JP2003273053A

JP2003273053A - 平面研削方法

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Publication number: JP2003273053A
Application number: JP2002070773A
Authority: JP
Inventors: Kazuya Fukuda; 和哉福田
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2002-03-14
Filing date: 2002-03-14
Publication date: 2003-09-26

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体基板の裏面研削時において，周縁部に
生じるチッピングや基板の破損を抑制可能な平面研削方
法を提供すること。【解決手段】半導体基板の裏面を平面研削する平面研
削方法であって：半導体基板の周縁部を周方向に沿って
切断して，裏面に対して略垂直な垂直切断面または裏面
側から表面側にかけて外側に傾斜した傾斜切断面を形成
する周縁部切断工程と；周縁部が切断された半導体基板
の裏面を垂直切断面または傾斜切断面を残存させながら
平面研削する裏面研削工程と；を含むことを特徴とする
平面研削方法が提供される。かかる構成により，裏面研
削時に鋭角形状となりうる箇所を予め除去して，裏面研
削用の面取り加工を行うことができる。このため，裏面
研削時には，研削に伴う負荷を鋭角形状ではないエッジ
で受けることができるので，周縁部に生ずるチッピング
や半導体基板の割れを抑制できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，平面研削方法にか
かり，特に，半導体基板の裏面を研削する平面研削方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来，表面に半導体素子が形成された半
導体基板の厚さを薄くするために，グラインダーなどを
用いて半導体基板の裏面全体を平面研削する裏面研削が
行われている。さらに，近年では，ＩＣなどの半導体チ
ップの小型化・薄型化に伴い，半導体基板を研削して２
００〜３００μｍ程度の極薄にすることが求められてお
り，中には１００μｍ以下の厚さにまで研削する場合も
ある。

【０００３】ところで，半導体基板は，各工程間での移
送時に生じるチッピングなどを防止するため面取り加工
が施されており，図１１（ａ）に示すように半導体基板
の周縁部が例えば丸い形状（Ｒ形状）となっている。か
かる半導体基板を裏面研削すると，図１１（ｂ）に示す
ように周縁部の裏面側がＲ形状から徐々に鋭角形状に変
化してしまう。このような周縁部の鋭角化は，半導体基
板が薄くなるにつれ，より顕著になる。さらに，半導体
基板が薄くなると，基板自体の抗折強度も極端に低下し
てしまう。このため，かかる周縁部の鋭角形状の箇所
に，裏面研削による負荷や後工程での衝撃がわずかでも
加わると，簡単にチッピングが発生してしまい，かかる
チッピングが起点となり半導体基板が割れやすいという
問題があった。

【０００４】そこで，このような問題の解決方法とし
て，特開平８−３７１６９号公報に記載のように，半導
体基板の裏面側の周縁部を研削して傾斜面を形成した上
で裏面研削する平面研削方法が提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記の
ような平面研削方法では，周縁部を研削砥石で研削する
際に，周縁部が研削砥石の圧接力に耐えられず，周縁部
を研削することで却って半導体基板にチッピングや割れ
を発生させてしまうという問題があった。

【０００６】本発明は，従来の平面研削方法が有する上
記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的
は，半導体基板の周縁部に生じるチッピングや基板の破
損を防止して，半導体基板の裏面を好適に研削すること
の可能な，新規かつ改良された平面研削方法を提供する
ことである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め，本発明の第１の観点によれば，半導体基板の裏面を
平面研削する平面研削方法であって：半導体基板の周縁
部を周方向に沿って切断して，裏面に対して略垂直な垂
直切断面または裏面側から表面側にかけて外側に傾斜し
た傾斜切断面を形成する，周縁部切断工程と；周縁部が
切断された半導体基板の裏面を，垂直切断面または傾斜
切断面を残存させながら平面研削する，裏面研削工程
と；を含むことを特徴とする，平面研削方法が提供され
る。

【０００８】かかる構成により，周縁部切断工程では，
半導体基板の裏面側の周縁部のエッジ角度を，少なくと
も９０°以上にすることができる。即ち，裏面研削時に
鋭角形状となりうる箇所を予め除去して，半導体基板の
裏面側に裏面研削用の面取り加工を行うことができる。
このため，裏面研削工程では，裏面研削が進行し半導体
基板が薄くなっても，研削に伴う負荷を鋭角形状ではな
いエッジで受けることができるので，周縁部に生ずるチ
ッピングや半導体基板の割れを抑制できる。さらに，半
導体基板の周縁部を切断することで上記裏面研削用の面
取り加工を行うので，加工速度が早い上に，従来の研削
による面取り加工のように過負荷を与えて却ってチッピ
ングを発生させてしまうことがなく，加工精度が向上す
る。

【０００９】なお，半導体基板の表面とは，回路（半導
体素子）が形成された側の面をいい，一方，半導体基板
の裏面とは，回路が形成された面（即ち，表面）とは反
対側の面をいう。

【００１０】さらに，上記周縁部切断工程では，傾斜切
断面を形成する，如く構成すれば，裏面研削工程では，
研削に伴う負荷をエッジ角度が鈍角であるエッジで受け
ることができるので，周縁部に生ずるチッピングや半導
体基板の割れをより好適に抑制できる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら，
本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。な
お，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構
成を有する構成要素については，同一の符号を付するこ
とにより重複説明を省略する。

【００１２】（第１の実施の形態）まず，本発明の第１
の実施形態にかかる平面研削方法について説明する。本
実施形態にかかる平面研削方法の特徴は，被加工物であ
る半導体基板を裏面研削する前に，当該半導体基板の周
縁部を略垂直に切断して垂直切断面を形成することにあ
る。そこで，以下では，まず，半導体基板の周縁部を切
断する切断装置と，半導体基板の裏面を研削する平面研
削装置の構成について説明し，次いで，本実施形態にか
かる平面研削方法の動作フローについて詳細に説明する
こととする。

【００１３】まず，図１に基づいて，本実施形態にかか
る切断装置の構成について説明する。なお，図１は，本
実施形態にかかる切断装置であるダイシング装置１０の
構成を示す正面図である。

【００１４】切断装置は，半導体基板の周縁部を周方向
に沿って切断して，半導体基板の裏面側のエッジが鋭角
形状とならないような切断面を形成する機能を有し，例
えば，図１（ａ）に示すように，切削ユニット１１とチ
ャックテーブル１８とを具備するダイシング装置（ダイ
シングソー，ダイサーともいう。）１０で構成できる。
なお，切断装置としては，かかるダイシング装置１０の
例に限定されるものではない。

【００１５】切削ユニット１１は，例えばリング形状を
有する極薄のブレード１２と，ブレード１２を挟持する
フランジ１４と，例えば電動モータ（図示せず）の回転
駆動力をブレード１２に伝達するスピンドル１６とを有
する。かかる切削ユニット１１は，高速回転するブレー
ド１２を加工面に切り込ませて切削することにより，加
工面に極薄のカーフを形成することができる。なお，切
削時には各種ノズル（図示せず。）により加工点付近に
切削水が供給される。

【００１６】被加工物である半導体基板２０は，例えば
シリコン等からなる例えば８インチの半導体ウェハであ
り，例えば略円盤形状を有する。この半導体基板２０に
は，回路が形成された表面側に保護テープ２２が貼り付
けられている。この保護テープ２２は，例えばグライン
ディングテープ，ＵＶ硬化型テープなどの粘着テープで
あり，半導体基板２０の回路面が接触等により破損する
ことを防止する機能を有する。

【００１７】また，チャックテーブル１８は，かかる半
導体基板２０を例えば裏面（回路が形成された面とは反
対側の面）を上向きにして載置・固定する機能を有す
る。このチャックテーブル１８は，例えば，上面に真空
吸着手段（図示せず。）を有しており，半導体基板２０
を真空吸着して安定的に保持することができる。さら
に，かかるチャックテーブル１８は，半導体基板２０を
保持した状態で例えば水平方向に回転可能であり，半導
体基板２０を切削ユニット１１に対して回転させること
ができる。

【００１８】このような構成のダイシング装置１０は，
高速回転するブレード１２を半導体基板２０の裏面側の
周縁部に切り込ませながら，チャックテーブル１８を例
えば１回転させることにより，半導体基板２０の周縁部
を周方向に沿って切断して切断面を形成することができ
る。なお，この際の切断速度は，チャックテーブル１８
の回転速度に依存し，例えば５°／ｓｅｃである。

【００１９】さらに，このダイシング装置１０は，図１
（ｂ）に示すように，スピンドル１６を任意の角度だけ
傾斜可能に構成されており，半導体基板２０に対して切
削ユニット１１全体を傾斜させて，ブレード１２と加工
面とのなす角（以下では，切断角度という。）θを例え
ば９０度以外の角度にすることができる。かかる構成に
より，スピンドル１６を傾斜させた状態で半導体基板２
０の周縁部を切断し，傾斜した切断面を形成することも
可能である。

【００２０】次に，図２に基づいて，本実施形態にかか
る平面研削装置の構成について説明する。なお，図２
は，本実施形態にかかる平面研削装置３０の構成を示す
正面図である。

【００２１】図２に示すように，本実施形態にかかる平
面研削装置３０は，例えば立軸回転テーブル型のインフ
ィード平面研削盤（グラインダーともいう。）である。
この平面研削装置３０は，主として，研削用の砥石３２
と，砥石３２を保持する砥石保持部３４と，砥石３２を
回転させるスピンドル３６と，半導体基板２０を載置・
固定するチャックテーブル３８とを有する。

【００２２】砥石３２は，例えば略リング形状を有する
研削砥石（グライディングホイールともいう。）であ
り，ダイヤモンド等からなる砥粒を各種の結合材で固め
て形成される。かかる砥石３２を回転させながら被加工
物に押圧することにより，砥石３２の作用面（刃先）と
被加工物との間に幾何学的な干渉を起こさせて，加工面
を削り取ることができる。

【００２３】また，砥石保持部３４は，例えば下部で砥
石３２を保持して固定する機能を有し，例えば上部でス
ピンドル３６に固設されている。このスピンドル３６
は，例えば電動モータ（図示せず。）が発生する回転駆
動力を，砥石保持部３４を介して砥石３２に伝達する機
能を有し，砥石３２を例えば５０００〜５５００ｒｐｍ
などの回転数で回転させることができる。さらに，例え
ばスピンドル３６の上部には，砥石送り手段（図示せ
ず。）が設けられており，砥石３２を半導体基板２０に
対して例えば垂直方向に昇降できる。

【００２４】また，チャックテーブル３８は，砥石保持
部３４と例えば垂直方向に対向配置されるテーブルであ
り，例えば上面に設けられた真空吸着手段（図示せ
ず。）により半導体基板２０を真空吸着して固定でき
る。これにより，半導体基板２０は，裏面が例えば上に
向いた状態で，砥石３２の作用面に対して対向配置され
ることとなる。さらに，このチャックテーブル３８は，
例えば水平方向に回転可能に構成されているので，載置
した半導体基板２０を例えば８０〜１２０ｒｐｍなどの
回転数で回転させることができる。なお，かかる半導体
基板２０の回転と上記砥石３２の回転とは独立したもの
であり，相互の回転数を自由に調整することができる。
また，本実施形態における双方の回転方向は，図２に示
すように同一方向であるが，かかる例に限定されず，例
えば，相互に逆方向に回転させてもよい。なお，以上の
ようなチャックテーブル３８を，上記のダイシング装置
１０のチャックテーブル１８としても機能するよう構成
してもよい。

【００２５】以上のような構成の平面研削装置３０は，
半導体基板２０および砥石３２の双方を回転させなが
ら，砥石３２を所定の送り速度で軸送りして，砥石３２
作用面を半導体基板２０の裏面に押圧することにより，
例えば，半導体基板２０を目的の厚さとなるまで連続的
に平面研削（即ち，インフィード研削）することができ
る。

【００２６】次に，図３および図４に基づいて，本実施
形態にかかる平面研削方法の動作フローについて詳細に
説明する。なお，図３は，本実施形態にかかる平面研削
方法の動作フローを示すフローチャートであり，図４
は，本実施形態にかかる平面研削方法の各工程における
半導体基板２０の形状等を示す断面図である。

【００２７】図３に示すように，まず，ステップＳ１０
では，半導体基板２０の表面に保護テープ２２が貼り付
けられる（ステップＳ１０）。図４（ａ）に示すよう
に，半導体基板２０は，各工程間で半導体基板２０を移
送する際に周縁部が破損することを防止すべく，例えば
前工程であるウェハ製造工程において，周縁部が例えば
滑らかな丸い形状（Ｒ形状）となるよう面取り処理が施
されている。また，この半導体基板２０は，前工程であ
るウェハ処理工程において，表面側に複数の回路（半導
体素子）２４が形成されている。本ステップでは，かか
る半導体基板２０の表面に保護テープ２２が貼り付けら
れる。これにより，後続のステップにおいて，切削くず
の付着や他部材との接触などにより回路２４が破損する
ことを防止できる。保護テープ２２が貼り付けられた半
導体基板２０は，ダイシング装置１０のチャックテーブ
ル１８上に例えば裏面を上向きにして載置される。

【００２８】次いで，ステップＳ１２では，上記ダイシ
ング装置１０を用いて，半導体基板２０の周縁部が垂直
に切断される（ステップＳ１２：周縁部切断工程）。図
４（ｂ）に示すように，高速回転するブレード１２が，
半導体基板２０の裏面側の周縁部に切り込ませられる。
この際，スピンドル１６が傾けられていないので，ブレ
ード１２と加工面（裏面）とは略垂直である。即ち，切
断角度θが約９０°である。また，ブレード１２の切り
込み深さは，半導体基板２０を完全に切断することが可
能な深さであることが好ましい。

【００２９】さらに，このようにブレード１２を切り込
ませた状態で，チャックテーブル１８（図示せず。）を
所定の回転数（例えば，５°／ｓｅｃ）で回転させるこ
とにより，半導体基板２０の周縁部が周方向に沿って連
続的に切断される。その後，チャックテーブル１８が例
えば一回転すると，半導体基板２０の全外周における切
断が終了し，図４（ｃ）に示すように，半導体基板２０
の周縁部には，半導体基板２０の裏面および表面に対し
て例えば略垂直な切断面（以下では，垂直切断面とい
う。）４０が形成される。この垂直切断面４０と裏面と
のなす角（即ち，周縁部の裏面側エッジがなす角度であ
るエッジ角度）αは，約９０°である。かかる垂直切断
面４０を形成することにより，半導体基板２０の周縁部
は，例えば，Ｒ形状が完全に除去され，断面が例えば略
コの字形のエッジ形状となる。

【００３０】さらに，ステップＳ１４では，半導体基板
２０が移送される（ステップＳ１４）。上記ステップＳ
１２で周縁部が切断された半導体基板２０は，平面研削
装置３０のチャックテーブル３８上に移送され，裏面を
例えば上向きにして載置される。なお，上述したよう
に，平面研削装置３０のチャックテーブル３８をダイシ
ング装置１０のチャックテーブル１８として利用可能に
構成すれば，半導体基板２０を移送する必要がなくな
り，本ステップを省略できる。

【００３１】その後，ステップＳ１６では，上記平面研
削装置３０を用いて，半導体基板２０が裏面研削される
（ステップＳ１６：裏面研削工程）。図４（ｄ）に示す
ように，回転する砥石３２を例えば垂直方向に軸送りし
て，半導体基板２０の裏面に押圧することにより，半導
体基板２０の裏面が徐々に平面研削される。かかる裏面
研削を，半導体基板２０が目的の厚さとなるまで連続的
に行うことにより，極薄の半導体基板２０（例えば，厚
さが３００μｍ）が形成される。

【００３２】かかる裏面研削中は，常に，エッジ角度α
を約９０°に維持することができる。即ち，周縁部の裏
面側のエッジ形状が一貫して変わらず，従来のように半
導体基板２０が薄くなるにつれ裏面側のエッジ形状が鋭
角形状となることがない。このため，裏面研削に伴う砥
石３２の負荷を，シャープエッジではなく，エッジ角度
αが約９０°と比較的大きいエッジで受けることができ
るので，研削中の周縁部の強度が高まり，チッピングの
発生や半導体基板２０の割れを抑制することができる。

【００３３】（第２の実施の形態）次に，本発明の第２
の実施形態にかかる平面研削方法について説明する。第
２の実施形態にかかる平面研削方法は，上記第１の実施
形態にかかる平面研削方法と比して，周縁部切断工程に
おける切断角度θが異なる点で相違するのみであり，そ
の他の機能構成は第１の実施形態の場合と略同一である
ので，その説明は省略する。

【００３４】以下に，図５および図６に基づいて，本実
施形態にかかる平面研削方法の動作フローについて詳細
に説明する。なお，図５は，本実施形態にかかる平面研
削方法の動作フローを示すフローチャートであり，図６
は，本実施形態にかかる平面研削方法の各工程における
半導体基板２０の形状等を示す断面図である。

【００３５】図５に示すように，まず，ステップＳ２０
では，半導体基板２０の表面に保護テープ２２が貼り付
けられる（ステップＳ２０）。本ステップは，上記第１
の実施形態にかかる平面研削方法におけるステップＳ１
０と略同一であるので，詳細な説明は省略する。

【００３６】次いで，ステップＳ２２では，上記ダイシ
ング装置１０を用いて，半導体基板２０の周縁部が斜め
に切断される（ステップＳ２２：周縁部切断工程）。図
６（ｂ）に示すように，高速回転するブレード１２が，
半導体基板２０の裏面側の周縁部に切り込ませられる。
この際，スピンドル１６が水平方向から下向きに所定角
度（例えば８°）傾けられているため，切断角度θは９
０°より小さい（例えば８２°）。また，ブレード１２
の切り込み深さは，半導体基板２０を完全に切断するこ
とが可能な深さであることが好ましい。

【００３７】さらに，このようにブレード１２を切り込
ませた状態で，チャックテーブル１８（図示せず。）を
所定の回転数（例えば，５°／ｓｅｃ）で回転させるこ
とにより，半導体基板２０の周縁部が周方向に沿って連
続的に切断される。その後，チャックテーブル１８が例
えば一回転すると，半導体基板２０の全外周における切
断が終了し，図６（ｃ）に示すように，半導体基板２０
の周縁部には，半導体基板２０の裏面および表面に対し
て傾斜した切断面（傾斜切断面）５０が形成される。こ
の傾斜切断面５０と裏面とのなす角（即ち，エッジ角
度）αは，約（１８０°−θ）であり，鈍角（例えば約
９８°）となる。かかる傾斜切断面５０を形成すること
により，半導体基板２０の周縁部は，例えば，Ｒ形状が
完全に除去され，半導体基板２０の裏面側から表面側に
下るような傾斜面を有するエッジ形状となる。これによ
り，半導体基板２０の外周面が略テーパー状の傾斜曲面
となり，半導体基板２０は全体として例えば略円錐台形
状をなすこととなる。

【００３８】さらに，ステップＳ２４では，半導体基板
２０が移送される（ステップＳ２４）。本ステップは，
上記第１の実施形態にかかる平面研削方法におけるステ
ップＳ１４と略同一であるので，詳細な説明は省略す
る。

【００３９】その後，ステップＳ２６では，上記平面研
削装置３０を用いて，半導体基板２０が裏面研削される
（ステップＳ２６：裏面研削工程）。図６（ｄ）に示す
ように，回転する砥石３２を例えば垂直方向に軸送りし
て，半導体基板２０の裏面に押圧することにより，半導
体基板２０の裏面が徐々に平面研削される。かかる裏面
研削を，半導体基板２０が目的の厚さとなるまで連続的
に行うことにより，極薄の半導体基板２０（例えば，厚
さが３００μｍ）が形成される。

【００４０】かかる裏面研削中は，常に，エッジ角度α
を鈍角（例えば９８°）に維持することができる。即
ち，周縁部の裏面側のエッジ形状が一貫して変わらず，
従来のように半導体基板２０が薄くなるにつれ裏面側の
エッジ形状が鋭角形状となることがない。このため，裏
面研削に伴う砥石３２の負荷を，シャープエッジではな
く，エッジ角度αが鈍角であるエッジで受けることがで
きるので，上記第１の実施形態の場合と比しても，研削
中の周縁部の強度がより高まり，チッピングの発生や割
れをさらに抑制することができる。

【００４１】以上説明したように，上記第１および第２
の実施形態にかかる平面研削方法では，ダイシング装置
１０によって半導体基板２０の周縁部を垂直または斜め
に切断することにより，裏面研削時に鋭角形状となりう
る箇所を予め除去して，裏面研削用の面取りを行うこと
ができる。さらに，上記実施形態では，かかる裏面研削
用の面取りをする際に，従来のように半導体基板２０裏
面の周縁部を例えば研削装置によって研削加工するので
はなく，例えばダイシング装置１０を用いて切断加工す
る構成が特徴である。かかる構成により，研削加工より
切断加工の方が周縁部に与える負荷が小さいので，従来
のように当該研削加工が原因で却ってチッピングを発生
させることもなく，好適に裏面研削用の面取りを行うこ
とができる。

【００４２】従って，例えば厚さ３００μｍ以下の極薄
の半導体基板２０を形成する場合であっても，半導体基
板２０のチッピングや割れを抑制して好適に裏面研削で
きるので，歩留まりを向上させることができる。

【００４３】さらに，垂直切断面４０または傾斜切断面
５０を形成するために要する時間は，当該研削加工によ
り傾斜面を形成するために要する時間と比して，大幅に
短いので，生産効率の向上を図ることもできる。

【００４４】（実施例）次に，上記第１および第２の実
施形態にかかる平面研削方法に基づいて，平面研削試験
を行った結果について説明する。かかる平面研削試験で
は，半導体基板２０の周縁部を切断して異なる４つのエ
ッジ形状に整形し，各エッジ形状を有する半導体基板２
０を裏面研削することにより裏面側のエッジに生じたチ
ッピングの大きさを複数回測定した。

【００４５】まず，表１に基づいて，各エッジ形状につ
いて説明する。表１に示すように，エッジ形状は，上
記第２の実施形態に基づくエッジ形状であり，半導体基
板２０周縁部の裏面側のエッジ角度αが鈍角（９８°）
である場合である。また，エッジ形状は，上記第１の
実施形態に基づくエッジ形状であり，エッジ角度αが約
９０°である場合である。また，エッジ形状は，エッ
ジ角度αが比較的大きい鋭角である場合であり，エッジ
形状は，エッジ角度αが比較的小さい鋭角である場合
であり，双方とも周縁部には裏面研削用の面取り加工を
行っていない。

【００４６】

【表１】

【００４７】次に，試験条件について説明する。いずれ
のエッジ形状の場合も，標準的なビトリファイドボンド
を用いた粒度４０／６０μｍの砥石３２を用いて，８イ
ンチ半導体ウェハを標準的な研削条件で裏面研削し，仕
上げ厚さを３００μｍとした。また，エッジ形状およ
びエッジ形状を整形する際には，ダイシング装置１０
による半導体基板２０の切断速度を５°／ｓｅｃとし
た。また，エッジ形状を整形する際には，スピンドル
１６の傾斜角度を８°（切断角度θを８２°）として，
傾斜切断面５０を形成した。

【００４８】次に，図７〜１０および表２に基づいて，
試験結果について説明する。なお，図７〜図１０は，各
エッジ形状を有する半導体基板２０の研削後に，裏面側
エッジに生じた平均的なチッピングの例を示す顕微鏡写
真（倍率：×５０）である。また，表２は，かかるチッ
ピングの幅Ｗ，水平方向の深さＤ，垂直方向の深さＨの
平均値と，水平方向の深さＤの最大値の測定結果を示す
表である。

【００４９】

【表２】

【００５０】図７〜図１０および表２に示すように，エ
ッジ角度αが小さくなるにつれ，チッピングは，幅Ｗ，
水平方向の深さＤ，垂直方向の深さＨとも，大きくなっ
ていることが分かる。

【００５１】より詳細には，エッジ角度αが最も大きい
９８°であるエッジ形状の場合は，例えば，水平方向
の深さＤの平均値が２８．５μｍ，水平方向の深さＤの
最大値が４７μｍとなっており，発生したチッピングが
最も小さい。また，エッジ角度αが２番目に大きい９０
°であるエッジ形状の場合は，例えば，水平方向の深
さＤの平均値が２９．０μｍ，水平方向の深さＤの最大
値が４７μｍとなっており，エッジ形状の場合と同程
度で発生したチッピングが小さい。

【００５２】これに対し，エッジ角度αが最も小さいエ
ッジ形状の場合は，例えば，水平方向の深さＤの平均
値が４９．３μｍ，水平方向の深さＤの最大値が６９μ
ｍとなっており，発生したチッピングが最も大きく，エ
ッジ形状の場合と比して，約１．５倍以上である。

【００５３】このような試験結果によれば，上記本発明
の実施形態に基づくエッジ形状およびエッジ形状の
場合には，裏面研削時にエッジに生ずるチッピングを大
幅に抑制できているといえる。従って，周縁部切断工程
で周縁部のエッジ角度αを９０度以上にする裏面研削用
の面取り加工を行うことにより，裏面研削工程において
半導体基板２０を極薄に裏面研削する際の加工精度を高
め，その結果，製品の歩留まりを向上させることができ
るといえる。

【００５４】以上，添付図面を参照しながら本発明の好
適な実施形態および実施例について説明したが，本発明
はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求
の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の
変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，
それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するも
のと了解される。

【００５５】例えば，上記実施形態では，被加工物であ
る半導体基板２０として，シリコンからなる半導体ウェ
ハの例を挙げたが，かかる例に限定されず，シリコン以
外の各種化合物半導体などからなる半導体基板２０であ
ってもよい。

【００５６】また，上記実施形態では，周縁部切断工程
においてダイシング装置１０を用いたが，本発明はかか
る例に限定されず，半導体基板２０の周縁部を切断可能
な各種の切断装置を用いてもよい。

【００５７】また，上記実施形態では，ダイシング装置
１０のスピンドル１６を傾けて切削することで半導体基
板２０の傾斜切断面５０を形成したが，本発明はかかる
例に限定されない。例えば，ダイシング装置１０のチャ
ックテーブル１８を傾けることで，傾斜切断面５０を形
成可能に構成してもよい。

【００５８】また，上記実施形態では，表面に回路（半
導体素子）２４が形成された後の半導体基板２０の周縁
部を切断したが，本発明はかかる例に限定されない。例
えば，表面に回路２４が形成される前に，予め半導体基
板２０の周縁部を切断しておいてもよい。即ち，上記周
縁部切断工程を，半導体素子等を形成するウェハ処理工
程前に行ってもよい。

【００５９】また，上記実施形態では，周縁部切断工程
後，半導体基板２０を移送した直後に，裏面研削工程を
行ったが，本発明はかかる例に限定されず，周縁部切断
工程と裏面研削工程の間に，各種の工程を行ってもよ
い。例えば，周縁部切断工程後に，半導体基板２０を個
々の半導体チップに分割するダイシング工程を行い，そ
の後に裏面研削工程を行って半導体チップを極薄にする
よう構成してもよい。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように，本発明にかかる平
面研削方法によれば，半導体基板の周縁部に垂直切断面
または傾斜切断面を形成することによって，裏面研削用
の面取り加工を施すことができる。このため，裏面研削
時には，裏面側の周縁部に生ずるチッピングや半導体基
板の割れを抑制して加工精度を高めることができるの
で，歩留まりの向上が図れる。

【００６１】また，裏面研削用の面取り加工を行う際に
は，半導体基板の裏面側の周縁部を切断加工するので，
研削加工する場合と比べて，周縁部に与える負荷を低減
できる。このため，裏面研削用の面取り加工時において
も，チッピングを抑制し加工精度を高めることができ
る。さらに，かかる面取り加工に要する時間を大幅に低
減できるので，生産効率の向上も図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は，第１の実施形態にかかる切断装置であ
るダイシング装置の構成を示す正面図である。

【図２】図２は，第１の実施形態にかかる平面研削装置
の構成を示す正面図である。

【図３】図３は，第１の実施形態にかかる平面研削方法
の動作フローを示すフローチャートである。

【図４】図４は，第１の実施形態にかかる平面研削方法
の各工程における半導体基板の形状等を示す断面図であ
る。

【図５】図５は，第２の実施形態にかかる平面研削方法
の動作フローを示すフローチャートである。

【図６】図６は，第２の実施形態にかかる平面研削方法
の各工程における半導体基板の形状等を示す断面図であ
る。

【図７】図７は，本実施例にかかるエッジ形状を有す
る半導体基板の研削後に，裏面側エッジに生じた平均的
なチッピングの顕微鏡写真である。

【図８】図８は，本実施例にかかるエッジ形状を有す
る半導体基板の研削後に，裏面側エッジに生じた平均的
なチッピングの顕微鏡写真である。

【図９】図９は，本実施例にかかるエッジ形状を有す
る半導体基板の研削後に，裏面側エッジに生じた平均的
なチッピングの顕微鏡写真である。

【図１０】図１０は，本実施例にかかるエッジ形状を
有する半導体基板の研削後に，裏面側エッジに生じた平
均的なチッピングの顕微鏡写真である。

【図１１】図１１は，従来の平面研削方法にかかる半導
体基板の形状等を示す断面図である。

【符号の説明】

１０：ダイシング装置１２：ブレード１６：スピンドル１８：チャックテーブル２０：半導体基板２２：保護テープ３０：平面研削装置３２：砥石３８：チャックテーブル４０：垂直切断面５０：傾斜切断面 θ ：切断角度 α ：エッジ角度

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板の裏面を平面研削する平面研
削方法であって：前記半導体基板の周縁部を周方向に沿
って切断して，前記裏面に対して略垂直な垂直切断面ま
たは前記裏面側から表面側にかけて外側に傾斜した傾斜
切断面を形成する，周縁部切断工程と；前記周縁部が切
断された半導体基板の裏面を，前記垂直切断面または前
記傾斜切断面を残存させながら平面研削する，裏面研削
工程と；を含むことを特徴とする，平面研削方法。
【請求項２】前記周縁部切断工程では，前記傾斜切断
面を形成することを特徴とする，請求項１に記載の平面
研削方法。