JPH04162647A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04162647A JPH04162647A JP2290478A JP29047890A JPH04162647A JP H04162647 A JPH04162647 A JP H04162647A JP 2290478 A JP2290478 A JP 2290478A JP 29047890 A JP29047890 A JP 29047890A JP H04162647 A JPH04162647 A JP H04162647A
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- Japan
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- dicing
- wafer
- semiconductor device
- silicon wafer
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 2
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハ上に形成さ口た半導体装置に
おいて、個々の半導体装置に切断、分離するダイシング
に関するものである。
おいて、個々の半導体装置に切断、分離するダイシング
に関するものである。
第５図は、従来の半導体装置のダイシング前の断面図、
第６図はダイシング後の断面図である。
第６図はダイシング後の断面図である。
図において、（１）はシリコンウェハ、（２月まシリコ
ンウェハ（１）をダイシングする時、シリコンウェハ（
１）を固定するためのテープ、（３）はシリコンウェハ
（１）上に形成さｎた半導体装置、（４）はダイシング
の切溝であり、その製造手順は、まず半導体装置を形成
したシリコンウェハ（１）を塩化ビニール等を材質とす
るテープ（２）上に接着剤を介して接着し、その後、円
盤状の薄い切刃を高速回転させてシリコンウェハ（１）
上に形成さｎた半導体装置（３）を互いに分離する。ダ
イシングラインに沿って切断、分離した後の様子を、第
６図に断面で、第７図に斜視図で示す。また、切断した
ダイシングの切溝（４）も第６図に示している。
。
ンウェハ（１）をダイシングする時、シリコンウェハ（
１）を固定するためのテープ、（３）はシリコンウェハ
（１）上に形成さｎた半導体装置、（４）はダイシング
の切溝であり、その製造手順は、まず半導体装置を形成
したシリコンウェハ（１）を塩化ビニール等を材質とす
るテープ（２）上に接着剤を介して接着し、その後、円
盤状の薄い切刃を高速回転させてシリコンウェハ（１）
上に形成さｎた半導体装置（３）を互いに分離する。ダ
イシングラインに沿って切断、分離した後の様子を、第
６図に断面で、第７図に斜視図で示す。また、切断した
ダイシングの切溝（４）も第６図に示している。
。
従来の半導体装には以上のように構成されているので、
ダイシング中の切刃によって切削さｎた切りくずか、切
削点に吹き出されている洗浄水とともに流ｎ飛ばされる
ことになっているか切溝中に切り（ず等が残ることがあ
る。この残ったシリコンの切りくずかダイシング以降の
工程で半導体装ｆｌｉｔ辰曲あるいは裏面等に移動する
ことによって傷を生じる原因となり、組立歩留り低下を
まねくあるいは、電気的特性の劣化をまねくという間勉
点があったユ この発明は上記のような問題点を解消するためになさｎ
たちので、ダイシング時に発生する切りくず等が残るこ
とはなくなって歩留りの向上がみこまれ、信頼性の高い
半導体装置を得ることを目的とする。
ダイシング中の切刃によって切削さｎた切りくずか、切
削点に吹き出されている洗浄水とともに流ｎ飛ばされる
ことになっているか切溝中に切り（ず等が残ることがあ
る。この残ったシリコンの切りくずかダイシング以降の
工程で半導体装ｆｌｉｔ辰曲あるいは裏面等に移動する
ことによって傷を生じる原因となり、組立歩留り低下を
まねくあるいは、電気的特性の劣化をまねくという間勉
点があったユ この発明は上記のような問題点を解消するためになさｎ
たちので、ダイシング時に発生する切りくず等が残るこ
とはなくなって歩留りの向上がみこまれ、信頼性の高い
半導体装置を得ることを目的とする。
本発明に係る半導体装置は、半導体ウェハ上に形成さ口
、個々の半導体装置に切断、分離するダイシングライン
のウェハ裏面側に、エツチングによって凹状のくぼみを
形成したものである。
、個々の半導体装置に切断、分離するダイシングライン
のウェハ裏面側に、エツチングによって凹状のくぼみを
形成したものである。
シリコンウェハの裏面に設けられた凹状のくぼみは、個
々の半導体ｉｕｉに切断、分離するダイシング工程で円
盤状の薄い切刃を高速回転させ切断していく時に発生す
るシリコンの切り（ずを切溝から外部へ放出する溝の役
目をする。
々の半導体ｉｕｉに切断、分離するダイシング工程で円
盤状の薄い切刃を高速回転させ切断していく時に発生す
るシリコンの切り（ずを切溝から外部へ放出する溝の役
目をする。
以下本発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、（１）はシリコンウェハを示し、（９
）面に沿ってスライスされたもので、（５月ま異方性エ
ツチングによって形成されたエツチングによる凹状のく
ぼみである。（２）〜（４）は、前記従来装置と全く同
一のものである。（９）面に沿ってスライスさ口た半導
体シリコンウェハを、水酸化カリウム溶液（液温９０°
Ｃ）に浸漬すると、（１１１）面に沿って、他の方向に
比べて高いレートでエツチングされる。
）面に沿ってスライスされたもので、（５月ま異方性エ
ツチングによって形成されたエツチングによる凹状のく
ぼみである。（２）〜（４）は、前記従来装置と全く同
一のものである。（９）面に沿ってスライスさ口た半導
体シリコンウェハを、水酸化カリウム溶液（液温９０°
Ｃ）に浸漬すると、（１１１）面に沿って、他の方向に
比べて高いレートでエツチングされる。
このエツチングの異方性の性質を利用して、シリコンウ
ェハ上に形成された半導体装置の個々の境界線の裏面側
に異方性エツチングによって凹状のくぼみを形成する（
第１図参照）。
ェハ上に形成された半導体装置の個々の境界線の裏面側
に異方性エツチングによって凹状のくぼみを形成する（
第１図参照）。
上記凹状のくぼみは、シリコンウェハ上に形成された半
導体装置の個々の境界線の裏面側にあるが、第４図に示
すように半導体装置に沿って格子状に形成さ口ている。
導体装置の個々の境界線の裏面側にあるが、第４図に示
すように半導体装置に沿って格子状に形成さ口ている。
次に、シリコンウェハ（１）を接着剤を付けたテープ（
２）に接着する（第２図参照）。その後、円盤状の島い
切刃を高速回転させて移動させることで個々の半導体装
＠（３）を分離する（第３図参照）。このとき発生する
シリコンの切くずは切刃に向けて放出されている切削水
によってシリコンウェハ（１）の表面から、または裏面
側にあるエツチングによる凹状のくぼみに沿って流出さ
ｎ、ダイシング完了後切くずば残らなくなる。
２）に接着する（第２図参照）。その後、円盤状の島い
切刃を高速回転させて移動させることで個々の半導体装
＠（３）を分離する（第３図参照）。このとき発生する
シリコンの切くずは切刃に向けて放出されている切削水
によってシリコンウェハ（１）の表面から、または裏面
側にあるエツチングによる凹状のくぼみに沿って流出さ
ｎ、ダイシング完了後切くずば残らなくなる。
したかって、ダイシング時の切くずが残っていないため
、切くずによって後工程で生じる半導体装置（３）の表
面あるいは裏面の傷の発生、あるいは電気的特性の劣化
はなくなる。
、切くずによって後工程で生じる半導体装置（３）の表
面あるいは裏面の傷の発生、あるいは電気的特性の劣化
はなくなる。
以上のように本発明によれば、ダイシング工程で発生す
る切くすは半導体装置の表面あるいは裏面に残らないた
め切りくずによる傷の発生で電気的特性の劣化あるいは
組立不良をまねくことがなくなり寿命試験での長寿命が
期待でき、信頼性の高い半導体装置を得ることかできる
。
る切くすは半導体装置の表面あるいは裏面に残らないた
め切りくずによる傷の発生で電気的特性の劣化あるいは
組立不良をまねくことがなくなり寿命試験での長寿命が
期待でき、信頼性の高い半導体装置を得ることかできる
。
第１図は、本発明の一実施例によるシリコンウェハの断
面図、第２図は前記ウェハをテープに接着したときの断
面図、第３図は前記ウェハのダイシング完了時の断面図
、第４図は前記ウェハのダイシング完了時の斜視図を示
す。 ＠５図は従来のシリコンウェハをテープに接着したとき
の断面図、第６図は従来の前記ウェハのダイシング完了
時の断面図、第７図は従来の前記ウェハのダイシング完
了時の斜視図を示す。 図において、（１） ：シリコンウエハ、＜２） ：テ
ープ、（３）二手導体装置、（４）：ダイシングの切溝
、（５）＝エツチングによる凹状のくぼみである。 なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代恩人 大岩増雄 第１図 １ 第４１！１ を 第７図
面図、第２図は前記ウェハをテープに接着したときの断
面図、第３図は前記ウェハのダイシング完了時の断面図
、第４図は前記ウェハのダイシング完了時の斜視図を示
す。 ＠５図は従来のシリコンウェハをテープに接着したとき
の断面図、第６図は従来の前記ウェハのダイシング完了
時の断面図、第７図は従来の前記ウェハのダイシング完
了時の斜視図を示す。 図において、（１） ：シリコンウエハ、＜２） ：テ
ープ、（３）二手導体装置、（４）：ダイシングの切溝
、（５）＝エツチングによる凹状のくぼみである。 なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代恩人 大岩増雄 第１図 １ 第４１！１ を 第７図
Claims (1)
- 半導体用ウェハ上に形成された半導体装置において、
個々の半導体装置に切断、分離するダイシングラインの
ウェハ裏面側に、エッチングによって凹状のくぼみを形
成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2290478A JPH04162647A (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2290478A JPH04162647A (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162647A true JPH04162647A (ja) | 1992-06-08 |
Family
ID=17756537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2290478A Pending JPH04162647A (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04162647A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6730579B1 (en) | 1999-02-05 | 2004-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor dice by partially dicing the substrate and subsequent chemical etching |
| US6863061B2 (en) | 2003-01-15 | 2005-03-08 | International Business Machines Corporation | Row slicing method in tape head fabrication |
| JP2006339481A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 接合基板の切断方法およびチップ |
| KR101004275B1 (ko) * | 2007-06-29 | 2011-01-03 | 티디케이가부시기가이샤 | 전자 모듈 및 전자 모듈의 제조 방법 |
-
1990
- 1990-10-25 JP JP2290478A patent/JPH04162647A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6730579B1 (en) | 1999-02-05 | 2004-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor dice by partially dicing the substrate and subsequent chemical etching |
| US6863061B2 (en) | 2003-01-15 | 2005-03-08 | International Business Machines Corporation | Row slicing method in tape head fabrication |
| US7446974B2 (en) | 2003-01-15 | 2008-11-04 | International Business Machines Corporation | Electronic component and tape head having a closure |
| US8111480B2 (en) | 2003-01-15 | 2012-02-07 | International Business Machines Corporation | Electronic component and tape head having a closure |
| JP2006339481A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 接合基板の切断方法およびチップ |
| JP4694263B2 (ja) * | 2005-06-03 | 2011-06-08 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 接合基板の切断方法 |
| KR101004275B1 (ko) * | 2007-06-29 | 2011-01-03 | 티디케이가부시기가이샤 | 전자 모듈 및 전자 모듈의 제조 방법 |
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