JP2001176830A

JP2001176830A - 半導体装置の裏面研削方法

Info

Publication number: JP2001176830A
Application number: JP36122499A
Authority: JP
Inventors: Masashi Toda; 真史遠田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-12-20
Filing date: 1999-12-20
Publication date: 2001-06-29

Abstract

(57)【要約】【課題】チップ状態の半導体装置の裏面研削の際に個々
のチップに発生する反り量を均一化・最小化し、反り方
向、反り傾向を均等化することができる半導体装置の裏
面研削方法を提供する。【解決手段】砥石の研削面と当該研削面に対向するテー
ブル６１ａ上に配置された複数の半導体チップ６０の裏
面とを接触させ相対移動させて当該半導体チップ６０の
裏面を研削する半導体装置の裏面研削方法であって、砥
石の研削面による複数の半導体装置の裏面の研削によっ
て裏面に発生するソーマークＳ−ＭＫの裏面内における
形成方向がそれぞれ略等しくなるように、各半導体チッ
プを前記テーブル６１ａ上に配列する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の裏面
を平面研削して半導体装置を所定の厚さにする半導体装
置の裏面研削方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の薄型加工は、ウェーハ状態
での薄型加工については従来から行われており、チップ
が実装された基板の薄型化、積層実装工法の応用による
実装基板の薄型化、基板への半導体装置内層化による実
装基板の薄型化への要素技術として開発され、現在及び
将来の３次元高密度実装技術にとってなくてはならない
技術である。しかし、半導体装置の種類は多岐に渡り、
１社であらゆる半導体装置を量産しているメーカーはご
く限られており、通常は、ある社で製造された実装基板
の中に使用されている半導体装置は複数の社で製造され
たものであることが多い。すなわち、多くの社では半導
体装置をトレイに収納された状態の半導体チップを複数
の他社から供給され、これらの半導体チップを基板に実
装して自社製品を組み立てている。通常、種々の理由で
半導体装置をウェーハ状態でユーザに供給することは行
われていない。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上述したような背景か
ら、半導体装置をウェーハから分離したチップ状態で薄
型加工し、薄型の半導体チップにして供給することが注
目されてきている。しかしながら、たとえば、特開平６
−２８３７５８号公報に記載されているように、半導体
チップを薄型加工すると、デバイス面（素子形成面）側
と裏面側に発生する応力の差によって、反りを発生す
る。半導体チップをさらに薄型化する場合、たとえば、
半導体チップの厚さを２５〜５０μｍ程度まで加工しよ
うとした場合には、半導体チップの大きさ、デバイス面
の構成、保護膜の厚さなどによるが、半導体チップの厚
さが５０μｍ程度になると反り量が１ｍｍを越える場合
もある。従来の半導体チップの薄型加工においては、半
導体チップの厚さが元厚が６００〜７００μｍ程度から
一般的には２００〜４００μｍ程度への薄型加工であ
り、発生する反り量は数十μｍレベルでありこの反り量
が問題となるレベルではなかったが、薄型化した半導体
チップの反り量が大きくなると、半導体チップのハンド
リング、基板への実装の際に大きな支障となり、さら
に、薄型加工時に発生する割れ・欠けによる歩留まり低
下の原因になる。また、半導体チップの厚さを５０μｍ
程度まで薄型化した際に発生する反り量は、半導体チッ
プ毎に異なり、また、反りの方向や反りの傾向が半導体
チップ毎に異なるため、半導体チップのハンドリング、
基板への実装作業をさらに困難にするという不利益が存
在した。一方、ウェーハ状態の半導体装置であれば、裏
面研削加工後にエッチングあるいはポリッシングなどの
加工を施すことにより、裏面を鏡面加工することが比較
的容易であり、鏡面加工されれば、抗折強度向上、反り
低減につながる。しかし、チップ状態の半導体装置にお
いては、周辺部のダレ、端面からの浸食、加工コストが
増大する等の理由から、裏面研削加工後に上記のような
エッチングあるいはポリッシングなどの２次加工を行う
ことが難しい。

【０００４】本発明は、上述した問題に鑑みてなされた
ものであって、チップ状態の半導体装置の裏面研削の際
に個々のチップに発生する反り量を均一化・最小化し、
反り方向、反り傾向を均等化することができる半導体装
置の裏面研削方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、砥石の研削面
と当該研削面に対向するテーブル上に配置された複数の
チップ状態の半導体装置の裏面とを接触させ相対移動さ
せて当該半導体装置の裏面を研削する半導体装置の裏面
研削方法であって、前記研削面による前記複数の半導体
装置の裏面の研削によって前記裏面に発生する研削痕の
当該裏面内における形成方向がそれぞれ略等しくなるよ
うに、前記各半導体装置を前記テーブル上に配列する。

【０００６】好適には、前記複数の半導体装置の裏面に
作用する加工圧力が略均等化されるように前記複数の半
導体装置を前記テーブル上に配列する。

【０００７】前記テーブル上における前記半導体装置の
配置密度を略等しくする構成により、加工圧力を略均等
化することができる。

【０００８】あるいは、前記加工圧力差が相対的に大き
く発生する領域にダミーチップを配置する構成とするこ
とでも、加工圧力を略均等化することができる。

【０００９】具体的には、前記半導体装置の前記テーブ
ル上における配列を、前記テーブル上に前記半導体装置
の裏面よりも十分に広い面積をもつ被研削対象物を保持
させ当該被研削対象物の被研削面を研削したときに形成
される研削痕の分布に近似した配列とする。

【００１０】前記砥石および前記テーブルを所定の向き
に回転させ、かつ、前記砥石の回転中心が前記テーブル
の回転中心を通るように相対移動させて前記半導体装置
の裏面の研削を行い、前記テーブル上に前記半導体装置
の裏面よりも十分に広い面積をもつ被研削対象物を保持
させ当該被研削対象物の被研削面を研削したときに、当
該被研削面に形成される研削痕は、前記被研削面の回転
中心から半径方向に湾曲しながら放射状に伸びている。

【００１１】上記のように形成される研削痕に対して
は、前記複数の半導体装置を前記テーブルの回転中心か
ら半径方向に沿って放射状に配列する構成とすることが
できる。

【００１２】また、上記のように形成される研削痕に対
して、前記複数の半導体装置を前記テーブルの回転中心
から半径方向に沿って同心円状に配列する構成とするこ
とも可能である。

【００１３】また、上記のように形成される研削痕に対
しては、前記テーブルの中心部側と外周部側における前
記半導体装置の配置密度を略均等化する構成とすること
で、各半導体装置に作用する加工圧力を均等化できる。

【００１４】また、前記テーブルの中心部側と外周部側
にダミーチップを配置する構成とすることでも各半導体
装置に作用する加工圧力を均等化できる。

【００１５】本発明は、前記半導体装置の厚さを元々の
厚さが６００μｍ〜７００μｍ程度から数十μｍ程度ま
で薄く加工するような研削加工に好適である。

【００１６】本発明は、砥石の研削面と当該研削面に対
向するテーブル上に配置された複数のチップ状態の半導
体装置の裏面とを接触させ相対移動させて当該半導体装
置の裏面を研削する半導体装置の裏面研削方法であっ
て、前記複数の半導体装置の裏面に作用する加工圧力が
略均等化されるように前記複数の半導体装置を前記テー
ブル上に配列する。

【００１７】本発明では、研削面による半導体装置の裏
面の研削によって裏面に形成される研削痕の当該裏面内
における形成方向がそれぞれ略等しくなると、半導体装
置の裏面に形成される研削痕の形成方向と反りの方向や
反り量とは相関があることから、研削加工されたチップ
状の各半導体装置の反り方向および反り量が均等化され
ることになる。さらに、本発明では、加工圧力が略均等
化されるように半導体装置をテーブル上に配列すること
で、各半導体装置の裏面の研削量が均等化され、このこ
とによっても反り量が均等化されることになる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。第１の実施形態まず、本発明の半導体装置の裏面研削方法について説明
する前に、ウェーハの裏面を平面研削した際に裏面に発
生する研削痕（ソーマーク：saw mark）について説明す
る。図１は、ウェーハの裏面を研削するための研削装置
の一例を示す構成図である。図１に示すように、研削装
置１は、円形状の研削面５０ａをもつ砥石５０と、砥石
５０を保持し回転軸５２を中心に回転する保持部材５１
と、ウェーハ４０を保持する回転テーブル６１と、回転
テーブル６１のテーブル面６１ａ上に設けられたウェー
ハＷを吸着保持する多孔質真空チャック６２とを備えて
いる。

【００１９】保持部材５１は、砥石５０の研削面５０ａ
を矢印Ｃ１およびＣ２の向き、すなわち、ウェーハ４０
の表面に接近および離隔させる向き（矢印Ｃ１およびＣ
方向）に駆動する。なお、実際には、保持部材５１は、
荒仕上げ用および仕上げ用の砥石５０をそれぞれ保持す
るように２台設けられている。

【００２０】回転テーブル６１は、図示しない駆動機構
によって所定の向きに回転駆動され、内部に多孔質真空
チャック６２に通ずる管路６１ｂを備えており、この管
路６１ｂを通じて真空引きされる。さらに、回転テーブ
ル６１は、図示しない移動機構（回転機構）によって荒
仕上げ用および仕上げ用の砥石５０に対してそれぞれ移
動位置決め可能となっている。多孔質真空チャック６２
は、回転テーブル６１の管路６１ｂを通じて真空引きさ
れると、多孔質真空チャック６２上に保持されたウェー
ハ４０を真空吸着によってチャッキングする。なお、ウ
ェーハ４０は、ＩＣ等の素子が形成された面が多孔質真
空チャック６２に接触し、素子が形成されていない裏面
が砥石５０の研削面５０ａに対向する側に配置される。

【００２１】砥石５０は、たとえば、ダイアモンド等か
らなる砥粒が結合材によって固定されたものであり、研
削面５０ａに露出した砥粒がウェーハ４０に接触移動す
ることにより、ウェーハ４０の裏面を研削する。ウェー
ハ４０は、たとえば、シリコン基板から形成されてい
る。

【００２２】上記構成の研削装置１では、図２に示すよ
うに、砥石５０を矢印Ｒ２の向きに所定の回転数で回転
させ、ウェーハ４０を矢印Ｒ１の向きに回転させる。砥
石５０およびウェーハ４０の回転の向きは同じである。
また、砥石５０とウェーハ４０とは、砥石５０の直径が
ウェーハ４０の直径の約半分となっており、両者の回転
中心Ｏおよび５０ｂを偏心させ、砥石５０がウェーハ４
０の全面を研削可能な位置に位置決めされる。また、砥
石５０の回転数は、荒仕上用の砥石を用いた荒仕上げ時
には、たとえば、４８００ｒｐｍ程度、仕上げ用の砥石
を用いた仕上げ時には、５５００ｒｐｍ程度であり、ウ
ェーハ４０の回転数は荒仕上時には１００ｒｐｍ、仕上
げ時には、８０ｒｐｍ程度である。次いで、砥石５０を
保持した保持部材５１を図１に示した矢印Ｃ２方向に下
降させ、多孔質真空チャック６２にチャッキングされた
ウェーハ４０に対して切り込み方向に所定の送り速度で
切り込み研削加工する。

【００２３】このとき、砥石５０の切り込み方向の送り
速度は、たとえば、荒仕上げ時は比較的大きな送り速度
とし、仕上げ時は送り速度を相対的に小さくする。ま
た、荒仕上げ時と仕上げ時と送り速度で段階的に変更し
てもよい。また、荒仕上加工を行った後、回転テーブル
６１を仕上げ用の砥石５０に位置決めして研削加工す
る。

【００２４】砥石５０の研削面５０ａによるウェーハ４
０の裏面の研削加工によって、ウェーハ４０は薄型化さ
れるとともに、ウェーハ４０の裏面の加工面には、たと
えば、図３に示すように、ソーマークＳ−ＭＫが形成さ
れる。このソーマークＳ−ＭＫは、上記のような研削加
工によって、被研削面であるウェーハ４０の裏面の回転
中心Ｏから半径方向に湾曲しながら放射状に伸びてい
る。このソーマークＳ−ＭＫは、砥粒の番手を細かくす
れば薄くなるが、消えることはなく、ウェーハ４０の裏
面を鏡面にするには、ポリッシング、あるいはエッチン
グによりウェーハ４０の裏面を加工する必要がある。

【００２５】図４は本発明の半導体装置の裏面研削方法
に用いる研削装置の一例を示す構成図である。本発明の
半導体装置の裏面研削方法では、ウェーハ４０に形成さ
れた状態の半導体装置の裏面を研削加工するのではな
く、ウェーハ４０から、たとえば、ダイシング装置によ
って個々のチップに分離した状態の半導体チップの裏面
を研削加工して薄型化する。このような研削加工には、
上記した構成の研磨装置１を用いることが可能である
が、半導体チップの裏面の研削量が比較的大きい場合に
は、図４に示すような構成の研削装置を用いることが好
ましい。

【００２６】図４に示す研削装置１１は、図１に示した
研削装置１と同様に、円形状の研削面５０ａをもつ砥石
５０と、砥石５０を保持し回転軸５２を中心に回転する
保持部材５１と、回転テーブル６１とを備えている。さ
らに、研削装置１１は、回転テーブル６１と連結部材６
７によって連結された真空チャック部６５と、真空チャ
ック部６５に延伸リング６６によって固定された裏面保
護用テープ６９と、裏面保護用テープ６９と回転テーブ
ル６１のテーブル面６１ａの間に設けられたバックプレ
ート６８とを備えている。

【００２７】バックプレート６８は、たとえば、ＳＵＳ
材から形成されており、回転テーブル６１のテーブル面
６１ａと略同形状を有する。裏面保護用テープ６９は、
ウェーハ４０から個々のチップに分離された半導体チッ
プ６０の素子形成面を保護するためのものであり、裏面
保護用テープ６９の外周部は裏面保護用テープ６９に均
等な張力が作用するように延伸リング６６によって引き
延ばされた状態で真空チャック部６５にチャッキングさ
れている。裏面保護用テープ６９は、たとえば、比較的
軟質な樹脂材料からフィルム状に成形されたものであ
り、バックプレート６８上に半導体チップ６０の素子形
成面を直接載置すると、半導体チップ６０に形成された
素子が破壊されるおそれがあり、これを防ぐためのもの
である。

【００２８】上記構成の研削装置１１では、図２に示し
たのと同様に、砥石５０を矢印Ｒ２の向きに所定の回転
数で回転させ、ウェーハ４０を矢印Ｒ１の向きに回転さ
せ、砥石５０を保持した保持部材５１を図３に示した矢
印Ｃ２方向に下降させ、裏面保護用テープ６９に保持さ
れた半導体チップ６０の裏面に対して所定の送り速度で
切り込み、研削加工する。

【００２９】砥石５０の研削面５０ａによる半導体チッ
プ６０の裏面の研削加工によって、半導体チップ６０は
薄型化されるとともに、半導体チップ６０の裏面の加工
面には、上記したと同様のソーマークＳ−ＭＫが形成さ
れる。

【００３０】たとえば、図５に示すように、回転テーブ
ル６１のテーブル面６１ａに対して半導体チップ６０を
賽の目状に配列した場合に、研削加工された半導体チッ
プ６０の裏面には、たとえば、図６に示すようなソーマ
ークＳ−ＭＫが形成される。図６からわかるように、テ
ーブル面６１ａにおける半導体チップ６０の位置によっ
て、半導体チップ６０の裏面に形成されるソーマークＳ
−ＭＫの形成方向がそれぞれ異なることがわかる。

【００３１】ここで、上記のような研削加工によって半
導体チップ６０の裏面に形成されるソーマークＳ−ＭＫ
と薄型化された半導体チップ６０に発生する反りとの関
係について図７を参照して説明する。図７（ａ）に示す
ように、研削加工前の半導体チップ６０の厚さＨ₀ は、
たとえば、６００μｍ〜７００μｍ程度あり、この半導
体チップ６０を、たとえば、図７（ｂ）に示すように、
上記の研削加工を行って加工後の厚さＨ₁が２５μｍ〜
５０μｍ程度まで薄くすると、半導体チップ６０には反
りが発生する。この半導体チップ６０の反りは、主に、
半導体チップ６０の素子形成面６０ａ側とこれと反対側
の裏面６０ｂ側に発生する応力の差によって発生する。

【００３２】一方、図７（ｂ）に示すような半導体チッ
プ６０の反りは、個々の半導体チップ６０の裏面に形成
されたソーマークＳ−ＭＫの形成方向が揃っていない
と、反り量、反り方向、反り傾向が半導体チップ６０毎
に違う状態となる。すなわち、半導体チップ６０の反り
は、個々の半導体チップ６０の裏面に形成されたソーマ
ークＳ−ＭＫの形成方向と強い相関を持っている。

【００３３】たとえば、反り量、反り方向、反り傾向が
半導体チップ６０毎に異なると、たとえば、半導体チッ
プ６０を平面上に載置した状態での半導体チップ６０の
姿勢がそれぞれ異なったり、半導体チップ６０の形状が
それざれ異なった状態となるので、半導体チップ６０を
ハンドリングする際や、基板に実装する際に大きな支障
となる。

【００３４】このことから、半導体チップ６０の裏面に
形成されるソーマークＳ−ＭＫの形成方向を略等しくな
るように研削加工すれば、半導体チップ６０毎の反り
量、反り方向、反り傾向を略均等化できることがわか
る。

【００３５】次に、本発明の半導体装置の裏面研削方法
の一実施形態について説明する。図８は、上記の研削装
置１１の回転テーブル６１のテーブル面６１ａ上にバッ
クプレート６８および裏面保護用テープ６９を介して複
数の半導体チップ６０を配置した状態を示す図である。
図８において、半導体チップ６０は、素子形成面側が裏
面保護用テープ６９に接触する向きになっている。さら
に、半導体チップ６０は、図３において示したように、
ウェーハ４０の裏面を研削加工することによって形成さ
れるソーマークＳ−ＭＫの形成方向に沿って配列されて
いる。すなわち、矩形状の半導体チップ６０の長手方向
の向きは、回転テーブル６１のテーブル面６１ａの回転
中心６１ｂから半径方向に湾曲しながら放射状に伸びる
周方向に沿って等間隔に位置する曲線上に略等間隔で配
列されている。なお、このときのソーマークＳ−ＭＫの
形成方向は、ウェーハ４０の裏面の研削加工を行って事
前に調査しておく。

【００３６】上記のように半導体チップ６０を回転テー
ブル６１のテーブル面６１ａ上に配列し、回転テーブル
６１を回転させるとともに砥石５０の研削面５０ａを回
転させ、切り込み方向に所定の送り速度で切り込んで研
削加工を行う。

【００３７】図９は、回転テーブル６１のテーブル面６
１ａに図８に示したように配列された半導体チップ６０
の裏面を研削加工することによって半導体チップ６０の
裏面に形成されるソーマークＳ−ＭＫを示す図である。
図９に示すように、半導体チップ６０の裏面に形成され
たソーマークＳ−ＭＫの形成方向は、各半導体チップ６
０の裏面内において略均等化されている。

【００３８】以上のように、本実施形態によれば、ウェ
ーハ４０からチップ状に分離された半導体チップ６０の
裏面に形成されるソーマークＳ−ＭＫの形成方向を略均
等化できる。この結果、半導体チップ６０の厚さを、た
とえば、６００μｍ〜７００μｍ程度から２５μｍ〜５
０μｍ程度まで薄くしても、ソーマークＳ−ＭＫの形成
方向と強い相関のある半導体チップ６０毎の反り量、反
り方向、反り傾向を略均等化でき、半導体チップ６０を
ハンドリングする際や、基板に実装する際に半導体チッ
プ６０の反り量、反り方向、反り傾向の違いによる不具
合の発生を抑制することができる。

【００３９】第２実施形態上述した実施形態では、回転テーブル６１のテーブル面
６１ａに半導体チップ６０を図８に示したように配列す
ることにより、各半導体チップ６０の裏面に形成される
ソーマークＳ−ＭＫの形成方向を略均等化できた。しか
しながら、図８に示す回転テーブル６１のテーブル面６
１ａの回転中心６１ｂ付近と外周側とでは、半導体チッ
プ６０の配置密度が異なる。すなわち、回転テーブル６
１のテーブル面６１ａの外周側領域に配置された半導体
チップ６０の配置密度は、テーブル面６１ａの回転中心
６１ｂ側に配置された半導体チップ６０の配置密度より
も低い。

【００４０】上記のように、半導体チップ６０の配置密
度が回転中心側と外周側とで異なると、複数の半導体チ
ップ６０を砥石５０の研削面５０ａで同時に研削加工し
た際に、半導体チップ６０の配置密度が低いテーブル面
６１ａの外周側領域に配置された半導体チップ６０の裏
面に作用する加工圧力は、半導体チップ６０の配置密度
が高い回転テーブル６１のテーブル面６１ａの回転中心
側領域に配置された半導体チップ６０に作用する加工圧
力よりも大きくなり、両者の間には加工圧力に差が生ず
る。

【００４１】各半導体チップ６０間で加工圧力に差が生
じると、加工圧力が大きく作用する半導体チップ６０の
裏面の研削量が増加する。このことが原因で、研削加工
されて薄型化された半導体チップ６０の反り量、反り傾
向が異なってしまうことがある。すなわち、テーブル面
６１ａの回転中心６１ｂ側に配置された半導体チップ６
０とテーブル面６１ａの外周側領域に配置された半導体
チップ６０とで反り量、反り傾向が異なってしまう。さ
らに、外周側領域に配置された半導体チップ６０に大き
な加工圧力が作用するため、外周部に配置された半導体
チップ６０に割れ・欠けが発生しやすくなる。

【００４２】本実施形態では、この加工圧力の差に起因
する、テーブル面６１ａの回転中心６１ｂ側に配置され
た半導体チップ６０とテーブル面６１ａの外周側領域に
配置された半導体チップ６０との反り量、反り傾向の違
いの発生を抑制するために、たとえば、半導体チップ６
０の配列を図１０に示すような配列とする。図１０にお
いて、複数の半導体チップ６０は、回転テーブル６１の
テーブル面６１ａに、図３において示したように、ウェ
ーハ４０の裏面を研削加工することによって形成される
ソーマークＳ−ＭＫの形成方向に沿って配列されてい
る。

【００４３】これに加えて、回転テーブル６１のテーブ
ル面６１ａの外周側には、たとえば、ソーマークＳ−Ｍ
Ｋの形成方向に沿った一連の曲線Ｌ１、Ｌ２で挟まれる
領域にさらに半導体チップ６０がソーマークＳ−ＭＫの
形成方向に沿って配置されている。すなわち、本実施形
態では、回転テーブル６１のテーブル面６１ａの外周側
に配置される半導体チップ６０の配置密度を高めて、回
転テーブル６１のテーブル面６１ａの回転中心側に配置
された半導体チップ６０の配置密度と略等しくなるよう
にしている。

【００４４】上記のように、回転テーブル６１のテーブ
ル面６１ａ内で、半導体チップ６０の配置密度が略均等
化されるように半導体チップ６０を配置して砥石５０の
研削面５０ａで同時に研削加工することで、たとえば、
図１１に示すように、半導体チップ６０の裏面に形成さ
れたソーマークＳ−ＭＫの形成方向は、各半導体チップ
６０の裏面内において略均等化される。さらに、半導体
チップ６０の間で加工圧力差が少なくなり、特に、回転
テーブル６１のテーブル面６１ａの回転中心側と外周側
の領域の半導体チップ６０間で加工圧力差が少なくな
り、外周側の領域の半導体チップ６０の反り量、反り傾
向が異なったり、割れ・欠けが発生しやすくなるといっ
た不具合の発生を抑制することができる。

【００４５】第３実施形態上述した第２の実施形態で説明したように、回転テーブ
ル６１のテーブル面６１ａの外周側に配置される半導体
チップ６０の配置密度と回転中心側に配置された半導体
チップ６０の配置密度と略等しくして研削加工を行って
も、外周側の半導体チップ６０の割れ・欠けの改善が十
分ではない場合もありうる。本実施形態では、このよう
な場合に、回転テーブル６１のテーブル面６１ａの外周
側に配置される半導体チップ６０の反り量、反り傾向の
異なり、および割れ・欠けの改善をするために、回転テ
ーブル６１のテーブル面６１ａ内の構成を、たとえば、
図１２に示すような構成とする。

【００４６】図１２において、回転テーブル６１のテー
ブル面６１ａの回転中心６１ｂ付近には、回転中心６１
ｂと同心円状のダミーチップ６３を配置し、回転テーブ
ル６１のテーブル面６１ａの外周部には、回転中心６１
ｂと同心の環状に形成されたダミーチップ６４を配置し
ている。さらに、回転テーブル６１のテーブル面６１ａ
のダミーチップ６３とダミーチップ６４とで挟まれる領
域には、複数の半導体チップ６０は、その長手方向の向
きが、図３において示したように、ウェーハ４０の裏面
を研削加工することによって形成されるソーマークＳ−
ＭＫの形成方向に沿って配列されている。

【００４７】ダミーチップ６３およびダミーチップ６４
は、複数の半導体チップ６０と同じ高さを有しており、
半導体チップ６０のベース材と同材料で形成することが
できる。これらのダミーチップ６３およびダミーチップ
６４は、半導体チップ６０を砥石５０の研削面５０ａで
同時に研削加工した際に、砥石５０の研削面５０ａから
加工圧力を受けるため、複数の半導体チップ６０のう
ち、回転テーブル６１のテーブル面６１ａの外周側に配
置された半導体チップ６０に特に大きな加工圧力が作用
するのを防ぐことができる。この結果、回転テーブル６
１のテーブル面６１ａの外周側に配置される半導体チッ
プ６０の反り量、反り傾向が異なったり、割れ・欠けが
発生しやすくなるのを防ぐことができる。

【００４８】以上、本発明の種々の実施の形態について
説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されな
い。たとえば、半導体チップ６０の配置は理想的にはソ
ーマークＳ−ＭＫに沿った配置とすべきであるが、擬似
的に単なる放射状、或いは同心円状配置とすることで
も、ある程度の反り量低減、反り傾向の統一を図ること
ができる。

【００４９】また、上述した実施形態では、ソーマーク
Ｓ−ＭＫが研削加工によって、被研削面であるウェーハ
４０の裏面の回転中心Ｏから半径方向に湾曲しながら放
射状に伸びるように形成される場合において、チップに
分離された半導体チップ６０をこのソーマークＳ−ＭＫ
に沿って回転テーブル６１のテーブル面６１ａに配列す
る構成としたが、研削方法によってはソーマークＳ−Ｍ
Ｋの形成方向は上述した実施形態の場合のようにならな
い場合もある。このような場合にも、半導体チップ６０
の向きを形成されると予想されるソーマークＳ−ＭＫの
形成方向に沿って配列することにより、上述した実施形
態と同様の効果が得られる。

【００５０】

【発明の効果】本発明によれば、対象とする半導体装置
におけるソーマーク方向と反り量、反り傾向を事前に調
査しておくことにより、反りに対して最適な配置でチッ
プ状半導体装置を研削加工することができる。これによ
り、エッチングあるいはポリッシングなどの２次加工な
しにチップ状半導体装置の反り量の最小化と均一化、反
り傾向と反り方向の統一化が実現できる。また、本発明
によれば、チップ状の半導体装置の反り状態が改善され
ることにより、チップ実装、チップのハンドリングが安
定し、製造歩留まりを向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ウェーハの裏面を研削するための研削装置の一
例を示す構成図である。

【図２】砥石５０によってウェーハ４０の裏面を研削す
る様子を示す図である。

【図３】ウェーハ４０の裏面の研削加工によって形成さ
れるソーマークの一例を示す図である。

【図４】半導体チップの裏面を研削するための研削装置
の一例を示す構成図である。

【図５】半導体チップを回転テーブル上に賽の目状に配
列させた状態を示す図である。

【図６】回転テーブル上に賽の目状に配列された半導体
チップの裏面を研削加工して形成されるソーマークの一
例を示す図である。

【図７】半導体チップ６０の裏面の研削加工によって半
導体チップ６０の発生する反りを説明するための図であ
る。

【図８】本発明の第１の実施形態に係る半導体チップの
配列方法を示す図である。

【図９】図８に示す配列の導体チップの裏面を研削加工
して形成されるソーマークの一例を示す図である。

【図１０】本発明の第２の実施形態に係る半導体チップ
の配列方法を示す図である。

【図１１】図１０に示す配列の導体チップの裏面を研削
加工して形成されるソーマークの一例を示す図である。

【図１２】本発明の第３の実施形態に係る半導体チップ
の配列方法を示す図である。

【図１３】図１２に示す配列の導体チップの裏面を研削
加工して形成されるソーマークの一例を示す図である。

【符号の説明】

１，１１…研削装置、４０…ウェーハ、６０…半導体チ
ップ、６１…回転テーブル、６１ａ…テーブル面、６
３，６４…ダミーチップ、Ｓ−ＭＫ…ソーマーク。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】砥石の研削面と当該研削面に対向するテー
ブル上に配置された複数のチップ状態の半導体装置の裏
面とを接触させ相対移動させて当該半導体装置の裏面を
研削する半導体装置の裏面研削方法であって、前記研削面による前記複数の半導体装置の裏面の研削に
よって前記裏面に発生する研削痕の当該裏面内における
形成方向がそれぞれ略等しくなるように、前記各半導体
装置を前記テーブル上に配列する半導体装置の裏面研削
方法。
【請求項２】前記複数の半導体装置の裏面に作用する加
工圧力が略均等化されるように前記複数の半導体装置を
前記テーブル上に配列する請求項１に記載の半導体装置
の裏面研削方法。
【請求項３】前記テーブル上における前記半導体装置の
配置密度を略等しくする請求項１に記載の半導体装置の
裏面研削方法。
【請求項４】前記加工圧力差が相対的に大きく発生する
領域にダミーチップを配置する請求項１に記載の半導体
装置の裏面研削方法。
【請求項５】前記半導体装置の前記テーブル上における
配列を、前記テーブル上に前記半導体装置の裏面よりも
十分に広い面積をもつ被研削対象物を保持させ当該被研
削対象物の被研削面を研削したときに形成される研削痕
の分布に近似した配列とする請求項１に記載の半導体装
置の裏面研削方法。
【請求項６】前記砥石および前記テーブルを所定の向き
に回転させて前記半導体装置の裏面の研削を行う請求項
１に記載の半導体装置の裏面研削方法。
【請求項７】前記テーブル上に前記半導体装置の裏面よ
りも十分に広い面積をもつ被研削対象物を保持させ当該
被研削対象物の被研削面を研削したときに、当該被研削
面に形成される研削痕は、前記被研削面の回転中心から
半径方向に湾曲しながら放射状に伸びている請求項６に
記載の半導体装置の裏面研削方法。
【請求項８】前記複数の半導体装置を前記テーブルの回
転中心から半径方向に沿って放射状に配列する請求項７
に記載の半導体装置の裏面研削方法。
【請求項９】前記複数の半導体装置を前記テーブルの回
転中心から半径方向に沿って同心円状に配列する請求項
７に記載の半導体装置の裏面研削方法。
【請求項１０】前記半導体装置の厚さを、元々の厚さが
６００μｍ〜７００μｍ程度から数十μｍ程度まで薄く
加工する請求項１に記載の半導体装置の裏面研削方法。
【請求項１１】前記テーブルの中心部側と外周部側にお
ける前記半導体装置の配置密度を略均等化する請求項７
に記載の半導体装置の裏面研削方法。
【請求項１２】前記テーブルの中心部側と外周部側にダ
ミーチップを配置する請求項７に記載の半導体装置の裏
面研削方法。
【請求項１３】砥石の研削面と当該研削面に対向するテ
ーブル上に配置された複数のチップ状態の半導体装置の
裏面とを接触させ相対移動させて当該半導体装置の裏面
を研削する半導体装置の裏面研削方法であって、前記複数の半導体装置の裏面に作用する加工圧力が略均
等化されるように前記複数の半導体装置を前記テーブル
上に配列する半導体装置の裏面研削方法。
【請求項１４】前記テーブル上における前記半導体装置
の配置密度を略等しくする請求項１３に記載の半導体装
置の裏面研削方法。
【請求項１５】前記加工圧力差が相対的に大きく発生す
る領域にダミーチップを配置する請求項１３に記載の半
導体装置の裏面研削方法。
【請求項１６】前記研削面による前記複数の半導体装置
の裏面の研削によって前記裏面に発生する研削痕の当該
裏面内における形成方向がそれぞれ略等しくなるよう
に、前記各半導体装置を前記テーブル上に配列する請求
項１３に記載の半導体装置の裏面研削方法。
【請求項１７】前記テーブル上に前記半導体装置の裏面
よりも十分に広い面積をもつ被研削対象物を保持させ当
該被研削対象物の被研削面を研削したときに、当該被研
削面に形成される研削痕は、前記被研削面の回転中心か
ら半径方向に湾曲しながら放射状に伸びている請求項１
３に記載の半導体装置の裏面研削方法。
【請求項１８】前記テーブルの中心部側と外周部側にお
ける前記半導体装置の配置密度を略均等化する請求項１
７に記載の半導体装置の裏面研削方法。
【請求項１９】前記テーブルの中心部側と外周部側にダ
ミーチップを配置する請求項１７に記載の半導体装置の
裏面研削方法。