JP2003133260A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JP2003133260A
JP2003133260A JP2001322812A JP2001322812A JP2003133260A JP 2003133260 A JP2003133260 A JP 2003133260A JP 2001322812 A JP2001322812 A JP 2001322812A JP 2001322812 A JP2001322812 A JP 2001322812A JP 2003133260 A JP2003133260 A JP 2003133260A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
manufacturing
dicing
semiconductor device
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001322812A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3789802B2 (ja
Inventor
Yoshiaki Shinjo
嘉昭 新城
Yuzo Shimobetsupu
祐三 下別府
Kazuo Teshirogi
和雄 手代木
Kazuhiro Yoshimoto
和浩 吉本
Eiji Yoshida
英治 吉田
Noboru Hayasaka
昇 早坂
Mitsuhisa Watabe
光久 渡部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2001322812A priority Critical patent/JP3789802B2/ja
Priority to DE60223328T priority patent/DE60223328T2/de
Priority to EP02251999A priority patent/EP1304735B1/en
Priority to US10/101,174 priority patent/US6951800B2/en
Priority to TW091105428A priority patent/TW552636B/zh
Priority to KR1020020016671A priority patent/KR100736347B1/ko
Priority to CN021076812A priority patent/CN1218368C/zh
Publication of JP2003133260A publication Critical patent/JP2003133260A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3789802B2 publication Critical patent/JP3789802B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明はバックグラインド工程において背面
に対しバックグラインド処理が実施される半導体装置の
製造方法に関し、製造コストを上昇させることなく、薄
型化された半導体素子の機械的強度を向上することを課
題とする。 【解決手段】 ウェハ１の背面をバックグラインドする
バックグラインド工程と、このバックグラインド工程が
終了した後にウェハ１を所定のダイシングラインに沿っ
てダイシングして個々の半導体素子１０に個片化するダ
イシング工程とを有する半導体装置の製造方法におい
て、バックグラインド工程とダイシング工程との間に、
ダイシング工程でダイシングラインの延在方向と異なる
方向（４５度の方向）に研磨痕２０Ａを形成する研磨痕
形成工程（図５（Ｃ））を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に係り、特にバックグラインド工程において背面に対
しバックグラインド処理が実施される半導体装置の製造
方法に関する。
【０００２】近年、携帯電話に代表されるように、携帯
端末の小型化及び薄型化は急速な勢いで進んでいる。こ
れに伴い、これらの電子機器に搭載される半導体装置に
おいても薄型化が望まれている。
【０００３】このため、ウェハに回路形成した後にウェ
ハの背面をバックグラインドし、これにより半導体素子
（半導体装置）の薄型化を図ることが行なわれている。
半導体素子を薄型化した場合には、半導体素子の機械的
強度は低下する。
【０００４】そこで、薄型化された半導体素子を製造す
る際、各工程において半導体素子に欠陥やチップクラッ
クが発生しないようにする必要がある。
【０００５】
【従来の技術】図１は、従来の半導体装置の製造方法の
一例を示す工程図である。同図では、ウェハ１に対し回
路形成等を行なうウェーハプロセスの終了後、ウェハ１
に対して実施されるバックグラインド工程（図１
（Ａ），（Ｂ））、ダイシング工程（図１（Ｃ），
（Ｄ））、及びダイ付け工程（図１（Ｅ））を示してい
る。
【０００６】ウェーハプロセスの終了したウェハ１は、
図１（Ａ）に示すように、表面保護テープ２に貼着され
る。この際、ウェハ１の回路形成面が表面保護テープ２
と対峙するよう貼着される。これにより、ウェハ１に形
成されている回路形成面は、表面保護テープ２により保
護される。
【０００７】続いて、表面保護テープ２が貼着されたウ
ェハ１は、バックグラインド装置のウェハチャックテー
ブル３に装着される。バックグラインド装置は、回転す
る研磨用砥石ヘッド４を有している。そして、図１
（Ｂ）に示すように、ウェハ１の背面は研磨用砥石ヘッ
ド４に摺接され、これによりウェハ１の背面はバックグ
ラインドされる（バックグラインド工程）。
【０００８】バックグラインド工程において、ウェハ１
が所定の厚さまでバックグラインドされると、図１
（Ｃ）に示されるように、表面保護テープ２がウェハ１
から剥がされると共に、ウェハ１の背面がダイシング用
テープ６に固定される。このダイシング用テープ６は、
枠状のフレーム５に配設されており、その表面にはウェ
ハ１を貼着するための接着剤（例えば、紫外線硬化型の
接着剤）が塗布されている。
【０００９】ウェハ１をダイシング用テープ６に貼着す
ると、フレーム５と共にウェハ１はダイシング装置に搬
送され、ダイシング処理が実施される（ダイシング工
程）。このダイシング処理は、ウェハ１に予め設定され
ているダイシングラインをダイシングソー７によりダイ
シングする。これにより、ウェハ１は複数の半導体素子
１０に個片化される。しかしながら、個片化されても各
半導体素子１０はダイシング用テープ６に貼着された状
態を維持するため、ダイシング用テープ６から脱落する
ようなことはない。
【００１０】ダイシング工程が終了すると、個片化され
た複数の半導体素子１０は、フレーム５と共にダイマウ
ント装置に搬送される。ダイマウント装置では、先ず紫
外線の照射が行なわれ、半導体素子１０を貼着している
接着剤（紫外線硬化型）の接着力を低下させる。続い
て、突き上げピン１１により半導体素子１０を突き上げ
ることにより、半導体素子１０をダイシング用テープ６
から離間させる。
【００１１】このダイシング用テープ６から離脱された
半導体素子１０は、コレット８により吸引されて実装基
板９まで搬送される。そして、半導体素子１０は実装基
板９上にダイ付けされ、これにより実装基板９に実装さ
れる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、ウェ
ハ１を薄くする方法としては、一般的にバックグライン
ドと呼ばれる機械式背面研磨が用いられる（図１（Ｂ）
参照）。このバックグラインド工程において、ウェハ１
の背面に研磨用砥石ヘッド４を当接させ研磨を行なう
と、その仕上がり面（ウェハ１の背面）にはバックグラ
インド研磨痕（以下、ＢＧ研磨痕という）と呼ばれる細
かい傷が発生する。
【００１３】図２は、このＢＧ研磨痕１２を概略的に示
している。同図に示すように、ＢＧ研磨痕１２はウェハ
１上に風車状に形成される。このＢＧ研磨痕１２は、ウ
ェハ１を個片化し個々の半導体素子１０にした場合も、
その背面に残るものである。
【００１４】ここで、個片化された半導体素子１０に形
成されるＢＧ研磨痕１２の形状に注目する。尚、同図に
示すウェハ１に対するダイシングラインは、図中矢印Ｘ
方向と、図中矢印Ｙ方向であるとする。図２に矢印Ａで
示すように切り出された半導体素子１０Ｙは、図中矢印
Ｙ方向（ダイシングラインの方向）と略平行なＢＧ研磨
痕１２が形成されている。また、図２に矢印Ｂで示すよ
うに切り出された半導体素子１０Ｘは、図中矢印Ｘ方向
（ダイシングラインの方向）と略平行なＢＧ研磨痕１２
が形成されている。このように、ダイシングラインの延
在方向（図中矢印Ｘ，Ｙ方向）と略平行なＢＧ研磨痕１
２を有する半導体素子１０Ｘ，１０Ｙは、ウェハ１上に
風車状にＢＧ研磨痕１２が形成される場合には必ず発生
する。
【００１５】図３に示すように、このようなＢＧ研磨痕
１２を有する半導体素子１０Ｘ，１０Ｙを、突き上げピ
ン１１を用いてダイシング用テープ６から離脱させる
際、半導体素子１０Ｘ，１０Ｙには同図に矢印Ｆ１で示
す力が作用する。この力は、図４に示すように半導体素
子１０Ｘ，１０Ｙを曲げる力（図４に矢印Ｆ２で示す
力）となる。
【００１６】このため、ダイシングラインの延在方向
（矢印Ｘ，Ｙ方向）と略平行な、換言すれば半導体素子
１０の外周辺と略平行なＢＧ研磨痕１２を有する半導体
素子１０Ｘ，１０Ｙは、これ以外の方向のＢＧ研磨痕１
２を有する半導体素子１０に比べて機械的強度が弱くな
り、このＢＧ研磨痕１２からチップクラックや割れが発
生してしまうという問題点があった。
【００１７】また、ＢＧ研磨痕１２の下層部には、破砕
層及びマイクロクラックと呼ばれる結晶的欠陥が発生す
るおそれがある。このようなＢＧ研磨痕１２、破砕層及
びマイクロクラックは、前記したようにチップクラック
や割れの原因となる。
【００１８】更に、ＢＧ研磨痕１２はダイシング時のチ
ッピング（ウェハエッジに形成される欠け）発生を促進
し、このチッピングを起点としたチップクラックや割れ
も発生するという問題点もある。例えば１００μm厚に
バックグラインド処理されたウェハ１を□８×８ｍｍの
半導体素子１０に個片化し、そのままの状態で３点曲げ
試験で抗折強度を測定した場合、平均２．８Ｎ、最大値
３．４N、および最小値２Ｎの値を示す。これに対し、
ダイ付け工程にて半導体素子１０をダイシング用テープ
６から突き上げピン１１（１３本）にてピックアップす
る際、半導体素子１０に求められる許容抗折強度（半導
体素子１０が割れない抗折強度限界）は、計算及び実測
に基づき１．８Nであることが分かっている。
【００１９】この値は上記の抗折強度の最小値（２Ｎ）
に極めて近接しており、マージンがほとんどとれていな
い。よって、ダイシング用テープ６の粘着強度バラツキ
により、少しでも粘着強度の高い領域が存在すると、確
実に半導体素子１０に割れが発生してしまう。
【００２０】従って、半導体素子１０の機械的強度の欠
陥部位を削除することにより、半導体素子１０の抗折強
度の最小値を上昇させることが考えられる。この例とし
ては、薬液等を用いたケミカルエッチング方式が考えら
れるが、この方式では設備が高価な上、大量の薬液を使
用する為、多大な製造コストアップとなってしまい現実
的でない。
【００２１】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、半導体装置の製造コストを上昇させることなく、
薄型化された半導体素子の機械的強度を向上しうる半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
【００２３】請求項１記載の発明は、半導体基板の背面
をバックグラインドするバックグラインド工程と、該バ
ックグラインド工程が終了した後に、前記半導体基板を
所定のダイシングラインに沿ってダイシングして個々の
半導体素子に個片化するダイシング工程とを有する半導
体装置の製造方法において、前記バックグラインド工程
と前記ダイシング工程との間に、前記ダイシング工程で
前記ダイシングラインの延在方向と異なる方向に研磨痕
を形成する研磨痕形成工程を設けたことを特徴とするも
のである。
【００２４】上記発明によれば、バックグラインド工程
においてダイシングラインの延在方向と平行な方向に研
磨痕が発生したとしても、その後に実施される研磨痕形
成工程において半導体基板にはダイシングラインの延在
方向と異なる方向に研磨痕が形成されるため、半導体素
子の強度を高めることができる。
【００２５】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の半導体装置の製造方法において、研磨痕形成工程で
は、回転軸が前記ダイシングラインの延在方向と異なる
方向にとなるよう設置されると共に円筒表面が研磨面と
された円筒砥石を用い、前記研磨痕を形成することを特
徴とするものである。
【００２６】上記発明によれば、円筒表面が研磨面とさ
れた円筒砥石を用いることにより、円筒砥石を半導体基
板上で回転させることにより研磨痕を形成することがで
きる。また、円筒砥石の回転軸をダイシングラインの延
在方向と異なる方向となるよう設置するだけで、半導体
基板にダイシングラインの延在方向と異なる方向に研磨
痕を形成することができる。よって、ダイシングライン
の延在方向と異なる方向に対し、研磨痕を容易に形成す
ることができる。
【００２７】また、請求項３記載の発明は、請求項２記
載の半導体装置の製造方法において、前記研磨痕の形成
方向が、前記ダイシングラインに対して略４５度の角度
を有することを特徴とするものである。
【００２８】上記発明のように、研磨痕の形成方向は、
ダイシングラインに対して略４５度となるよう設定する
ことが望ましい。
【００２９】また、請求項４記載の発明は、請求項１記
載の半導体装置の製造方法において、研磨痕形成工程で
は、複数のエンドミルを有した研磨器機を用いて前記研
磨痕を形成することを特徴とするものである。
【００３０】上記発明によれば、複数のエンドミルを有
した研磨器機を用いることにより、半導体基板上には不
規則な研磨痕が形成される。よって、いずれの方向から
応力が印加されても所定の強度を維持するため、製造さ
れる半導体素子の信頼性を向上させることができる。
【００３１】また、請求項５記載の発明は、半導体基板
の背面をバックグラインドするバックグラインド工程
と、該バックグラインド工程が終了した後に、前記半導
体基板を所定のダイシングラインに沿ってダイシングし
て個々の半導体素子に個片化するダイシング工程とを有
する半導体装置の製造方法において、前記バックグライ
ンド工程の終了後に、前記半導体基板の背面にレーザ光
を照射し、前記バックグラインド工程で発生した研磨痕
を除去するレーザ照射工程を設けたことを特徴とするも
のである。
【００３２】上記発明によれば、バックグラインド工程
の終了後に実施されるレーザ照射工程において、バック
グラインド工程で半導体基板の背面に発生した研磨痕は
レーザ光の照射により除去されるため、半導体素子の機
械的強度を向上させることができる。
【００３３】また、請求項６記載の発明は、請求項５記
載の半導体装置の製造方法において、前記レーザ照射工
程で、前記研磨痕と共に破砕層を除去することを特徴と
するものである。
【００３４】上記発明によれば、レーザ照射工程で研磨
痕と共に破砕層をも除去するため、半導体素子の機械的
強度をより向上させることができる。
【００３５】また、請求項７記載の発明は、請求項５ま
たは６記載の半導体装置の製造方法において、前記レー
ザ照射工程を前記ダイシング工程の終了後に実施するこ
とを特徴とするものである。
【００３６】上記発明によれば、レーザ照射工程をダイ
シング工程の終了後に実施することにより、ダイシング
工程で発生した欠けや欠陥をレーザ照射により除去する
ことができる。
【００３７】また、請求項８記載の発明は、請求項７記
載の半導体装置の製造方法において、前記レーザ照射工
程で、個片化された前記半導体素子の外周部に形成され
たチッピングを除去することを特徴とするものである。
【００３８】上記発明によれば、レーザ照射工程で半導
体素子の外周部に形成されたチッピングが除去されるた
め、素子外周からのチップクラックの発生を防止でき、
よって半導体素子の強度を高めることができる。
【００３９】また、請求項９記載の発明は、請求項５ま
たは６記載の半導体装置の製造方法において、前記ダイ
シング工程の終了後に、個片化された前記半導体素子を
実装基板に実装する半導体素子実装工程を有し、かつ、
前記レーザ照射工程を、個片化された前記半導体素子を
ダイシング位置から実装基板へ搬送する途中において実
施することを特徴とするものである。
【００４０】上記発明によれば、個片化された半導体素
子をダイシング位置から実装基板へ搬送する途中におい
て半導体基板の背面にレーザ照射が行なわれるため、前
記した研磨痕の除去と共にダイシング時に発生した塵埃
もレーザ光により除去され、よって半導体素子の実装基
板への実装を確実に行なうことができる。
【００４１】また、請求項１０記載の発明は、請求項５
乃至９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法におい
て、前記レーザ照射工程において、前記半導体素子の外
周のみにレーザ光を照射して前記バックグラインド工程
で発生した研磨痕及びダイシング工程で発生したチッピ
ングを除去することを特徴とするものである。
【００４２】上記発明によれば、半導体素子の外周のみ
にレーザ光を照射して研磨痕及びチッピングを除去する
構成としたことにより、研磨痕及びチッピングに起因す
るチップクラックの発生を防止できると共に、レーザ照
射時間の短縮を図ることができる。
【００４３】即ち、研磨痕及びチッピングが発生してい
る場合、これに起因してチップクラックや割れが発生す
るのは半導体素子の外周である。よって、半導体素子の
外周に研磨痕が存在しなければ、全ての研磨痕等を除去
した場合に比べて効果が劣るものの、チップクラックや
割れの発生を抑制することができる。また、レーザ光の
照射位置が半導体素子の外周に限定されるため、レーザ
照射時間の短縮を図ることができる。
【００４４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。
【００４５】図１は、本発明の第１実施例である半導体
装置の製造方法を示す工程図である。尚、本発明の特徴
はバックグラインド工程、ダイシング工程、及びダイ付
け工程等に特徴があり、他の製造工程は周知の方法を用
いている。このため、図にはバックグラインド工程、ダ
イシング工程、及びダイ付け工程を示して説明し、他の
周知な製造工程についての説明は省略するものとする。
また、以下説明する各実施例の説明及びこれに用いる図
において、既に説明した図１乃至図４に図示した構成と
同一構成については同一符号を付して説明するものとす
る。
【００４６】図５（Ａ）に示されるように、ウェーハプ
ロセスの終了したウェハ１は、表面保護テープ２に貼着
される。この際、ウェハ１の回路形成面が表面保護テー
プ２に貼着され、よってウェハ１の回路形成面は表面保
護テープ２により保護される。
【００４７】続いて、表面保護テープ２が貼着されたウ
ェハ１は、バックグラインド装置のウェハチャックテー
ブル３に装着され、図５（Ｂ）に示すように、ウェハ１
の背面は回転する研磨用砥石ヘッド４（粒度#2000の砥
石）によりバックグラインドされる（バックグラインド
工程）。尚、このバックグラインド工程は、従来と変わ
るところはない。
【００４８】上記したように、このバックグラインド工
程が終了した時点で、その仕上がり面（ウェハ１の背
面）にはＢＧ研磨痕１２が発生している。このとき発生
する１２は、図２を用いて説明したものと同一であり、
ウェハ１上に風車状に形成される。
【００４９】本実施例では、上記したバックグラインド
工程が終了した後、研磨痕形成工程を実施することを特
徴としている。研磨痕形成工程では、ダイシング工程で
形成されたＢＧ研磨痕１２を除去し、ダイシングライン
の延在方向（図中、矢印Ｘ，Ｙで示す方向）と異なる方
向に研磨痕２０Ａを形成する。本実施例では、研磨痕形
成ローラ１４を用いて研磨痕２０Ａを形成する構成とし
ている。
【００５０】研磨痕形成ローラ１４は円筒形状を有して
おり、図６及び図７に拡大して示すように、モータ１５
により回転する構成とされている。この研磨痕形成ロー
ラ１４は、例えば直径が２００ｍｍの円筒形状を有して
おり、上記のモータ１５により５０００ｒｐｍで回転す
る構成とされている。また、研磨痕形成ローラ１４の表
面は砥石（ダイヤモンド砥石）とされており、その粒度
は#4000、研磨量は１μｍ弱とされている。
【００５１】更に、研磨痕形成ローラ１４の回転軸２１
は固定されており、ウェハ１が装着されるテーブル１３
が図中矢印Ｘ方向，Ｙ方向に移動する構成とされてい
る。そして、研磨痕形成ローラ１４の下部をテーブル１
３が通過する際、テーブル１３に装着されたウェハ１が
研磨痕形成ローラ１４と接触することにより、ウェハ１
に対する研磨が行なわれる。
【００５２】本実施例では、研磨痕形成ローラ１４によ
りウェハ１上に形成される研磨痕２０Ａの形成方向が、
ダイシングライン（図中、矢印Ｘ，Ｙ方向）に対して略
４５度の角度を有するよう構成されている。図８は、研
磨痕形成ローラ１４によりウェハ１上に形成された研磨
痕２０Ａを示している。同図に示すように、研磨痕２０
Ａは、ダイシングライン（矢印Ｘ，Ｙ方向）に対して略
４５度の角度を有して形成されている。尚、この角度
は、テーブル１３の進行方向を制御することにより容易
に設定することができ、またこの角度を４５度以外の角
度に変更することも容易に行なうことができる。
【００５３】上記した研磨痕形成工程が終了すると、図
５（Ｄ）に示されるように、表面保護テープ２がウェハ
１から剥がされると共に、ウェハ１の背面がダイシング
用テープ６に固定される。このダイシング用テープ６
は、枠状のフレーム５に配設されており、その表面には
ウェハ１を貼着するための接着剤（例えば、紫外線硬化
型の接着剤）が塗布されている。
【００５４】ウェハ１をダイシング用テープ６に貼着す
ると、フレーム５と共にウェハ１はダイシング装置に搬
送され、ダイシング処理が実施される（ダイシング工
程）。このダイシング処理は、ウェハ１に予め設定され
ているダイシングラインをダイシングソー７によりダイ
シングする。
【００５５】これにより、ウェハ１は複数の半導体素子
１０Ａに個片化される。しかしながら、個片化されても
各半導体素子１０Ａはダイシング用テープ６に貼着され
た状態を維持するため、ダイシング用テープ６から脱落
するようなことはない。また、前記したようにダイシン
グラインの延在方向は各図に矢印Ｘ，Ｙで示す方向であ
るため、個片化された半導体素子１０Ａの外周の各辺も
矢印Ｘ，Ｙで示す方向に沿った状態となっている。
【００５６】ダイシング工程が終了すると、個片化され
た複数の半導体素子１０Ａは、フレーム５と共にダイマ
ウント装置に搬送される。ダイマウント装置では、先ず
紫外線の照射が行なわれ、半導体素子１０Ａを貼着して
いる接着剤（紫外線硬化型）の接着力を低下させる。
【００５７】続いて、突き上げピン１１により半導体素
子１０Ａを突き上げることにより、半導体素子１０Ａを
ダイシング用テープ６から離間させる。この際、図３を
用いて説明したように、突き上げ時には半導体素子１０
Ａに力Ｆ１が作用する。そして、この力Ｆ１は、図９に
示すように半導体素子１０Ａを曲げる力Ｆ２として作用
する。
【００５８】しかしながら本実施例では、研磨痕２０Ａ
の形成方向がスクライブライン（これは、矢印Ｘ，Ｙ方
向、半導体素子１０Ａの外周辺の延在方向と等しい）と
異なる方向に、詳細にはスクライブラインに対し４５度
の角度を持っているため、前記したＢＧ研磨痕１２がス
クライブラインと平行に形成された半導体素子１０Ｘ，
１０Ｙ（図４参照）に比べて曲げ応力に強くなり、チッ
プクラックや割れの発生を防止することができる。
【００５９】例えば、半導体素子の厚さ４００μｍにて
スクライブライン（半導体素子の外周辺）に対し0度の
角度をもつものは約１１Ｎ、45度の角度をもつものの強
度は約３０Ｎとなる。半導体素子の厚さ１００μｍでは
0度の角度をもつものは約０．８Ｎ、４５度の角度をも
つものの強度は約１．７Ｎとなる。
【００６０】上記のようにしてダイシング用テープ６か
ら離脱された半導体素子１０は、図５（Ｆ）に示すよう
に、コレット８により吸引されて実装基板９まで搬送さ
れる。そして、半導体素子１０は実装基板９上にダイ付
けされ、これにより実装基板９に実装される。
【００６１】上記のように本実施例では、研磨痕形成ロ
ーラ１４をウェハ１上で回転させることにより、ＢＧ研
磨痕１２を除去すると共に研磨痕２０Ａを形成すること
ができる。また、研磨痕形成ローラ１４の回転軸２１を
ダイシングラインの延在方向と異なる方向となるよう設
置するだけで、ウェハ１にダイシングラインの延在方向
と異なる方向に研磨痕２０Ａを形成することができる。
よって、ダイシングラインの延在方向と異なる方向に対
し、研磨痕２０Ａを容易に形成することができる。
【００６２】また、バックグラインド工程においてダイ
シングラインの延在方向と平行な方向にＢＧ研磨痕１２
が発生したとしても、その後に実施される研磨痕形成工
程においてウェハ１にはダイシングラインの延在方向と
異なる方向に研磨痕２０Ａが形成されるため、上記した
ように半導体素子１０Ａの強度を高めることができる。
【００６３】次に、本発明の第２実施例である半導体装
置の製造方法について説明する。
【００６４】本実施例に係る半導体装置の製造方法は、
図５乃至図９を用いて説明した第１実施例に係る製造方
法に対し、研磨痕形成工程が異なるのみで他の工程は同
一である。このため、本実施例の説明においては、研磨
痕形成工程についてのみ説明し、他の工程の説明につい
ては省略するものとする。
【００６５】本実施例においても、研磨痕形成工程にお
いてダイシング工程で形成されたＢＧ研磨痕１２を除去
し、ダイシングラインの延在方向（図中、矢印Ｘ，Ｙで
示す方向）と異なる方向に研磨痕２０Ｂを形成する。本
実施例では、研磨装置１７を用いて研磨痕２０Ｂを形成
する構成としている。
【００６６】研磨装置１７は、モータ１９により回転駆
動される複数（本実施例では６個）のエンドミル１８を
有している。このエンドミル１８の直径は５ｍｍであ
り、モータ１９に直結している。このエンドミル１８が
回転した状態でウェハ１上を走行することにより、バッ
クグラインド工程で発生したＢＧ研磨痕１２が除去され
ると共に、新たに研磨痕２０Ｂが形成されている。
【００６７】この際、ウェハ１はバキュームによってテ
ーブル１３の上に固定され、研磨機がウェハの上を動き
研磨する。また、本実施例では、テーブル１３に固定さ
れたウェハ１に対して移動する構成とされている。具体
的には、図１２に示されるように、研磨装置１７は図中
矢印Ｘ方向に移動してエンドミル１８によりウェハ１の
研磨処理を行なう。
【００６８】そして、ウェハ１上を通り過ぎると図中矢
印Ｙ方向に３ｍｍ移動し、続いて−Ｘ方向に移動してウ
ェハ１の研磨を行なう。以下、この手順を繰り返すこと
により、ウェハ１の背面全面にわたりエンドミル１８に
よる研削処理を行なう。図１３は、このようにして形成
された研磨痕２０Ｂを示している。同図に示すように、
本実施例では複数のエンドミル１８が回転しつつウェハ
１上を移動して研磨処理を行なうため、ウェハ１には方
向性のない研磨痕２０Ｂが形成される。
【００６９】よって、この研磨痕２０Ｂが形成されたウ
ェハ１をダイシング工程において個片化して半導体素子
１０Ｂを形成した場合も、図１４に示すように研磨痕２
０Ｂは半導体素子１０Ｂに残るため、前記したＢＧ研磨
痕１２がスクライブラインと平行に形成された半導体素
子１０Ｘ，１０Ｙ（図４参照）に比べて曲げ応力に強く
なり、チップクラックや割れの発生を防止することがで
きる。また、本実施例によれば研磨痕２０Ｂは不規則な
形状で規則性がないため、いずれの方向から応力Ｆ２が
印加されても所定の強度を維持するため、製造される半
導体素子１０Ｂの信頼性を向上させることができる。
【００７０】次に、本発明の第３実施例である半導体装
置の製造方法について説明する。
【００７１】本実施例に係る半導体装置の製造方法は、
図５乃至図９を用いて説明した第１実施例に係る製造方
法に対し、研磨痕形成工程に代えてレーザ照射工程を実
施することを特徴とするものである。しかしながら、レ
ーザ照射工程以外の他の工程は同一であるため、本実施
例の説明においてはレーザ照射工程についてのみ説明
し、他の工程の説明については省略するものとする。
【００７２】本実施例では、バックグラインド工程が終
了した後にレーザ照射工程を実施する。このレーザ照射
工程では、レーザ照射装置３０Ａを用い、ＢＧ研磨痕１
２が形成されたウェハ１に対してレーザ光３１の照射を
行なう。レーザ照射装置３０Ａはレーザ光３１を走査さ
せる機構（走査機構）を有しており、これによりレーザ
光３１はウェハ１の背面全面に照射可能な構成となって
いる。
【００７３】図１９は、走査機構を含むレーザ照射装置
３０Ａの具体的構成を示している。レーザ発生装置３３
は、レーザ光３１を生成する装置である。本実施例で
は、レーザ発生装置３３が生成するレーザ波長は、２０
０ｎｍ〜７００ｎｍを使用している。
【００７４】半導体材料（例えば、ウェハ１）のレーザ
浸透深さの波長依存性は大きく、波長が長い程、レーザ
の浸透深さが深くなる特性を有する。これによりウェハ
１の厚み次第では、背面へのレーザ照射が表面に形成さ
れている回路層へ影響を与えることも十分考えられる。
このことから、ウェハ厚により使用する波長を適宜選択
する必要がある。例えば、ウェハ１の厚さが５０μm未
満の場合は波長２００ｎｍ〜４５０ｎｍのレーザ光３１
を使用し、ウェハ１の厚さが５０μm以上の場合には波
長２００ｎｍ〜７００ｎｍのレーザ光３１を使用するこ
とができる。
【００７５】一方、レーザ発生装置３３が生成するレー
ザ光３１をレーザパルス幅から考察すると、本実施例で
使用できるレーザパルス幅は１００ｆｓ〜２００μｓで
ある。
【００７６】照射されたレーザ光３１はウェハ１内部
（シリコン内部）で吸収されて熱に変換されるが、この
ときの熱拡散距離はｄ＝√（４ｋｔ）（ｋ：熱拡散率
［?／ｓ］，ｔ：パルス幅［ｓ］）で表される。即ち、
パルス幅が長い程、熱がシリコン内を伝導し溶融する時
間が十分にある為、結果として熱的な加工が起り易い。
【００７７】一方パルス幅が十分に短い場合は、熱拡散
がほとんどなく、照射エネルギーは格子系へ移乗、分子
結合が破壊し非熱的加工（アブレーション）が起こる。
１００ｐｓ〜２００μｓのパルス幅では、熱的加工の挙
動をとることから、比較的熱影響を受けにくい半導体素
子に使用される。この場合、照射領域外へも熱を伝導す
る為、レーザ光３１を走査して背面処理する場合に走査
ピッチを比較的大きくとることができ、短時間で処理す
ることができる。また、１００ｆｓ〜１００ｐｓのパル
ス幅とした場合には、非熱的加工の挙動となり、加熱を
できるだけ避けたい半導体素子への背面処理に使用す
る。
【００７８】続いて、レーザ照射装置３０Ａの走査機構
について説明する。
【００７９】本実施例では、図１７に示すようの、レー
ザスポット３１ａのスポット径ｄをφ１０〜１００μm
とし、ウェハ１もしくは半導体素子１０の背面を走査さ
せる。本実施例では、このレーザスポット３１ａ（レー
ザ光３１）を走査させるのに、Ｘ方向用ガルバノミラー
３４とＹ方向用ガルバノミラー３５の二つのガルバノミ
ラーを用いている。各ガルバノミラー３４，３５で反射
されたレーザ光３１は集光レンズ３６を介してウェハ１
に照射される。
【００８０】上記のＸ方向用ガルバノミラー３４は、レ
ーザ発生装置３３から出射されたレーザ光３１の進行方
向をＸ方向に可変する。また、Ｙ方向用ガルバノミラー
３５は、レーザ発生装置３３から出射されたレーザ光３
１の進行方向をＹ方向に可変する。各ガルバノミラー３
４，３５は独立して回転する構成とされており、よって
各ガルバノミラー３４，３５の回転が組み合わされるこ
とにより、レーザ光３１はウェハ１上をＸ方向及びＹ方
向に走査する。
【００８１】この構成によれば、光学的にレーザ光３１
の照射位置を走査させる為、高速走査が可能である。し
かし、照射範囲が狭いため、比較的小径のウェハ１に対
し適用される。
【００８２】また、図１７に示すように、レーザ光３１
の走査ピッチはレーザスポット３１ａの直径の３０〜８
０％とし、必ずレーザスポット３１ａの一部が重なり合
うようにする。また、レーザ光３１のパルス幅が１００
ｐｓ〜２００μｓの場合では、隣接するレーザスポット
３１ａの重なっている領域がスポット３１ａの直径の５
０〜８０％であっても、熱的加工の為にレーザ比較的平
坦度の高い仕上げができる。一方、１００ｆｓ〜１００
ｐｓの短パルスの場合は、非熱的加工で照射領域内のみ
に加工が限定される為、３０〜６０％の短ピッチで走査
することが望ましい。
【００８３】尚、走査機構は、上記したガルバノミラー
３４，３５を用いる構成に限定されものではない。例え
ば、図２０に示すレーザ照射装置３０Ｂは、走査機構と
してＸＹテーブル３８を用いたものである。この構成で
は、レーザ発生装置３３を固定し、このレーザ発生装置
３３から発射されたレーザ光３１を、ＸＹテーブル３８
上のウェハ１にミラー３７を介して照射する。ＸＹテー
ブル３８はウェハ１をＸ方向及びＹ方向に移動できるた
め、相対的にレーザ光３１をウェハ１上で走査させるこ
とができる。この構成は、比較的広範囲の照射が可能で
あるため、大面積を有するウェハ１に適用して効果が大
である。
【００８４】また、図２１に示すレーザ照射装置３０Ｃ
は、図１９に示したレーザ照射装置３０Ａと図２０に示
したレーザ照射装置３０Ｂを組み合わせた構成のもので
ある。即ち、レーザ発生装置３３から発射したレーザ光
３１をＸ方向に可変するのにＸ方向用ガルバノミラー３
４を用い、また相対的にレーザ光３１をウェハ１上でＹ
方向に走査させるのにＹ方向用テーブル３９を用いたも
のである。この構成によれば、広範囲を比較的高速で走
査させることができる。
【００８５】次に、図１６を参照して、レーザ照射工程
の実施前と実施後のウェハ１の背面状態について説明す
る。図１６（Ａ）は、レーザ照射工程を実施する前のウ
ェハ１の背面を拡大して示す図であり、図１６（Ｂ）は
レーザ照射工程を実施した後のウェハ１の背面を拡大し
て示す図である。
【００８６】前記したようにバックグラインド工程の終
了後には、図１６（Ａ）に示されるように、ウェハ１の
背面にはＢＧ研磨痕１２が形成されており、更にそれよ
り深い位置には破砕層３２が形成されている。また、Ｂ
Ｇ研磨痕１２及び破砕層３２に加え、チッピングが発生
している場合もある。このＢＧ研磨痕１２，破砕層３
２，及びチッピングは、曲げ力等の外力が印加された際
にチップクラックや割れの原因となる。
【００８７】しかしながら、レーザ照射工程においてレ
ーザ光３１を照射することにより、図１６（Ｂ）に示す
ように、ＢＧ研磨痕１２，破砕層３２，及びチッピング
は除去されてしまう。従って、レーザ照射工程終了後に
おけるウェハ１の背面は、ＢＧ研磨痕１２，破砕層３
２，及びチッピングの存在しない略平滑な面となる。こ
のため、半導体素子１０の機械的強度を向上させること
ができ、突き上げピン１１による突き上げ時等の外力印
加時においてもチップクラックや割れが発生することを
確実に防止することができる。
【００８８】本実施例による、半導体素子１０の抗折強
度実測値の変化を図１８に示す。半導体素子１０は、□
８×８ｍｍ、厚さ１００μmのＢＧ研磨痕１２が形成さ
れた状態のものである。レーザ発生装置３３は、波長５
３２ｎｍで、パルス幅２００μｓのものを使用した。半
導体素子１０の背面処理方法は、前記したレーザ照射装
置３０Ａを用い、レーザスポット31aのスポット径１０
０μｍのガルバノ走査方式（ピッチ５０μm）を用い
た。
【００８９】前記したように、ＢＧ研磨痕１２を除去し
ない従来の半導体素子１０Ｘ，１０Ｙの場合、チップピ
ックアップ時の許容抗折強度が１．８Nに対し、実測抗
折強度は平均２．８N、最小値２Nと非常にマージンの無
い状態にある。しかしながら、本実施例によりレーザ光
３１をウェハ１の背面に照射したものであると、その実
測抗折強度は、平均５N、最大値５．６N、最小値４．３
Nという結果が得られた。
【００９０】これにより、ダイ付け工程において突き上
げピン１１を用いて半導体素子１０をダイシング用テー
プ６からピックアップするのに十分な機械的強度マージ
ンを確保できたことが確認された。また、レーザ光３１
を照射しない半導体素子１０（ウェハ１）では、１００
μm厚以下では確実にピックアップ不可能とされていた
が、レーザ光３１の照射を行なうと８０μm厚であって
もピックアップが可能となった。
【００９１】次に、本発明の第４実施例である半導体装
置の製造方法について説明する。
【００９２】尚、本実施例に係る半導体装置の製造方法
の説明において、図１５乃至図１８を用いて説明した第
３実施例に係る製造方法と同一構成及び同一工程につい
ては、その説明を省略するものとする。
【００９３】本実施例では、ダイシング工程の終了後に
レーザ照射工程を実施することを特徴とするものであ
る。即ち、図２２に示すように、ウェハ１をダイシング
ライン４０に沿ってフルカットダイシングした後、ウェ
ハ単位でレーザ光３１をウェハ１の背面に照射する。
【００９４】図２３（Ａ）は、レーザ照射工程を実施す
る前のウェハ１の背面を拡大して示す図であり、図２３
（Ｂ）はレーザ照射工程を実施した後のウェハ１の背面
を拡大して示す図である。
【００９５】前記したように本実施例では、バックグラ
インド工程及びダイシング工程が終了した後にレーザ照
射工程を実施するため、レーザ照射工程を実施する前の
ウェハ１には、図２３（Ａ）に示すようにＢＧ研磨痕１
２，破砕層３２が形成されると共に、ダイシング位置に
はチッピング４１が形成されている。このＢＧ研磨痕１
２，破砕層３２，及びチッピング４１は、半導体素子１
０に曲げ力等の外力が印加された際にチップクラックや
割れの原因となる。
【００９６】しかしながら、レーザ照射工程においてレ
ーザ光３１を照射することにより、図２３（Ｂ）に示す
ように、ＢＧ研磨痕１２及び破砕層３２は除去されてし
まう。更に、もともと強度が弱いチッピング４１におい
ては、チッピング４１が除去された後、半導体素子１０
の外周部分が加工されて面取り部４２（断面視した場合
に湾曲形状を有する）が形成される。
【００９７】従って、レーザ照射工程終了後における半
導体素子１０の背面は、ＢＧ研磨痕１２や破砕層３２の
存在しない略平滑な面となる。更に、外周部分には面取
り部４２が形成された構成となる。このため、半導体素
子１０の機械的強度を向上させることができ、突き上げ
ピン１１による突き上げ時等の外力印加時においてもチ
ップクラックや割れが発生することを確実に防止するこ
とができる。
【００９８】次に、本発明の第５実施例である半導体装
置の製造方法について説明する。
【００９９】尚、本実施例に係る半導体装置の製造方法
の説明において、図１５乃至図１８を用いて説明した第
３実施例に係る製造方法と同一構成及び同一工程につい
ては、その説明を省略するものとする。
【０１００】本実施例では、レーザ照射工程を、個片化
された半導体素子１０をダイシング位置から実装基板９
へ搬送する途中において実施することを特徴としてい
る。即ち本実施例では、ダイ付け工程の途中にレーザ照
射工程を割り込ませた構成とされている。
【０１０１】前記したように、ダイ付け工程ではダイシ
ング工程により個片化された半導体素子１０が突き上げ
ピン１１により突き上げられることによりダイシング用
テープ６から離間し、図２４（Ａ）に示されるようにコ
レット８にピックアップされる。前記した各実施例で
は、コレット８は図２４（Ｃ）のように直ちに半導体素
子１０を実装基板９に搬送する構成としていたが、本実
施例では半導体素子１０を実装基板９に搬送する途中位
置にレーザ照射装置３０Ａを設けている。そして、この
実装基板９への搬送途中において、図２４（Ｂ）に示す
ように半導体素子１０の背面にレーザ光３１の照射が行
なわれる。
【０１０２】このように、本実施例においては，第４実
施例ではダイシング工程が行なわれたウェハ１に対しウ
ェハ単位でレーザ光３１の照射が行われたが、本実施例
ではダイシング工程の終了後に個片化された半導体素子
単位でレーザ光３１の照射が行なわれる構成とされてい
る。
【０１０３】本実施例も、前記した第４実施例と同様に
ダイシング工程の終了後にレーザ光３１の照射を行なう
ため、ＢＧ研磨痕１２，破砕層３２と共にチッピング４
１が除去され、更に半導体素子１０の外周部分に面取り
部４２が形成される。従って、レーザ照射工程終了後に
おける半導体素子１０の背面は、ＢＧ研磨痕１２や破砕
層３２の存在しない略平滑な面となると共に外周部分に
は面取り部４２が形成される。
【０１０４】このため、半導体素子１０の機械的強度を
向上させることができ、突き上げピン１１による突き上
げ時等の外力印加時においてもチップクラックや割れが
発生することを確実に防止することができる。更に、ダ
イシング時に発生し、半導体素子１０の背面に付着した
塵埃もレーザ光３１により除去されるため、半導体素子
１０の実装基板９への実装を確実に行なうことができ
る。
【０１０５】次に、本発明の第６実施例である半導体装
置の製造方法について説明する。
【０１０６】尚、本実施例に係る半導体装置の製造方法
の説明において、図１５乃至図１８を用いて説明した第
３実施例に係る製造方法と同一構成及び同一工程につい
ては、その説明を省略するものとする。
【０１０７】ＢＧ研磨痕１２，破砕層３２を除去するた
めのレーザ照射範囲は、全面照射及び一部照射に分けら
れる。全面照射ではウェハ１或いは半導体素子１０の背
面上のあらゆる欠陥を全て削除することができるが、走
査型の照射方法の場合、処理時間が長くかかってしま
う。
【０１０８】そこで本実施例では、図２５に示すよう
に、半導体素子１０Ｃの外周のみにレーザ光３１を照射
して研磨痕を除去する構成としたことを特徴とするもの
である。具体的には、半導体素子１０Ｃにレーザ光３１
を照射したレーザ照射部４５と、レーザ光３１を照射し
ないレーザ未照射部４６とを設けた。従って、レーザ未
照射部４６には依然としてＢＧ研磨痕１２等が存在して
いる。
【０１０９】本実施例のように、半導体素子１０Ｃの外
周部分にのみレーザ照射部４５を形成した構成でも、研
磨痕１２等に起因するチップクラックの発生を防止でき
る。即ち、研磨痕１２が発生している場合、これに起因
してチップクラックや割れが発生するのは半導体素子１
０Ｃの外周である。よって、半導体素子１０Ｃの外周に
研磨痕１２が存在しなければ、全ての研磨痕１２を除去
した場合に比べて効果が劣るものの、チップクラックや
割れの発生を抑制することができる。
【０１１０】また、半導体素子１０Ｃの外周部分にのみ
レーザ照射部４５を形成する場合、半導体素子１０Ｃの
全体にレーザ光３１の照射を行なう場合に比べて照射面
積が小さくなるため、レーザ照射時間の短縮を図ること
ができる。
【０１１１】次に、本発明の第７実施例である半導体装
置の製造方法について説明する。
【０１１２】尚、本実施例に係る半導体装置の製造方法
の説明において、図１５乃至図１８を用いて説明した第
３実施例に係る製造方法と同一構成及び同一工程につい
ては、その説明を省略するものとする。
【０１１３】本実施例は、ウェハ１若しくは半導体素子
１０に対してひとまわり大きい径を持つレーザ光３１Ｂ
を照射しうるレーザ照射装置３０Ｄを用いたことを特徴
とするものである。この構成では、レーザ光を走査する
必要が無いため、処理時間の短縮を図ることができる。
また、一括的にウェハ１若しくは半導体素子１０の背面
全面が処理されるため、均一な仕上面を得ることが可能
となる。
【０１１４】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。
【０１１５】請求項１および請求項３記載の発明によれ
ば、バックグラインド工程においてダイシングラインの
延在方向と平行な方向に研磨痕が発生したとしても、そ
の後に実施される研磨痕形成工程において半導体基板に
はダイシングラインの延在方向と異なる方向に研磨痕が
形成されるため、半導体素子の強度を高めることができ
る。
【０１１６】また、請求項２記載の発明によれば、ダイ
シングラインの延在方向と異なる方向に対し、研磨痕を
容易に形成することができる。
【０１１７】また、請求項４記載の発明によれば、半導
体基板上には不規則な研磨痕が形成されるため、いずれ
の方向から応力が印加されても所定の強度を維持し、よ
って製造される半導体素子の信頼性を向上させることが
できる。
【０１１８】また、請求項５記載の発明によれば、バッ
クグラインド工程で半導体基板の背面に発生した研磨痕
はレーザ光の照射により除去されるため、半導体素子の
機械的強度を向上させることができる。
【０１１９】また、請求項６記載の発明によれば、レー
ザ照射工程で研磨痕と共に破砕層をも除去するため、半
導体素子の機械的強度をより向上させることができる。
【０１２０】また、請求項７記載の発明によれば、レー
ザ照射工程をダイシング工程の終了後に実施することに
より、ダイシング工程で発生した欠けや欠陥をレーザ照
射により除去することができる。
【０１２１】また、請求項８記載の発明によれば、レー
ザ照射工程で半導体素子の外周部に形成されたチッピン
グが除去されるため、素子外周からのチップクラックの
発生を防止でき、よって半導体素子の強度を高めること
ができる。
【０１２２】また、請求項９記載の発明によれば、個片
化された半導体素子をダイシング位置から実装基板へ搬
送する途中において半導体基板の背面にレーザ照射が行
なわれるため、前記した研磨痕の除去と共にダイシング
時に発生した塵埃もレーザ光により除去され、よって半
導体素子の実装基板への実装を確実に行なうことができ
る。
【０１２３】また、請求項１０記載の発明によれば、研
磨痕及びチッピングに起因するチップクラックの発生を
防止できると共に、レーザ照射時間の短縮を図ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の一例である半導体装置の製造方法の工程
図である。
【図２】従来のバックグラインド工程において形成され
るＢＧ研磨痕を説明するための図である。
【図３】従来の問題点を説明するための図である（その
１）。
【図４】従来の問題点を説明するための図である（その
２）。
【図５】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法の工程図である。
【図６】研磨痕形成ローラを拡大して示す斜視図であ
る。
【図７】研磨痕形成ローラを拡大して示す平面図であ
る。
【図８】研磨痕形成ローラにより形成される研磨痕を説
明するための図である。
【図９】第１実施例の効果を説明するための図である。
【図１０】本発明の第２実施例である半導体装置の製造
方法の工程図である。
【図１１】研磨装置を拡大して示す斜視図である。
【図１２】エンドミル１８により研磨方向を説明するた
めの図である。
【図１３】研磨装置により形成される研磨痕を説明する
ための図である。
【図１４】第２実施例の効果を説明するための図であ
る。
【図１５】本発明の第３実施例である半導体装置の製造
方法の工程図である。
【図１６】第３実施例におけるレーザ照射前のウェハ
と、レーザ照射後のウェハを示す図である。
【図１７】レーザ光の走査を説明するための図である。
【図１８】第３実施例の効果を説明するための図であ
る。
【図１９】レーザ照射装置のレーザ走査機構の一例を示
す図である（その１）。
【図２０】レーザ照射装置のレーザ走査機構の一例を示
す図である（その２）。
【図２１】レーザ照射装置のレーザ走査機構の一例を示
す図である（その３）。
【図２２】本発明の第４実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図である。
【図２３】第４実施例におけるレーザ照射前のウェハ
と、レーザ照射後のウェハを示す図である。
【図２４】本発明の第５実施例である半導体装置の製造
方法の工程図である。
【図２５】本発明の第６実施例である半導体装置の製造
方法により個片化された半導体素子を示す図である。
【図２６】本発明の第７実施例である半導体装置の製造
方法におけるレーザ照射工程を示す図である。
【符号の説明】
１ ウェハ ２ 表面保護テープ ４ 研磨用砥石ヘッド ６ ダイシング用テープ ７ ダイシングソー ８ コレット ９ 基板 １０，１０Ｘ，１０Ｙ，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ 半導
体素子 １１ 突き上げピン １２ ＢＧ研磨痕 １３ テーブル １４ 研磨痕形成ローラ １７ 研磨装置 １８ エンドミル ２０Ａ，２０Ｂ 研磨痕 ３０Ａ〜３０Ｄ レーザ照射装置 ３１ レーザ光 ３１ａ レーザスポット ３０ｂ 大径レーザ光 ３２ 破砕層 ３３ レーザ発生装置 ３４ Ｘ方向用ガルバノミラー ３５ Ｙ方向用ガルバノミラー ３６ 集光レンズ ３８ ＸＹテーブル ３９ Ｙ方向用テーブル ４０ ダイシングライン ４１ チッピング ４２ 面取り部 ４５ レーザ照射部 ４６ レーザ未照射部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 手代木 和雄 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 吉本 和浩 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 吉田 英治 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 早坂 昇 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 渡部 光久 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 4E068 DB00

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板の背面をバックグラインドす
    るバックグラインド工程と、 該バックグラインド工程が終了した後に、前記半導体基
    板を所定のダイシングラインに沿ってダイシングして個
    々の半導体素子に個片化するダイシング工程とを有する
    半導体装置の製造方法において、 前記バックグラインド工程と前記ダイシング工程との間
    に、 前記ダイシング工程で前記ダイシングラインの延在方向
    と異なる方向に研磨痕を形成する研磨痕形成工程を設け
    たことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、 研磨痕形成工程では、 回転軸が前記ダイシングラインの延在方向と異なる方向
    にとなるよう設置されると共に円筒表面が研磨面とされ
    た円筒砥石を用い、前記研磨痕を形成することを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、 前記研磨痕の形成方向が、前記ダイシングラインに対し
    て略４５度の角度を有することを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、 研磨痕形成工程では、 複数のエンドミルを有した研磨器機を用いて前記研磨痕
    を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 半導体基板の背面をバックグラインドす
    るバックグラインド工程と、 該バックグラインド工程が終了した後に、前記半導体基
    板を所定のダイシングラインに沿ってダイシングして個
    々の半導体素子に個片化するダイシング工程とを有する
    半導体装置の製造方法において、 前記バックグラインド工程の終了後に、前記半導体基板
    の背面にレーザ光を照射し、前記バックグラインド工程
    で発生した研磨痕を除去するレーザ照射工程を設けたこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項５記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、 前記レーザ照射工程で、前記研磨痕と共に破砕層を除去
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項５または６記載の半導体装置の製
    造方法において、 前記レーザ照射工程を前記ダイシング工程の終了後に実
    施することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 請求項７記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、 前記レーザ照射工程で、個片化された前記半導体素子の
    外周部に形成されたチッピングを除去することを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 請求項５または６記載の半導体装置の製
    造方法において、 前記ダイシング工程の終了後に、個片化された前記半導
    体素子を実装基板に実装する半導体素子実装工程を有
    し、 かつ、前記レーザ照射工程を、個片化された前記半導体
    素子をダイシング位置から実装基板へ搬送する途中にお
    いて実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 請求項５乃至９のいずれかに記載の半
    導体装置の製造方法において、 前記レーザ照射工程において、前記半導体素子の外周の
    みにレーザ光を照射して前記バックグラインド工程で発
    生した研磨痕及びダイシング工程で発生したチッピング
    を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2001322812A 2001-10-19 2001-10-19 半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP3789802B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001322812A JP3789802B2 (ja) 2001-10-19 2001-10-19 半導体装置の製造方法
EP02251999A EP1304735B1 (en) 2001-10-19 2002-03-20 Semiconductor device manufacture method
US10/101,174 US6951800B2 (en) 2001-10-19 2002-03-20 Method of making semiconductor device that has improved structural strength
DE60223328T DE60223328T2 (de) 2001-10-19 2002-03-20 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
TW091105428A TW552636B (en) 2001-10-19 2002-03-21 Method of making semiconductor device that has improved structural strength
KR1020020016671A KR100736347B1 (ko) 2001-10-19 2002-03-27 반도체 장치의 제조 방법
CN021076812A CN1218368C (zh) 2001-10-19 2002-03-29 改善结构强度的半导体器件的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001322812A JP3789802B2 (ja) 2001-10-19 2001-10-19 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003133260A true JP2003133260A (ja) 2003-05-09
JP3789802B2 JP3789802B2 (ja) 2006-06-28

Family

ID=19139792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001322812A Expired - Fee Related JP3789802B2 (ja) 2001-10-19 2001-10-19 半導体装置の製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6951800B2 (ja)
EP (1) EP1304735B1 (ja)
JP (1) JP3789802B2 (ja)
KR (1) KR100736347B1 (ja)
CN (1) CN1218368C (ja)
DE (1) DE60223328T2 (ja)
TW (1) TW552636B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012156168A (ja) * 2011-01-21 2012-08-16 Disco Abrasive Syst Ltd 分割方法
KR20180042322A (ko) * 2015-08-22 2018-04-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 배면 텍스처링
JP7476991B2 (ja) 2019-08-27 2024-05-01 株式会社デンソー 半導体装置と半導体装置の製造方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6896762B2 (en) * 2002-12-18 2005-05-24 Industrial Technology Research Institute Separation method for object and glue membrane
JP4494728B2 (ja) * 2003-05-26 2010-06-30 株式会社ディスコ 非金属基板の分割方法
CN100428418C (zh) * 2004-02-09 2008-10-22 株式会社迪斯科 晶片的分割方法
EP1587138B1 (de) * 2004-04-13 2007-05-30 Oerlikon Assembly Equipment AG, Steinhausen Einrichtung für die Montage von Halbleiterchips und Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterchips von einer Folie
JP2006150500A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Elpida Memory Inc レジンボンド砥石およびそれを用いた半導体チップの製造方法
KR100698098B1 (ko) * 2005-09-13 2007-03-23 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조방법
CN104733293A (zh) * 2013-12-23 2015-06-24 上海华虹宏力半导体制造有限公司 硅片背面工艺方法
CN105575980A (zh) * 2014-10-14 2016-05-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 背照式图像传感器的制作方法及背照式图像传感器
CN107635453B (zh) * 2015-06-22 2019-07-26 奥林巴斯株式会社 内窥镜用摄像装置
JP6637379B2 (ja) * 2016-05-19 2020-01-29 株式会社ディスコ ウエーハの評価方法
CN106290002B (zh) * 2016-08-03 2019-03-12 中国矿业大学 基于三点弯曲试验的岩石ⅰ型裂纹扩展全过程检测方法
KR101976441B1 (ko) * 2018-11-27 2019-08-28 주식회사 21세기 펨토초 레이저를 이용한 초정밀 블레이드 엣지 가공방법
JP2021178338A (ja) * 2020-05-12 2021-11-18 株式会社ディスコ レーザー加工方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4390392A (en) * 1980-09-16 1983-06-28 Texas Instruments Incorporated Method for removal of minute physical damage to silicon wafers by employing laser annealing
JPH0780379B2 (ja) 1986-05-26 1995-08-30 株式会社日立マイコンシステム Ｉｃカ−ド
JPH01138723A (ja) * 1987-11-25 1989-05-31 Nec Corp 半導体基板の裏面歪付け方法
JPH0442972A (ja) * 1990-06-06 1992-02-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサウエハの裏面処理方法
JPH0572359U (ja) 1992-03-06 1993-10-05 住友金属鉱山株式会社 半導体基板研磨装置
JPH068005B2 (ja) * 1992-11-12 1994-02-02 豊田工機株式会社 脆性工作物の加工方法
JPH0778793A (ja) * 1993-06-21 1995-03-20 Toshiba Corp 半導体ウェーハの研削加工方法
JPH08115893A (ja) 1994-10-18 1996-05-07 Toshiba Corp 半導体素子の製造方法
DE19505906A1 (de) * 1995-02-21 1996-08-22 Siemens Ag Verfahren zum Damage-Ätzen der Rückseite einer Halbleiterscheibe bei geschützter Scheibenvorderseite
JPH0938852A (ja) * 1995-07-31 1997-02-10 Sony Corp ウエハの裏面研削方法
US6046504A (en) * 1997-02-17 2000-04-04 Nippon Steel Corporation Resin-encapsulated LOC semiconductor device having a thin inner lead
JPH1167700A (ja) * 1997-08-22 1999-03-09 Hamamatsu Photonics Kk 半導体ウェハの製造方法
JP2000114129A (ja) * 1998-10-09 2000-04-21 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2000124176A (ja) * 1998-10-10 2000-04-28 Sharp Takaya Denshi Kogyo Kk レーザを利用した半導体チップ抗折強度の向上法
JP3816253B2 (ja) * 1999-01-19 2006-08-30 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3560888B2 (ja) * 1999-02-09 2004-09-02 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2001110755A (ja) * 1999-10-04 2001-04-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体チップ製造方法
JP3368876B2 (ja) * 1999-11-05 2003-01-20 株式会社東京精密 半導体チップ製造方法
JP2001176830A (ja) 1999-12-20 2001-06-29 Sony Corp 半導体装置の裏面研削方法
US6528393B2 (en) * 2000-06-13 2003-03-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method of making a semiconductor package by dicing a wafer from the backside surface thereof

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012156168A (ja) * 2011-01-21 2012-08-16 Disco Abrasive Syst Ltd 分割方法
KR20180042322A (ko) * 2015-08-22 2018-04-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 배면 텍스처링
JP2018533039A (ja) * 2015-08-22 2018-11-08 東京エレクトロン株式会社 基板背面テクスチャリング
KR102563669B1 (ko) * 2015-08-22 2023-08-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 배면 텍스처링
JP7476991B2 (ja) 2019-08-27 2024-05-01 株式会社デンソー 半導体装置と半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1304735A3 (en) 2003-06-25
TW552636B (en) 2003-09-11
EP1304735B1 (en) 2007-11-07
KR100736347B1 (ko) 2007-07-06
KR20030032801A (ko) 2003-04-26
US20030077880A1 (en) 2003-04-24
EP1304735A2 (en) 2003-04-23
US6951800B2 (en) 2005-10-04
DE60223328T2 (de) 2008-02-14
JP3789802B2 (ja) 2006-06-28
DE60223328D1 (de) 2007-12-20
CN1218368C (zh) 2005-09-07
CN1412822A (zh) 2003-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102368338B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP4599631B2 (ja) 板状部材の分割方法及び分割装置
KR102369760B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR102419485B1 (ko) 웨이퍼의 박화 방법
JP4694845B2 (ja) ウエーハの分割方法
KR100565392B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
JP3789802B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6451671B1 (en) Semiconductor device production method and apparatus
CN100466184C (zh) 晶片加工方法
US20070155131A1 (en) Method of singulating a microelectronic wafer
JP2007235069A (ja) ウェーハ加工方法
JP2004079746A (ja) チップ製造方法
TW201419392A (zh) 晶圓之加工方法
JP2008178886A (ja) 製品情報の刻印方法
CN114055645A (zh) Si基板制造方法
JP4505789B2 (ja) チップ製造方法
JP2014099522A (ja) 板状物の加工方法
JP2015037172A (ja) ウェーハの加工方法
JP5549403B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2022172109A (ja) ウェーハの加工方法
JP6783620B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP4362755B2 (ja) 板状部材の分割方法及び分割装置
JP2004335908A (ja) 板状部材の分割方法及び分割装置
JP6270520B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2011171382A (ja) 分割方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040907

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050408

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050419

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050610

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20051129

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060125

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20060131

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060328

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060329

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3789802

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090407

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090407

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100407

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110407

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110407

Year of fee payment: 5

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110407

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120407

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130407

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130407

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140407

Year of fee payment: 8

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees