JP2006339481A - 接合基板の切断方法およびチップ - Google Patents

Abstract

【課題】２種類の基板が接合された接合基板を、集積回路ごとに切断するにあたり、切断に要する時間を短時間にする。
【解決手段】チップ領域２４と、チップ領域を区画するスクライブ領域２２とを備えた第１主面１８及び第２主面１９を有する第１基板１２の第２主面と、第３主面２６及び第４主面２７を有する第２基板１４の第４主面とを接合した接合基板１０を、スクライブ領域に沿って切断してチップ２５毎に分離するにあたり、（１）スクライブ領域の第３主面への正射影で与えられる領域に対して、ウエットエッチングを行って、第２主面を露出させることにより凹溝２８を形成する工程と、（２）スクライブ領域に沿って、露出された第２主面に到達するまで、ダイシングを行って、接合基板を切断する工程とを含む。
【選択図】図２

Description

この発明は、集積回路を含むチップ領域を備えた接合基板をチップ領域ごとに切断する方法およびこの切断方法を用いることで得られるチップに関するものである。

集積回路を含むチップ領域を備えた基板を、個々のチップ領域ごと切断する方法としてはさまざまなものが提案されている。以下、３つの例を挙げて、従来技術について説明する。

（第１の従来技術）
一方の主面にチップ領域を備えた基板を準備し、チップ領域を保護膜等により保護したうえで、切断予定域にウエットエッチングにより溝を形成する。そして、一方の主面側から、回転砥石（ダイシングブレード）を用いて、溝の幅よりも狭い幅で切断を行い、個々のチップを分離する（たとえば、特許文献１参照）。

（第２の従来技術）
一方の主面にチップ領域を備えた基板を準備し、この基板の他方の主面側からＯＦ（オリエンテーション・フラット）に対して垂直方向にウエットエッチングを行い、一方の主面に至る分離溝を形成する。そして、一方の主面側から、回転砥石を用いて、ＯＦに対して平行な方向に切断を行い、個々のチップを分離する（たとえば、特許文献２参照）。

（第３の従来技術）
一方の主面にチップ領域を備えた基板を準備し、この基板の一方の主面側からＯＦに対して平行な方向にハーフカットダイシングを行い、切削溝を形成する。そして、この基板の他方の主面から、この切削溝に至るまで基板全面を薄化する。最後に、他方の主面側からＯＦに対して垂直な方向にウエットエッチングを行うことで、個々のチップを分離する（たとえば、特許文献３参照）。
特開平６−２６８０６０号公報（第２頁、図１） 特開平５−２８５９３５号公報（第３，４頁、図１） 特開平５−２８５９３７号公報（第３，４頁、図２）

ところで、第１〜第３の従来技術は、いずれも単一材料からなる基板を切断する方法に関するものであり、硬さの異なる２種類の基板が接合された接合基板の切断については何らの考慮もされていなかった。

従来、接合基板の切断にはステップカットと呼ばれる方法が用いられていた。ステップカットとは、ダイシングブレードの刃を、接合基板を構成する２種類の基板のそれぞれごとに交換して切断を行う方法である。つまり、ステップカットでは、接合基板の切断を２段階で行わなければならず、ダイシングブレードによる切断に長時間を要するという問題点があった。

この発明はこのような問題点に鑑みなされたものである。したがって、この発明の第１の目的は、硬さの異なる２種類の基板が接合された接合基板を、集積回路を含むチップ領域ごとに切断して、個々のチップを得るにあたり、ダイシングブレードによる切断に要する時間を従来に比べて短縮することが可能な接合基板の切断方法を提供することにある。

また、この発明の第２の目的は、この接合基板の切断方法を用いることで得られるチップを提供することにある。

前述した課題を解決するために、この発明の第１の接合基板の切断方法は、複数のチップ領域と、複数のチップ領域を互いに区画するスクライブ領域とが備わる第１主面、および第１主面に対向する第２主面を有する第１基板の第２主面と、第３主面および第３主面に対向する第４主面を有する、第１基板よりも硬い第２基板の第４主面とを接合してなる接合基板をスクライブ領域に沿って、切断してチップ毎に分離するにあたり、以下の２工程を含んでいる。

（１）スクライブ領域の第３主面への正射影で与えられる領域に対して、第３主面からウエットエッチングを行って、第２主面を露出させることにより接合基板に凹溝を形成する工程。

（２）第１主面のスクライブ領域に沿って、露出された第２主面に到達するまで、ダイシングブレードによるダイシングを行って、接合基板を切断する工程。

上述した第１の接合基板の切断方法によれば、工程（１）において、第３主面（第２基板）のスクライブ領域の正射影で与えられる領域を、第３主面からエッチングして除去することで、第２主面（第１基板）が露出した凹溝を形成する。つまり、工程（１）においては、第２基板のみの切断を行う。その後、工程（２）において、第１主面（第１基板）側から、スクライブ領域に沿って、露出した第２主面までダイシングを行う。つまり、工程（２）では、上述の凹溝に対応する領域に沿って第１基板のみの切断を行う。これにより、接合基板をチップ毎に切断することができる。

ここで、「スクライブ領域の第３主面への正射影で与えられる領域」とは、第１主面に存在するスクライブ領域を第３主面に対して、垂直に投影して得られる領域のことである。したがって、「スクライブ領域の第３主面への正射影で与えられる領域」は、第３主面において、スクライブ領域と同形状かつ同一位置に存在する。

この発明の第２の接合基板の切断方法は、複数のチップ領域と、複数のチップ領域を互いに区画するスクライブ領域とが備わる第１主面、および第１主面に対向する第２主面を有する第１基板の第２主面と、第３主面および第３主面に対向する第４主面を有する、第１基板よりも硬い第２基板の第４主面とを接合してなる接合基板を、スクライブ領域に沿って、切断してチップ毎に分離するにあたり、以下の２工程を含んでいる。

（１）第１主面から、ダイシングブレードを用いて、スクライブ領域に沿って、第４主面が露出するまでダイシングを行って、接合基板に凹溝を形成する工程。

（２）スクライブ領域の第３主面への正射影で与えられる領域に対して、露出された第４主面に到達するまで、第３主面からウエットエッチングを行って接合基板を切断してチップを得る工程。

上述した第２の接合基板の切断方法によれば、工程（１）においては、第１主面（第１基板）側から、スクライブ領域に沿ったダイシングを行い、第４主面（第２基板）が露出した凹溝を形成する。つまり、工程（１）においては、第１基板のみの切断を行う。その後、工程（２）において、第３主面（第２基板）のスクライブ領域の正射影で与えられる領域を、第３主面から、露出した第４主面までエッチングして除去する。つまり、工程（２）では、上述の凹溝に対応する領域に沿って、第２基板のみの切断を行う。これにより、接合基板をチップ毎に切断することができる。

この発明の第３の接合基板の切断方法は、複数のチップ領域と、複数のチップ領域を互いに区画するスクライブ領域とが備わる第１主面、および第１主面に対向する第２主面を有する第１基板の第２主面と、第３主面および第３主面に対向する第４主面を有する、第１基板よりも硬い第２基板の第４主面とを接合してなる接合基板を、スクライブ領域に沿って、切断してチップ毎に分離するにあたり、以下の２工程を含んでいる。

（１）スクライブ領域の第３主面への正射影で与えられる領域に対して、第３主面からウエットエッチングを行って、第２主面が露出する凹溝を断続的に形成することで、スクライブ領域の第３主面への正射影で与えられる領域に沿って隣り合う凹溝同士が非エッチング領域としての肉厚部により隔てられた線状凹凸構造を形成する工程。

（２）第１主面から、ダイシングブレードを用いて、スクライブ領域に対して凹溝に対応する部分では露出した第２主面まで、肉厚部に対応する部分では第３主面まで、ダイシングを行って、接合基板を切断する工程。

この発明の第３の接合基板の切断方法によれば、工程（１）において、第２基板のスクライブ領域に対応する領域に沿って線状凹凸構造を形成した。すなわち、線状凹凸構造においては、第２主面（第１基板）が露出した凹溝が、第２基板の非エッチング領域としての肉厚部により隔てられている。これにより、工程（２）において、第１主面（第１基板）からダイシングを行う際に、上述の凹溝においては、第１基板の厚みのみを切断すればよい。よって、工程（２）において、ダイシングブレードが切断しなければならない接合基板の厚さの合計値を、従来に比べて小さくすることができる。

この発明の第１〜第３の接合基板の切断方法によれば、接合基板を切断するにあたり、従来用いられていたステップカットを行なうことなく、接合基板を切断することができるので、ダイシングに要する時間を短縮することができる。

以下、図１〜図７を参照して、この発明の実施の形態につき説明する。なお、各図は、各構成要素の形状、大きさおよび配置関係について、この発明が理解できる程度に概略的に示したものに過ぎない。また、以下、この発明の好適な構成例について説明するが、各構成要素の材質および数値的条件などは、単なる好適例に過ぎない。したがって、この発明は、以下の実施の形態に何ら限定されない。

（実施の形態１）
図１〜図３を参照して、この発明の実施の形態１の接合基板の切断方法について説明する。図１（Ａ）は、接合基板の一例の要部拡大平面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図２（Ａ）〜図２（Ｄ）は、図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った要部拡大工程断面図である。図３（Ａ）〜図３（Ｄ）は、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）に対応する接合基板の要部拡大工程平面図である。

図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示したように、接合基板１０は、第１基板としてのＳｉ基板１２と、第２基板としてのガラス基板１４とが、接合面１６において厚さ方向に接合されたものである。ここで、Ｓｉ基板１２は、第１主面１８と、この第１主面１８に対向する第２主面１９とを備えている。また、ガラス基板１４は、第３主面２６と、この第３主面２６に対向する第４主面２７とを備えている。接合面１６は、第２主面１９と第４主面２７とからなる。

この接合基板１０において、Ｓｉ基板１２の第１主面１８には、多数の素子が集積された矩形状の集積回路２０，２０，・・・が形成されている。ここで、任意の１個の集積回路２０に注目すると、この集積回路２０は、隣接する他の集積回路２０，２０，・・・と、スクライブ領域２２により区画されている。このスクライブ領域２２は、スクライブラインとも称され、周知のように、接合基板１０を個々のチップ領域２４ごとに切断する際の、直線状の、一定幅の切断線である。

なお、以降の説明において、スクライブ領域２２とは、第１主面１８から第３主面２６に至る、接合基板１０の厚みを有する立体的な領域を示すものとする。より詳細には、スクライブ領域２２とは、第１主面１８のスクライブ領域２２と、スクライブ領域２２の第３主面に対する正射影で与えられる領域との間の接合基板１０を含むものとする。

また、集積回路２０の形成された領域は、Ｓｉ基板１２の第１主面１８に形成された平面的な領域のみでなく、Ｓｉ基板１２の第１主面１８からガラス基板１４の第３主面２６に至る、接合基板１０の厚みを有する立体的な領域を示すものとする。なお、ガラス基板１４の第３主面２６における「集積回路２０の領域」に対応する領域を示す必要がある場合には「集積回路領域２０ａ」と表記する。

１個の集積回路２０とその周囲を囲むスクライブ領域２２とで、１個のチップ領域２４が構成されている。１個のチップ領域２４は、隣接する他のチップ領域２４との間でスクライブ領域２２を共有する。

ここで、後述する工程を経ることで、チップ領域２４が、個別に切り離された場合、この切り離された個々のチップ領域２４を、単にチップ２５と称する。すなわち、チップ２５は、１個の集積回路２０と、その周囲を囲むスクライブ領域２２の切断されなかった残存部分とで構成される。

ここで、Ｓｉ基板１２は、たとえば、その厚さが１００μｍ程度とする。また、ガラス基板１４は、たとえば、その厚さが５００μｍ程度とする。接合基板１０は、Ｓｉ基板１２の第２主面１９とガラス基板１４の第４主面２７とを陽極接合法により接合することで形成されている。すなわち、Ｓｉ基板１２の第２主面１９と、ガラス基板１４の第４主面２７とを互いに重ね合わせて一つの接合面１６を形成し、この状態で、両者１２および１４を、たとえば、３００〜４００℃に加熱する。この加熱と同時に、ガラス基板１４に、たとえば、５００Ｖ程度の電圧を印加することにより両基板１２，１４が接合面１６で接合される。

また、スクライブ領域２２の延在方向に直交する方向の幅は、後述するように、ダイシングブレードの幅によって変化するが、この実施の形態では、たとえば、１５０μｍとする。また、１個のチップ領域２４の大きさは、たとえば、縦３ｍｍおよび横３ｍｍ程度とする。

続いて、図２および図３を参照して、接合基板１０を、チップ領域２４ごとに個片化してチップ２５とするための切断方法について説明する。

まず、図２（Ａ）および図３（Ａ）に示すように、Ｓｉ基板１２の第１主面１８に集積回路２０が形成された接合基板１０を準備する。尚、以下の説明において、Ｓｉ基板１２の第１主面１８を単にＳｉ基板側主面１８とも称する。

（工程１−ｉ）
続いて、図２（Ｂ）および図３（Ｂ）に示すように、接合基板１０をポジ型フォトレジスト３０により被覆する。

より詳細には、まず、Ｓｉ基板側主面１８の全面をポジ型フォトレジスト３０で被覆する。これは、ポジ型フォトレジスト３０をスピンコータ等でＳｉ基板側主面１８の全面に塗布し、露光を行わずに現像することで達成される。

同様に、ガラス基板１４の第３主面２６を、ポジ型フォトレジスト３４で被覆する。つまり、スクライブ領域２２の幅方向中央を中心としてスクライブ領域２２の幅よりも狭い幅の開口を、スクライブ領域２２に沿って形成するように、ポジ型フォトレジスト３４を被覆する。このストライプ状の開口がガラス基板１４をエッチングするためのエッチング予定領域３２となる。なお、以下の説明において、ガラス基板１４の第３主面２６を単にガラス基板側主面２６とも称する。ここで、後述する凸部４０に対応する領域３５以外の部分において、エッチング予定領域３２の幅は、たとえば、約６０μｍとする。

ところで、チップ領域２４の右側の辺に、チップ２５の方向を示す標識として、凸部４０を形成する場合を考える。この場合、凸部４０に対応する領域３５において、エッチング予定領域３２の形状を調整する必要がある。すなわち、ストライプ状開口の側壁を部分的にスクライブ領域２２の中心側へと、一定の同一幅だけ突出させてある。換言すれば、チップ領域２４の右側の辺に対応するエッチング予定領域３２において、ポジ型フォトレジスト３４を、集積回路領域２０ａの外側に向けて張り出すように、たとえば、約５０μｍ突出させて、ガラス基板側主面２６上に被覆する。よって、エッチング予定領域３２の幅は、ポジ型フォトレジスト３４の突出幅分だけ、他の部分の幅より狭くなり、たとえば、約１０μｍとなる。

上述したエッチング予定領域３２は、ポジ型フォトレジスト３４をガラス基板側主面２６の全面に塗布し、所定のパターンを有するマスクを用いて露光を行い、しかる後、現像することで形成される。

これにより、スクライブ領域２２にほぼ沿ってエッチング予定領域３２がストライプ状に露出した接合基板１０が得られる。

（工程１−ｉｉ）
続いて、図２（Ｃ）および図３（Ｃ）に示すように、接合基板１０のガラス基板側主面２６から、スクライブ領域２２に沿って、ウエットエッチングを行う。このウエットエッチングにより、ガラス基板１４の第３主面２６にＳｉ基板１２の第２主面１９が露出する深さの凹溝２８を形成する。よって、ウエットエッチングされた部分は、接合面１６に至るまで接合基板１０が薄化される。

より詳細には、（工程１−ｉ）を経た接合基板１０をフッ酸溶液（ＨＦ）に浸漬する。これにより、エッチング予定領域３２において等方的にウエットエッチングが進行し、接合基板１０はガラス基板１４側から薄化され、凹溝２８が形成される。そして、ガラス基板１４の厚さだけウエットエッチングが進行し、接合面１６に達した段階、したがって、Ｓｉ基板１２の第２主面１９が露出した段階で、ウエットエッチングを停止させる。ここで、ウエットエッチングを停止させる時期は、あらかじめ予備テストを行って、エッチング時間とエッチング深さとの関係を見出しておき、その関係から決定しておいたガラス基板１４のエッチング速度に基づいて決定する。そして、ポジ型フォトレジスト３０，３４をアッシング等により除去する。

これにより、凹溝２８が形成された接合基板１０が得られる。

ここで、フッ酸溶液によるウエットエッチングは等方的に進行するために、ウエットエッチングは、エッチング予定領域３２において、ガラス基板１４の厚さ方向のみでなく、幅方向にも進行する。つまり、フッ酸溶液は、エッチング予定領域３２の両側を被覆するポジ型フォトレジスト３４の下側をもエッチングする。これにより、ウエットエッチングにより形成される凹溝２８の幅は、エッチング予定領域３２の幅（約６０μｍ）よりも広くなる。

エッチング予定領域３２の幅方向に関するエッチング速度は、ガラス基板１４の厚さ方向のエッチング速度と等しい。よって、ウエットエッチングはエッチング予定領域３２の幅方向にも、厚さ方向と同程度進行する。これにより、スクライブ領域２２に沿って形成される凹溝２８は、深さが５００μｍおよび幅が約１ｍｍとなる。ここで、凹溝２８の幅は、後述するダイシングブレードの幅（３５μｍ）より広く形成されている。

このように、凹溝２８は、等方的に進行するウエットエッチングにより形成されている。よって、集積回路領域２０ａの周囲の４辺に設けられた凹溝２８は、集積回路領域２０ａ内側を侵食するように形成される。これにより、ガラス基板側主面２６側には、集積回路領域２０ａよりも一回り小さい略矩形状の非エッチング領域３６が残存形成される。

非エッチング領域３６の外縁３８をなす４辺のうち一つの辺、たとえば、チップ領域２４の右側の辺（図３（Ｃ）参照）に対応する非エッチング領域３６には、凸部４０が形成されている。すなわち、凸部４０は、凹溝２８の側壁に形成されている。この凸部４０の集積回路領域２０ａの外側に向かう突出量は、前述した凸部４０に対応する領域３５の突出量と等しく、約５０μｍである。

各チップ領域２４の外縁３８の凹凸形状は、実質的に同一に形成される。したがって、上述した凸部４０は、１個のチップ領域２４を繰り返し単位として、接合基板１０に存在する全てのチップ領域２４に、当該チップ領域２４の同一位置に、繰り返し形成されている。

この凸部４０の存在により、非エッチング領域３６の外縁３８の凹凸形状は、任意のチップ領域２４において、チップ領域２４の中心点を回転軸としてＳｉ基板側主面１８に平行な平面内で、チップ領域２４に回転操作を行った場合に、１回以上２回未満（つまり、１回のみ）の回転対称性を有することとなる。つまり、非エッチング領域３６の外縁３８の凹凸形状は、チップ領域２４の中心点を回転軸として、Ｓｉ基板側主面１８に平行な平面内で３６０°回転させたときのみ、もとの形状と一致する。ここで、チップ領域２４の中心点は、チップ領域２４が矩形状をなしているので、この矩形の２本の対角線の交点のことである。

（工程１−ｉｉｉ）
続いて、図２（Ｄ）に示すように、接合基板１０のＳｉ基板側主面１８から、スクライブ領域２２の幅方向の中央部の切断線２３に沿って、ダイシングブレードによるダイシングを行う。

より詳細には、凹溝２８が形成された接合基板１０のガラス基板側主面２６を、ウエハマウント用のＵＶテープに貼り付け、ダイサにセットする。そのうえで、高速回転するダイシングブレードにより、Ｓｉ基板側主面１８から凹溝２８に至るまで接合基板１０を薄化することにより、接合基板１０を切断する。これにより個々のチップ領域２４が分離されてチップ２５が得られる。

ここで、ダイシングブレードのブレード幅は３５μｍである。また、その材質は、ニッケルメッキ中にダイアモンド微粒子を混入したものである。また、ダイシング時におけるダイシングブレードの回転速度は、たとえば、約２０，０００ｒｐｍである。

このようにして分離されたチップ２５は、非エッチング領域３６の外縁３８の右側の辺に対応する部分に集積回路領域２０ａの外側に向いて突出した凸部４０を有することとなる。よって、このチップ２５は、チップ２５の中心点を回転の中心としてＳｉ基板側主面１８に平行な平面内で、チップ２５に回転操作を行った場合に、１回以上２回未満（つまり、１回のみ）の回転対称性を有することとなる。

このように、この実施の形態の接合基板１０の切断方法によれば、（工程１−ｉ）および工程（１−ｉｉ）において、スクライブ領域２２に沿ってガラス基板１４をウエットエッチングして凹溝２８を形成し、しかる後、工程（１−ｉｉｉ）において、Ｓｉ基板１２のみをダイシングにより切断する。よって、従来、硬さの異なる基板が接合された接合基板１０の切断に用いられていたステップカットを行う必要がなくなり、その結果、ダイシングブレードによる切断時間を短縮することができる。

また、凹溝２８の幅をダイシングブレードの幅（３５μｍ）より広くすることにより、凹溝２８の側壁に、ダイシングの際に切断されないような突出量の凸部４０を形成することができる。

また、チップ領域２４において、非エッチング領域３６の外縁３８の右側の辺に対応する部分に凸部４０を形成することにより、非エッチング領域３６の凹凸形状を１回のみの回転対称性を有するようにしたので、この形状をチップ２５の方向を示す標識とすることができる。

また、チップ２５の方向を示す標識である非エッチング領域３６の凹凸形状は、エッチング予定領域３２の形状を調整し、凸部４０に対応する領域３５を設けるだけの作業で形成されるので、新たな工程等を追加することなく、簡易に標識を形成することができる。

なお、凹溝２８は、ガラス基板側主面２６から接合面１６に至る深さとされているが、接合面１６を越えて、Ｓｉ基板１２に侵入する深さでもよい。このようにすることにより、（工程１−ｉｉｉ）においてダイシングブレードが切断しなければならないＳｉ基板１２の厚さが減少するので、より一層、迅速にダイシングを行うことができる。

また、外縁３８に形成される凸部４０は、全てのチップ領域２４に渡って同一位置に繰り返し形成されており、非エッチング領域３６の形状がチップ２５の方向を示す標識として機能すれば、その形状および個数に特に制限はない。たとえば、凸部および凹部の双方又はいずれか一方であってもよいし、複数個の凹凸が連続した波形形状であってもよい。

また、凸部４０は、チップ領域２４の右側の辺に対応する外縁３８のみに形成されている必要はなく、全てのチップ領域２４に渡って同一位置に繰り返し形成されており、非エッチング領域３６の形状がチップ２５の方向を示す標識として機能すれば、チップ領域２４を囲む４辺に対応する外縁の何れかに形成されていてもよい。また、チップ領域２４を囲む４辺に対応する外縁の複数に形成されていてもよい。

また、スクライブ領域２２の幅は、ダイシングブレードの幅よりも１００μｍ程度、広くすることが好ましい。このようにすることにより、ダイシング時のチッピング等を抑制することができる。

また、（工程１−ｉｉｉ）におけるダイシングは、スクライブ領域２２の幅方向の中央線に沿って行われるが、凸部４０を切断することがなく、かつ、スクライブ領域２２の幅の範囲内に収まっていれば、スクライブ領域２２の幅方向の中央線からずれていても問題はない。たとえば、図２（Ｄ）および図３（Ｄ）において、ダイシングをスクライブ領域２２の中央線よりも右側で行えば、凸部４０の突出量を、この実施の形態の値（５０μｍ）よりも大きくすることができる。

また、チップ領域２４のサイズおよび形状は、３×３ｍｍの正方形状に限定されず、設計に応じた適切なサイズおよび形状とすることができる。

また、接合基板１０として、Ｓｉ基板１２とＳｉ基板１２よりも硬いガラス基板１４とを接合したものを例示したが、硬さの異なる２種類の基板が厚さ方向に接合されており、硬い基板をウエットエッチングすることができれば、接合基板を構成する基板の組み合わせに特に制限はない。

また、Ｓｉ基板１２とガラス基板１４の厚さは、この実施の形態で用いたものに限定されず、設計に応じた適切な厚さとすることができる。

また、この実施の形態では、接合基板１０をポジ型フォトレジスト３０，３４で被覆しているが、ネガ型フォトレジストを用いてもよい。

（実施の形態２）
図４および図５を参照して、この発明の実施の形態２の接合基板の切断方法について説明する。

図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った要部拡大工程断面図である。図５（Ａ）〜図５（Ｄ）は、図４（Ａ）〜図４（Ｄ）に対応する接合基板の要部拡大工程平面図である。

なお、実施の形態２は、実施の形態１と同様の接合基板１０を用いている。よって、接合基板１０において、同じ構成には同符号を付し、その説明を省略する。

図４および図５を参照して、接合基板１０を、チップ領域２４ごとに個片化してチップ２５とするための切断方法について説明する。

まず、図４（Ａ）および図５（Ａ）に示すように、Ｓｉ基板側主面１８に集積回路２０が形成された接合基板１０を準備する。

（工程２−ｉ）
続いて、図４（Ｂ）および図５（Ｂ）に示すように、接合基板１０のＳｉ基板側主面１８から、スクライブ領域２２の幅方向の中央線に沿って、ダイシングブレードによるダイシングを行う。これによりＳｉ基板側主面１８から接合面１６に至るまで接合基板１０が薄化されて、ガラス基板１４の第４主面２７が露出した凹溝４２が形成される。すなわち、ダイシングブレードのＳｉ基板１２への侵入深さを１００μｍに調節したうえでダイシングを行うことで凹溝４２が形成される。

（工程２−ｉ）における、具体的な手順、並びに、用いたダイシングブレードの幅、材質および回転数は、実施の形態１の（工程１−ｉｉｉ）と同様である。

（工程２−ｉｉ）
続いて、図４（Ｃ）および図５（Ｃ）に示すように、接合基板１０をポジ型フォトレジスト３０により被覆する。

より詳細には、まず、Ｓｉ基板側主面１８の全面をポジ型フォトレジスト３０で被覆する。この作業の具体的な手順は、実施の形態１の（工程１−ｉ）と同様である。

つぎに、ガラス基板１４の第３主面２６を、ポジ型フォトレジスト３４で被覆する。つまり、スクライブ領域２２の幅方向中央を中心としてスクライブ領域２２の幅よりも狭い幅の開口を、スクライブ領域２２に沿って形成するように、ポジ型フォトレジスト３４で被覆する。このストライプ状の開口がガラス基板１４をエッチングするためのエッチング予定領域３２となる。ここで、後述する凸部４０に対応する領域３５以外の部分において、エッチング予定領域３２の幅は、たとえば、約１００μｍとする。

ここで、チップ領域２４の右側の辺に対応するエッチング予定領域３２の凸部４０に対応する領域３５において、ポジ型フォトレジスト３４を、ストライプ状開口の側壁を部分的にスクライブ領域２２の中心側へと、一定の同一幅だけ突出させてある。換言すれば、チップ領域２４の右側の辺に対応するエッチング予定領域３２において、ポジ型フォトレジスト３４を、集積回路領域２０ａの外側に向けて張り出すように、たとえば、約８０μｍ突出させて被覆する。よって、凸部４０に対応する領域３５におけるエッチング予定領域３２の幅は、ポジ型フォトレジスト３４の突出幅分だけ、他の部分の幅より狭くなり、約２０μｍとなる。この作業の具体的な手順は、実施の形態１の（工程１−ｉ）と同様である。

これにより、スクライブ領域２２にほぼ沿ってエッチング予定領域３２が露出した接合基板１０が得られる。

（工程２−ｉｉｉ）
続いて、図４（Ｄ）に示すように、接合基板１０のガラス基板側主面２６から、スクライブ領域２２に沿って、ウエットエッチングを行う。これにより、ガラス基板側主面２６の凹溝４２に対応する領域において、ガラス基板１４の第４主面２７に至るまで、接合基板１０が薄化され、個々のチップ領域２４が切断分離されたチップ２５が得られる。その後、ポジ型フォトレジスト３０，３４をアッシング等により除去する。この作業の具体的な手順は実施の形態１の（工程１−ｉｉ）と同様である。

（工程２−ｉｉｉ）を経ることで、スクライブ領域２２に沿って深さが５００μｍ、幅が約１ｍｍの溝４４が形成される。この溝４４は、その頂上部のガラス基板側主面２６が露出した部分において、凹溝４２と連続する。これにより、接合基板１０のチップ領域２４は、個々のチップ２５に切断される。

溝４４は、前述のように等方的に進行するウエットエッチングにより形成されている。よって、図５（Ｄ）に示すように、ガラス基板側主面２６において、集積回路領域２０ａの周囲の４辺に設けられた溝４４は、集積回路領域２０ａ内部を侵食するように形成される。これにより、集積回路領域２０ａよりも一回り小さい略矩形状の非エッチング領域３６が残存形成される。

非エッチング領域３６の外縁３８をなす４辺のうち、一つの辺、たとえば、チップ２５の右側の辺（図５（Ｄ）参照）に対応する非エッチング領域３６には、凸部４０が形成されている。すなわち、凸部４０は、溝４４の側壁に形成されている。この凸部４０の集積回路領域２０ａの外側に向かう突出量は、前述した凸部４０に対応する領域３５の突出量と等しく、約８０μｍである。

各チップ２５の外縁３８の凹凸形状は、実質的に同一に形成される。したがって、上述した凸部４０は、１個のチップ２５を繰り返し単位として、接合基板１０に存在する全てのチップ２５に、当該チップ２５の同一位置に、繰り返し形成されている。

この凸部４０の存在により、非エッチング領域３６の外縁３８の凹凸形状は、任意のチップ２５において、チップ２５の中心点を回転軸としてＳｉ基板側主面１８に平行な平面内で、チップ２５に回転操作を行った場合に、１回以上２回未満（つまり、１回のみ）の回転対称性を有することとなる。つまり、非エッチング領域３６の形状は、チップ２５の中心点を回転軸として、Ｓｉ基板側主面１８に平行な平面内で３６０°回転させたときのみ、もとの形状と一致する。ここで、チップ２５の中心点は、チップ２５が矩形状をなしているので、この矩形の２本の対角線の交点のことである。

この実施の形態の接合基板１０の切断方法は、実施の形態１と、おおむね同様の作用効果を奏する。

特に、この実施の形態の接合基板１０の切断方法よれば、（工程２−ｉ）において、Ｓｉ基板１２のみをダイシングにより切断し、（工程２−ｉｉ）および（工程２−ｉｉｉ）において、スクライブ領域２２に沿ってガラス基板１４をウエットエッチングして溝４４を形成することで、接合基板１０をチップ領域２４ごとに切断してチップ２５を得る。よって、従来、硬さの異なる基板が接合された接合基板１０の切断に用いられていたステップカットを行う必要がなくなり、その結果、ダイシングブレードによる切断時間を短縮することができる。

また、（工程２−ｉ）のダイシングを行った後に、ウエットエッチングを行い、溝４４を形成するので、ダイシングにより、溝４４に形成された凸部４０が切断される虞がない。よって、溝４４に設ける凸部４０の突出量は、ダイシングにより規制されない。これにより、凸部４０の集積回路領域２０ａの外側に向かう突出量（８０μｍ）を実施の形態１の場合（５０μｍ）よりも大きくすることができる。

なお、（工程２−ｉ）における凹溝４２の深さは、接合面１６に至る深さとされているが、接合面１６を越えて、ガラス基板１４に侵入する深さでもよい。このようにすることにより（工程２−ｉｉｉ）において、ウエットエッチングを行わなければならない深さが減少するので、より迅速にチップ領域２４をチップ２５へと切断することができる。

なお、凸部４０の形状およびチップ２５内での配置は、実施の形態１で述べたような種々の変更が可能である。

また、スクライブ領域２２の幅は実施の形態１で述べたような幅とすることが好ましい。

また、（工程２−ｉ）におけるダイシングは、スクライブ領域２２の幅の範囲内に納まっていれば、中央線からずれていてもよい。

また、チップ領域２４のサイズおよび形状、接合基板１０を構成する２種類の基板の組み合わせ、Ｓｉ基板１２とガラス基板１４の厚さ、ならびに、被覆に用いるフォトレジスト等に関しては、実施の形態１で述べたような種々の変更が可能である。

（実施の形態３）
図６〜図７を参照して、この発明の実施の形態３の接合基板の切断方法について説明する。

図６（Ａ）〜図６（Ｄ）は、図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った要部拡大工程断面図である。図７（Ａ）〜図７（Ｄ）は、図６（Ａ）〜図６（Ｄ）に対応する接合基板の要部拡大工程平面図である。

なお、実施の形態３は、実施の形態１と同様の接合基板１０を用いている。よって、接合基板１０において、同じ構成には同符号を付し、その説明を省略する。

図６および図７を参照して、接合基板１０を、チップ領域２４ごとに個片化してチップ２５とするための切断方法について説明する。

まず、図６（Ａ）および図７（Ａ）に示すように、Ｓｉ基板側主面１８に集積回路２０が形成された接合基板１０を準備する。

（工程３−ｉ）
図６（Ｂ）および図７（Ｂ）に示すように、接合基板１０をポジ型フォトレジスト３０により被覆する。より詳細には、まず、Ｓｉ基板側主面１８の全面をポジ型フォトレジスト３０で被覆する。この作業の具体的な手順は、実施の形態１の（工程１−ｉ）と同様である。

つぎに、ガラス基板１４の第３主面２６を、ポジ型フォトレジスト３４で被覆する。つまり、スクライブ領域２２の幅方向中央を中心としてスクライブ領域２２の幅よりも狭い幅の開口を、スクライブ領域２２に沿って断続的に形成するように、ポジ型フォトレジスト３４で被覆する。この破線状の開口がガラス基板１４をエッチングするためのエッチング予定領域４３となる。ここで、エッチング予定領域４３は、幅を、たとえば、約１００μｍとする。また、１個のエッチング予定領域４３のスクライブ領域２２に沿った長さは、たとえば、約１ｍｍ程度である。エッチング予定領域４３は、スクライブ領域２２に沿って、約２ｍｍのポジ型フォトレジスト３４被覆領域を間に挟んで断続的に形成されている。この作業の具体的な手順は、実施の形態１の（工程１−ｉ）と同様である。

ここで、エッチング予定領域４３は、チップ領域２４を繰り返し単位として、接合基板１０に存在する全てのチップ領域２４に、当該チップ領域２４の同一位置に、繰り返し形成されている。つまり、任意のスクライブ領域２２に沿って見た場合に、エッチング予定領域４３の繰り返しピッチＰ（図７（Ｂ）参照）は、そのスクライブ領域２２に沿ったチップ領域２４の１辺の長さとほぼ等しい。

これにより、スクライブ領域２２に沿って断続的にエッチング予定領域４３が露出した接合基板１０が得られる。

（工程３−ｉｉ）
続いて、図６（Ｃ）および図７（Ｃ）に示すように、接合基板１０のガラス基板側主面２６から、スクライブ領域２２に沿って、ウエットエッチングを行う。このウエットエッチングにより、エッチング予定領域４３において、ガラス基板１４の第３主面２６にＳｉ基板１２の第２主面１９が露出する深さの凹溝４６を形成する。これにより、ウエットエッチングされた部分は、接合面１６に至るまで接合基板１０が薄化される。その後、ポジ型フォトレジスト３０，３４をアッシング等により除去する。この作業の具体的な手順は実施の形態１の（工程１−ｉｉ）と同様である。

これにより、スクライブ領域２２に沿って、深さが５００μｍ、幅が約１ｍｍ、および、スクライブ領域２２に沿った長さが約２ｍｍの凹溝４６が形成される。ここで、凹溝４６のガラス基板側主面２６内におけるサイズがエッチング予定領域４３よりも拡大しているのは、前述した等方性エッチングのためである。

この凹溝４６はエッチング予定領域４３に対応して、スクライブ領域２２に沿って、断続的に複数個、直線的に配列されて形成される。つまり、一つの凹溝４６ａに注目した場合に、スクライブ領域２２に沿って隣り合う、凹溝４６ａと凹溝４６ｂとは、エッチングされなかった領域である肉厚部４８により隔てられている。このようにして、スクライブ領域２２に沿って、長さ約２ｍｍの凹溝４６と、凹溝４６同士を隔てる、長さ約１ｍｍの肉厚部４８とからなる、直線状の凹凸構造、すなわち、線状凹凸構造５０が形成される。任意のスクライブ領域２２に沿った線状凹凸構造５０の凹溝４６（肉厚部４８）の繰り返しピッチは、そのスクライブ領域２２に沿ったチップ領域２４の１辺の長さと等しい。ここで、凹溝４６の幅は、後述するダイシングブレードの幅（３５μｍ）より広く形成されている。この線状凹凸構造５０は、後述のように、チップ２５の方向を示す標識として機能する。

個々のチップ領域２４において、チップ領域２４の外縁をなす４辺に形成された線状凹凸構造５０の凹溝４６と肉厚部４８との配列に注目する。図７（Ｃ）において、肉厚部４８はチップ領域２４の左辺および右辺の下方、ならびに、上辺および下辺の右方に形成されている。つまり、肉厚部４８は、チップ領域２４の各辺に各々１個ずつ形成されている。そして、肉厚部４８のスクライブ領域２２に沿った方向における中点は、この肉厚部が設けられたチップ領域２４の辺の中点からずれている。

このチップ領域２４の外縁における線状凹凸構造５０の配列は、１個のチップ領域２４を繰り返し単位として、チップ領域２４ごとに繰り返し形成されている。

また、チップ領域２４の外縁における線状凹凸構造５０の配列は、チップ領域２４の中心点を回転軸としてＳｉ基板側主面１８に平行な平面内で、チップ領域２４に回転操作を行った場合に、１回以上２回未満（つまり、１回のみ）の回転対称性を有している。つまり、非エッチング領域３６の形状は、チップ領域２４の中心点を回転軸として、Ｓｉ基板側主面１８に平行な平面内で３６０°回転させたときのみ、もとの形状と一致する。ここで、チップ領域２４の中心点は、チップ領域２４が矩形状をなしているので、この矩形の２本の対角線の交点のことである。

（工程３−ｉｉｉ）
続いて、図６（Ｄ）に示すように、接合基板１０のＳｉ基板側主面１８から、スクライブ領域２２の幅方向の中央部の切断線４７に沿って、ダイシングブレードによるダイシングを行う。

より詳細には、高速回転するダイシングブレードにより、凹溝４６に対応する部分においては、Ｓｉ基板１２の第２主面１９に至るまで、肉厚部４８に対応する部分においては、ガラス基板１４の第３主面２６に至るまで、それぞれ接合基板１０を薄化することにより、接合基板１０を切断する。これにより個々のチップ領域２４が切断分離されて、チップ２５が得られる。ここで（工程３−ｉｉｉ）における、ダイシングブレードの幅、材質および回転数は実施の形態１の（工程１−ｉｉｉ）と同様である。

このようにして分離されたチップ２５は、チップ２５の外縁において、肉厚部４８に対応する部分が、集積回路領域２０ａの外側に向けて突出し、凹溝４６に対応する部分が、相対的に集積回路領域２０ａの内側に向けて陥没した平面形状を有することとなる。よって、このチップ２５は、チップ２５の中心点を回転軸としてＳｉ基板側主面１８に平行な平面内で、チップ２５に回転操作を行った場合に、１回以上２回未満（つまり、１回のみ）の回転対称性を有することとなる。

このように、この実施の形態の接合基板１０の切断方法においては、スクライブ領域２２に沿って、凹溝４６と肉厚部４８とが破線状に連続する線状凹凸構造５０を形成する。よって、線状凹凸構造５０の凹溝４６部分においては、ダイシングの際に切断すべき接合基板１０の厚さを薄くすることができる。よって、ダイシングブレードが切断しなければならない接合基板１０の厚さの合計値を、従来に比べて小さくすることができる。これにより、従来、硬さの異なる基板が接合された接合基板１０の切断に用いられていたステップカットを行う必要がなくなり、ダイシングブレードによる切断時間を短縮することができる。

また、凹溝４６同士は、ガラス基板１４と等しい厚さを有する肉厚部４８により隔てられている。よって、（工程３−ｉｉ）のウエットエッチング終了後においても、接合基板１０が充分な機械的強度を保っているので、接合基板１０の反りを抑制することができる。

また、凹溝４６の幅をダイシングブレードの幅（３５μｍ）より広く形成することにより、ダイシング後において、肉厚部４８を、集積回路領域２０ａの外側に向けて突出した形状とすることができる。これにより肉厚部４８をチップ２５の方向を示す標識として機能させることができる。

また、チップ２５の周囲の外縁に設けられた肉厚部４８と凹溝４６との配列を、１回のみの回転対称性を有するように形成したので、この配列をチップ２５の方向を示す標識とすることができる。

また、肉厚部４８の中点とチップ２５の各辺の中点とが一致しないように線状凹凸構造５０を形成しているので、チップ２５の外縁における線状凹凸構造５０の配列が、チップ２５の方向を示す標識として機能する。

なお、この実施の形態においては、肉厚部４８と凹溝４６とは、チップ領域２４の各辺にそれぞれ１個ずつ形成されているが、肉厚部４８と凹溝４８との配列を、１回のみの回転対称性を有するように形成すれば、各辺に複数個の肉厚部４８および凹溝４６を形成してもよい。たとえば、肉厚部４８および凹溝４６のスクライブ領域２２に沿った長さをそれぞれ、０．５ｍｍおよび１ｍｍに短縮することにより、チップ領域２４の各辺に２個ずつの肉厚部４８および凹溝４６を形成してもよい。

また、この実施の形態においては、肉厚部４８と凹溝４６のスクライブ領域２２に沿った長さの比率は、１：２（＝肉厚部４８：凹溝４６）とされているが、（工程３−ｉｉ）の終了後において、接合基板１０が充分な機械的強度を保っているとともに、（工程３−ｉｉｉ）において、ステップカットを行うことなくダイシングできれば、肉厚部４８と凹溝４６の長さの比率に特に制限はない。

なお、凹溝４６はガラス基板側主面２６から接合面１６に至る深さとされているが、接合面１６を越えて、Ｓｉ基板１２に侵入する深さでもよい。このようにすることにより、（工程３−ｉｉｉ）においてダイシングブレードが切断しなければならないＳｉ基板１２の厚さが減少するので、より一層、迅速にダイシングを行うことができる。

また、スクライブ領域２２の幅は実施の形態１で述べたような幅とすることが好ましい。

また、（工程３−ｉｉｉ）におけるダイシングは、スクライブ領域２２の幅の範囲内に納まっていれば、中央線からずれて切断を行ってもよい。

また、チップ２０のサイズおよび形状、接合基板１０を構成する２種類の基板の組み合わせ、Ｓｉ基板１２とガラス基板１４の厚さ、被覆に用いるフォトレジスト等に関しては、実施の形態１で述べたような種々の変更が可能である。

実施の形態１における、（Ａ）は接合基板の要部拡大平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 実施の形態１における、図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った工程断面図である。 実施の形態１における、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）に対応する接合基板の要部拡大工程平面図である。 実施の形態２における、図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った工程断面図である。 実施の形態２における、図４（Ａ）〜図４（Ｄ）に対応する接合基板の要部拡大工程平面図である。 実施の形態３における、図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った工程断面図である。 実施の形態３における、図６（Ａ）〜図６（Ｄ）に対応する接合基板の要部拡大工程平面図である。

符号の説明

１０ 接合基板
１２ Ｓｉ基板
１４ ガラス基板
１６ 接合面
１８ 第１主面（Ｓｉ基板側主面）
１９ 第２主面
２０ 集積回路
２０ａ 集積回路領域
２２ スクライブ領域
２３，４７ 切断線
２４ チップ領域
２５ チップ
２６ 第３主面（ガラス基板側主面）
２７ 第４主面
２８，４２，４６，４６ａ，４６ｂ 凹溝
３０，３４ ポジ型フォトレジスト
３２，４３ エッチング予定領域
３５ 凸部４０に対応する領域
３６ 非エッチング領域
３８ 外縁
４０ 凸部
４４ 溝
４８ 肉厚部
５０ 線状凹凸構造

Claims (11)

1. 複数のチップ領域と、複数の該チップ領域を互いに区画するスクライブ領域とが備わる第１主面、および該第１主面に対向する第２主面を有する第１基板の当該第２主面と、
   第３主面および該第３主面に対向する第４主面を有する、前記第１基板よりも硬い第２基板の当該第４主面と
   を接合してなる接合基板を、前記スクライブ領域に沿って、切断してチップ毎に分離するにあたり、
   （１）前記スクライブ領域の前記第３主面への正射影で与えられる領域に対して、前記第３主面からウエットエッチングを行って、前記第２主面を露出させることにより前記接合基板に凹溝を形成する工程と、
   （２）前記第１主面の前記スクライブ領域に沿って、前記露出された第２主面に到達するまで、ダイシングブレードによるダイシングを行って、前記接合基板を切断する工程と
   を含むことを特徴とする接合基板の切断方法。
2. 前記工程（１）において、前記凹溝の幅を、前記ダイシングブレードの幅より広く形成することを特徴とする請求項１に記載の接合基板の切断方法。
3. 前記工程（１）において、前記ウエットエッチングで残存した前記チップ領域の非エッチング領域の外縁の凹凸形状を、該チップ領域の中心点を回転軸として、前記第１基板の第１主面に平行な平面内において前記チップ領域に回転操作を行った場合に、１回以上２回未満の回転対称性を有するように、形成するとともに、複数の前記チップ領域の前記外縁の凹凸形状を同一に形成することを特徴とする請求項２に記載の接合基板の切断方法。
4. 複数のチップ領域と、複数の該チップ領域を互いに区画するスクライブ領域とが備わる第１主面、および該第１主面に対向する第２主面を有する第１基板の当該第２主面と、
   第３主面および該第３主面に対向する第４主面を有する、前記第１基板よりも硬い第２基板の当該第４主面と
   を接合してなる接合基板を、前記スクライブ領域に沿って、切断してチップ毎に分離するにあたり、
   （１）前記第１主面から、ダイシングブレードを用いて、前記スクライブ領域に沿って、前記第４主面が露出するまでダイシングを行って、前記接合基板に凹溝を形成する工程と、
   （２）前記スクライブ領域の前記第３主面への正射影で与えられる領域に対して、前記露出された第４主面に到達するまで、前記第３主面からウエットエッチングを行って前記接合基板を切断して前記チップを得る工程と
   を含むことを特徴とする接合基板の切断方法。
5. 前記工程（２）において、前記ウエットエッチングで残存した前記チップの非エッチング領域の外縁の凹凸形状を、該チップの中心点を回転軸として、前記第１基板の第１主面に平行な平面内において前記チップに回転操作を行った場合に、１回以上２回未満の回転対称性を有するように、形成するとともに、複数の前記チップの前記外縁の凹凸形状を同一に形成することを特徴とする請求項４に記載の接合基板の切断方法。
6. 複数のチップ領域と、複数の該チップ領域を互いに区画するスクライブ領域とが備わる第１主面、および該第１主面に対向する第２主面を有する第１基板の当該第２主面と、
   第３主面および該第３主面に対向する第４主面を有する、前記第１基板よりも硬い第２基板の当該第４主面と
   を接合してなる接合基板を、前記スクライブ領域に沿って、切断してチップ毎に分離するにあたり、
   （１）前記スクライブ領域の前記第３主面への正射影で与えられる領域に対して、前記第３主面からウエットエッチングを行って、前記第２主面が露出する凹溝を断続的に形成し、
   前記スクライブ領域の前記第３主面への正射影で与えられる領域に沿って隣り合う前記凹溝同士が非エッチング領域としての肉厚部により隔てられた線状凹凸構造を形成する工程と
   （２）前記第１主面から、ダイシングブレードを用いて、前記スクライブ領域に対して前記凹溝に対応する部分では前記露出した前記第２主面まで、前記肉厚部に対応する部分では前記第３主面まで、ダイシングを行って、前記接合基板を切断する工程と
   を含むことを特徴とする接合基板の切断方法。
7. 前記工程（１）において、前記凹溝の幅を、前記ダイシングブレードの幅より広く形成することを特徴とする請求項６に記載の接合基板の切断方法。
8. 前記工程（１）において、前記チップ領域の外縁である４辺に形成された前記線状凹凸構造における前記凹溝と前記肉厚部との配列を、前記チップ領域の中心点を回転軸として、前記第１主面に平行な平面内において前記チップ領域に回転操作を行った場合に、１回以上２回未満の回転対称性を有するように、形成するとともに、複数の前記チップ領域の前記凹溝と前記肉厚部との配列を同一に形成することを特徴とする請求項７に記載の接合基板の切断方法。
9. 前記配列が、前記チップ領域の４辺のそれぞれに１個ずつ設けられた前記肉厚部と、該肉厚部に隣接する前記凹溝とからなる場合、
   前記肉厚部の前記スクライブ領域に沿った方向における中点を、当該肉厚部が設けられる前記チップ領域の辺の中点からずらして、前記配列を形成することを特徴とする請求項８に記載の接合基板の切断方法。
10. 前記第１基板としてシリコン基板を用い、前記第２基板としてガラス基板を用い、前記ウエットエッチング用のエッチング液として、フッ酸を用いることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の接合基板の切断方法。
11. 請求項１〜１０のいずれか一項の接合基板の切断方法を用いることにより得られるチップ。

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