2・・・・・・リード
端子、3・7・・・・・・ポンディングパッド、4・・
・・・・金属細線、5・8・・・・・・絶縁膜。 8記縁榎 =−m= b− 第1図 第2図 4金1頴隷 第3図
断面図、 第2図は従来の半導体装置の一例の電極取り出し部の構
造を示す平面図、 第3図は第2図のA−A線における断面図である。 1・6・・・・・・半導体基板、2・・・・・・リード
端子、3・7・・・・・・ポンディングパッド、4・・
・・・・金属細線、5・8・・・・・・絶縁膜。 8記縁榎 =−m= b− 第1図 第2図 4金1頴隷 第3図
Claims (1)
- 少なくとも内部回路の一部と電気的に接続された導体層
を半導体基板の側面に有することを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61208236A JPS6362339A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61208236A JPS6362339A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6362339A true JPS6362339A (ja) | 1988-03-18 |
Family
ID=16552906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61208236A Pending JPS6362339A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6362339A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5891745A (en) * | 1994-10-28 | 1999-04-06 | Honeywell Inc. | Test and tear-away bond pad design |
US6135862A (en) * | 1998-05-13 | 2000-10-24 | Enshu Ltd. | Nitrogen gas supply system for dry-cut working machine |
US6200198B1 (en) | 1997-10-20 | 2001-03-13 | Enshu Limited | Method of cutting of metal materials and non-metal materials in a non-combustible gas atmosphere |
US6328636B1 (en) | 1997-12-24 | 2001-12-11 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Device and method for machining in which cool air cooling is used |
US6669532B1 (en) | 1997-12-24 | 2003-12-30 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Device and method for cool air cooling type machining |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP61208236A patent/JPS6362339A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5891745A (en) * | 1994-10-28 | 1999-04-06 | Honeywell Inc. | Test and tear-away bond pad design |
US6200198B1 (en) | 1997-10-20 | 2001-03-13 | Enshu Limited | Method of cutting of metal materials and non-metal materials in a non-combustible gas atmosphere |
US6328636B1 (en) | 1997-12-24 | 2001-12-11 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Device and method for machining in which cool air cooling is used |
US6669532B1 (en) | 1997-12-24 | 2003-12-30 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Device and method for cool air cooling type machining |
US6135862A (en) * | 1998-05-13 | 2000-10-24 | Enshu Ltd. | Nitrogen gas supply system for dry-cut working machine |
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