JPS60154639A - ダイシング方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、半導体装置などの電子部品の製作技術に関し
、特に、半２１り５体装置の製作におけるウェーハのダ
イシング技術に利用して有効な技ｄ￥に関するものであ
る。

〔背！技術〕

従来のダイシング装置には、第１図に示すようなものが
あり、回転ブレード１ｄ、幅方向の寸法が均一で、２０
〜５０μｍという微細幅のものが使用されている（Ｓｅ
ｎ１ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗｏｒｌｄ　１９８３年３
月号、プレスジャーナル発行、昭和５８年３月１５日発
行、Ｐ８４〜Ｐ８９．実公昭５５−３７３１４号公報）
。

図において２は、前記回転ブレード１を挟持するフラン
ジである。３げ、前記回転グレード】及びフランジ２を
、回転軸４に固着するためのナントである。５は、被切
削体であるウェーハ６を載荷するワーク受台である。

次に上記の措成のダイシング装置の作用を説明する。

ウェーハ６は、ウェーハ６のオリエンテーションフラッ
ト基準でプリアライメントされ、次いで特殊双対物顕微
鏡を持った認識装置（図示せず）で正確に、ＸＹ方向の
アライメントが行なわれる。

そして、切削深さが設定され、回転軸４０回転によって
回転ブレード１が回転し、ウェーハ６のダイシングすべ
き箇所がダイシングされる。

後述するように、ダイシングエリアの幅が１ｏ。

μｍ程度のもの、あるいは１７０μｎＬ程度のものも半
導体装置の製作プロセスにおいては使用されることが考
えられる。この場合、かかる従来方式だと、ウェーハを
個々のベレットに分割した場合、個々のペレットには、
ダイシングエリアが太き（残ってしまう。そして、その
ままの状態で、後工程であるワイヤボンディングを施し
た際には、ペレット上のパッドからベレット端までの距
離が長くなりワイヤがペレットに触れてしまうことがあ
るということが本発明者によって明らかにされた。

そこで、ダイシングエリア幅と同程度のブレード幅を有
する回転ブレード、例えば１００μｍのダイシングエリ
ア幅の場合、このダイシングエリア幅と同程匿０１００
μｍ程度のブレード幅を有する回転ブレードを用いてダ
イシングすることが考えられる。しかしフエがら、この
場合には、切削する部分が増えるため、ダイシング時間
が艮（なる。さらに、切削屑が増えるため、ウェーハ表
面に付着する切削屑も大幅に増大し、各ベレットに形成
されている素子や配線に悪影響を及ぼすことも多（なる
。また、ダイシング中に、回転ブレードが幅広であって
幅の広いダイシング溝を形成するためふれることにより
、素子形成部付近か破ｊ］（することもある等の問題点
が発生することが本発明者によって明らかにされた。

そこで本発明者は、ダイシングエリアをチップの機械的
及び電気的な特性に悪影響を与え１°有効に取り去る一
方、ダイシングによる切り屑を極力少（することができ
得るダイシング技術について鋭意検討を重ねた結果本発
明にいたった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、ダイシングラインの切削すべき領域幅
が大きい場合でも切り屑を少くしてダイシングでき得る
技術を提供するものである。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明ずれは下記のとおりである。

すなわち、試料上の切削すべき部分の表面部を取り除（
に必要十分な量だけまず切削し、次いで切削深さ方向に
残った部分を最小限の量だけ切削することにより、全て
幅広く切削した場合に比べて切削屑を大幅に少くしてダ
イシングすることにより試料に形成されたＩＣ，ＬＳＩ
などの電子部品の特性を悪化させることな（試料をダイ
シングし、もって所望の仕様を有する電子部品を得るこ
とにある。

〔実施例１〕 半導体集積回路装置の高集積化に伴ない、グーソブザイ
ズが２〜３關口のものを、（４１〜８１）×（６′″Ｉ
ＩＩ　Ｋ　１０＋″″′）と大ぎくすると共にその各チ
ップに県債する素子は１〜２μｍプロセスパターンとい
う微細加工をもって製作すると共に、ウェーハ径も１２
５””、１５０’″１と大口径することを考えた。した
がって、かかる大口径ウェーハを使用し大チップを微細
加工プロセスで製作するにあたっては、小口径ウェーハ
な用いて小チツプサイズのものにより半導体装置を製作
するものにあっては１対１写像Ｍ光装置を用いてウェー
ハの各チップにマスクパターンを一度に転写して半導体
装置な′製作する方式で十分でおったが、１１５゜１／
１０等の縮小投影露光装置を用いて各チップ毎にマスク
パターンを転写して半導体装置を形成することを考えた
。

しかも、この場合、チップ内素子構造が１〜２μｍプロ
セスをもって形成され高集積化されているものであるた
め、その形状や電気的特性を直接検査測定することは困
難であるため、それらに対応するパターンをチップ外に
別個に設けてチップに設けられた素子形状や電気的特性
をチップ外圧別個に設けたパターン（テストパターン）
の検査測定によって間接的に知ることを考えた。かかる
テストパターンとには、アライナターゲットパターン、
測長パターン、ＭＯ８容量パターン、接合容量ハｌ　−
ｙ、イオン注入状況チェックパターン。

抵抗測定パターン、種々の回路パターン、配線断線検出
ハターン等種々のテストパターン力あり、少なくとも十
数種類のテストパターンを必要としている。

このテストパターンをチップ周辺の他のチップに設ける
ことがまず考えられるが、−歩進んで、チップ周辺に設
けること、それに加えてダイシングエリアにテストパタ
ーンを設けることを考えた。

この場合、ダイシングエリアにテストパターンを設ける
にあたっては、ダイシングエリアはそもそもダイシング
装置を用いて切り溝を形成しウェーハ状のチップを各チ
ップに分割するためのものであるため、この領域にテス
トパターンを設けることは１ウエーハからできるだけ多
（のチップを得ることができるという効果がある。

この場合、ダイシングラインにアライメントパターン、
特性チェックパターン等の種々のパターンを設ける必要
がない場合には、ダイシングエリア（ライン）幅は５０
μｍ程度で良いが、ダイシングラインにアライメントパ
ターン、特性チェックパターン等の種々のパターンを設
けた場合、それらのパターンが１ｏｏＩＪｍ口〜１６０
　ｐ　ｍ　ｇ。

度の大きさを必要とするので、ダイシングライン幅は、
少（とも１２０μｍ〜１７０μｍ程度必要になってしま
う。

そこで、本発明者が、従来のダイシング装置を用い、ダ
イシングエリア内にアライメントパターン、及び特性チ
ェックパターンなどの種々のパターンが設けられたウェ
ーハをダイシングしタトコろ、以下に示すような問題が
あることが明らかになった。

第２図は−ダイシングエリア内圧、アライメントパター
ン、及び特性チェックパターンなどの種々ツバターンが
設けられたウェーハの、一つのチップ（ベレット）とそ
の周辺を拡大した図で、第３図は、その部分を、ダイシ
ングした状態を示している。第２図または、第３図にお
いて、７は半導体素子が形成されそれらの配線パターン
が形成されているペレットである。８は、ダイシングエ
リアである。９は、アライメントパターン、あるいは特
性チェックパターン等のダイシングエリア８に形成され
ている各種のパターンを示すものである。１０け、ダイ
シングし、切削された切り溝である。またＷｌは、アラ
イメントパターン幅、あるいは特性チェックパターン幅
などの種々のパターン幅を示し、Ｗ、は、ダイシング幅
を示す。

第３図かられかるように、アライメントパターン幅、あ
るいは特性チェックパターン幅などのパターン幅Ｗ１が
１００μｍ程度とすると、その１／４の２５μｍ程度の
ダイシング幅Ｗ、でダイシングした場合には、ダイシン
グエリア内に、アライメントパターン、あるいは特性チ
ェックパターンなどのパターン９０大部分がダイシング
されずそれらの一部分を除いて残してしまうことになる
。

ダイシングエリアに設けられているこのアライメントパ
ターン、あるいは特性チェックパターンなどの種々のパ
ターン９は、ホトエツチング時のマスクアライメント等
や、Ａ２断線チェック等の特性チェックの際に必要なも
の、つまりウェーッ・状態でＩＣ，ＬＳＩなどの半導体
装置の主要な楢造を形成するウェーハ処理工程上必要な
ものであり、その後は不用となるものである。さらに、
これらのパターンを残したまま、製品として出荷した場
合には、製造プロセス、使用設備等について他に知られ
てしまい、不利益を生ずることが考えられる。

そこで、本発明者は、次に述べるごと〈発明をするに到
った。

すなわち、試料上の切削すべき部分に形成された種々の
パターンを取り除くに必要十分な量だけまず切削し、次
いで切削深さ方向に残った部分を最小限の量だけ切削す
ることにより、全て幅広く切削した場合に比べて切削屑
を大幅に少くしてダイシングすることにより試料に形成
されたＩＣ。

ＬＳＩなどの電子部品の特性を悪化させることなく試料
をダイシングし、もって所望の仕様を有する電子部品を
得ることにある。

第４図〜第５図は、本発明の一実施例であるダイシング
技術を説明するための図である。第６図は、本発明のダ
イシング技術によるダイシング結果を説明するための図
である。第７図は、第６図のＭｌ　−Ｖｌｌｌ矢線断面
図である。。

第４図または第５図において、１１は、回転プ１／−ド
であり、その回転ブレード１１の幅方向の寸法（Ｔ＋＋
）は、位置合せパターン幅、あるいは特性ヂエツクバク
ーン幅などのダイシングエリアに設けられた種々のパタ
ーン幅と同寸法程度になっている。１２は、フランジで
あり、前記回転ブレードＪ１を、挾持するためのもので
ある。１３は、前記回転ブレード１１及びフランジ１２
を、駆動源（図示せず）に接続された回転軸１４に固着
するだめのナツトである。１５は、被切削体であるウェ
ー・・１６を載荷するワーク受台である。１７は、前述
した回転ブレード１１とは別個の回転ブレードであり、
その回転ブレードの幅方向の寸法（Ｔｒｙ）ｉｌｊ：、
前記した回転ブレード１１よりも狭くなっている。例え
ば、回転ブレード１１０幅方向の寸法（Ｔ＋１）を１０
０μｍ〜１６０７１ｎｉ程度とすると、回転ブレード１
７０幅方向の寸法（ＴＩ７）は、その１／４〜２／１３
の２５μｍ程度である。１８は、フランジであり、前記
回転ブレ・−ド１７を挾持するためのものである。１９
は、前記回転ブレード１７及びフランジ１８を、駆動源
（図示せず）に接続された回転軸２０に固着するための
ナツトである。２１け、被切削体であるウェーハ１６を
載荷するワーク受台である。

上述した構成のもとに、本実施例のダイシング技術を説
明する。

第４図に示されるように、ウェーハ１６は、正確に位置
決めされてワーク受台１５に真空吸着等の方法で固着さ
れる。そして、切削深さを１μｍ〜１０μｍというパタ
ーン９を取り除くのに必要十分な値に浅く設定され、回
転軸１４０回転によって、パターン９０幅寸法と同程度
かわずかに小さい幅寸法の回転ブレード１１が回転し、
ウェーハ１６のダイシングすべき個所、つまりダイシン
グエリア（図示せず）に沿ってダイシングされる。

そして、前記回転ブレード１１によるダイシングが終了
すると、ウェーハ１６は、第５図に示されるように、前
記回転ブレード１１よりも幅の狭い回転ブレード１７を
有するダイシング装置のワーク受台２１に正確に位置決
めされた上で、真空吸着等の方法で固着される。そして
、所定の切削深さが設定され、回転軸２００回転によっ
て、回転ブレード１７が回転し、ウェーハ１６がダイシ
ングされる。

上述したダイシング方法によると、ウェーハ１６は、第
６図に平面図を示し、第７図にその拡大断面図を示すよ
うにダイシングされる。図において、２２は、表面に配
線パターンが形成されているペレットである。２３は、
切り溝である。

第６図に示されたウェーハ２２と第３図に示されたウェ
ーハとを比較すると、前記回転ブレード１１によって、
幅広く切削されたことにより、ダイシングエリア内に形
成されていたアライメントパターン、あるいは特性チェ
ックパターンなどの種々のパターンが、削り取られてい
ることがわかる。しかも第７図かられがるように、切削
深さ方向に残った部分は、前記回転ブレード１７によっ
てできるだけ幅狭くなるように切り溝が形成されている
。それゆえ、幅の広い回転ブレードのみでダイシングし
た場合に比べて、切削する部分が少いので、切削屑を増
大させることな（、しがもウェーハのダイシングエリア
内に設けられた、位置合わせパターン、あるいは特性チ
ェックパターン等の種々のパターンを取り除いてダイシ
ングができたことになる。また、大幅に、切削屑が少な
くなるので、切削屑が素子形成領域に飛散することによ
る素子不良、つまりダイシングによる素子不良を少（す
ることができる。さらに、ボンディング部付近への切削
屑の飛散も少くなるので、ボンダビリティが向上する。

〔実施例２〕 第一回は、本発明の他、）実施例を説明するためブレー
ド１】に相当するものである。２５は、ＩＩ県方向寸法
が狭い回転ブレードであり、前記回転フ゛レード２４に
追随するように配置されて−・る。ｌ、（お、回転ブレ
ード２５は、実施例１で記述した回転ブレード１７に相
当するものである。２６．２７は、フランジであり、そ
れぞれ回転プレー）”　２４　。

２５を挾持するためのものである。２８は、前記回転プ
レー・ド２４及びフランジ２６を、駆動源（図示せず）
に接続された回転軸２９に固着するためのナツトである
。３０は、前記回転ブレード２５及びフランジ２７を、
駆動源（図示せず）に接続された回転軸３１に固着する
だめのナツトである。

なお、回転軸２９．３１は、それぞれ高さ調整でき得る
構造になっている。３２は、前記回転軸２９゜３１を支
持し、ＸＹ方向に移動可能な支持体である。３３は、被
切削体であるウェーッ・３４を載荷するワーク受台であ
る。

上述した構成のもとに、本実施例のダイシング技術を説
明する。

ウェーハ３４は、正確に位置決めされてワーク受台３３
に真空吸着等の方法で固着される。そ（２て、回転ブレ
ード２４．２５は、それぞれの切削深さに従って、高さ
！ｉｌ！整が行なわれる。その後、回転軸２９，３］の
回転によりて、それぞれ回転ブレード２４．２５が回転
し、支持体３２が、図中矢印方向に平行移動する。つま
り、ウェーッ・３４は、幅の広い回転ブレード２４によ
って浅くダイシングされた後−前記回転ブレード２４に
追随する幅の狭い回転ブレード２５によって所定の深さ
まで深くダイシングされる。ダイシングされたウェーハ
は、前述した実施例と同じようになる（第６図〜第７図
参照）。

上述した方法によれば、一台のダイシング装置で、回転
ブレードを交換することもな（、素早くダイシングでき
る。この場合にも、幅の広（・回転グレードのみでダイ
シングした場合に比べて、切削する部分が少ないので、
切削屑を増大させることなく、しかもウェーハのダイシ
ングエリア内に設けられた位置合わせパターン、あるい
は特性チェックパターン等の種々のパターンを残すこと
なくダイシングできる。また、切削屑が大幅に少なくな
るので、切削屑が素子形成領域に飛散することＫよる素
子不良、つまりダイシングによる素子不良を少なくする
ことができる。さらに、ボンディング部付近への切削屑
の飛散も少なくなるので、ボンダビリティが向上する。

また、本実施例では、幅の広い回転ブレード２４の直後
に、幅の狭い回転ブレード２５を追随させるようにして
いるが、同一回転軸上に、幅が広い回転ブレード、及び
幅の狭い回転ブレードを固着し、幅の広い回転ブレード
で浅（ダイシングした後、幅の狭い回転ブレードでダイ
シングすることもできる。

１１１檜例３〕 第９図は、本発明の他の実施例を説明するための図であ
る。図において３５は、回転ブレードであり、先端部の
幅が狭くなっており、その他の部分の幅は、ダイシング
エリア内に設けられる位置合わせパターン幅、あるいは
特性チェックパターン幅等の種々のパターン幅と同程度
かわずかＫｌｊ・さい幅寸法になっている。３６は、フ
ランジであり、前記回転ブレード３５を挟持するための
ものである。３７は、前記回転ブレード３５及びフラン
ジ３６を、駆動源（図示せず）に接続された回転軸３８
に固着するためのナツトである。３９は、被切削体であ
るウェーハ４０を載荷するワーク受台である。本実施例
は、幅の狭い回転ブレードと、幅の広い回転ブレードを
、一体形成し、ダイシングに用いることを特徴とする。

上述した構成のもとに、本実施例のダイシング技術を説
明する。

ウェーハ４０は、正確に位置決めされてワーク受台３９
に真空吸着等の方法で固着される。そして、回転ブレー
ド３５の切削深さが設定され、回転軸３８の回転によっ
て回転ブレード３５が回転し、ダイシングが行なわれる
。

上述した方法によれば、一台のダイシング装置で、しか
も一枚の回転ブレードによって、簡単に素早くダイシン
グできる。この場合にも、幅の広い回転ブレードのみで
ダイシングする場合に比べて、切削する部分が少ないの
で、切削屑を大幅に増大させることなく、しかもウェー
ハのダイシングエリア内に設けられた位置合わせパター
ン、あるいは特性チェックパターン等の種々のパターン
を残すことな（ダイシングできる。また、切削屑が少な
くなるので、切削屑が素子形成領域に飛゛散することに
よる素子不良、つまりダイシングによる素子不良を少な
くすることができる。さらに、ボンディング部付近への
切削屑の飛散も少な（なるので、ボンダビリティが向上
する。

なお、実施例１，２において、幅の広い回転ブレードの
刃先形状は、第］０図中符号４１で示されるような７字
形状のものであっても良い。この１合圧は、前述した角
ばった刃先形状を有する回転ブレードでダイシングした
ものに比べて、ペレットの割れ欠けを少な（することが
できると共にブレードの摩耗が少なく耐久性に豊み、ド
レッシング作栗なとも大幅に削減できる。

さらに、実施例３における回転ブレードの刃先形状は、
第１１図中符号４２で示されるような、７字形状の幅広
回転ブレードと、幅の狭い回転ブレードを一体形成した
形状のものであ−・ても良し・。

この場合にも、前述した角（了った刃先形状を有する回
転ブレードでダイシングしたものしＣ比べて、ペレット
の割れ欠けを少なくすることができると共にブレー　ド
の摩耗が少なく耐久性に豊み、ドレッシング作柴なとも
大口゛１”ｉＸに削減できる。

なお、同転ブレードの刃先形状を上述したような形状に
することにより、角ばった刃先形状でダイシングするも
のに比べて、切削ＪＩＩ〕をさＬ・）に少な（すること
がでざる。そのうえ−回申母ブ１／−ドの摩耗が少な（
なるので、回転ブレードの耐久性が増し、回転ブレード
刃先のドレ・・シング回μ（も少な（できる、なお、上
述したドレッシングとは°、ブレードの使用によりブレ
ードが摩耗し切れ味がなくなったものを、研磨して再使
用できるブレードにすることをいう。

また、第１２図は、本実施例によ〜て得られたペレット
４３を、１ノードフレーム４４に固着し、ワイヤボンデ
ィングを施した後、対重したのち不要なリードフレーム
のリード部分を除去して得られた半勇、体装％ｆを示し
ており、ぺｌ／フット３の上端角部が削り取られている
ため、ボンディングワイヤ４５がペレットに接触しにく
（なっていることがわかる。同図において４６は樹脂刊
止物を示すものである。

ところで、上述した実施例において、幅の広い−回転ブ
レードの幅方向の寸法をアライメントパターン、あるい
（ｊ特性チェックパターンなどの種々のパターンの幅寸
法と同程度としたが、切削後に、アライメントパターン
、あるいけ特性チェックパターンなどの種々のパターン
がほぼ削られて認識できなくなる程度の幅であればパタ
ーン幅寸法より小寸法の幅であってもよい。

〔効　果〕

１、ダイシングエリアを、幅広（しかも浅くダイシング
することにより、アライメントパターン。

特性チェックパターン等のダイシングエリアに設けられ
ているイ１し々のパターンを取り去ることができるとい
う効果が得られる。

２、ダイシングエリアをアライメントパターンあるいは
４′♀性チエツクパターンなどの種々のパターンを取り
除（のに会費でかつ十分な量のダイシングすなわち幅広
（浅（ダイシングした後、切削’ｌ′ｔ；さ方向に残っ
た部分を切断に必要なＪ（）小幅寸法でもって幅狭くダ
イシングすることにより、幅広い状態で切断に必要な深
さまでダイシングしたものに比べて切削する部分が大幅
に少なくなるので、切削屑を極力増大させることな（ダ
イシングできるという効果が得られる。

３、ダイシングエリアを幅広（浅くダイシングした後、
切削深さ方向に残った部分を幅狭（ダイシングすること
により、回転ブレードのふれによるペレットの素子形成
領域や配線バクーン付近の損傷を大幅に少（することが
できるという効果が得られる。

４．ダイ７ングエリアを幅広くしかも浅くダイシングし
た後、切削深さ方向に残った部分を幅狭くダイシングし
たウェーッ・に対して、ダイレクトビノクアゾプ方式に
よってベレットに分割する際、ベレット上端角部が削ら
れているため、ベレットの突き上げによる、ベレット同
志の接触が起きても、ベレットの素子形成領域や配線／
＜ターン付近の損傷を少（することができるという効果
力１得られる。

５、ダイシングエリアをすＱ広くダイシングした後、切
削深さ方向に残った部分を幅狭くダイシングしたウェー
ハをベレットに分割しｊこものにつＸ、）て、ベレット
の上端角部が削られているため、種々の衝撃によるベレ
ットの素子形成領域や配線ノくターン付近の損傷を少な
（することができると℃゛う効果が得られる。

６、ダイシングエリアな幅広くダイシングした後、切削
深さ方向に残った部分を幅狭くダイシングしたウェーハ
をベレットに分割したものＫつ（・て、得られたベレッ
トをリードフレームに固液し、ワイヤボンディングした
際、ペレ・ノドの上偏１角部が削られているため、ボン
ディングワイヤがぺ１ノツトに接触することを少１．ｃ
くすることができると℃・う効果が得られる。

７、幅広回転ブレードの刃先形状を７字形状とすること
により、回転ブレードの刃先形状が角ばったものと比べ
て、さらに切削屑を少なくすることができるという効果
が得られる。

８、幅広回転ブレードの刃先形状をＶ字形状とすること
により、回転ブレードの刃先形状が角ばったものと比べ
て、ペレット上端部付近がなだらかに切削されるため、
種々の衝撃によるベレ・ノドの素子形成領域や配線パタ
ーン付近の損傷をさらに少な（することができるという
効果が得られる。

９、幅広回転ブレードと、幅狭回転ブレードを一体形成
した回転ブレードを用いてダイシングすることにより、
二種類の回転ブレードを用℃・てダイシングする場合に
比べて、素早（ダイシングできるという効果が得られる
。

１０、幅広回転ブレードと、幅狭回転ブレードを一体形
成した回転ブレードを用いることにより、二種類の回転
ブレードをドレッシングする場合に比べて、ドレッシン
グ作業が太幅に削減できるという効果が得られる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に゛もとづ
き具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であるということはいうまでもない。

〔利用分野〕

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置のダイシ
ング技術に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではな（、たとえば、板状物の切断、切削
技術などに適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来のダイシング装置を示す概略側面図、 第２図は、ダイシングエリア内にアライメンｌ・パター
ン、及ヒ特性チェノクパターン等の種々σーノパターン
が設けられているウェーハの、一つのベレットとその周
辺を拡大した平面図、 第３図は、従来方式のダイシングを／）ｆ！ｉ　Ｌたウ
ェーハの一部を示す平面図、 第４図，第５図は、本発明のーシ６施例であるダイシン
グ技術を説明するだめの概略側面図、第６図は、本発明
のダイシング技術によるダイシング結果を説明するだめ
の図、 第７図は、第６図の■１　−　■ｌ綜矢視ＬｌＪ’ｉ而
面、第８図，第９図．第１０図ｔ　ＫＬ　］　１図は、
本発明の他の各実施例を説明するだめの図、第１２し！
は、本発明のダイシング技術によって得られたベレット
を用いた半尋体装匝゛ケ示ず断ｉｒｉｉ図である。 １、１１，　１７，　２４，　２５，　３５，　４１．
　４２・・・回転ブレード、２．１２，１８，２６，２
７。 ３６・・・フランジ、３．１３．１９．２８，３０。 ３７・・・ナツト、４，　１４，　２０，　２９，　３
１．　３８・・・回転軸、５，１５，２１，３３．３９
・・・ワーク受台、６，１６，３４．４０・・・被切削
体（ウェーッー）、７．２２．４３・・・ヘレット、８
・・・ダイシングエリア、９・・・ダイシングエリアに
設けられたパターン、１０．２３・・・切り溝、３２・
・・支持体、４４・−・リードフレーム、４５・・・ボ
ンディングワイヤ、４６・・・樹脂封止物、ＷＩ・・・
アライメントパターンあるいは特性チェックパターンな
どの種々のパターンの幅、Ｗ２・・・ダイシング溝幅、
Ｔ、、、　Ｔ、、・・・回転ブレードの幅方向の寸法。 第　１　、＠ 第　２　図 第　３　図 、第　４　図 第　５　図 第　６　図 一第　７　図 ３ ２ 第　８　図 ４ 第　９　図 第１０図 第１１図 第１２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、回転ブレードを用いてウェーハに切り溝を形成する
   ダイシング方法において、切削深さ方向の切りｎｆの溝
   幅な変えるようにダイシングを行なうことを特徴とする
   ダイシング方法。 ２、切り溝の溝幅を変化させるには、幅の異なる複数の
   回転ブレードを用いたダイシングで行なうことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載のダイシング方法。 ３、切り溝の溝幅を変化させるには、幅広ブレードの先
   端部にそれよりも幅狭のブレードを有する一枚の回転ブ
   レードを用いたダイシングで行なうことを特徴とする特
   許言ｎ求の範囲第１項記載のダイシング方法。 ４、　ウェーハを載せることができそのウェーハ主面に
   対してＸＹ方向、高さ方向に移動可能な台と、前記ウニ
   ・−ハをダイシングするブレード幅の広いブレードＡと
   、ウェーハをダイシングするブレードＡよりもブレード
   幅の狭いブレードＢと、ブレードＡ、Ｂを回転可能にイ
   “に持する支持体と、支持体を、試料主面に対してＸＹ
   Ｚ方向に移１：＋ｊ（−＋ｊＪ　７ｉ１謀ｃ　ｇＡ動源
   とからなるダイシング装置。