JP2013193204A - 半導体パッケージスリミング装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、半導体パッケージスリミング装置及び方法に関し、より詳細には、研磨砥石の幅の端部で発生する集中荷重を防止するために、スリミングする半導体パッケージの幅より大きい幅を有する研磨砥石を用いて半導体パッケージの全面を同時に研磨する半導体パッケージスリミング装置及び方法に関する。
【解決手段】本発明による半導体パッケージをスリム化する装置は、前記半導体パッケージが載せられるテーブル;及び前記テーブルに載せられた半導体パッケージを研磨する研磨砥石;を含み、前記研磨砥石の幅は前記半導体パッケージの幅より大きいことを特徴とする。
【選択図】図9
【解決手段】本発明による半導体パッケージをスリム化する装置は、前記半導体パッケージが載せられるテーブル;及び前記テーブルに載せられた半導体パッケージを研磨する研磨砥石;を含み、前記研磨砥石の幅は前記半導体パッケージの幅より大きいことを特徴とする。
【選択図】図9
Description
本発明は、半導体パッケージスリミング装置及び方法に関し、より詳細には、研磨砥石の幅の端部で発生する集中荷重を防止するために、スリミングする半導体パッケージの幅より大きい幅を有する研磨砥石を用いて半導体パッケージの全面を同時に研磨する半導体パッケージスリミング装置及び方法に関する。
最近、半導体素子製造技術の開発に伴い、短時間内により多くのデータを処理するのに適した半導体素子を有する各半導体パッケージが開発されている。
半導体パッケージは、リードフレーム又は印刷回路基板などの基板資材(Substrate)のパッド上に半導体チップをダイボンディングし、リードフレームのリード又は印刷回路基板の端子と半導体チップをワイヤーボンディングした後、前記のボンディングされた半導体チップ及びワイヤーの連結部品を保護するためにその周囲を樹脂(Epoxy Molding Compound;EMC)でモールディングしたものを示す。
図1及び図2は、一般的な半導体パッケージ100を示した図である。図示したように、印刷回路基板110上に半導体チップ120がワイヤーボンディングされ、モールディング部130が形成されたことが分かる。半導体チップ120は、ウエハー121及びワイヤーボンダー122を含む。
しかし、積層された各半導体チップ120の信号伝逹のために印刷回路基板110やリードフレームを用い、また、半導体チップ120を保護するために樹脂でモールディングしたモールディング部130の形成が不可避であり、半導体パッケージ100の全体厚さt0が上昇するという問題がある。
また、このような問題により、最近の電子機器の小型化及び情報通信機器の厚さのスリム化に対応しにくい。
本発明は、上述した問題を解決するためになされたもので、本発明の目的は、研磨砥石の幅の端部で発生する集中荷重を防止するために、スリミングする半導体パッケージの幅より大きい幅を有する研磨砥石を用いて半導体パッケージの全面を同時に研磨する半導体パッケージスリミング装置及び方法を提供することにある。
前記のような技術的課題を解決するために、本発明による半導体パッケージをスリム化する装置は、前記半導体パッケージが載せられるテーブル;及び前記テーブルに載せられた半導体パッケージを研磨する研磨砥石;を含み、前記研磨砥石の幅は前記半導体パッケージの幅より大きいことを特徴とする。
また、前記テーブルには真空ホールが形成されることが望ましい。
また、前記テーブル又は研磨砥石を水平に往復運動させる移送手段がさらに備えられることが望ましい。
また、前記研磨砥石は、前記半導体パッケージのモールディング面を研磨することが望ましい。
また、本発明による半導体パッケージをスリム化する方法は、1)前記半導体パッケージをテーブルに真空吸着する段階;及び2)前記テーブルに吸着された半導体パッケージを研磨砥石で研磨する段階;を含み、前記2)段階は、前記半導体パッケージの幅より大きい幅を有する研磨砥石を用いて前記半導体パッケージの全面を同時に研磨することを特徴とする。
また、前記2)段階は、前記半導体パッケージのモールディング面を研磨することが望ましい。
また、前記2)段階は、前記半導体パッケージが吸着されたテーブル又は研磨砥石を水平に移動させながら研磨することが望ましい。
本発明によると、スリミングする半導体パッケージの幅より大きい幅を有する研磨砥石を用いて半導体パッケージの全面を同時に研磨することによって、半導体パッケージ又は研磨砥石の幅の端部で無理な集中荷重が加えられることを防止することができる。
特に、形態が変形された半導体パッケージをスリミングするときにも均一に研磨することができる。
また、半導体パッケージのモールディング面を研磨して半導体パッケージの厚さを容易に減少させることができ、その結果、半導体パッケージの放熱機能が向上するという効果もある。
以下、添付の図面を参照して本発明によるスリミング装置及び方法を説明する。
図3及び図4を参照すると、本発明によるスリミング装置1は、テーブル10、移送手段30、及び研磨手段20を含む。
前記テーブル10は、半導体パッケージを真空吸着する構成要素であって、半導体パッケージより大きい面積を有するプレート形態をなし、前記テーブル10には複数の真空溝11が形成されている。また、前記真空溝11には複数の真空ホール12が形成されているが、真空ホール12は真空圧が印加される真空手段(図示せず)に連結される。
前記移送手段30は、テーブル10を水平に往復運動させる構成要素である。前記移送手段30は、前記テーブル10を支持した状態で駆動源(図示せず)によって作動し、案内部に沿って水平に往復運動する。
前記研磨手段20は、前記半導体パッケージを研磨する研磨砥石21と、前記研磨砥石21を回転させるスピンドル22とを含む。
一方、本実施例のスリミング装置1では、移送手段30がテーブル10を水平に往復運動させるが、これと異なり、テーブルが固定された状態で研磨手段を水平に往復運動させることも可能である。また、移送手段としては、LMガイドやエアシリンダーなどの公知の手段を用いることができる。
以下、スリミング装置の作動状態及びスリミング方法を説明する。
図5を参照すると、まず、半導体パッケージ100をテーブル10に真空吸着し、設定された研磨量によって研磨砥石21を下降させる。この状態で研磨砥石21を回転させながらテーブル10を水平に移動させて半導体パッケージ100を研磨し、半導体パッケージをスリム化する。
図6を参照すると、研磨砥石21の幅t1が半導体パッケージの幅t2より小さい場合、半導体パッケージ100を研磨砥石21の幅に応じて複数回に分けて研磨することができる。この場合、テーブル10を水平に往復運動させる移送手段の他に、移送手段の移送方向と直交する方向にテーブル10を移動させたり、又は研磨砥石21を前後進させる第2の移送手段(図示せず)が別途に備えられなければならない。
しかし、このように研磨砥石21の幅t1が半導体パッケージの幅t2より小さい場合、図7に示したように、研磨砥石21と半導体パッケージ100とが接触する縁部p1、p2に無理な集中荷重が加えられ、半導体パッケージ100の損傷をもたらし得るという問題がある。特に、半導体パッケージ100は、製造工程を経ながら屈曲が生じるなど、形態が変形される場合が多いが、このように形態が変形された半導体パッケージ100を研磨するとき、変形された部分p3において研磨砥石21で加えられる無理な集中荷重のために損傷をもたらすこともある。
このような点を勘案し、図8及び図9に示したように、研磨砥石の幅t1は、前記半導体パッケージの幅t2より大きく構成することが望ましい(t1>t2)。このように構成することによって、半導体パッケージ100の全体面積を同時に研磨することができる。このように半導体パッケージ100の全体面積を同時に研磨することによって、半導体パッケージ100の変形された部分又は研磨砥石21の幅の端部で無理な集中荷重が加えられることを防止することができ、その結果、半導体パッケージ100の損傷を防止することができる。
図10を参照すると、本発明は、半導体パッケージ100のモールディング面を研磨してスリム化する。半導体パッケージ100の厚さ減少量t3は必要に応じて設定可能であるが、モールディング部130以外に、場合によっては半導体チップ120のウエハー121の一部を研磨することも可能である。
本実施例では、印刷回路基板上に半導体チップが実装された半導体パッケージをスリミングする装置及び方法を説明したが、本発明によるスリミング装置及び方法は、半導体チップがリードフレーム上に実装された半導体パッケージのスリミングにも同一に適用可能であることは当然である。
1:スリミング装置、10:テーブル、11:真空溝、12:真空ホール、20:研磨手段、21:研磨砥石、22:スピンドル、30:移送手段
Claims (7)
- 半導体パッケージをスリム化する装置において、
前記半導体パッケージが載せられるテーブル;及び
前記テーブルに載せられた半導体パッケージを研磨する研磨砥石;を含み、
前記研磨砥石の幅は前記半導体パッケージの幅より大きいことを特徴とする半導体パッケージスリミング装置。 - 前記テーブルには真空ホールが形成されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体パッケージスリミング装置。
- 前記テーブル又は研磨砥石を水平に往復運動させる移送手段がさらに備えられることを特徴とする、請求項1に記載の半導体パッケージスリミング装置。
- 前記研磨砥石は、前記半導体パッケージのモールディング面を研磨することを特徴とする、請求項1に記載の半導体パッケージスリミング装置。
- 半導体パッケージをスリム化する方法において、
1)前記半導体パッケージをテーブルに真空吸着する段階;及び
2)前記テーブルに吸着された半導体パッケージを研磨砥石で研磨する段階;を含み、
前記2)段階は、前記半導体パッケージの幅より大きい幅を有する研磨砥石を用いて前記半導体パッケージの全面を同時に研磨することを特徴とする半導体パッケージスリミング方法。 - 前記2)段階は、前記半導体パッケージのモールディング面を研磨することを特徴とする、請求項5に記載の半導体パッケージスリミング方法。
- 前記2)段階は、前記半導体パッケージが吸着されたテーブル又は研磨砥石を水平に移動させながら研磨することを特徴とする、請求項5に記載の半導体パッケージスリミング方法。
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