JPH07183255A - 接合基板の切断方法 - Google Patents
接合基板の切断方法Info
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- JPH07183255A JPH07183255A JP32646693A JP32646693A JPH07183255A JP H07183255 A JPH07183255 A JP H07183255A JP 32646693 A JP32646693 A JP 32646693A JP 32646693 A JP32646693 A JP 32646693A JP H07183255 A JPH07183255 A JP H07183255A
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- cutting
- glass
- silicon
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板の使用領域を増大させながら、加
工効率も確保することのできる接合基板の切断方法を提
供する。 【構成】 公知の半導体素子形成工程により、シリコン
ウエハ１表面に回路素子等を形成する。その後、シリコ
ンウエハ１とパイレックスガラス２とを陽極接合により
接合する。そして、まず、シリコンウエハ１をダイシン
グし、次に、シリコンウエハ１側をダイシングテープ３
に貼りつけてパイレックスガラス２をダイシングし、セ
ンサチップとする。
工効率も確保することのできる接合基板の切断方法を提
供する。 【構成】 公知の半導体素子形成工程により、シリコン
ウエハ１表面に回路素子等を形成する。その後、シリコ
ンウエハ１とパイレックスガラス２とを陽極接合により
接合する。そして、まず、シリコンウエハ１をダイシン
グし、次に、シリコンウエハ１側をダイシングテープ３
に貼りつけてパイレックスガラス２をダイシングし、セ
ンサチップとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板と他の基板
とが接合された接合基板の切断方法に関する。
とが接合された接合基板の切断方法に関する。
【０００２】
【従来技術】半導体圧力センサ・半導体加速度センサ
等、応力を電気信号に変換する半導体素子においては、
外部からの機械的あるいは温度変化による応力が、セン
サ自体に加わり、センサ精度劣化となることを防ぐた
め、センサ素材と同一な熱膨張率をもった材料をステム
あるいは組付基板との間に入れ、その上にセンサ素子を
取り付けるようにしている。一般的にはセンサを形成す
るシリコン基板とパイレックスガラスを陽極接合等によ
り接合一体化し、接合基板として、この構造を得てい
る。これらは通常らエハ状態で行われたこの後、ダイシ
ング等により個々のセンサチップに分離される。
等、応力を電気信号に変換する半導体素子においては、
外部からの機械的あるいは温度変化による応力が、セン
サ自体に加わり、センサ精度劣化となることを防ぐた
め、センサ素材と同一な熱膨張率をもった材料をステム
あるいは組付基板との間に入れ、その上にセンサ素子を
取り付けるようにしている。一般的にはセンサを形成す
るシリコン基板とパイレックスガラスを陽極接合等によ
り接合一体化し、接合基板として、この構造を得てい
る。これらは通常らエハ状態で行われたこの後、ダイシ
ング等により個々のセンサチップに分離される。
【０００３】このダインシグにおいては、従来、シリン
コン基板とパイレックスガラスを同一のダイヤモンドブ
レードで切断する方法、あるいはシリコン基板をまず切
断し、別のブレードを使用しパイレックスガラスを切断
する方法、あるいはシリコン基板とパイレックスガラス
の接合前に、ガラスに溝を入れておき、切断時のパイレ
ックスガラス加工量を少なくする等の方法がとられてい
た。
コン基板とパイレックスガラスを同一のダイヤモンドブ
レードで切断する方法、あるいはシリコン基板をまず切
断し、別のブレードを使用しパイレックスガラスを切断
する方法、あるいはシリコン基板とパイレックスガラス
の接合前に、ガラスに溝を入れておき、切断時のパイレ
ックスガラス加工量を少なくする等の方法がとられてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、同一のブレー
ドを使用する方法では、シリコン基板のチップ欠け量を
抑制しようとすると加工速度を遅くしなければならず、
品質向上と加工速度とを両立することが難しい。また、
ブレード幅はパイレックスガラスの厚さに応じて厚くし
なければならず、必要厚さがない場合には垂直に切断さ
れるべき切断面が斜めになったり、ブレードが頻繁に破
損する等のトラブルが発生する。従って、ガラス厚さが
厚くなればなるほどシリコン基板の切断領域も大きくな
り、センサとして使用でる有効面積が減少してくる。
ドを使用する方法では、シリコン基板のチップ欠け量を
抑制しようとすると加工速度を遅くしなければならず、
品質向上と加工速度とを両立することが難しい。また、
ブレード幅はパイレックスガラスの厚さに応じて厚くし
なければならず、必要厚さがない場合には垂直に切断さ
れるべき切断面が斜めになったり、ブレードが頻繁に破
損する等のトラブルが発生する。従って、ガラス厚さが
厚くなればなるほどシリコン基板の切断領域も大きくな
り、センサとして使用でる有効面積が減少してくる。
【０００５】次に、シリコン基板を先に切断し、次に別
のブレードを使用してパイレックスガラスを切断する方
法においては、シリコン基板側の切断幅は常にガラス用
ブレードより厚い必要があり、センサとして使用でる有
効面積が減少してしまう。この切断法の変形としてパイ
レックスガラス側から先に切断し、次に同じ面からシリ
コン基板を切断する方法も考えられるが、これによれば
ガラスの切り溝の間をシリコン用の薄いブレードを通す
必要があり、ブレードの突出し量が大きくなりブレード
が強度的に不利となる。また、シリコン基板側をダイシ
ングテープ等に固定してシリコン基板をダイシングする
と、ダイシングテープの弾力により、シリコン基板表面
のかけが多くなるといった問題もある。
のブレードを使用してパイレックスガラスを切断する方
法においては、シリコン基板側の切断幅は常にガラス用
ブレードより厚い必要があり、センサとして使用でる有
効面積が減少してしまう。この切断法の変形としてパイ
レックスガラス側から先に切断し、次に同じ面からシリ
コン基板を切断する方法も考えられるが、これによれば
ガラスの切り溝の間をシリコン用の薄いブレードを通す
必要があり、ブレードの突出し量が大きくなりブレード
が強度的に不利となる。また、シリコン基板側をダイシ
ングテープ等に固定してシリコン基板をダイシングする
と、ダイシングテープの弾力により、シリコン基板表面
のかけが多くなるといった問題もある。
【０００６】さらに、パイレックスガラスに前もって溝
を入れておく方法では、ガラス部の切断厚さが数百μｍ
以下となるため、ブレード巾を１００μｍ以下にするこ
とが可能である。しかしシリコンとパイレックスガラス
の接合時に、位置合わせが必要になるため工程が繁雑と
なる。以上、詳述したように、従来のダイシング方法あ
るいはその応用方法によれば、パイレックスガラス厚が
厚くなるにつれ、センサの本体部分であるシリコン基板
の切り代ないしはチッピング（基板のかけ）が大きくな
り回路として使用できる領域が少なくなってしまう、あ
るいは加工効率が悪い等、様々な問題点がある。 そこ
で、本発明は、半導体基板の使用領域を増大させなが
ら、加工効率も確保することのできる接合基板の切断方
法を提供する。
を入れておく方法では、ガラス部の切断厚さが数百μｍ
以下となるため、ブレード巾を１００μｍ以下にするこ
とが可能である。しかしシリコンとパイレックスガラス
の接合時に、位置合わせが必要になるため工程が繁雑と
なる。以上、詳述したように、従来のダイシング方法あ
るいはその応用方法によれば、パイレックスガラス厚が
厚くなるにつれ、センサの本体部分であるシリコン基板
の切り代ないしはチッピング（基板のかけ）が大きくな
り回路として使用できる領域が少なくなってしまう、あ
るいは加工効率が悪い等、様々な問題点がある。 そこ
で、本発明は、半導体基板の使用領域を増大させなが
ら、加工効率も確保することのできる接合基板の切断方
法を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに成された本発明による接合基板の切断方法は、半導
体基板と、該半導体基板と同一あるいはそれに近い熱膨
張率を有する他の基板とが張り合わされた接合基板の切
断方法において、前記半導体基板あるいは他の基板とを
貼り合わせ面とは異なるそれぞれの表面から切断したこ
とを特徴とすしている。
めに成された本発明による接合基板の切断方法は、半導
体基板と、該半導体基板と同一あるいはそれに近い熱膨
張率を有する他の基板とが張り合わされた接合基板の切
断方法において、前記半導体基板あるいは他の基板とを
貼り合わせ面とは異なるそれぞれの表面から切断したこ
とを特徴とすしている。
【０００８】
【発明の作用および効果】上記のように本発明による接
合基板の切断方法によると、例えば初めに半導体基板を
切断し、次に、接合された他の基板をその表面から切断
するようにしているため、半導体基板の切り代を大きく
する必要がなく、また、切断による半導体基板の欠けも
少なくすることができるため、半導体基板の使用領域を
増大させることができるという優れた効果がある。
合基板の切断方法によると、例えば初めに半導体基板を
切断し、次に、接合された他の基板をその表面から切断
するようにしているため、半導体基板の切り代を大きく
する必要がなく、また、切断による半導体基板の欠けも
少なくすることができるため、半導体基板の使用領域を
増大させることができるという優れた効果がある。
【０００９】
【実施例】以上に説明した本発明による接合基板の切断
方法を、圧力センサの製造工程に適用した実施例を以下
に説明する。まず、選択拡散によりシリコンウェハに圧
力検出用抵抗の形成を行う。その後、感度を上げるた
め、この領域のシリコン厚さを異方性アルカリエッチン
グにより薄くする。
方法を、圧力センサの製造工程に適用した実施例を以下
に説明する。まず、選択拡散によりシリコンウェハに圧
力検出用抵抗の形成を行う。その後、感度を上げるた
め、この領域のシリコン厚さを異方性アルカリエッチン
グにより薄くする。
【００１０】しかる後、陽極接合等により外部からの熱
応力緩和と圧力基準室を作るためパイレックスガラスと
真空中で接合する。次に、個々センサに分離するための
ダイシングを行なう。図１（ａ）は、圧力検出用抵抗の
形成したシリコンウェハ１をパイレックスガラス２に接
合した状態である。これに、厚さ２５〜３５ｍｍダイヤ
モンド粒径２０００〜３０００♯のメタルボンドないし
は電着ブレードを使用し周速５０００ｍ・分程度で、シ
リコン面よりパイレックスガラス２にわずかに達する厚
さでシリコン切り溝４を入れる。
応力緩和と圧力基準室を作るためパイレックスガラスと
真空中で接合する。次に、個々センサに分離するための
ダイシングを行なう。図１（ａ）は、圧力検出用抵抗の
形成したシリコンウェハ１をパイレックスガラス２に接
合した状態である。これに、厚さ２５〜３５ｍｍダイヤ
モンド粒径２０００〜３０００♯のメタルボンドないし
は電着ブレードを使用し周速５０００ｍ・分程度で、シ
リコン面よりパイレックスガラス２にわずかに達する厚
さでシリコン切り溝４を入れる。
【００１１】次に表面洗浄乾燥の後、図１（ｂ）のよう
にシリコン側をダイシングテープ３に貼りつける。しか
る後、厚さ１００〜４００μｍダイヤモンド粒径３００
〜１５００♯のメタルボンドないしはレジンボンドブレ
ードを使用し、周速３５００ｍ・分程度でダイシングを
行ない、前図切断した深さに達するパイレックスガラス
切り溝５を形成する。この際のシリコン側とパイレック
ス側のカットライン合わせには、図１（ａ）で入れた溝
４の底部を基準にしても良いし、シリコンウエハ１側に
合せマークを入れておいて、これを基準にしても良い。
この場合は、シリコン部のカット時，パイレックス部に
まで溝を入れる必要がないことから、より高速でのダイ
シングが可能である。
にシリコン側をダイシングテープ３に貼りつける。しか
る後、厚さ１００〜４００μｍダイヤモンド粒径３００
〜１５００♯のメタルボンドないしはレジンボンドブレ
ードを使用し、周速３５００ｍ・分程度でダイシングを
行ない、前図切断した深さに達するパイレックスガラス
切り溝５を形成する。この際のシリコン側とパイレック
ス側のカットライン合わせには、図１（ａ）で入れた溝
４の底部を基準にしても良いし、シリコンウエハ１側に
合せマークを入れておいて、これを基準にしても良い。
この場合は、シリコン部のカット時，パイレックス部に
まで溝を入れる必要がないことから、より高速でのダイ
シングが可能である。
【００１２】この時のダイシング送り速度は、シリコン
ウエハ１のみの切込みでは、ＭＡＸ１００ｍｍ／秒程度
が可能となり、シリコンウエハ１＋パイレックスガラス
では、ＭＡＸ１０ｍｍ／秒程度が可能となる。パイレッ
クスガラスダイシング時には、ガラスの厚さに依存する
が、３ｍｍ程度の厚さであればＭＡＸ５ｍｍ／秒程度の
加工速度が可能である。このガラスの切断時には、水溶
性研削液を使用すればより高速での加工ができる。この
後、ダイシングテープ３に付いた状態で洗浄を行ない乾
燥後、ダイシングテープ３を分離すれば、圧力センサチ
ップとなる。図２はこの方法により切断されたチップ断
面を示す。
ウエハ１のみの切込みでは、ＭＡＸ１００ｍｍ／秒程度
が可能となり、シリコンウエハ１＋パイレックスガラス
では、ＭＡＸ１０ｍｍ／秒程度が可能となる。パイレッ
クスガラスダイシング時には、ガラスの厚さに依存する
が、３ｍｍ程度の厚さであればＭＡＸ５ｍｍ／秒程度の
加工速度が可能である。このガラスの切断時には、水溶
性研削液を使用すればより高速での加工ができる。この
後、ダイシングテープ３に付いた状態で洗浄を行ない乾
燥後、ダイシングテープ３を分離すれば、圧力センサチ
ップとなる。図２はこの方法により切断されたチップ断
面を示す。
【００１３】また、図２は、パイレックスガラス２を先
に溝入れした後（同図（ａ））、シリコンウエハ１を切
断した（同図（ｂ））例である。ブレード・ダイシング
条件は前述と同様で良い。尚、パイレックスガラスのか
わりにデビトロンガラスないしは多結晶シリコンを使用
した場合においても同様に、両面から加工することによ
りセンシング部シリコンの使用領域を増大させながら、
加工効率も獲得することが可能である。
に溝入れした後（同図（ａ））、シリコンウエハ１を切
断した（同図（ｂ））例である。ブレード・ダイシング
条件は前述と同様で良い。尚、パイレックスガラスのか
わりにデビトロンガラスないしは多結晶シリコンを使用
した場合においても同様に、両面から加工することによ
りセンシング部シリコンの使用領域を増大させながら、
加工効率も獲得することが可能である。
【図１】（ａ）は、シリコンウエハ側を切断した図であ
る。（ｂ）は、ガラス側を切断した図である。
る。（ｂ）は、ガラス側を切断した図である。
【図２】切断分離されたセンサチップを示す図である。
【図３】（ａ）はガラス側を切断した図である。（ｂ）
はシリコン側を切断した図である。
はシリコン側を切断した図である。
１ シリコンウエハ ２ パイレックスガラス ３ ダイシングテープ ４ シリコン切り溝 ５ パイレックスガラス切り溝
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板と、該半導体基板と同一ある
いはそれに近い熱膨張率を有する他の基板とが張り合わ
された接合基板の切断方法において、 前記半導体基板あるいは他の基板とを貼り合わせ面とは
異なるそれぞれの表面から切断したことを特徴とする接
合基板の切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32646693A JPH07183255A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 接合基板の切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32646693A JPH07183255A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 接合基板の切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183255A true JPH07183255A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18188126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32646693A Pending JPH07183255A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 接合基板の切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07183255A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006286968A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006339481A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 接合基板の切断方法およびチップ |
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| JP2016096321A (ja) * | 2014-11-10 | 2016-05-26 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体片の製造条件の設定方法、半導体片の製造方法および製造システム |
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| JP2019062029A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | パッケージ用カバー部材、電子デバイス、及びパッケージ用カバー部材の製造方法 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP32646693A patent/JPH07183255A/ja active Pending
Cited By (25)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021203 |