JPH0371654A - チップ分離方法 - Google Patents
チップ分離方法Info
- Publication number
- JPH0371654A JPH0371654A JP1208248A JP20824889A JPH0371654A JP H0371654 A JPH0371654 A JP H0371654A JP 1208248 A JP1208248 A JP 1208248A JP 20824889 A JP20824889 A JP 20824889A JP H0371654 A JPH0371654 A JP H0371654A
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- JP
- Japan
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- wafer
- circuit
- chips
- pressure
- circuits
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000000926 separation method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はチップ分離方法に・関し、特に、圧力センサや
加速度センサのチップように、三次元加工されたり、薄
膜部分を有する構造を持つウェハのチップ分離方法に関
する。
加速度センサのチップように、三次元加工されたり、薄
膜部分を有する構造を持つウェハのチップ分離方法に関
する。
従来、この種のチップ分離方法は、ウェハに回路を形成
するのと同時に、回路を形成する面にチップ分離に必要
な目合せマークを形成した後、この目合せマークを用い
て回路形成面よりダイシングしてチップ分離する方法と
なっていた。
するのと同時に、回路を形成する面にチップ分離に必要
な目合せマークを形成した後、この目合せマークを用い
て回路形成面よりダイシングしてチップ分離する方法と
なっていた。
上述した従来のチップ分離方法としては、回路を形成し
た面よりダイシングし、チップ分離する方法がとられて
いるので、圧力センサや加速度センサのように、三次元
加工されたり薄膜部分を有する構造を持つウェハの場合
、ダイシング中に、切削水や冷却水の水圧で、三次元加
工部や薄膜部分が破損するという欠点がある。
た面よりダイシングし、チップ分離する方法がとられて
いるので、圧力センサや加速度センサのように、三次元
加工されたり薄膜部分を有する構造を持つウェハの場合
、ダイシング中に、切削水や冷却水の水圧で、三次元加
工部や薄膜部分が破損するという欠点がある。
上述した従来のチップ分離方法に対し、本発明は、回路
の構成されていない面に目合せマークを形成しこの目合
せマークを用いて、回路の形成されていない面より、ダ
イシングしてチップ分離するという相違点を有する。
の構成されていない面に目合せマークを形成しこの目合
せマークを用いて、回路の形成されていない面より、ダ
イシングしてチップ分離するという相違点を有する。
本発明のチップ分離方法は、半導体ウェハの回路の形成
されていない面に、回路を形成した面の回路に対応して
目合せマークを形成し、この目合せマークを用いて回路
の形成されていない面よりダイシングしてチップ分離す
るものである。
されていない面に、回路を形成した面の回路に対応して
目合せマークを形成し、この目合せマークを用いて回路
の形成されていない面よりダイシングしてチップ分離す
るものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための、圧力センサ用の回路を形成したウェハの平面
図及びＡ−Ａ線断面図である。
るための、圧力センサ用の回路を形成したウェハの平面
図及びＡ−Ａ線断面図である。
第１図において、ウェハ１は表面２に圧力センサに必要
な回路を形成した後、この回路に対応して裏面３より感
圧部分となるダイアフラム４を異方性エツチングにより
形成している。ダイアフラム４は（１００）面のウェハ
１の＜１１０＞方向の４辺で囲まれた正方形ダイアプラ
ムである。
な回路を形成した後、この回路に対応して裏面３より感
圧部分となるダイアフラム４を異方性エツチングにより
形成している。ダイアフラム４は（１００）面のウェハ
１の＜１１０＞方向の４辺で囲まれた正方形ダイアプラ
ムである。
目合せマーク５はダイアフラム４間に中心部を格子状に
形成しているため、目合せマーク５の幅を調整すること
により種々の深さの目合せマーク５がダイアフラム４を
異方性エツチングで形成すると同時に形成できる。次に
この目合せマーク５を用いて、回路の形成されていない
裏面より、ダイシングしてチップ分離する。
形成しているため、目合せマーク５の幅を調整すること
により種々の深さの目合せマーク５がダイアフラム４を
異方性エツチングで形成すると同時に形成できる。次に
この目合せマーク５を用いて、回路の形成されていない
裏面より、ダイシングしてチップ分離する。
第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第２の実施例を説明す
るための圧力センサ用の回路を形成したウェハの平面図
、Ｂ−Ｂ線断面図及びＣ−Ｃ線断面図である。
るための圧力センサ用の回路を形成したウェハの平面図
、Ｂ−Ｂ線断面図及びＣ−Ｃ線断面図である。
第２図（ａ）〜（ｃ）において、ウェハ２１は表面２２
に圧力センサに必要な回路を形成した後、回路に対応し
て裏面２３より感圧部分となるダイアフラム２４を異方
性エツチングにより形成している。ダイアフラム２４は
（１００）面のウェハ２１の（１００＞方向の４辺で囲
まれた正方形ダイアフラムである。
に圧力センサに必要な回路を形成した後、回路に対応し
て裏面２３より感圧部分となるダイアフラム２４を異方
性エツチングにより形成している。ダイアフラム２４は
（１００）面のウェハ２１の（１００＞方向の４辺で囲
まれた正方形ダイアフラムである。
目合せマーク２５はダイアフラム２４間の中心部にく１
１０〉方向の４辺もしくは十文字で囲まれた形状をして
いるため、目合せマーク２５の幅を調整することにより
、種々の深さの目合せマーク２５がダイアフラム２４を
異方性エツチングで形成すると同時に形成できる０次に
この目合せマーク２５を用いて、回路の形成されていな
い面より、ダイシングしてチップ分離する。
１０〉方向の４辺もしくは十文字で囲まれた形状をして
いるため、目合せマーク２５の幅を調整することにより
、種々の深さの目合せマーク２５がダイアフラム２４を
異方性エツチングで形成すると同時に形成できる０次に
この目合せマーク２５を用いて、回路の形成されていな
い面より、ダイシングしてチップ分離する。
上述したチップ分離方法は一実施例であり、目合せマー
クの形状、形成方法は、回路の形成されていない面に回
路を形成した面の回路に対応して目合せマークが形成さ
れればよく、上述した形状に限定されるものではない。
クの形状、形成方法は、回路の形成されていない面に回
路を形成した面の回路に対応して目合せマークが形成さ
れればよく、上述した形状に限定されるものではない。
またウェハの面方位についても一実施例であり、これに
限定されるものではない。
限定されるものではない。
以上説明したように本発明は、半導体ウェハの回路の形
成されていない面に、回路を形成した面の回路に対応し
て、目合せマークを形成し、この目合せマークを用いて
回路の形成されていない面より、ダイシングしてチップ
分離することにより、薄膜部分を有する構造を持つウェ
ハでもダイシング中の切削水や冷却水の水圧での三次元
加工部や薄膜部分の破損を少なくおさえてチップ分離で
きる効果がある。
成されていない面に、回路を形成した面の回路に対応し
て、目合せマークを形成し、この目合せマークを用いて
回路の形成されていない面より、ダイシングしてチップ
分離することにより、薄膜部分を有する構造を持つウェ
ハでもダイシング中の切削水や冷却水の水圧での三次元
加工部や薄膜部分の破損を少なくおさえてチップ分離で
きる効果がある。
を説明するためのウェハの平面図及び断面図、第２図（
ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施例を説明するための
ウェハの平面図及び断面図である。
ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施例を説明するための
ウェハの平面図及び断面図である。
１．２１・・・ウェハ、２，２２・・・表面、３，２３
・・・裏面、４，２４・・・ダイアフラム、５．２５・
・・目合せマーク。
・・・裏面、４，２４・・・ダイアフラム、５．２５・
・・目合せマーク。
Claims (1)
- 半導体ウェハの回路の形成されていない面に、回路を形
成した面の回路に対応して目合せマークを形成し、この
目合せマークを用いて回路の形成されていない面よりダ
イシングしてチップ分離することを特徴とするチップ分
離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1208248A JPH0371654A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | チップ分離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1208248A JPH0371654A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | チップ分離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0371654A true JPH0371654A (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=16553108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1208248A Pending JPH0371654A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | チップ分離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0371654A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5362681A (en) * | 1992-07-22 | 1994-11-08 | Anaglog Devices, Inc. | Method for separating circuit dies from a wafer |
| JP2008187148A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびマーキング装置 |
-
1989
- 1989-08-11 JP JP1208248A patent/JPH0371654A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5362681A (en) * | 1992-07-22 | 1994-11-08 | Anaglog Devices, Inc. | Method for separating circuit dies from a wafer |
| JP2008187148A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびマーキング装置 |
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