JPH04254352A - 半導体ウェハーのダイシング方法 - Google Patents
半導体ウェハーのダイシング方法Info
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- JPH04254352A JPH04254352A JP3014636A JP1463691A JPH04254352A JP H04254352 A JPH04254352 A JP H04254352A JP 3014636 A JP3014636 A JP 3014636A JP 1463691 A JP1463691 A JP 1463691A JP H04254352 A JPH04254352 A JP H04254352A
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- JP
- Japan
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- cut
- cutting
- blade
- width
- wafer
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- Granted
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 18
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハーのダイシ
ング方法に関する。
ング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウェハー（以下単にウェハ
ーという）のダイシングは、２組のスピンドルを有する
ダイシング装置により、２種類のブレードを使用して行
なわれていた。
ーという）のダイシングは、２組のスピンドルを有する
ダイシング装置により、２種類のブレードを使用して行
なわれていた。
【０００３】まず図２（ａ）に示すように、先行するス
ピンドルにセットされた幅厚ブレード５Ａにより、フラ
ットリングの粘着テープ２に貼付けてあるウェハー１を
、ウェハー厚みの約２／３程度の切り込み深さでハーフ
カットを行なう。次に図２（ｂ）に示すように、後続す
るスピンドル５Ｂにセットされた幅薄ブレード４Ｂによ
り、ハーフカット切断面６の中心をウェハー厚以上の切
り込み深でフルカットを行なう。以下対象の切断線に対
し順次行い、ウェハー全面にわたるダイシングを行う。
ピンドルにセットされた幅厚ブレード５Ａにより、フラ
ットリングの粘着テープ２に貼付けてあるウェハー１を
、ウェハー厚みの約２／３程度の切り込み深さでハーフ
カットを行なう。次に図２（ｂ）に示すように、後続す
るスピンドル５Ｂにセットされた幅薄ブレード４Ｂによ
り、ハーフカット切断面６の中心をウェハー厚以上の切
り込み深でフルカットを行なう。以下対象の切断線に対
し順次行い、ウェハー全面にわたるダイシングを行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のダイシ
ング方法では、使用するダイシング装置にスピンドルが
２組あるため、スピンドルの共振によりブレード先端部
のぶれ量が大きくなり、チッピングが発生し歩留りが低
下するという欠点がある。また使用するブレードが幅厚
と幅薄の２品種必要となる。このためスピンドルが１組
の装置に比べ装置価格が高価になるという問題点もある
。
ング方法では、使用するダイシング装置にスピンドルが
２組あるため、スピンドルの共振によりブレード先端部
のぶれ量が大きくなり、チッピングが発生し歩留りが低
下するという欠点がある。また使用するブレードが幅厚
と幅薄の２品種必要となる。このためスピンドルが１組
の装置に比べ装置価格が高価になるという問題点もある
。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェハー
のダイシング方法は、切断実行幅より薄いブレードを使
用し、最初にウェハーの厚み約２／３程度の切り込み深
さの条件でウェハーの切断線をハーフカットし、次に切
断位置を少しづらし切断実行幅と同じ幅になるように前
記条件と同じ深さでハーフカットを行う工程と、次に前
工程でハーフカットされた切断線の中心位置を前記ブレ
ードでフルカットを行う工程とを含むものである。
のダイシング方法は、切断実行幅より薄いブレードを使
用し、最初にウェハーの厚み約２／３程度の切り込み深
さの条件でウェハーの切断線をハーフカットし、次に切
断位置を少しづらし切断実行幅と同じ幅になるように前
記条件と同じ深さでハーフカットを行う工程と、次に前
工程でハーフカットされた切断線の中心位置を前記ブレ
ードでフルカットを行う工程とを含むものである。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明する
ためのブレード近傍の断面図である。
る。図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明する
ためのブレード近傍の断面図である。
【０００７】まず図１（ａ）に示すように、スピンドル
５にフランジ３を介し、切断実行幅より薄いブレード４
を固定して回転を与え、チャックテーブル（図示せず）
を移動させることにより、フラットリングを介し粘着テ
ープ２に貼り付けられたウェハー１の切断線を、ウェハ
ー厚みの約２／３程度の切込み深さの条件でハーフカッ
トを行い、初回ハーフカット切断面６Ａを形成する。
５にフランジ３を介し、切断実行幅より薄いブレード４
を固定して回転を与え、チャックテーブル（図示せず）
を移動させることにより、フラットリングを介し粘着テ
ープ２に貼り付けられたウェハー１の切断線を、ウェハ
ー厚みの約２／３程度の切込み深さの条件でハーフカッ
トを行い、初回ハーフカット切断面６Ａを形成する。
【０００８】次に図１（ｂ）に示すように、ブレード４
の位置を前条件より少しずらし、切断実行幅と同じ幅に
なるようにし、前条件と同じ深さでハーフカットを行い
最終ハーフカット切断面６Ｂを形成する。次に図１（ｃ
）に示すように、ブレード４の高さを下げ、ハーフカッ
トされた切断線の中心位置をフルカットする。この操作
を全ての切断線に対し順次行い、フルカット切断面７を
形成させながらウェハー１の全面にわたるダイシングを
行う。
の位置を前条件より少しずらし、切断実行幅と同じ幅に
なるようにし、前条件と同じ深さでハーフカットを行い
最終ハーフカット切断面６Ｂを形成する。次に図１（ｃ
）に示すように、ブレード４の高さを下げ、ハーフカッ
トされた切断線の中心位置をフルカットする。この操作
を全ての切断線に対し順次行い、フルカット切断面７を
形成させながらウェハー１の全面にわたるダイシングを
行う。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、スピンド
ルが１組の装置を使用し、切断実行幅より薄いブレード
により２回以上の操作でハーフカットを行い、その後ハ
ーフカット切断面にフルカットを行うことにより、スピ
ンドルどうしの共振によるチッピングの発生率が低下す
るため、歩留りが向上するという効果がある。
ルが１組の装置を使用し、切断実行幅より薄いブレード
により２回以上の操作でハーフカットを行い、その後ハ
ーフカット切断面にフルカットを行うことにより、スピ
ンドルどうしの共振によるチッピングの発生率が低下す
るため、歩留りが向上するという効果がある。
【００１０】またブレードが１品種ですむため、装置の
価格が安くなるという効果もある。
価格が安くなるという効果もある。
【図１】本発明の一実施例を説明するためのブレード近
傍の断面図である。
傍の断面図である。
【図２】従来の半導体ウェハーのダイシング方法を説明
するためのブレード近傍の断面図である。
するためのブレード近傍の断面図である。
１ ウェハー
２ 粘着テープ
３ フランジ
４ ブレード
５ スピンドル
６Ａ 初回ハーフカット切断面
６Ｂ 最終ハーフカット切断面
７，７Ａ フルカット切断面
Claims (1)
- 【請求項１】 切断実行幅より薄いブレードを使用し
、最初にウェハーの厚み約２／３程度の切り込み深さの
条件でウェハーの切断線をハーフカットし、次に切断位
置を少しづらし切断実行幅と同じ幅になるように前記条
件と同じ深さでハーフカットを行う工程と、次に前工程
でハーフカットされた切断線の中心位置を前記ブレード
でフルカットを行う工程とを含むことを特徴とする半導
体ウェハーのダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1463691A JP2637852B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 半導体ウェハーのダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1463691A JP2637852B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 半導体ウェハーのダイシング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04254352A true JPH04254352A (ja) | 1992-09-09 |
| JP2637852B2 JP2637852B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=11866687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1463691A Expired - Fee Related JP2637852B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 半導体ウェハーのダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2637852B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5786266A (en) * | 1994-04-12 | 1998-07-28 | Lsi Logic Corporation | Multi cut wafer saw process |
| US6462274B1 (en) | 1998-10-31 | 2002-10-08 | Amkor Technology, Inc. | Chip-scale semiconductor package of the fan-out type and method of manufacturing such packages |
| US6863061B2 (en) | 2003-01-15 | 2005-03-08 | International Business Machines Corporation | Row slicing method in tape head fabrication |
| JP2013012595A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2015032770A (ja) * | 2013-08-06 | 2015-02-16 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の分割方法 |
| JP2018078163A (ja) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
-
1991
- 1991-02-06 JP JP1463691A patent/JP2637852B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5786266A (en) * | 1994-04-12 | 1998-07-28 | Lsi Logic Corporation | Multi cut wafer saw process |
| US6462274B1 (en) | 1998-10-31 | 2002-10-08 | Amkor Technology, Inc. | Chip-scale semiconductor package of the fan-out type and method of manufacturing such packages |
| US6863061B2 (en) | 2003-01-15 | 2005-03-08 | International Business Machines Corporation | Row slicing method in tape head fabrication |
| US7446974B2 (en) | 2003-01-15 | 2008-11-04 | International Business Machines Corporation | Electronic component and tape head having a closure |
| US8111480B2 (en) | 2003-01-15 | 2012-02-07 | International Business Machines Corporation | Electronic component and tape head having a closure |
| JP2013012595A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2015032770A (ja) * | 2013-08-06 | 2015-02-16 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の分割方法 |
| JP2018078163A (ja) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2637852B2 (ja) | 1997-08-06 |
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