JPH0945935A - 加速度センサー及びその製造方法 - Google Patents

加速度センサー及びその製造方法

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JPH0945935A
JPH0945935A JP7190550A JP19055095A JPH0945935A JP H0945935 A JPH0945935 A JP H0945935A JP 7190550 A JP7190550 A JP 7190550A JP 19055095 A JP19055095 A JP 19055095A JP H0945935 A JPH0945935 A JP H0945935A
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single crystal
silicon single
acceleration
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Masatomo Mori
雅友 森
Masahiro Nezu
正弘 根津
Rokuro Naya
六郎 納谷
Shogo Suzuki
章悟 鈴木
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Akebono Brake Industry Co Ltd
Nihon Inter Electronics Corp
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Akebono Brake Industry Co Ltd
Nihon Inter Electronics Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 接合面の大なる作用機構を有し、小型で信頼
性が高く、しかも低コストの加速度センサーとその製造
方法を提供する。 【解決手段】 加速度センサー1は、ダイアフラム部2
Dをシリコン単結晶板の(100)面に形成し、四角枠
型の接合面2Aの四隅部分が中心方向へ拡張された拡張
部2Bを形成する構成とし、また、四角形のシリコン単
結晶板の(100)面に対して、少なくとも八角形状の
開口部10Eを備えるマスク10で覆って異方性エッチ
ングを施すことで、シリコン単結晶板の四隅部分に中心
方向へ拡張された前記拡張部2Bを形成させて製造す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は抵抗素子を用いた加
速度センサーならびにその製造方法、とりわけ半導体基
板によって構成された作用機構に、加速度が加えられる
ことにより生じる機械的変形を、該作用機構に形成され
た抵抗素子による電気抵抗の変化として検出する加速度
センサーならびにその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】加速度、力などを検出するものとして、
シリコン単結晶板から成る半導体基板に弾性変形可能な
薄肉部を形成して作用機構とし、この作用機構に抵抗素
子を形成させ、加速度、力などの作用により作用機構が
弾性変形した際に抵抗素子に生じる、電気抵抗の変化を
とらえることで検出するセンサーが利用されている。図
8は、円形ダイアフラム部を有する従来の加速度センサ
ーの平面図である。また図9は、図8の加速度センサー
の断面図である。
【0003】両図において、加速度センサー50はシリ
コン単結晶板で構成された作用機構52と台座51から
構成され、作用機構52は中央に薄肉のダイアフラム部
52Dを有している。さらにダイアフラム部52Dの中
央には、錘部53が接合され、錘部53は加速度を受け
ると、図9の断面図において上下左右に変位し、この錘
部53の変位によって薄肉のダイアフラム部52Dも上
下左右に変位する。この変位を、ダイアフラム部52D
に設けられた抵抗素子が電気抵抗の変化として検出し、
よって加速度が検出されるものである。
【0004】ここで、ダイアフラム部は高感度特性を実
現するとともに、センサーとしての信頼性と機械的強度
を確保するために、外周が円形に設計されることが多
い。この場合、シリコン単結晶板からエッチングによっ
て薄肉のダイアフラム部が形成されるが、シリコン単結
晶板の結晶方向でエッチング速度が異なるため、円形に
エッチングするために、種々の工夫がなされてきた。例
えば、まず等方性エッチングを施し、そののちに異方性
エッチングとエッチストップ技術を巧みに組み合わせて
ダイアフラム部の厚さを調整していた。このため、ダイ
アフラム部の形成工程が複雑となり、収率向上が困難で
あるばかりか、加工時間も長く、作業者にも技量が要求
されるという問題があった。
【0005】そこで、異方性エッチングのみを施すこと
によってダイアフラム部を形成する手法が導入された。
図10は、このような四角形ダイアフラム部62を有す
る加速度センサーの作用機構60の平面図である。ここ
で61は下方に位置する台座である。また別の手法とし
て、8角形のマスクパターンでシリコン単結晶板の(1
10)結晶面に異方性エッチングを施すものが提案され
た。図11は、図10の加速度センサーの、有限要素法
に基づく応力分布の説明図である。有限要素法解析(F
EM解析)は、被対象系を微小要素に分割して、各要素
毎に数学モデルを作成し、空間的及び時間的な境界条件
と初期条件を各モデルに与えて、逐次計算等の数値解析
により収束解を求め、これら解に基づき系各部の応力分
布など機構的特性を解析するシミュレーション技法の一
種である。この有限要素法解析によって、シリコン単結
晶ウエハーから成る、図10の四角形ダイアフラム部6
2にかかる応力分布の計算結果が図11に示されてい
る。同図に示されるように、加速度が図中G方向にかけ
られた際に、応力はダイアフラム部62の外周のうちで
G方向に垂直な部分に集中してst1、st2として現
われ、同じくダイアフラム部62の中央の四角の周のう
ちでG方向に垂直な部分にst3、st4として現われ
る。図12は、こうした方法により製造された加速度セ
ンサーの作用機構70の構造を説明する平面図である。
同図で、平面が長方形のシリコン単結晶板の作用機構7
0には、8角形のダイアフラム部72が形成されてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記のよ
うな加速度センサーの製造手法の試みで、例えば図10
におけるような四角形ダイアフラム部62を有する作用
機構60では、前記の円形ダイアフラム部(図8の符号
52D)と同等の感度を確保するために、四角形ダイア
フラム部62の面積を同等あるいはそれ以上とせねばな
らない。このため、限られた寸法の作用機構内で四角形
ダイアフラム部62を極大にする結果、台座との接合面
積が減少して接合不良の発生原因となる不都合があっ
た。
【0007】あるいは、図12におけるような8角形ダ
イアフラム部72を有する作用機構70では、図13に
示すように異方性エッチングの界面S71の張る角度θ
2が35度程度の低角度となる。これは界面S73につ
いても略同様である。このため、台座との所定の接合面
積を確保するためには作用機構70の寸法を大にせざる
を得ず、実際のところ図示されるように横長L2が8m
m、縦長L3が6.8mmと小型化できない欠点があ
る。よって加速度センサーの小型化に支障をきたしかね
ないという問題があった。しかも、ウエハーから切り出
す個数が少なくなり、高コストとなる欠点もあった。
【0008】本発明はこのような課題や欠点を解決する
ためなされたもので、接合面の大なる作用機構を有す
る、小型で信頼性が高く、しかも低コストの加速度セン
サーを提供することを目的とする。さらに、前記のよう
な加速度センサーを簡単に製造する方法を提供すること
を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本発明に係る加速度センサーは、四角形状のシリコン単
結晶板により形成された作用機構を有し、該作用機構は
中央部分に薄肉のダイアフラム部を備え、かつ該作用機
構の縁部が四角枠型の接合面を形成し、さらに前記ダイ
アフラム部の中央に錘部を備え、かつ前記ダイアフラム
部内に一体に抵抗素子を設け、あるいは前記ダイアフラ
ム部表面に抵抗素子を接合して設け、加速度や力が加わ
った際の前記ダイアフラム部の伸縮変位による前記抵抗
素子の抵抗値変化に基づき、加速度や力を検出する構造
を有する加速度センサーにおいて、前記ダイアフラム部
は前記シリコン単結晶板の(100)面に形成され、前
記四角枠型の接合面の四隅部分が中心方向へ拡張された
拡張部を形成する構成としたことを特徴とする。また、
本発明に係る加速度センサーの製造方法は、四角形のシ
リコン単結晶板の(100)面に対して、少なくとも八
角形状の開口部を備えるマスクで覆って異方性エッチン
グを施すことで、前記シリコン単結晶板の四隅部分に中
心方向へ拡張された拡張部を形成させることを特徴とす
る。
【0010】本発明に係る加速度センサーの製造方法で
は、四角形のダイアフラム部の外周の四隅部分に形成さ
れた接合面の拡張部によって台座との接合が堅固になさ
れる。この結果、加工時における接合不良が排除されて
加工性が改善され、高収率、かつ低コストでの量産が可
能になる。さらに、センサーの使用時にあっても、長寿
命と安定した作動が可能になる。また、本発明に係る加
速度センサーの製造方法では、四角形のシリコン単結晶
板の(100)面に対して、八角形状の開口部を備える
マスクで覆って異方性エッチングが施される。この結
果、シリコン単結晶板の四隅部分に中心方向へ拡張され
た拡張部が容易に形成され、よって前記の構成の加速度
センサー製造が容易に実現する。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を添付
図面に基づいて説明する。図1は、本発明に係る加速度
センサーの一実施形態の構成を示す平面図である。図2
は、図1の加速度センサーの断面図である。両図で、加
速度センサー1は、シリコン単結晶ウエハーから切り出
された四角形板状の半導体ペレットで形成された作用機
構2と、この作用機構2と略同寸法の四角形で、中央部
分に凹部を有し、四辺枠で作用機構2の接合面2Aを接
合し保持するフレーム4と、錘部3を備える。
【0012】作用機構2には、四角形の四隅が内側に繰
り込んだ外周を有する薄肉の、可撓性を持つダイアフラ
ム部2Dが形成されている。このダイアフラム部2D
は、前記シリコン単結晶板の(100)面に形成され
る。また、ダイアフラム部2Dの中央部分には錘部3が
垂下状態で接合されている。さらにダイアフラム部2D
の外周のうちで、作用機構2の縁部に平行な部分(図
中、直線部分)から外側は、接合面2Aを形成し、さら
に、外周の四隅から外側は、拡張部2Bを形成してい
る。接合面2A、拡張部2Bはともに、フレーム4に接
合されるが、とりわけ拡張部2Bのフレーム4への接合
によって、作用機構2がフレーム4に堅固に固定支持さ
れる。
【0013】ダイアフラム部2Dには、変位や応力の変
化によって抵抗値が変化する、抵抗素子RX、RY、R
Zが各4個、所定の向きに形成されていて、ダイアフラ
ム部2Dの変形に応じてそれらの抵抗値を変化させる。
これら12個の抵抗素子RX、RY、RZの抵抗値変化
を検出して、加速度や力の検出が行われる。抵抗素子R
X、RY、RZは、ダイアフラム部2Dに一体に直接作
り込まれるか、あるいはダイアフラム部2D表面に別体
の抵抗素子RX、RY、RZを接合して設けられる。
【0014】この加速度センサー1の動作を説明する。
錘部3がフレーム4の凹部内を変位できる状態で、加速
度や振動が加わると、錘部3に外力が作用することにな
り、錘部3はこれに応じて上下左右に変位する。この変
位はダイアフラム部2Dに伝達され、ダイアフラム部2
Dに機械的変形が生じる。これによって、抵抗素子R
X、RY、RZの電気抵抗に変化が生じ、この変化は外
部に取り出すことができる。
【0015】加速度や振動が加わる過程で、ダイアフラ
ム部2Dには大きな力が作用するが、前記のように接合
面2Aに加えて、拡張部2Bがフレーム4に接合されて
いて、この拡張部2Bのフレーム4への接合によって作
用機構2がフレーム4に堅固に固定支持されるから、ダ
イアフラム部を有する作用機構2がフレーム4から剥離
することがない。
【0016】図3は、本発明に係る加速度センサーの製
造方法で用いるエッチング用マスクの一実施形態の平面
図である。図4は、図3のエッチング用マスクを用いた
エッチング加工を説明する断面図である。両図に基づい
て本発明に係る加速度センサーの製造方法を説明する
と、四角形のシリコン単結晶板からエッチング加工によ
ってダイアフラム部を形成させる工程で、シリコン単結
晶板の(100)面に対し、図3に示すような八角形状
の開口部10Eを備えるマスク10で、図4に示すよう
に(100)結晶面を覆って、異方性エッチングのみを
施す。この、(100)結晶面とマスク10とによる異
方性エッチング加工によって、前記シリコン単結晶板の
四隅部分に、中心方向へ拡張された拡張部2Bが形成さ
れる(図1参照)。
【0017】図5は、8角形のマスクパターンでシリコ
ン単結晶板の(100)結晶面に異方性エッチングを施
すことで製造される加速度センサー11の作用機構2の
構造を説明する平面図である。同図で、平面が正方形の
シリコン単結晶板の作用機構2には、8角形のダイアフ
ラム部が形成されている。図6は、図5における界面の
角度構成を示す断面図である。図5におけるような8角
形ダイアフラム部を有する作用機構2では、図6に示す
ように異方性エッチングの界面S1の張る角度θが55
度程度の大角度となる。これは他の界面S2〜S8につ
いても同様である。この結果、図12に示す従来例より
も約75%の大きさに小型化が可能になり、よって加速
度センサーの小型化を可能とし。低コストを併せて実現
できる。
【0018】図7は、本発明に係る加速度センサーの、
有限要素法に基づく応力分布の説明図である。有限要素
法解析によって、シリコン単結晶ウエハーから成る、図
5に示される八角形ダイアフラム部11Dにかかる応力
分布が計算され、その結果が図7に示されている。
【0019】同図に示されるように、加速度が図中G方
向にかけられた際に、応力はダイアフラム部11Dの外
周のうちでG方向に垂直な部分に集中してst1、st
2として現われ、同じくダイアフラム部11Dの中央の
四角の周のうちでG方向に垂直な部分にst3、st4
として現われる。この応力の発生は、加速度が図中G方
向に垂直にかけられた際においても同様である。以上の
数値解析結果から明らかなように、四角形のダイアフラ
ム部の外周の四隅部分に接合面の拡張部を形成させると
いう本発明の構成は、加速度センサーの感度に影響を及
ぼすことなく、しかも堅固な接合を確保できるという効
果を実現するものであることがシミュレーション技法に
よって立証されたことになる。さらに、実際の製品によ
る特性試験の結果によっても、前記シミュレーションと
同様の効果が得られている。
【0020】
【発明の効果】以上のとおり本発明に係る加速度センサ
ーによれば、四角形のダイアフラム部の外周の四隅部分
に接合面の拡張部を形成させる構成としたため、台座と
の接合が堅固になされ、加工時における接合不良を排除
して収率を改善でき、センサーを効率よく大量生産する
ことができるようになるとともに、センサーの使用時に
あっても長寿命と安定した作動により信頼性が確保でき
るという、顕著な効果が実現できる。また、本発明に係
る加速度センサーの製造方法は、四角形のシリコン単結
晶板の(100)面に対して、八角形状の開口部を備え
るマスクで覆って異方性エッチングを施すものであるか
ら、シリコン単結晶板の四隅部分に中心方向へ拡張され
た拡張部を容易に形成させることができ、よって前記加
速度センサー製造を容易に実現可能にするという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る加速度センサーの一実施形態の構
成を示す平面図である。
【図2】図1の加速度センサーの断面図である。
【図3】本発明に係る加速度センサーの製造方法で用い
るエッチング用マスクの一実施形態の平面図である。
【図4】図3のエッチング用マスクを用いたエッチング
加工を説明する断面図である。
【図5】本発明に係る製造方法で製造された加速度セン
サーの構造を説明する平面図である。
【図6】図5における斜面部の角度構成を示す断面図で
ある。
【図7】本発明に係る加速度センサーの、有限要素法に
基づく応力分布の説明図である。
【図8】円形ダイアフラムを有する従来の加速度センサ
ーの平面図である。
【図9】図8の加速度センサーの断面図である。
【図10】四角形ダイアフラムを有する従来の加速度セ
ンサーの平面図である。
【図11】図10の加速度センサーの、有限要素法に基
づく応力分布の説明図である。
【図12】従来の方法により製造された加速度センサー
の構造を説明する平面図である。
【図13】図12における斜面部の角度構成を示す断面
図である。
【符号の説明】
1 加速度センサー 2 作用機構 2A 接合面 2B 拡張部 2D ダイアフラム部 3 錘部 4 フレーム RX、RY、RZ 抵抗素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 納谷 六郎 神奈川県秦野市曽屋1204番地 日本インタ ー株式会社内 (72)発明者 鈴木 章悟 神奈川県秦野市曽屋1204番地 日本インタ ー株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 四角形状のシリコン単結晶板により形成
    された作用機構を有し、該作用機構は中央部分に薄肉の
    ダイアフラム部を備え、かつ該作用機構の縁部が四角枠
    型の接合面を形成し、さらに前記ダイアフラム部の中央
    に錘部を備え、かつ前記ダイアフラム部内に一体に抵抗
    素子を設け、あるいは前記ダイアフラム部表面に抵抗素
    子を接合して設け、加速度や力が加わった際の前記ダイ
    アフラム部の伸縮変位による前記抵抗素子の抵抗値変化
    に基づき、加速度や力を検出する構造を有する加速度セ
    ンサーにおいて、 前記ダイアフラム部は前記シリコン単結晶板の(10
    0)面に形成され、 前記四角枠型の接合面の四隅部分が中心方向へ拡張され
    た拡張部を形成する構成としたことを特徴とする加速度
    センサー。
  2. 【請求項2】 四角形のシリコン単結晶板の(100)
    面に対して、少なくとも八角形状の開口部を備えるマス
    クで覆って異方性エッチングを施すことで、前記シリコ
    ン単結晶板の四隅部分に中心方向へ拡張された拡張部を
    形成させることを特徴とする加速度センサーの製造方
    法。
JP7190550A 1995-07-26 1995-07-26 加速度センサー及びその製造方法 Pending JPH0945935A (ja)

Priority Applications (2)

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JP7190550A JPH0945935A (ja) 1995-07-26 1995-07-26 加速度センサー及びその製造方法
US08/686,202 US5866817A (en) 1995-07-26 1996-07-25 Acceleration sensor

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