JPH02303050A - 半導体ウエーハの切断方法 - Google Patents
半導体ウエーハの切断方法Info
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- JPH02303050A JPH02303050A JP1125149A JP12514989A JPH02303050A JP H02303050 A JPH02303050 A JP H02303050A JP 1125149 A JP1125149 A JP 1125149A JP 12514989 A JP12514989 A JP 12514989A JP H02303050 A JPH02303050 A JP H02303050A
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Links
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- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 8
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 41
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体ウェーハを個々の半導体チップに分断する切断工
程の改良に関し、 半導体チップの素子形成領域に悪影古を与えないで、工
数の増加を極力抑えることが可能な半導体ウェーハの切
断方法の提供を目的とし、半導体ウェーハを研磨砥石で
厚さ方向に研削加工し、該半導体ウェーハを切断する工
程が、所定の切断幅より薄い厚さの第１の研磨砥石で研
削を行う第１の研削工程と、前記所定の切断幅の厚さを
有し、粒子の大きさが前記第１の研磨砥石の粒子より小
さい第２の研磨砥石で研削を行う第２の研削工程とから
なるよう構成する。
程の改良に関し、 半導体チップの素子形成領域に悪影古を与えないで、工
数の増加を極力抑えることが可能な半導体ウェーハの切
断方法の提供を目的とし、半導体ウェーハを研磨砥石で
厚さ方向に研削加工し、該半導体ウェーハを切断する工
程が、所定の切断幅より薄い厚さの第１の研磨砥石で研
削を行う第１の研削工程と、前記所定の切断幅の厚さを
有し、粒子の大きさが前記第１の研磨砥石の粒子より小
さい第２の研磨砥石で研削を行う第２の研削工程とから
なるよう構成する。
本発明は、半導体ウェーハを個々の半導体チップに分断
する切断工程の改良に関するものである。
する切断工程の改良に関するものである。
半導体ウェーハを半導体チップに分断する工程において
は、高速回転する研磨砥石を用い、半導体チップの間の
スクライブ領域を研削加工し、切断溝を形成して分断し
ている。
は、高速回転する研磨砥石を用い、半導体チップの間の
スクライブ領域を研削加工し、切断溝を形成して分断し
ている。
この研削加工の際に、半導体チップの上面及び半導体ウ
ェーハの全厚さを研削加工するフルカットの場合には下
面にも、加工に伴って半導体ウェーハの加工部分がかけ
る、チッピングと称する現象が生じる。
ェーハの全厚さを研削加工するフルカットの場合には下
面にも、加工に伴って半導体ウェーハの加工部分がかけ
る、チッピングと称する現象が生じる。
以上のような状況から、半導体ウェーハを半導体チップ
に分断する際に、このチッピングが半導体チップの素子
形成領域に達し、半導体チップの特性の障害とならない
よう極力減少させることが可能な半導体ウェーハの切断
方法が要望されている。
に分断する際に、このチッピングが半導体チップの素子
形成領域に達し、半導体チップの特性の障害とならない
よう極力減少させることが可能な半導体ウェーハの切断
方法が要望されている。
従来の半導体ウェーハの切断方法を第２図〜第３図によ
り詳細に説明する。
り詳細に説明する。
第３図は半導体ウェーハ１の半導体チップ１ａの間に形
成したスクライブ領域１ｂを、研磨砥石により研削加工
し、半導体デツプ１ａに分断するダイシング装置の主要
部の概略構造を示す図である。
成したスクライブ領域１ｂを、研磨砥石により研削加工
し、半導体デツプ１ａに分断するダイシング装置の主要
部の概略構造を示す図である。
図において、切断される半導体ウェーハ１は片面に接着
剤が形成されている固定テープ２に貼り付けられて、ウ
ェーハチャック３の表面に真空等の手段にて吸着固定さ
れている。
剤が形成されている固定テープ２に貼り付けられて、ウ
ェーハチャック３の表面に真空等の手段にて吸着固定さ
れている。
第１ヘツド４及び第２ヘツド５にはそれぞれ研磨砥石が
取り付けられてお゛す、従来の技術では図示の第１砥石
６も第２砥石７も厚さ及び粒子の大きさが同じ研磨砥石
を用いている。
取り付けられてお゛す、従来の技術では図示の第１砥石
６も第２砥石７も厚さ及び粒子の大きさが同じ研磨砥石
を用いている。
第１ヘツド４及び第２ヘツド５に取り付けられている二
つの同じ研磨砥石の間隔がスクライブ領域１ｂの間隔に
一敗するように、ヘッド相互の位置関係をボールねじて
微調整できるようになっている。
つの同じ研磨砥石の間隔がスクライブ領域１ｂの間隔に
一敗するように、ヘッド相互の位置関係をボールねじて
微調整できるようになっている。
このようにヘッド相互の位置関係を微調整した第１ヘツ
ド４及び第２ヘツド５′は共通の固定ベース８に固定さ
れている。
ド４及び第２ヘツド５′は共通の固定ベース８に固定さ
れている。
ウェーハチャック３はＸ−Ｙテーブル９に固定されてお
り、研削加工を行う場合には研磨砥石と平行して往復し
て移動する。
り、研削加工を行う場合には研磨砥石と平行して往復し
て移動する。
第１ヘツド４及び第２ヘツド５を固定している固定ベー
ス８を順次下降させることにより、研磨砥石を半導体ウ
ェーハｌに順次近ずけて研削加工を行う。半導体ウェー
ハ１の全厚みを研削加工する場合ならば、砥石が固定テ
ープ２に達するまで研削加工する。
ス８を順次下降させることにより、研磨砥石を半導体ウ
ェーハｌに順次近ずけて研削加工を行う。半導体ウェー
ハ１の全厚みを研削加工する場合ならば、砥石が固定テ
ープ２に達するまで研削加工する。
このようにして二つの砥石により二側の切断溝の同時研
削加工が完了すると、研磨砥石と半導体ウェーハ１とが
完全に離れる位置まで固定ベース８を上昇し、スクライ
ブ領域１ｂの間隔の二倍だけ研削加工方向と直角方向に
半導体ウェーハエを移動し、再び二側の切断溝の同時研
削加工を開始する。
削加工が完了すると、研磨砥石と半導体ウェーハ１とが
完全に離れる位置まで固定ベース８を上昇し、スクライ
ブ領域１ｂの間隔の二倍だけ研削加工方向と直角方向に
半導体ウェーハエを移動し、再び二側の切断溝の同時研
削加工を開始する。
このようにして同時研削加工と半導体ウェーハｌの移動
を交互に繰り返すことにより全ての切断溝の加工が完了
すると、次にＸ−Ｙテーブル９を９０°回転して既に形
成されている切断溝と直交する切断溝を同様にして研削
加工する。
を交互に繰り返すことにより全ての切断溝の加工が完了
すると、次にＸ−Ｙテーブル９を９０°回転して既に形
成されている切断溝と直交する切断溝を同様にして研削
加工する。
このような研削加工を行った場合の半導体つ〕−一ハ１
の切断部の詳細を第２図に示す。
の切断部の詳細を第２図に示す。
この場合は切断溝幅と同じ寸法の砥石を用いて一回の研
削加工により切断溝を形成しているので、図に示すよう
にこの切断溝の半導体ウェーハｌの表面及びフルカット
の場合は下面の部分にチッピングが発生し易くなってい
る。
削加工により切断溝を形成しているので、図に示すよう
にこの切断溝の半導体ウェーハｌの表面及びフルカット
の場合は下面の部分にチッピングが発生し易くなってい
る。
以上説明した従来の半導体ウェーハの切断方法において
は、所定の切断溝幅と同じ厚さの研摩紙・石を用いてい
るので、工数を削減しようとして研磨砥石の切り込み量
を大きくすると、チッピングが大きくなって半導体チッ
プの素子形成領域に悪影響を与えるようになり、この際
に生じた半導体ウェーハの微少な破片が素子形成領域に
付着する障害が起こるという問題点があり、このチッピ
ングを減少させるためにこの切り込み量を小さくして研
削加工を行うと、非常に大きな工数が必要になる割りに
は、余り効果が出ないという問題点があった。
は、所定の切断溝幅と同じ厚さの研摩紙・石を用いてい
るので、工数を削減しようとして研磨砥石の切り込み量
を大きくすると、チッピングが大きくなって半導体チッ
プの素子形成領域に悪影響を与えるようになり、この際
に生じた半導体ウェーハの微少な破片が素子形成領域に
付着する障害が起こるという問題点があり、このチッピ
ングを減少させるためにこの切り込み量を小さくして研
削加工を行うと、非常に大きな工数が必要になる割りに
は、余り効果が出ないという問題点があった。
本発明は以上のような状況から、半導体チップの素子形
成領域に悪影響を与えないで、工数の増加を極力抑える
ことが可能な半導体ウェーハの切断方法の提供を目的と
したものである。
成領域に悪影響を与えないで、工数の増加を極力抑える
ことが可能な半導体ウェーハの切断方法の提供を目的と
したものである。
本発明の半導体ウェーハの切断方法は、半導体ウェーハ
を研磨砥石でＪ７さ方向に研削加工し、この半導体ウェ
ーハを切断する工程が、所定の切断幅より薄い厚さの第
１の研磨砥石で研削を行う第１の研削工程と、所定の切
断幅の厚さを有し、粒子の大きさが第１の研磨砥石の粒
子より小さい第２の研磨砥石で研削を行う第２の研削工
程とからなるよう構成する。
を研磨砥石でＪ７さ方向に研削加工し、この半導体ウェ
ーハを切断する工程が、所定の切断幅より薄い厚さの第
１の研磨砥石で研削を行う第１の研削工程と、所定の切
断幅の厚さを有し、粒子の大きさが第１の研磨砥石の粒
子より小さい第２の研磨砥石で研削を行う第２の研削工
程とからなるよう構成する。
即ち本発明においては、半導体ウェーハを研磨砥石を用
いて半導体チップに分断するダイシング装置の二つのヘ
ッドの内の第１ヘツドに所定の切断溝幅より薄い厚さの
第１砥石を取りつけて研削加工を行い、第２ヘツドに所
定の切断溝幅の厚さを有し、粒子の大きさが第１砥石の
粒子より小さい第２砥石で行うので、第１砥石で所定の
切断溝幅より幅が狭い切断溝を形成し、その後所定の切
断溝幅と第１砥石で形成した溝幅との差の部分のみを第
１砥石の粒子より粒子が小さな第２砥石で研削加工する
から、この−切断溝の形成の際には半導体ウェーハと第
２砥石とめ間の研削加工抵抗が非常に少なくなり、半導
体チップの素子形成領域に悪影響を与えるようなチッピ
ングが生じることを防止することが可能となる。
いて半導体チップに分断するダイシング装置の二つのヘ
ッドの内の第１ヘツドに所定の切断溝幅より薄い厚さの
第１砥石を取りつけて研削加工を行い、第２ヘツドに所
定の切断溝幅の厚さを有し、粒子の大きさが第１砥石の
粒子より小さい第２砥石で行うので、第１砥石で所定の
切断溝幅より幅が狭い切断溝を形成し、その後所定の切
断溝幅と第１砥石で形成した溝幅との差の部分のみを第
１砥石の粒子より粒子が小さな第２砥石で研削加工する
から、この−切断溝の形成の際には半導体ウェーハと第
２砥石とめ間の研削加工抵抗が非常に少なくなり、半導
体チップの素子形成領域に悪影響を与えるようなチッピ
ングが生じることを防止することが可能となる。
以下第１図、第３図により、本発明による一実施例の寸
法及び粒子の大きさが異なる二種の砥石を用いる方法に
ついて詳細に説明する。
法及び粒子の大きさが異なる二種の砥石を用いる方法に
ついて詳細に説明する。
本発明に用いるダイシング装置の構造は、従来から用い
ている第３図に示すものと同じであるから詳細説明を省
略する。
ている第３図に示すものと同じであるから詳細説明を省
略する。
切断される半導体ウェーハ１のウェーハチャック３への
取り付は方法も同じである。
取り付は方法も同じである。
本発明においては第３図に示すように、第１ヘツド４に
は所定の切断溝幅、本実施例では６０μｍよりｌＯμ雫
薄い５０μ閘厚でダイヤモンド粒子の大きさが４〜８μ
論の第１砥石６が取り付けられており、第２ヘツド５に
は所定の切断溝幅、６０μ閘厚でダイヤモンド粒子の大
きさが１〜２μｍの第２砥石７が取り付けられている。
は所定の切断溝幅、本実施例では６０μｍよりｌＯμ雫
薄い５０μ閘厚でダイヤモンド粒子の大きさが４〜８μ
論の第１砥石６が取り付けられており、第２ヘツド５に
は所定の切断溝幅、６０μ閘厚でダイヤモンド粒子の大
きさが１〜２μｍの第２砥石７が取り付けられている。
第１砥石６と第２砥石７の間隔は、スクライプ領域１ｂ
の間隔に一致するようにヘッド相互の位置関係をボール
ねじを用いてＷＸＢＭ整している。
の間隔に一致するようにヘッド相互の位置関係をボール
ねじを用いてＷＸＢＭ整している。
このようにヘッド相互の位置関係を微調整した第１ヘツ
ド４及び第２ヘツド５は共通の固定ベース８に固定され
ている。
ド４及び第２ヘツド５は共通の固定ベース８に固定され
ている。
ウェーハチャック３はＸ−Ｙテーブル９に固定されてお
り、研削加工を行う場合には研磨砥石と平行して往復し
て移動する。
り、研削加工を行う場合には研磨砥石と平行して往復し
て移動する。
第１ヘツド４及び第２ヘツド５を固定している固定ベー
ス８を順次下降させることにより、研磨砥石を半導体ウ
ェーハｌに順次近ずけて研削加工を行う。半導体ウェー
ハｌの全厚みを研削加工する場合ならば、砥石が固定テ
ープ２に達するまで研削加工する。
ス８を順次下降させることにより、研磨砥石を半導体ウ
ェーハｌに順次近ずけて研削加工を行う。半導体ウェー
ハｌの全厚みを研削加工する場合ならば、砥石が固定テ
ープ２に達するまで研削加工する。
このようにして二つの砥石により二側の切断溝の同時研
削加工が完了すると、砥石と半導体ウェーハ１とが完全
に離れる位置まで固定ベース８を上昇し、スクライブ領
域１ｂの間隔だけ研削加工方向と直角方向に半導体ウニ
′−ハ１を移動し、第１砥石６は新しい切断溝を、第２
砥石７は先に第１砥石６により形成された所定の切断溝
幅より狭い溝の側壁を研削加工する。
削加工が完了すると、砥石と半導体ウェーハ１とが完全
に離れる位置まで固定ベース８を上昇し、スクライブ領
域１ｂの間隔だけ研削加工方向と直角方向に半導体ウニ
′−ハ１を移動し、第１砥石６は新しい切断溝を、第２
砥石７は先に第１砥石６により形成された所定の切断溝
幅より狭い溝の側壁を研削加工する。
研削加工と半導体ウェーハｌの移動を交互に繰り返すこ
とにより全ての切断溝の加工が完了すると、次にＸ−Ｙ
テーブル９を９０”回転して既に形成されている切断溝
と直交する切断溝を同様にして研削加工する。
とにより全ての切断溝の加工が完了すると、次にＸ−Ｙ
テーブル９を９０”回転して既に形成されている切断溝
と直交する切断溝を同様にして研削加工する。
このように第１図（ａｌに示すようにまず一つの切断溝
を第１砥石６を用いてまず研削加工し、つぎの工程で第
１図（ｂ）に示すように第２砥石７を用いて既成の溝の
側壁を研削加工するので、第１砥石６による研削加工と
平行して同時に粒子の大きさが微少な第２砥石７による
研削加工を行っても、研削加工抵抗が非常に小さくなり
、チッピングの発生を防止することが可能となり、切断
溝の側面の面の粗さも非常に小さくなる。
を第１砥石６を用いてまず研削加工し、つぎの工程で第
１図（ｂ）に示すように第２砥石７を用いて既成の溝の
側壁を研削加工するので、第１砥石６による研削加工と
平行して同時に粒子の大きさが微少な第２砥石７による
研削加工を行っても、研削加工抵抗が非常に小さくなり
、チッピングの発生を防止することが可能となり、切断
溝の側面の面の粗さも非常に小さくなる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、従来か
ら使用しているダイシング装置を用いて、二種類の研磨
砥石を二台の各ヘッドに取りつけて研削加工を行うこと
により、チッピングの非常に少ない研削加工を工数を増
加することなく行うことが可能となる利点があり、著し
い経済的及び、（ε頼性向上の効果が期待できる半導体
ウェーハの切断方法の提供が可能となる。
ら使用しているダイシング装置を用いて、二種類の研磨
砥石を二台の各ヘッドに取りつけて研削加工を行うこと
により、チッピングの非常に少ない研削加工を工数を増
加することなく行うことが可能となる利点があり、著し
い経済的及び、（ε頼性向上の効果が期待できる半導体
ウェーハの切断方法の提供が可能となる。
第１図は本発明による一実施例の切断部の詳細を示す断
面図、 第２図は従来の半導体ウェーハの切断方法の切断部の詳
細を示す断面図、 第３図はダイシング装置の主要部の概略構造を示す図、 である。 図において、 １は半導体ウェーハ、 １ａは半導体チップ、 １ｂはスクライプ領域、 ２は固定テープ、 ３はウェーハチャック、 ４は第１ヘツド、 ５は第２ヘツド、 ６は第１砥石、 ７は第２砥石、 ８は固定ベース、 ９はＸ−Ｙテーブル、 を示す。 ｆａｔ 第１砥石により形成された切断部ｊｂｌ
第２砥石ご二より形成された切断部本発明による一実施
例の切断部の詳細を示す断面２第 １ 図 従来の半導体ウヱーへの明所方、去の切断部の詳細を示
す断面図第２図 ＋ａ＋平面図 山） 側 ｒｉＪ 図 ダイシング装置の主！！部の１ＩＦＩ＆構造を示す図第
３ 図
面図、 第２図は従来の半導体ウェーハの切断方法の切断部の詳
細を示す断面図、 第３図はダイシング装置の主要部の概略構造を示す図、 である。 図において、 １は半導体ウェーハ、 １ａは半導体チップ、 １ｂはスクライプ領域、 ２は固定テープ、 ３はウェーハチャック、 ４は第１ヘツド、 ５は第２ヘツド、 ６は第１砥石、 ７は第２砥石、 ８は固定ベース、 ９はＸ−Ｙテーブル、 を示す。 ｆａｔ 第１砥石により形成された切断部ｊｂｌ
第２砥石ご二より形成された切断部本発明による一実施
例の切断部の詳細を示す断面２第 １ 図 従来の半導体ウヱーへの明所方、去の切断部の詳細を示
す断面図第２図 ＋ａ＋平面図 山） 側 ｒｉＪ 図 ダイシング装置の主！！部の１ＩＦＩ＆構造を示す図第
３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウェーハ（１）を研磨砥石で厚さ方向に研削加工
し、該半導体ウェーハ（１）を切断する工程が、 所定の切断幅より薄い厚さの第１の研磨砥石（６）で研
削を行う第１の研削工程と、 前記所定の切断幅の厚さを有し、粒子の大きさが前記第
１の研磨砥石（６）の粒子より小さい第２の研磨砥石（
７）で研削を行う第２の研削工程と、からなることを特
徴とする半導体ウェーハの切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1125149A JPH02303050A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 半導体ウエーハの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1125149A JPH02303050A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 半導体ウエーハの切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02303050A true JPH02303050A (ja) | 1990-12-17 |
Family
ID=14903082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1125149A Pending JPH02303050A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 半導体ウエーハの切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02303050A (ja) |
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2018075694A (ja) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 株式会社ディスコ | 基板の製造方法 |
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-
1989
- 1989-05-17 JP JP1125149A patent/JPH02303050A/ja active Pending
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