JPH0938852A - ウエハの裏面研削方法 - Google Patents
ウエハの裏面研削方法Info
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- JPH0938852A JPH0938852A JP21420195A JP21420195A JPH0938852A JP H0938852 A JPH0938852 A JP H0938852A JP 21420195 A JP21420195 A JP 21420195A JP 21420195 A JP21420195 A JP 21420195A JP H0938852 A JPH0938852 A JP H0938852A
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- JP
- Japan
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- grinding
- wafer
- back surface
- long
- chip
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- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 長尺ＩＣチップ形成ウエハの裏面研削に際
し、長尺ＩＣチップの破断又は割れが発生し難いように
ウエハ裏面を研削する方法を提供する。 【解決手段】 本ウエハの裏面研削方法は、立軸回転テ
ーブル形平面研削機を使用し、回転軸回りに回転する研
削盤の上面に裏面が上を向くようにして長尺ＩＣチップ
形成ウエハを載せ、研削具をウエハに接触、通過させつ
つウエハの裏面を研削する方法である。その際に、ウエ
ハのオリエンテーション・フラットＦの方向が研削盤２
０の回転軸２２の半径方向にほぼ一致するようにウエハ
Ｗを研削盤上に載せ、研削機の研削具３０、３２、３４
が、ウエハが長尺ＩＣチップの長辺に沿って通過しつつ
研削するようにする。これにより、研削跡がオリエンテ
ーション・フラットに略直交する、即ち長尺ＩＣチップ
の長手方向に略沿った円弧状となり、長尺ＩＣチップの
破断又は割れの発生が少なくなる。
し、長尺ＩＣチップの破断又は割れが発生し難いように
ウエハ裏面を研削する方法を提供する。 【解決手段】 本ウエハの裏面研削方法は、立軸回転テ
ーブル形平面研削機を使用し、回転軸回りに回転する研
削盤の上面に裏面が上を向くようにして長尺ＩＣチップ
形成ウエハを載せ、研削具をウエハに接触、通過させつ
つウエハの裏面を研削する方法である。その際に、ウエ
ハのオリエンテーション・フラットＦの方向が研削盤２
０の回転軸２２の半径方向にほぼ一致するようにウエハ
Ｗを研削盤上に載せ、研削機の研削具３０、３２、３４
が、ウエハが長尺ＩＣチップの長辺に沿って通過しつつ
研削するようにする。これにより、研削跡がオリエンテ
ーション・フラットに略直交する、即ち長尺ＩＣチップ
の長手方向に略沿った円弧状となり、長尺ＩＣチップの
破断又は割れの発生が少なくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、長尺ＩＣチップ形
成ウエハの裏面研削方法に関し、更に詳細には、ダイシ
ング工程及びその後続工程でウエハの裏面研削に起因す
る長尺ＩＣチップの破断又は割れ事故を防ぐようにした
ウエハの裏面研削方法に関するものである。
成ウエハの裏面研削方法に関し、更に詳細には、ダイシ
ング工程及びその後続工程でウエハの裏面研削に起因す
る長尺ＩＣチップの破断又は割れ事故を防ぐようにした
ウエハの裏面研削方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】前工程で主面上に多数個のＩＣチップが
形成されたウエハは、ダイシングの工程前に、チップの
厚さを均一にするためにウエハの裏面が研削される。従
来、ウエハの裏面を研削する際には、例えばその研削原
理を図４に示すように、立軸回転テーブル形平面研削盤
等を使用して、裏面を上に向けてウエハＷを研削盤１０
上に配置し、研削盤１０を回転軸１２の回りに回転させ
つつ、研削具１４の研削刃部１６をウエハＷを押しつけ
ウエハＷの裏面を研削している。研削盤１０は、真空吸
着或いは静電吸着等の吸着手段によりウエハＷを確実に
盤上に固定している。ウエハＷは、オリエンテーション
・フラットＦを内側にして研削盤１０の回転軸１２の半
径方向に直交するように研削盤１０上に配置されてい
る。その結果、図５に示すように、オリエンテーション
・フラットに平行な円弧状の研削跡がウエハの裏面に付
いている。
形成されたウエハは、ダイシングの工程前に、チップの
厚さを均一にするためにウエハの裏面が研削される。従
来、ウエハの裏面を研削する際には、例えばその研削原
理を図４に示すように、立軸回転テーブル形平面研削盤
等を使用して、裏面を上に向けてウエハＷを研削盤１０
上に配置し、研削盤１０を回転軸１２の回りに回転させ
つつ、研削具１４の研削刃部１６をウエハＷを押しつけ
ウエハＷの裏面を研削している。研削盤１０は、真空吸
着或いは静電吸着等の吸着手段によりウエハＷを確実に
盤上に固定している。ウエハＷは、オリエンテーション
・フラットＦを内側にして研削盤１０の回転軸１２の半
径方向に直交するように研削盤１０上に配置されてい
る。その結果、図５に示すように、オリエンテーション
・フラットに平行な円弧状の研削跡がウエハの裏面に付
いている。
【０００３】ところで、近年、長尺ＩＣチップ、例えば
長さが５cmで幅が２００μm 〜５００μm のリニアセン
サ用の長尺ＩＣチップが盛んに製造されている。長尺Ｉ
ＣチップＣは、結晶配向の関係等から、図６に示すよう
に、ウエハのオリエンテーション・フラットＦに直交す
る方向に延在して形成されるのが普通である。従来、こ
のような長尺ＩＣチップ形成ウエハの裏面研削も上述の
ような方法で行われていて、研削跡が長尺ＩＣチップの
横断方向に残っている。
長さが５cmで幅が２００μm 〜５００μm のリニアセン
サ用の長尺ＩＣチップが盛んに製造されている。長尺Ｉ
ＣチップＣは、結晶配向の関係等から、図６に示すよう
に、ウエハのオリエンテーション・フラットＦに直交す
る方向に延在して形成されるのが普通である。従来、こ
のような長尺ＩＣチップ形成ウエハの裏面研削も上述の
ような方法で行われていて、研削跡が長尺ＩＣチップの
横断方向に残っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】裏面研削されたウエハ
は、ダイシング工程において長尺ＩＣチップ毎に切り出
され、各長尺ＩＣチップは引き続き後の組立工程に移行
する。しかし、切り出した長尺ＩＣチップが長手方向に
直交する方向で破断したり割れたりする事故が多発し、
長尺ＩＣの製品歩留りが低下すると言う問題があった。
そこで、本発明者等は、破断原因を調査したところ、長
尺ＩＣチップの破断又は割れが研削跡に沿って生じてい
ることから、その原因が裏面研削にあることに気が付い
た。
は、ダイシング工程において長尺ＩＣチップ毎に切り出
され、各長尺ＩＣチップは引き続き後の組立工程に移行
する。しかし、切り出した長尺ＩＣチップが長手方向に
直交する方向で破断したり割れたりする事故が多発し、
長尺ＩＣの製品歩留りが低下すると言う問題があった。
そこで、本発明者等は、破断原因を調査したところ、長
尺ＩＣチップの破断又は割れが研削跡に沿って生じてい
ることから、その原因が裏面研削にあることに気が付い
た。
【０００５】そこで、本発明の目的は、長尺ＩＣチップ
形成ウエハの裏面研削に際し、長尺ＩＣチップの破断又
は割れが発生し難いようにウエハ裏面を研削する方法を
提供することである。
形成ウエハの裏面研削に際し、長尺ＩＣチップの破断又
は割れが発生し難いようにウエハ裏面を研削する方法を
提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、研削跡Ｋ
が、図５に示すように、オリエンテーション・フラット
Ｆに略平行な方向に沿って、即ち長尺ＩＣチップの横断
方向に付いているので、長尺ＩＣチップに力が作用した
とき、長尺ＩＣチップが破断し又は割れ易いのではない
かと考え、研削跡が長尺ＩＣチップの長手方向になるよ
うに研削することに着目し、実験の末に本発明を完成す
るに到った。
が、図５に示すように、オリエンテーション・フラット
Ｆに略平行な方向に沿って、即ち長尺ＩＣチップの横断
方向に付いているので、長尺ＩＣチップに力が作用した
とき、長尺ＩＣチップが破断し又は割れ易いのではない
かと考え、研削跡が長尺ＩＣチップの長手方向になるよ
うに研削することに着目し、実験の末に本発明を完成す
るに到った。
【０００７】上記目的を達成するために、本発明に係る
ウエハの裏面研削方法（以下、第１発明方法と言う）
は、回転する研削盤の上面に裏面を上にして長尺ＩＣチ
ップ形成ウエハを載せ、研削具をウエハの裏面に接触、
通過させつつウエハの裏面を研削する際に、研削具が、
ウエハ上に形成されている長尺ＩＣチップの長辺に沿っ
てウエハの裏面を研削しつつ通過するようにウエハを研
削盤上に配置することを特徴としている。
ウエハの裏面研削方法（以下、第１発明方法と言う）
は、回転する研削盤の上面に裏面を上にして長尺ＩＣチ
ップ形成ウエハを載せ、研削具をウエハの裏面に接触、
通過させつつウエハの裏面を研削する際に、研削具が、
ウエハ上に形成されている長尺ＩＣチップの長辺に沿っ
てウエハの裏面を研削しつつ通過するようにウエハを研
削盤上に配置することを特徴としている。
【０００８】本発明方法を実施する際に使用する研削機
の種類は、特に制約はないが、好適には、例えば１軸又
は複数軸の立軸回転テーブル形平面研削機を使用して行
うことができる。本発明方法を適用するに際し、長尺Ｉ
Ｃチップがウエハのオリエンテーション・フラットに直
交する方向に延在して形成されている場合には、オリエ
ンテーション・フラットの方向と研削盤の回転軸の半径
方向とが一致するようにウエハを研削盤上に載せる。本
発明では、研削具により生じる研削跡が長尺ＩＣチップ
の長辺に沿って生じるので、ウエハをダイシングして得
た長尺ＩＣチップに対して、外力により長尺ＩＣチップ
の長手方向に圧縮応力又は引張応力が生じた場合でも、
また外力により長尺ＩＣチップを横断する方向に捻じれ
又はトルクが生じた場合でも、長尺ＩＣチップの破断又
は割れ事故が従来のウエハの裏面研削方法により研削し
た場合に比べて、大幅に減少する。
の種類は、特に制約はないが、好適には、例えば１軸又
は複数軸の立軸回転テーブル形平面研削機を使用して行
うことができる。本発明方法を適用するに際し、長尺Ｉ
Ｃチップがウエハのオリエンテーション・フラットに直
交する方向に延在して形成されている場合には、オリエ
ンテーション・フラットの方向と研削盤の回転軸の半径
方向とが一致するようにウエハを研削盤上に載せる。本
発明では、研削具により生じる研削跡が長尺ＩＣチップ
の長辺に沿って生じるので、ウエハをダイシングして得
た長尺ＩＣチップに対して、外力により長尺ＩＣチップ
の長手方向に圧縮応力又は引張応力が生じた場合でも、
また外力により長尺ＩＣチップを横断する方向に捻じれ
又はトルクが生じた場合でも、長尺ＩＣチップの破断又
は割れ事故が従来のウエハの裏面研削方法により研削し
た場合に比べて、大幅に減少する。
【０００９】本発明の好適な実施態様は、更に、細研削
を施してウエハ裏面に生じた研削跡の凹凸の深さを小さ
くすることを特徴としている。これにより、研削跡に沿
って生じる破断又は割れの発生を少なくすることができ
る。
を施してウエハ裏面に生じた研削跡の凹凸の深さを小さ
くすることを特徴としている。これにより、研削跡に沿
って生じる破断又は割れの発生を少なくすることができ
る。
【００１０】また、本発明者等は、図５の線Ｉ−Ｉでの
横断面を示す図７のように、研削跡が長尺ＩＣチップの
狭い横幅寸法に比較して無視できない寸法の凹凸になっ
ているから、この研削跡に沿って応力が集中し、破断又
は割れが生じ易いのではないかと考え、鏡面仕上げ程度
に平滑にすることに着目し、実験の末に第２の発明を完
成するに到った。
横断面を示す図７のように、研削跡が長尺ＩＣチップの
狭い横幅寸法に比較して無視できない寸法の凹凸になっ
ているから、この研削跡に沿って応力が集中し、破断又
は割れが生じ易いのではないかと考え、鏡面仕上げ程度
に平滑にすることに着目し、実験の末に第２の発明を完
成するに到った。
【００１１】本発明に係る別のウエハの裏面研削方法
（以下、第２発明方法と言う）は、回転する研削盤の上
面に裏面を上にして長尺ＩＣチップ形成ウエハを載せ、
研削具をウエハの裏面に接触、通過させつつウエハの裏
面を研削する際に、ウエハの裏面を粗研削し、次いで細
研削して鏡面仕上げすることを特徴としている。
（以下、第２発明方法と言う）は、回転する研削盤の上
面に裏面を上にして長尺ＩＣチップ形成ウエハを載せ、
研削具をウエハの裏面に接触、通過させつつウエハの裏
面を研削する際に、ウエハの裏面を粗研削し、次いで細
研削して鏡面仕上げすることを特徴としている。
【００１２】本発明では、ウエハの裏面に粗研削、次い
で細研削を施し鏡面仕上げすることにより、ウエハ裏面
に研削跡が残らないので、長尺ＩＣチップの破断事故を
大幅に減少させることができる。尚、本明細書で、鏡面
仕上げとは、細研削を施して研削跡が残らないように、
ラフネス（凹凸の深さ）を０．０１μm 程度にすること
を言う。インフィード研削ではＪＩＳ規格１５００番以
上の研削具で研削することにより、クリープフィード研
削ではＪＩＳ規格４０００番以上で研削具で研削するこ
とにより、裏面ラフネスを０．０１μm 程度にすること
ができる。尚、インフィード研削とは、切り込み送り速
度を一定にして加工物を繰り返し研削して所定厚さにす
る方式であり、またクリープフィード研削とは、切り込
み量を所定の寸法に固定し、加工物の送り速度を十分低
速にして１パスで所定厚さに研削する方式である。
で細研削を施し鏡面仕上げすることにより、ウエハ裏面
に研削跡が残らないので、長尺ＩＣチップの破断事故を
大幅に減少させることができる。尚、本明細書で、鏡面
仕上げとは、細研削を施して研削跡が残らないように、
ラフネス（凹凸の深さ）を０．０１μm 程度にすること
を言う。インフィード研削ではＪＩＳ規格１５００番以
上の研削具で研削することにより、クリープフィード研
削ではＪＩＳ規格４０００番以上で研削具で研削するこ
とにより、裏面ラフネスを０．０１μm 程度にすること
ができる。尚、インフィード研削とは、切り込み送り速
度を一定にして加工物を繰り返し研削して所定厚さにす
る方式であり、またクリープフィード研削とは、切り込
み量を所定の寸法に固定し、加工物の送り速度を十分低
速にして１パスで所定厚さに研削する方式である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、実施例を挙げ、添付図面
を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説
明する。実施例１ 本実施例は、第１発明方法の実施例方法であって、図１
はその原理を説明するための研削刃部及びウエハの平面
的な配置を示す模式図である。本実施例方法では、３軸
の研削具を備える立軸回転テーブル形平面研削機を使用
し、リニアセンサ用の長尺ＩＣチップＣが図６に示すよ
うにウエハＷのオリエンテーション・フラットＦに対し
て直交する方向に延在するように形成されているウエハ
の裏面にクリープフィード方式により研削を施す。研削
機は、回転軸２２の回りに回転する研削盤２０と、それ
ぞれ円形の粗研削刃部２４、中研削刃部２６及び細研削
刃部２８を有してそれぞれの軸線回りに回転する第１軸
の研削具３０、第２軸の研削具３２及び第３軸の研削具
３４を備えている。
を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説
明する。実施例１ 本実施例は、第１発明方法の実施例方法であって、図１
はその原理を説明するための研削刃部及びウエハの平面
的な配置を示す模式図である。本実施例方法では、３軸
の研削具を備える立軸回転テーブル形平面研削機を使用
し、リニアセンサ用の長尺ＩＣチップＣが図６に示すよ
うにウエハＷのオリエンテーション・フラットＦに対し
て直交する方向に延在するように形成されているウエハ
の裏面にクリープフィード方式により研削を施す。研削
機は、回転軸２２の回りに回転する研削盤２０と、それ
ぞれ円形の粗研削刃部２４、中研削刃部２６及び細研削
刃部２８を有してそれぞれの軸線回りに回転する第１軸
の研削具３０、第２軸の研削具３２及び第３軸の研削具
３４を備えている。
【００１４】本第１発明方法を実施するには、先ず、図
１に示すように、オリエンテーション・フラットＦの方
向と回転軸２２の半径方向とが一致するようにして、研
削盤２０の盤上に複数個の、例えば８個のウエハＷを配
置、保持する。次いで、研削盤２０を回転させ、ウエハ
Ｗの裏面に順次、第１軸の研削具３０の粗研削刃部２４
による粗研削、第２軸の研削具３２の中研削刃部２６に
よる中研削、更に第３軸の研削具３４の細研削刃部２８
による細研削を施す。尚、研削時には、純水を注いで発
生熱及び研削屑の除去を行う。
１に示すように、オリエンテーション・フラットＦの方
向と回転軸２２の半径方向とが一致するようにして、研
削盤２０の盤上に複数個の、例えば８個のウエハＷを配
置、保持する。次いで、研削盤２０を回転させ、ウエハ
Ｗの裏面に順次、第１軸の研削具３０の粗研削刃部２４
による粗研削、第２軸の研削具３２の中研削刃部２６に
よる中研削、更に第３軸の研削具３４の細研削刃部２８
による細研削を施す。尚、研削時には、純水を注いで発
生熱及び研削屑の除去を行う。
【００１５】本実施例方法により研削加工を施したウエ
ハＷの裏面は、図２（ａ）又は（ｂ）に示すように、研
削跡Ｋは、オリエンテーション・フラットＦにほぼ直交
する方向に、従って長尺ＩＣチップの長辺に沿って円弧
状に生じ、かつ図２（ｃ）に示すように研削跡Ｋの凹凸
の深さは従来の研削跡（図７参照）に比べて浅くなっ
た。尚、研削盤２０上にウエハを配置する際の配置位置
の違いにより、研削跡Ｋが図２（ａ）又は（ｂ）に示す
ようになる。これにより、ダイシングして得た長尺ＩＣ
チップＣの破断又は割れ発生の頻度が従来の１〜２％に
比べて０．５％程度に低減することができた。
ハＷの裏面は、図２（ａ）又は（ｂ）に示すように、研
削跡Ｋは、オリエンテーション・フラットＦにほぼ直交
する方向に、従って長尺ＩＣチップの長辺に沿って円弧
状に生じ、かつ図２（ｃ）に示すように研削跡Ｋの凹凸
の深さは従来の研削跡（図７参照）に比べて浅くなっ
た。尚、研削盤２０上にウエハを配置する際の配置位置
の違いにより、研削跡Ｋが図２（ａ）又は（ｂ）に示す
ようになる。これにより、ダイシングして得た長尺ＩＣ
チップＣの破断又は割れ発生の頻度が従来の１〜２％に
比べて０．５％程度に低減することができた。
【００１６】実施例２ 本実施例は、第２発明方法の実施例方法であって、図３
はその原理を説明するための研削刃部及びウエハの平面
的な配置を示す模式図である。本実施例方法では、１軸
の研削具を備える立軸回転テーブル形平面研削機を使用
し、インフィード方式により研削を施す。研削機は、回
転軸の回りに回転する研削盤４０と、楕円形の粗研削刃
部４２又は細研削刃部４４を有して軸線回りに回転する
研削具４６を備えている。本第１発明方法を実施するに
は、先ず、図３（ａ）に示すように、オリエンテーショ
ン・フラットＦの向きを考慮することなく、研削盤４０
の盤上に１個のウエハＷを配置、保持する。次いで、ウ
エハＷの裏面に粗研削刃部４２による粗研削を施す。次
いで、研削刃部をＡＳＴＭ規格で１５００番以上の細研
削刃部４４に代えて、図３（ｂ）に示すように、細研削
を施す。尚、研削時には、純水を注いで発生熱及び研削
屑の除去を行う。
はその原理を説明するための研削刃部及びウエハの平面
的な配置を示す模式図である。本実施例方法では、１軸
の研削具を備える立軸回転テーブル形平面研削機を使用
し、インフィード方式により研削を施す。研削機は、回
転軸の回りに回転する研削盤４０と、楕円形の粗研削刃
部４２又は細研削刃部４４を有して軸線回りに回転する
研削具４６を備えている。本第１発明方法を実施するに
は、先ず、図３（ａ）に示すように、オリエンテーショ
ン・フラットＦの向きを考慮することなく、研削盤４０
の盤上に１個のウエハＷを配置、保持する。次いで、ウ
エハＷの裏面に粗研削刃部４２による粗研削を施す。次
いで、研削刃部をＡＳＴＭ規格で１５００番以上の細研
削刃部４４に代えて、図３（ｂ）に示すように、細研削
を施す。尚、研削時には、純水を注いで発生熱及び研削
屑の除去を行う。
【００１７】以上の研削により、ウエハの裏面のラフネ
スを０．０１μm 以下の鏡面仕上げにすることができ、
これにより、ダイシングして得た長尺ＩＣチップＣの破
断又は割れ発生の頻度が従来の１〜２％に比べて０．２
〜０．５％程度に低減することができた。
スを０．０１μm 以下の鏡面仕上げにすることができ、
これにより、ダイシングして得た長尺ＩＣチップＣの破
断又は割れ発生の頻度が従来の１〜２％に比べて０．２
〜０．５％程度に低減することができた。
【００１８】
【発明の効果】第１発明方法によれば、長尺ＩＣチップ
の長手方向に略沿って研削跡が生じるので、従来のウエ
ハの裏面研削方法による長尺ＩＣチップに比べて、長尺
ＩＣチップの破断又は割れ発生の頻度が著しく低下す
る。また、第２発明方法によれば、研削跡の凹凸の深さ
が従来のウエハの裏面研削方法による研削跡の凹凸に比
べて大幅に浅くなるので、長尺ＩＣチップの破断又は割
れ発生の頻度が著しく低下する。よって、本発明方法を
適用することにより、長尺ＩＣチップの製品歩留りを向
上させることができる。
の長手方向に略沿って研削跡が生じるので、従来のウエ
ハの裏面研削方法による長尺ＩＣチップに比べて、長尺
ＩＣチップの破断又は割れ発生の頻度が著しく低下す
る。また、第２発明方法によれば、研削跡の凹凸の深さ
が従来のウエハの裏面研削方法による研削跡の凹凸に比
べて大幅に浅くなるので、長尺ＩＣチップの破断又は割
れ発生の頻度が著しく低下する。よって、本発明方法を
適用することにより、長尺ＩＣチップの製品歩留りを向
上させることができる。
【図１】実施例１の原理を説明するための研削刃部及び
ウエハの平面的な配置を示す模式図である。
ウエハの平面的な配置を示す模式図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は研削跡の方向を示す図
であり、図２（ｃ）は図２（ａ）の線Ｉ−Ｉでの又は図
２（ｂ）の線II−IIでの断面図である。
であり、図２（ｃ）は図２（ａ）の線Ｉ−Ｉでの又は図
２（ｂ）の線II−IIでの断面図である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ実施例２の
原理を説明するための研削刃部及びウエハの平面的な配
置を示す模式図である。
原理を説明するための研削刃部及びウエハの平面的な配
置を示す模式図である。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ従来のウエ
ハの裏面研削方法を説明するための研削刃部及びウエハ
の平面的な配置を示す模式図及び模式的側面図である。
ハの裏面研削方法を説明するための研削刃部及びウエハ
の平面的な配置を示す模式図及び模式的側面図である。
【図５】従来のウエハの裏面研削方法による研削跡の方
向を示す図である。
向を示す図である。
【図６】長尺ＩＣチップの形成方向を示すウエハの平面
図である。
図である。
【図７】図６の線III −III での断面図である。
１０ 研削盤 １２ 回転軸 １４ 研削具 １６ 研削刃部 ２０ 研削盤 ２２ 回転軸 ２４ 粗研削刃部 ２６ 中研削刃部 ２８ 細研削刃部 ３０ 第１軸の研削具 ３２ 第２軸の研削具 ３４ 第３軸の研削具 ４０ 研削盤 ４２ 粗研削刃部 ４４ 細研削刃部 ４６ 研削具
Claims (3)
- 【請求項１】 回転する研削盤の上面に裏面を上にして
長尺ＩＣチップ形成ウエハを載せ、研削具をウエハの裏
面に接触、通過させつつウエハの裏面を研削する際に、 研削具が、ウエハ上に形成されている長尺ＩＣチップの
長辺に沿ってウエハの裏面を研削しつつ通過するように
ウエハを研削盤上に配置することを特徴とするウエハの
裏面研削方法。 - 【請求項２】 更に、細研削を施してウエハ裏面に生じ
た研削跡の凹凸の深さを浅くすることを特徴とする請求
項１に記載のウエハの裏面研削方法。 - 【請求項３】 回転する研削盤の上面に裏面を上にして
長尺ＩＣチップ形成ウエハを載せ、研削具をウエハの裏
面に接触、通過させつつウエハの裏面を研削する際に、 ウエハの裏面を粗研削し、次いで細研削して鏡面仕上げ
することを特徴とするウエハの裏面研削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21420195A JPH0938852A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | ウエハの裏面研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21420195A JPH0938852A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | ウエハの裏面研削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0938852A true JPH0938852A (ja) | 1997-02-10 |
Family
ID=16651911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21420195A Pending JPH0938852A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | ウエハの裏面研削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0938852A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1304735A3 (en) * | 2001-10-19 | 2003-06-25 | Fujitsu Limited | Semiconductor device manufacture method |
| JP2006120754A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Sharp Corp | 半導体チップの選別方法及び選別装置、半導体チップの研磨方法及び研磨装置、及び半導体装置 |
| JP2010016181A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの分割方法 |
| JP2014159049A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | サファイアウェーハの研削方法 |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP21420195A patent/JPH0938852A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1304735A3 (en) * | 2001-10-19 | 2003-06-25 | Fujitsu Limited | Semiconductor device manufacture method |
| US6951800B2 (en) | 2001-10-19 | 2005-10-04 | Fujitsu Limited | Method of making semiconductor device that has improved structural strength |
| JP2006120754A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Sharp Corp | 半導体チップの選別方法及び選別装置、半導体チップの研磨方法及び研磨装置、及び半導体装置 |
| JP4583873B2 (ja) * | 2004-10-20 | 2010-11-17 | シャープ株式会社 | 半導体チップの研磨装置及び研磨方法 |
| JP2010016181A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの分割方法 |
| JP2014159049A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | サファイアウェーハの研削方法 |
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