JPH0835982A - 半導体加速度センサの製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH0835982A JPH0835982A JP17286994A JP17286994A JPH0835982A JP H0835982 A JPH0835982 A JP H0835982A JP 17286994 A JP17286994 A JP 17286994A JP 17286994 A JP17286994 A JP 17286994A JP H0835982 A JPH0835982 A JP H0835982A
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- JP
- Japan
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- diaphragm
- acceleration sensor
- semiconductor acceleration
- wafer
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- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイヤフラムの厚さを従来に比して更に薄く
することができて、半導体加速度センサのより一層の高
感度化及び小型化を達成できると共に製品コストの上昇
を回避できる半導体加速度センサの製造方法を提供す
る。 【構成】 先ず、シリコンウエハ１の表面にピエゾ抵抗
素子を形成した後、ウエハ１の裏面側から異方性ウェッ
トエッチングにより平面視でリング状に溝８を設け、ダ
イヤフラム２及びボス部３を形成する。次に、ダイヤフ
ラム２上にアルミニウム配線等を選択的に形成した後、
ウエハ１の表面側からリアクティブイオンエッチングを
施し、ダイヤフラム１のピエゾ抵抗素子及びアルミニウ
ム配線が形成されていない部分を薄肉化する。
することができて、半導体加速度センサのより一層の高
感度化及び小型化を達成できると共に製品コストの上昇
を回避できる半導体加速度センサの製造方法を提供す
る。 【構成】 先ず、シリコンウエハ１の表面にピエゾ抵抗
素子を形成した後、ウエハ１の裏面側から異方性ウェッ
トエッチングにより平面視でリング状に溝８を設け、ダ
イヤフラム２及びボス部３を形成する。次に、ダイヤフ
ラム２上にアルミニウム配線等を選択的に形成した後、
ウエハ１の表面側からリアクティブイオンエッチングを
施し、ダイヤフラム１のピエゾ抵抗素子及びアルミニウ
ム配線が形成されていない部分を薄肉化する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車、航空機、各種
工業用ロボット及び家電製品等に取り付けられて加速度
の検知及び制御に使用される半導体加速度センサの製造
方法に関する。
工業用ロボット及び家電製品等に取り付けられて加速度
の検知及び制御に使用される半導体加速度センサの製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体加速度センサは、自動車、
航空機、各種工業用ロボット及び家電製品等に使用され
るようになってきた。
航空機、各種工業用ロボット及び家電製品等に使用され
るようになってきた。
【０００３】図７，８は従来の半導体加速度センサの製
造方法を工程順に示す断面図である。なお、通常は、１
枚のウエハから複数個の半導体加速度センサを同時に形
成するが、図７，８においては、１個の半導体加速度セ
ンサについてのみ図示している。
造方法を工程順に示す断面図である。なお、通常は、１
枚のウエハから複数個の半導体加速度センサを同時に形
成するが、図７，８においては、１個の半導体加速度セ
ンサについてのみ図示している。
【０００４】先ず、図７に示すように、結晶方位が（１
００）面又は（１１０）面であり、厚さが約２００〜５
００μｍのシリコンウエハ２０を用意し、通常の半導体
プロセスと同様にして、不純物拡散イオン注入法等によ
りシリコンウエハ２０の表面のダイヤフラム形成予定領
域に不純物を選択的に導入して感歪素子であるピエゾ抵
抗素子（図示せず）を形成した後、ウエハ２０上に絶縁
膜（図示せず）を形成する。その後、ウエハ２０の裏面
側から異方性ウェットエッチングを施し、平面視でリン
グ状の溝２１を設けることによりウエハ２０を部分的に
薄肉化して、可撓性を有するダイヤフラム２２と、溝２
１に囲まれたボス部（突起）２３とを形成する。この場
合に、エッチング液としては、例えばＫＯＨ等を使用す
ることができる。
００）面又は（１１０）面であり、厚さが約２００〜５
００μｍのシリコンウエハ２０を用意し、通常の半導体
プロセスと同様にして、不純物拡散イオン注入法等によ
りシリコンウエハ２０の表面のダイヤフラム形成予定領
域に不純物を選択的に導入して感歪素子であるピエゾ抵
抗素子（図示せず）を形成した後、ウエハ２０上に絶縁
膜（図示せず）を形成する。その後、ウエハ２０の裏面
側から異方性ウェットエッチングを施し、平面視でリン
グ状の溝２１を設けることによりウエハ２０を部分的に
薄肉化して、可撓性を有するダイヤフラム２２と、溝２
１に囲まれたボス部（突起）２３とを形成する。この場
合に、エッチング液としては、例えばＫＯＨ等を使用す
ることができる。
【０００５】次に、前記絶縁膜にコンタクトホールを選
択的に形成した後、フォトリソグラフィ法を使用してア
ルミニウム配線（いずれも図示せず）を形成する。その
後、シンタリング（アニール）を施して、ピエゾ抵抗素
子とアルミニウム配線との導通を図る。
択的に形成した後、フォトリソグラフィ法を使用してア
ルミニウム配線（いずれも図示せず）を形成する。その
後、シンタリング（アニール）を施して、ピエゾ抵抗素
子とアルミニウム配線との導通を図る。
【０００６】次に、図８に示すように、ウエハ２０の裏
面側に厚さが約１〜３ｍｍのガラス板２５を陽極接合し
た後、溝２１の縁部に沿ってガラス板２５を切断するこ
とにより、ボス部２３に接合された質量部２６を形成す
る。その後、ウエハ２０及びガラス板２５を各半導体加
速度センサ毎に切断する。これにより、半導体加速度セ
ンサの製造が完了する。
面側に厚さが約１〜３ｍｍのガラス板２５を陽極接合し
た後、溝２１の縁部に沿ってガラス板２５を切断するこ
とにより、ボス部２３に接合された質量部２６を形成す
る。その後、ウエハ２０及びガラス板２５を各半導体加
速度センサ毎に切断する。これにより、半導体加速度セ
ンサの製造が完了する。
【０００７】このようにして製造された半導体加速度セ
ンサに加速度が加えられると、慣性により質量部２６と
ダイヤフラム２２との間に応力が発生し、ダイヤフラム
２２が機械的に変形する。これにより、ダイヤフラム２
２の表面に設けられたピエゾ抵抗素子の抵抗値が変化す
る。この抵抗値の変化を外部の検出装置で検出すること
により、加速度を検出することができる。
ンサに加速度が加えられると、慣性により質量部２６と
ダイヤフラム２２との間に応力が発生し、ダイヤフラム
２２が機械的に変形する。これにより、ダイヤフラム２
２の表面に設けられたピエゾ抵抗素子の抵抗値が変化す
る。この抵抗値の変化を外部の検出装置で検出すること
により、加速度を検出することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
加速度センサのより一層の小型化及び高感度化が要望さ
れているが、上述した従来の半導体加速度センサの製造
方法においては、これらの要望に対応できないという問
題点がある。即ち、一般的に、半導体加速度センサの感
度は、ダイヤフラムの面積に比例し、ダイヤフラムの厚
さの自乗に反比例する。従って、高感度の半導体加速度
センサを得ようとすると、ダイヤフラムの厚さをより一
層薄くするか、又はダイヤフラムの面積を大きくする必
要がある。しかし、ダイヤフラムの面積を大きくするこ
とは、センサを小型化する上で好ましくない。そこで、
従来の半導体加速度センサにおいては、ダイヤフラムの
厚さを約２０〜５０μｍと薄くしているが、更に高感度
化するためにはダイヤフラムの厚さをより一層薄くする
必要がある。しかし、ダイヤフラムを更に薄くすると、
例えばコンタクトホール形成工程及びアルミニウム配線
形成工程等におけるハンドリング時の振動、真空チャッ
キング時及び自動機での搬送中の振動等によりダイヤフ
ラムが破壊されやすくなり、製造歩留まりが著しく低下
する。このため、従来の方法では、ダイヤフラムの厚さ
は約１５μｍ以下にすることが極めて困難である。一
方、半導体加速度センサのチップは小型化される傾向に
あり、例えば１辺の長さが５ｍｍ又はそれ以下の大きさ
のセンサが要望されている。この場合は、ダイヤフラム
の面積が縮小されるので、ダイヤフラムの厚さが１５μ
ｍでも十分な感度を得ることができず、ダイヤフラムの
厚さを１０μｍ程度とすることが要求される。
加速度センサのより一層の小型化及び高感度化が要望さ
れているが、上述した従来の半導体加速度センサの製造
方法においては、これらの要望に対応できないという問
題点がある。即ち、一般的に、半導体加速度センサの感
度は、ダイヤフラムの面積に比例し、ダイヤフラムの厚
さの自乗に反比例する。従って、高感度の半導体加速度
センサを得ようとすると、ダイヤフラムの厚さをより一
層薄くするか、又はダイヤフラムの面積を大きくする必
要がある。しかし、ダイヤフラムの面積を大きくするこ
とは、センサを小型化する上で好ましくない。そこで、
従来の半導体加速度センサにおいては、ダイヤフラムの
厚さを約２０〜５０μｍと薄くしているが、更に高感度
化するためにはダイヤフラムの厚さをより一層薄くする
必要がある。しかし、ダイヤフラムを更に薄くすると、
例えばコンタクトホール形成工程及びアルミニウム配線
形成工程等におけるハンドリング時の振動、真空チャッ
キング時及び自動機での搬送中の振動等によりダイヤフ
ラムが破壊されやすくなり、製造歩留まりが著しく低下
する。このため、従来の方法では、ダイヤフラムの厚さ
は約１５μｍ以下にすることが極めて困難である。一
方、半導体加速度センサのチップは小型化される傾向に
あり、例えば１辺の長さが５ｍｍ又はそれ以下の大きさ
のセンサが要望されている。この場合は、ダイヤフラム
の面積が縮小されるので、ダイヤフラムの厚さが１５μ
ｍでも十分な感度を得ることができず、ダイヤフラムの
厚さを１０μｍ程度とすることが要求される。
【０００９】なお、製造工程中でのダイヤフラムの破損
を回避するために、コンタクトホール及びアルミニウム
配線を形成した後に異方性ウェットエッチングしてダイ
ヤフラムを形成することも考えられる。しかし、通常、
異方性ウェットエッチング液はアルミニウムを溶解する
ものが多く、そのためアルミニウムを溶解しないエッチ
ングを使用するか、又はエッチング液に溶解しない電極
材料（例えば、金）を使用する必要があり、どちらの場
合でも量産性が低下し、コスト高になりかねない。
を回避するために、コンタクトホール及びアルミニウム
配線を形成した後に異方性ウェットエッチングしてダイ
ヤフラムを形成することも考えられる。しかし、通常、
異方性ウェットエッチング液はアルミニウムを溶解する
ものが多く、そのためアルミニウムを溶解しないエッチ
ングを使用するか、又はエッチング液に溶解しない電極
材料（例えば、金）を使用する必要があり、どちらの場
合でも量産性が低下し、コスト高になりかねない。
【００１０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、ダイヤフラムの厚さを従来に比して更に薄
くすることができて、半導体加速度センサのより一層の
高感度化及び小型化を達成できると共に製品コストの上
昇を回避できる半導体加速度センサの製造方法を提供す
ることを目的とする。
のであって、ダイヤフラムの厚さを従来に比して更に薄
くすることができて、半導体加速度センサのより一層の
高感度化及び小型化を達成できると共に製品コストの上
昇を回避できる半導体加速度センサの製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体加速
度センサの製造方法は、半導体ウエハの一方の面のダイ
ヤフラム形成予定領域に感歪素子を形成する工程と、前
記半導体ウエハの他方の面側から異方性ウェットエッチ
ングを施し平面視でリング状に溝を設けてダイヤフラム
を形成する異方性ウェットエッチング工程と、前記半導
体ウエハの前記一方の面側から前記ダイヤフラムの前記
感歪素子が形成されていない領域を選択的にリアクティ
ブイオンエッチングするリアクティブイオンエッチング
工程と、を有することを特徴とする。
度センサの製造方法は、半導体ウエハの一方の面のダイ
ヤフラム形成予定領域に感歪素子を形成する工程と、前
記半導体ウエハの他方の面側から異方性ウェットエッチ
ングを施し平面視でリング状に溝を設けてダイヤフラム
を形成する異方性ウェットエッチング工程と、前記半導
体ウエハの前記一方の面側から前記ダイヤフラムの前記
感歪素子が形成されていない領域を選択的にリアクティ
ブイオンエッチングするリアクティブイオンエッチング
工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明においては、先ず、従来と同様にして半
導体ウエハの一方の面に感歪素子を形成した後、他方の
面側から異方性ウェットエッチングを施してダイヤフラ
ムを形成する。その後、前記半導体ウエハの一方の面側
からリアクティブイオンエッチング（Reactive Ion Ech
ing ：以下、ＲＩＥという）法により前記ダイヤフラム
の前記感歪素子が形成されていない領域をエッチングし
て、ダイヤフラムを更に薄肉化する。これにより、ダイ
ヤフラムの厚さを従来に比してより一層薄くすることが
でき、半導体加速度センサの感度を向上できると共に、
より一層の小型化が達成できる。
導体ウエハの一方の面に感歪素子を形成した後、他方の
面側から異方性ウェットエッチングを施してダイヤフラ
ムを形成する。その後、前記半導体ウエハの一方の面側
からリアクティブイオンエッチング（Reactive Ion Ech
ing ：以下、ＲＩＥという）法により前記ダイヤフラム
の前記感歪素子が形成されていない領域をエッチングし
て、ダイヤフラムを更に薄肉化する。これにより、ダイ
ヤフラムの厚さを従来に比してより一層薄くすることが
でき、半導体加速度センサの感度を向上できると共に、
より一層の小型化が達成できる。
【００１３】なお、ＲＩＥ法は、エッチングガスを適宜
選択することにより、エッチング深さを容易に制御でき
ると共に、エッチングマスク材としてフォトレジストを
用いることができるため、フォトレジストにより容易に
ウエハ表面上の素子及びアルミニウム配線を保護できる
という利点がある。従って、上述の如く、ダイヤフラム
の薄肉化にＲＩＥ法を使用することにより、素子及びア
ルミニウム配線に損傷を与えることを回避できる。
選択することにより、エッチング深さを容易に制御でき
ると共に、エッチングマスク材としてフォトレジストを
用いることができるため、フォトレジストにより容易に
ウエハ表面上の素子及びアルミニウム配線を保護できる
という利点がある。従って、上述の如く、ダイヤフラム
の薄肉化にＲＩＥ法を使用することにより、素子及びア
ルミニウム配線に損傷を与えることを回避できる。
【００１４】このように、本発明においては、感歪素子
及びアルミニウム配線等が形成されているダイヤフラム
の厚さを従来に比してより一層薄くすることができ、半
導体加速度センサの感度を向上できると共に、より一層
の小型化が達成できる。また、本発明方法においては、
感歪素子及びアルミニウム配線等を形成した後の比較的
最終工程に近い工程でダイヤフラムを更に薄肉化するの
で、ＲＩＥ工程以前でウエハに加えられる振動等による
ダイヤフラムの破損を回避することができる。
及びアルミニウム配線等が形成されているダイヤフラム
の厚さを従来に比してより一層薄くすることができ、半
導体加速度センサの感度を向上できると共に、より一層
の小型化が達成できる。また、本発明方法においては、
感歪素子及びアルミニウム配線等を形成した後の比較的
最終工程に近い工程でダイヤフラムを更に薄肉化するの
で、ＲＩＥ工程以前でウエハに加えられる振動等による
ダイヤフラムの破損を回避することができる。
【００１５】
【実施例】次に、本発明の実施例について、添付の図面
を参照して説明する。図１は本発明の実施例に係る半導
体加速度センサの製造方法を示す上面図、図２は図１の
Ａ−Ａ線による断面図、図３は図１のＢ−Ｂ線による断
面図である。先ず、従来と同様にして、シリコンウエハ
１の表面のダイヤフラム形成予定領域にピエゾ抵抗素子
５を選択的に形成した後、シリコンウエハ１上に絶縁膜
（図示せず）を形成する。その後、ウエハ１の裏面側か
ら異方性ウェットエッチングを施し平面視でリング状に
溝８を設けて、ダイヤフラム２及びボス部３を形成す
る。この場合に、ダイヤフラム２の厚さは約１５μｍと
する。
を参照して説明する。図１は本発明の実施例に係る半導
体加速度センサの製造方法を示す上面図、図２は図１の
Ａ−Ａ線による断面図、図３は図１のＢ−Ｂ線による断
面図である。先ず、従来と同様にして、シリコンウエハ
１の表面のダイヤフラム形成予定領域にピエゾ抵抗素子
５を選択的に形成した後、シリコンウエハ１上に絶縁膜
（図示せず）を形成する。その後、ウエハ１の裏面側か
ら異方性ウェットエッチングを施し平面視でリング状に
溝８を設けて、ダイヤフラム２及びボス部３を形成す
る。この場合に、ダイヤフラム２の厚さは約１５μｍと
する。
【００１６】次に、前記絶縁膜に選択的にコンタクトホ
ールを形成した後、フォトリソグラフィ法を使用して、
所定のパターンでアルミニウム配線（いずれも図示せ
ず）を形成する。
ールを形成した後、フォトリソグラフィ法を使用して、
所定のパターンでアルミニウム配線（いずれも図示せ
ず）を形成する。
【００１７】次に、シンタリングを施した後、ＲＩＥ法
により、ウエハ１の表面側からダイヤフラム２のピエゾ
抵抗素子５及びアルミニウム配線が形成されていない領
域を選択的にエッチングして、平面視でボス部３を中心
として配置された４個の扇形の凹部６を形成することに
より、この凹部６の部分のダイヤフラム２の厚さを約５
〜１０μｍにする。この場合に、各凹部６間の部分がビ
ーム部４となる。このビーム部４の幅は例えば２５μｍ
とする。ピエゾ抵抗素子５及びアルミニウム配線はこの
ビーム部４に配置されている。
により、ウエハ１の表面側からダイヤフラム２のピエゾ
抵抗素子５及びアルミニウム配線が形成されていない領
域を選択的にエッチングして、平面視でボス部３を中心
として配置された４個の扇形の凹部６を形成することに
より、この凹部６の部分のダイヤフラム２の厚さを約５
〜１０μｍにする。この場合に、各凹部６間の部分がビ
ーム部４となる。このビーム部４の幅は例えば２５μｍ
とする。ピエゾ抵抗素子５及びアルミニウム配線はこの
ビーム部４に配置されている。
【００１８】なお、ＲＩＥ工程においては、エッチング
ガスとして、ＳＦ6 等を使用し、エッチングマスクとし
ては、フォトレジスト等を使用することができる。
ガスとして、ＳＦ6 等を使用し、エッチングマスクとし
ては、フォトレジスト等を使用することができる。
【００１９】次いで、従来と同様にして、シリコンウエ
ハ１の裏面側にガラス板（図示せず）を陽極接合し、こ
のガラス板を選択的に切断して、質量部（図示せず）を
形成する。その後、ウエハ及びガラス板を各半導体加速
度センサ毎に切断する。これにより、半導体加速度セン
サの製造が完了する。
ハ１の裏面側にガラス板（図示せず）を陽極接合し、こ
のガラス板を選択的に切断して、質量部（図示せず）を
形成する。その後、ウエハ及びガラス板を各半導体加速
度センサ毎に切断する。これにより、半導体加速度セン
サの製造が完了する。
【００２０】このように、本実施例においては、シリコ
ンウエハにダイヤフラムを形成した後、ＲＩＥ法により
このダイヤフラムを更に薄肉化するので、感度が高く、
従来に比してより一層小型化が可能の半導体加速度セン
サを得ることができる。また、本実施例方法により製造
された半導体加速度センサは、加速度が加えられたとき
にビーム部に応力が集中するので、より一層感度が向上
するという利点もある。更に、本実施例においては、Ｒ
ＩＥによるダイヤフラムの薄肉化は最終工程に近いガラ
ス板陽極接合工程の直前の工程で行うため、それ以前の
工程においてウエハに振動等が加えられても、ダイヤフ
ラムが破損する虞れが少ない。更にまた、本実施例にお
いては、配線を形成した後にＲＩＥ工程を実施するが、
ＲＩＥ工程においてはアルミニウム配線の溶解を回避で
きるので、高価な金を配線材として使用する必要がな
く、製品コストの上昇を回避できるという利点もある。
ンウエハにダイヤフラムを形成した後、ＲＩＥ法により
このダイヤフラムを更に薄肉化するので、感度が高く、
従来に比してより一層小型化が可能の半導体加速度セン
サを得ることができる。また、本実施例方法により製造
された半導体加速度センサは、加速度が加えられたとき
にビーム部に応力が集中するので、より一層感度が向上
するという利点もある。更に、本実施例においては、Ｒ
ＩＥによるダイヤフラムの薄肉化は最終工程に近いガラ
ス板陽極接合工程の直前の工程で行うため、それ以前の
工程においてウエハに振動等が加えられても、ダイヤフ
ラムが破損する虞れが少ない。更にまた、本実施例にお
いては、配線を形成した後にＲＩＥ工程を実施するが、
ＲＩＥ工程においてはアルミニウム配線の溶解を回避で
きるので、高価な金を配線材として使用する必要がな
く、製品コストの上昇を回避できるという利点もある。
【００２１】なお、図４（ａ），（ｂ）に示すように、
シリコンウエハ１１の表面が（１１０）面の場合は、ビ
ーム部１４の長手方向を＜１１０＞、＜１１１＞及び＜
１１１＞に略直交する方向とし、このビーム部１４の長
手方向に沿ってピエゾ抵抗素子を形成することが好まし
い。また、図５（ａ），（ｂ）に示すように、シリコン
ウエハ１１の表面が（１００）面の場合は、ビーム部１
４の長手方向を＜１１０＞及び＜１１０＞に略直交する
方向とし、このビーム部１４の長手方向に沿ってピエゾ
抵抗素子を形成することが好ましい。即ち、図６
（ａ），（ｂ）に夫々ｐ−Ｓｉ基板の（１１０）面及び
（１００）面におけるピエゾ抵抗係数を示すように、
（１１０）面の場合は、ピエゾ抵抗素子の長手方向を＜
１１０＞、＜１１１＞又は＜１１１＞に略直交する方向
とすることにより、（１００）面の場合は、ピエゾ抵抗
素子の長手方向を＜１１０＞又は＜１１０＞に略直交す
る方向とすることにより、高感度のピエゾ抵抗素子を得
ることができる。
シリコンウエハ１１の表面が（１１０）面の場合は、ビ
ーム部１４の長手方向を＜１１０＞、＜１１１＞及び＜
１１１＞に略直交する方向とし、このビーム部１４の長
手方向に沿ってピエゾ抵抗素子を形成することが好まし
い。また、図５（ａ），（ｂ）に示すように、シリコン
ウエハ１１の表面が（１００）面の場合は、ビーム部１
４の長手方向を＜１１０＞及び＜１１０＞に略直交する
方向とし、このビーム部１４の長手方向に沿ってピエゾ
抵抗素子を形成することが好ましい。即ち、図６
（ａ），（ｂ）に夫々ｐ−Ｓｉ基板の（１１０）面及び
（１００）面におけるピエゾ抵抗係数を示すように、
（１１０）面の場合は、ピエゾ抵抗素子の長手方向を＜
１１０＞、＜１１１＞又は＜１１１＞に略直交する方向
とすることにより、（１００）面の場合は、ピエゾ抵抗
素子の長手方向を＜１１０＞又は＜１１０＞に略直交す
る方向とすることにより、高感度のピエゾ抵抗素子を得
ることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体ウエハの一方の面に感歪素子を設け、他方の面側か
らウェットエッチングして溝を設けることによりダイヤ
フラムを形成し、前記ウエハの一方の面側からリアクテ
ィブイオンエッチング法を使用して前記ダイヤフラムを
更に薄肉化するので、従来に比してより一層高感度で小
型化が可能の半導体加速度センサを製造することができ
る。また、本発明方法においては、アルミニウム又はア
ルミニウム合金により配線を形成することができるの
で、半導体加速度センサの製品コストの上昇を回避でき
る。
導体ウエハの一方の面に感歪素子を設け、他方の面側か
らウェットエッチングして溝を設けることによりダイヤ
フラムを形成し、前記ウエハの一方の面側からリアクテ
ィブイオンエッチング法を使用して前記ダイヤフラムを
更に薄肉化するので、従来に比してより一層高感度で小
型化が可能の半導体加速度センサを製造することができ
る。また、本発明方法においては、アルミニウム又はア
ルミニウム合金により配線を形成することができるの
で、半導体加速度センサの製品コストの上昇を回避でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る半導体加速度センサの製
造方法を示す上面図である。
造方法を示す上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線による断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線による断面図である。
【図４】表面が（１１０）面のウエハに形成した半導体
加速度センサのビーム部を示す平面図である。
加速度センサのビーム部を示す平面図である。
【図５】表面が（１００）面のウエハに形成した半導体
加速度センサのビーム部を示す平面図である。
加速度センサのビーム部を示す平面図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は夫々ｐ−Ｓｉ基板の（１１
０）面及び（１００）面におけるピエゾ抵抗係数を示す
図である。
０）面及び（１００）面におけるピエゾ抵抗係数を示す
図である。
【図７】従来の半導体加速度センサの製造方法の一工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図８】従来の半導体加速度センサの製造方法の他の工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
１，１１，２０；ウエハ ２，２２；ダイヤフラム ３，２３；ボス部 ４，１４；ビーム部 ５；ピエゾ抵抗素子 ６；凹部 ８，２１；溝 ２５；ガラス板 ２６；質量部
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエハの一方の面のダイヤフラム
形成予定領域に感歪素子を形成する工程と、前記半導体
ウエハの他方の面側から異方性ウェットエッチングを施
し平面視でリング状に溝を設けてダイヤフラムを形成す
る異方性ウェットエッチング工程と、前記半導体ウエハ
の前記一方の面側から前記ダイヤフラムの前記感歪素子
が形成されていない領域を選択的にリアクティブイオン
エッチングするリアクティブイオンエッチング工程と、
を有することを特徴とする半導体加速度センサの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17286994A JPH0835982A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17286994A JPH0835982A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0835982A true JPH0835982A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15949812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17286994A Pending JPH0835982A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0835982A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006294892A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 一軸半導体加速度センサ |
| JP2006308325A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 力学量検出センサ及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-07-25 JP JP17286994A patent/JPH0835982A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006294892A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 一軸半導体加速度センサ |
| JP2006308325A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 力学量検出センサ及びその製造方法 |
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